JPS639984A - 非晶質半導体装置 - Google Patents
非晶質半導体装置Info
- Publication number
- JPS639984A JPS639984A JP61154559A JP15455986A JPS639984A JP S639984 A JPS639984 A JP S639984A JP 61154559 A JP61154559 A JP 61154559A JP 15455986 A JP15455986 A JP 15455986A JP S639984 A JPS639984 A JP S639984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous semiconductor
- semiconductor layer
- semiconductor device
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は非晶質半導体装置に関する。さらに詳しくは廉
価なかつ半導体層均一性の高い大面積の半導体装置を製
造できるとともに光検出素子または透過型放射線検出素
子などとして利用できる非晶質半導体装置に関する。
価なかつ半導体層均一性の高い大面積の半導体装置を製
造できるとともに光検出素子または透過型放射線検出素
子などとして利用できる非晶質半導体装置に関する。
［従来の技術および発明が解決しようとする問題点］
従来、太陽電池などの受光素子としての非晶質半導体装
置には第３図に示すようなものがある。第３図において
（３１）は非晶質半導体装置の支持体としてのガラス基
板であり、このガラス基板（３１）上にはＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ２などからなる電極となる透明導電膜（３２）が形成
されている。そして透明導電膜（３２）上には光電変換
が生じるｐｎ型またはｐｉｎ型などの非晶質半導体層（
３３）が形成されており、該非晶質半導体層（３３）上
にはＮなどの金属が蒸着されてなる電極層（３４）が形
成されている。そして第３図で示す下方よりガラス基板
（３１）を透過して非晶質半導体層（３３）に光が照射
されると透明導電膜（３２）と電極層（３４）との間に
起電力が生じる。
置には第３図に示すようなものがある。第３図において
（３１）は非晶質半導体装置の支持体としてのガラス基
板であり、このガラス基板（３１）上にはＩＴＯ、Ｓｎ
Ｏ２などからなる電極となる透明導電膜（３２）が形成
されている。そして透明導電膜（３２）上には光電変換
が生じるｐｎ型またはｐｉｎ型などの非晶質半導体層（
３３）が形成されており、該非晶質半導体層（３３）上
にはＮなどの金属が蒸着されてなる電極層（３４）が形
成されている。そして第３図で示す下方よりガラス基板
（３１）を透過して非晶質半導体層（３３）に光が照射
されると透明導電膜（３２）と電極層（３４）との間に
起電力が生じる。
しかしながら以上のような非晶質半導体装置においては
ガラス基板自体の強度が弱く大面積化困難であるという
問題がある。またガラス基板を放射線検出素子に利用す
るばあいにおいてはガラスは光に対する透過性はよいが
放射線、とくにＸ線に対する透過性が劣るという問題が
ある。
ガラス基板自体の強度が弱く大面積化困難であるという
問題がある。またガラス基板を放射線検出素子に利用す
るばあいにおいてはガラスは光に対する透過性はよいが
放射線、とくにＸ線に対する透過性が劣るという問題が
ある。
また第３図において前記ガラス板を支持体とせず電極層
（３４）として導電性の金属製基板を使用しこれに支持
体としての機能をもたせ、この金属製基板上に非晶質半
導体層を形成して非晶質半導体装置を製造するばあいに
は、大面積化は可能となるが金属製基板上に直接ａ−３
１などの非晶質半導体層をグロー放電法、スパッタ法な
どにより成長させることになり、金属製基板表面がプラ
ズマにより損傷を受は金属性基板表面上に均一で良質な
非晶質半導体層が形成しにくいという問題がある。これ
は特にＮの金属製基板を使用するばあいに著るしい。
（３４）として導電性の金属製基板を使用しこれに支持
体としての機能をもたせ、この金属製基板上に非晶質半
導体層を形成して非晶質半導体装置を製造するばあいに
は、大面積化は可能となるが金属製基板上に直接ａ−３
１などの非晶質半導体層をグロー放電法、スパッタ法な
どにより成長させることになり、金属製基板表面がプラ
ズマにより損傷を受は金属性基板表面上に均一で良質な
非晶質半導体層が形成しにくいという問題がある。これ
は特にＮの金属製基板を使用するばあいに著るしい。
また従来、半導体を放射線検出素子として使用する放射
線検出器においては、この検出素子としてシリコン単結
晶などのバルクを使用しているために放射線検出素子の
大面積化が困難であり、また照射放射線が前記バルクに
ほとんど吸収されてしまうため透過型の半導体放射線検
出素子を作ることは困難であるという問題がある。
線検出器においては、この検出素子としてシリコン単結
晶などのバルクを使用しているために放射線検出素子の
大面積化が困難であり、また照射放射線が前記バルクに
ほとんど吸収されてしまうため透過型の半導体放射線検
出素子を作ることは困難であるという問題がある。
本発明は以上のような問題点を解決するためになされた
もので大面積の光検出素子または透過型放射線検出素子
が廉価にかつ非晶質半導体層の均一性を高くして製作が
できる非晶質半導体装置を提供することを目的としてい
る。
もので大面積の光検出素子または透過型放射線検出素子
が廉価にかつ非晶質半導体層の均一性を高くして製作が
できる非晶質半導体装置を提供することを目的としてい
る。
［問題点を解決するための手段］
本発明による非晶質半導体装置は非晶質半導体層と該非
晶質半導体層を支持する基板とが形成されてなるもので
ある。そして前記基板は金属などを使用して強固なもの
とし、これにより１０ｃｍ Ｘ ｌｏａｍ以上の大ｉ７
ｊ’ｉ積の非晶質半導体層を形成した非晶質半導体装置
を製造でき、また前記基板と前記非晶質半導体層とのあ
いだに導電性薄膜を形成することにより基板上に非晶質
半導体層を均一にかつ良質な膜として形成することがで
きる。そして前記基板に一方の電極としての機能をもた
せるとともに前記非晶質半導体層上に他方の電極を設け
ることにより本発明の非晶質半導体装置が光検出器また
は放射線検出器などとして利用されうる。前記他方の電
極は光検出器用としては透明導電膜を使用したものが好
ましく放射線検出器用としては低原子量金属の膜を使用
したものが好ましい。
晶質半導体層を支持する基板とが形成されてなるもので
ある。そして前記基板は金属などを使用して強固なもの
とし、これにより１０ｃｍ Ｘ ｌｏａｍ以上の大ｉ７
ｊ’ｉ積の非晶質半導体層を形成した非晶質半導体装置
を製造でき、また前記基板と前記非晶質半導体層とのあ
いだに導電性薄膜を形成することにより基板上に非晶質
半導体層を均一にかつ良質な膜として形成することがで
きる。そして前記基板に一方の電極としての機能をもた
せるとともに前記非晶質半導体層上に他方の電極を設け
ることにより本発明の非晶質半導体装置が光検出器また
は放射線検出器などとして利用されうる。前記他方の電
極は光検出器用としては透明導電膜を使用したものが好
ましく放射線検出器用としては低原子量金属の膜を使用
したものが好ましい。
［実施例］
以下、本発明による非晶質半導体装置をその実施例を示
す図によって説明する。
す図によって説明する。
第１図は本発明による非晶質半導体装置が光検出素子で
あるばあいの実施例１を示している。
あるばあいの実施例１を示している。
第１図において（１）はステンレスからなる基板であり
、基板（１）の厚さは０．１〜２μｍである。基板（１
）にはＣ「からなる導電性薄膜（２）が蒸着法またはス
パッタ法により形成されており、導電性薄膜（２）の厚
さは２００〜１０００人である。導電性薄膜（２）上に
はａ−８Ｉからなる非晶質半導体層（３）がグロー放電
法により形成されており、この非晶質半導体層（３）の
厚さは３０００人〜１μｍである。非晶質半導体層（３
）は１ ｃｄあたりＩＭΩ以上のシャント抵抗を有する
のが好ましい。そして非晶質半導体層（３）上にはＩＴ
Ｏからなる透明導電膜（４）が蒸着法またはスパッタ法
により形成されており、透明導電膜（４）の厚さは５０
０〜１０００人である。
、基板（１）の厚さは０．１〜２μｍである。基板（１
）にはＣ「からなる導電性薄膜（２）が蒸着法またはス
パッタ法により形成されており、導電性薄膜（２）の厚
さは２００〜１０００人である。導電性薄膜（２）上に
はａ−８Ｉからなる非晶質半導体層（３）がグロー放電
法により形成されており、この非晶質半導体層（３）の
厚さは３０００人〜１μｍである。非晶質半導体層（３
）は１ ｃｄあたりＩＭΩ以上のシャント抵抗を有する
のが好ましい。そして非晶質半導体層（３）上にはＩＴ
Ｏからなる透明導電膜（４）が蒸着法またはスパッタ法
により形成されており、透明導電膜（４）の厚さは５０
０〜１０００人である。
そしてこのような構成からなる本実施例における非晶質
半導体装置はその面積がｔｏｏ ｃ−以上のものが作成
できる。
半導体装置はその面積がｔｏｏ ｃ−以上のものが作成
できる。
以上のように構成された非晶質半導体装置においては、
光が第１図で示す上方より透明導電膜（４）を透過して
非晶質半導体層（３）に照射されることにより非晶質半
導体層（３）内で光電変換がおこなわれ透明導電膜（４
）と基板（１）との間に起電力が生じ、これにより本実
施例の非晶質半導体装置が光検出素子として機能する。
光が第１図で示す上方より透明導電膜（４）を透過して
非晶質半導体層（３）に照射されることにより非晶質半
導体層（３）内で光電変換がおこなわれ透明導電膜（４
）と基板（１）との間に起電力が生じ、これにより本実
施例の非晶質半導体装置が光検出素子として機能する。
なお実施例１においては、基板（１）の材料としてはス
テンレスを使用したが、これはＣｕやＮであってもよ〈
実施例１のものに限定されるものではない。
テンレスを使用したが、これはＣｕやＮであってもよ〈
実施例１のものに限定されるものではない。
また実施例１の導電性薄膜（２）の材料としてはＣｒを
使用したが、これはＴＩやＮ１であってもよ〈実施例１
のものに限定されるものではない。また実施例１の半導
体層（３）としてはａ−８ｉを使用したが、これはａ−
８ＩＣやＨ−８Ｉ Ｎであってもよく光電変換が生じう
るちのであれば実施例１のものに限定されるものではな
い。
使用したが、これはＴＩやＮ１であってもよ〈実施例１
のものに限定されるものではない。また実施例１の半導
体層（３）としてはａ−８ｉを使用したが、これはａ−
８ＩＣやＨ−８Ｉ Ｎであってもよく光電変換が生じう
るちのであれば実施例１のものに限定されるものではな
い。
また実施例１の透明導電膜の材料としてはＩＴＯを使用
したが、これはＳｎＯ２であってもよく光透過性のもの
であれば実施例１のものに限定されるものではない。
したが、これはＳｎＯ２であってもよく光透過性のもの
であれば実施例１のものに限定されるものではない。
なお実施例１による非晶質半導体装置は非晶質半導体層
が大面積のものとして製造できるため物体の面積測定な
どに利用できる。
が大面積のものとして製造できるため物体の面積測定な
どに利用できる。
つぎに第２図は本発明による非晶質半導体装置が透過型
放射線検出素子であるばあいの実施例２を示している。
放射線検出素子であるばあいの実施例２を示している。
第２図において（２１）はＮからなる基板であり、基板
（２１の厚さは０．５〜２μｍである。基板（２１）上
にはＴＩからなる導電性薄膜のが蒸着法またはスパッタ
法により形成されており、導電性薄膜ｎの厚さは１００
〜５００人である。
（２１の厚さは０．５〜２μｍである。基板（２１）上
にはＴＩからなる導電性薄膜のが蒸着法またはスパッタ
法により形成されており、導電性薄膜ｎの厚さは１００
〜５００人である。
導電性薄膜ｎ上にはａ−３１からなる非晶質半導体層の
がグロー放電法により形成されており、この非晶質半導
体層力の厚さは３０００人〜１μｍである。そして非晶
質半導体層の上にはＳｎＯ２からなる電極層Ｃ４が蒸着
法またはスパッタ法により形成されており、電極層Ｑ４
の厚さは１０００人〜１μｍである。そしてこのような
構成からなる本実施例における非晶質半導体装置はその
面積が１００ｃｄ以上のものが作製できる。
がグロー放電法により形成されており、この非晶質半導
体層力の厚さは３０００人〜１μｍである。そして非晶
質半導体層の上にはＳｎＯ２からなる電極層Ｃ４が蒸着
法またはスパッタ法により形成されており、電極層Ｑ４
の厚さは１０００人〜１μｍである。そしてこのような
構成からなる本実施例における非晶質半導体装置はその
面積が１００ｃｄ以上のものが作製できる。
以上のように構成された実施例２の半導体装置において
は放射線が基板（２Ｄ側または電極層Ｃ４側の外部から
それぞれ基板（２′Ｄまたは電極層０４を透過して非晶
質半導体層のに照射されることによって、非晶質半導体
層の内の空乏層に電子・正孔対が生成し、これにより電
極層（２４と基板（２Ｄとの間に電流が生じることによ
って、本実施例の非晶質半導体装置が放射線検出素子と
して機能する。このばあい照射される放射線の一部は前
記非晶質半導体層のに吸収されるが、非晶質半導体層の
の厚さが薄いため照射される放射線の大部分は実施例２
の非晶質半導体装置を通過してしまうので、本実施例の
非晶質半導体装置を使用することにより放射線量を測定
しながら本実施例の非晶質半導体装置を通過する放射線
を目的物に照射することができる。
は放射線が基板（２Ｄ側または電極層Ｃ４側の外部から
それぞれ基板（２′Ｄまたは電極層０４を透過して非晶
質半導体層のに照射されることによって、非晶質半導体
層の内の空乏層に電子・正孔対が生成し、これにより電
極層（２４と基板（２Ｄとの間に電流が生じることによ
って、本実施例の非晶質半導体装置が放射線検出素子と
して機能する。このばあい照射される放射線の一部は前
記非晶質半導体層のに吸収されるが、非晶質半導体層の
の厚さが薄いため照射される放射線の大部分は実施例２
の非晶質半導体装置を通過してしまうので、本実施例の
非晶質半導体装置を使用することにより放射線量を測定
しながら本実施例の非晶質半導体装置を通過する放射線
を目的物に照射することができる。
なお実施例２においては、基板のの材料としてはＮを使
用したがこれはＮ＋やＴｉであってもよく、放射線吸収
量の少ないものであれば実施例２のものに限定されるも
のではない。
用したがこれはＮ＋やＴｉであってもよく、放射線吸収
量の少ないものであれば実施例２のものに限定されるも
のではない。
また実施例２の導電性薄膜−の材料としてはＴｉを使用
したが、これはＯｒやＮｉであってもよ〈実施例２のも
のに限定されるものではない。また導電性薄膜のの厚さ
はできる限り薄い方が望ましく、２００Å以下であるこ
とが好ましい。
したが、これはＯｒやＮｉであってもよ〈実施例２のも
のに限定されるものではない。また導電性薄膜のの厚さ
はできる限り薄い方が望ましく、２００Å以下であるこ
とが好ましい。
また実施例２の半導体層のとしてはａ−３Ｌを使用した
か、これはａ−８ｔＣやａ−３ｉＮであってもよく、前
述の放射線検知機能を有するものであれば実施例２のも
のに限定されるものではない。
か、これはａ−８ｔＣやａ−３ｉＮであってもよく、前
述の放射線検知機能を有するものであれば実施例２のも
のに限定されるものではない。
また実施例２の電極層（２４の材料としてはＳｎ０２を
使用したが、これはＭであってもよく、低原子量金属な
どの放射線吸収量の少いものであれば実施例２のものに
限定されるものではない。
使用したが、これはＭであってもよく、低原子量金属な
どの放射線吸収量の少いものであれば実施例２のものに
限定されるものではない。
なお実施例２による非晶質半導体装置は非晶質半導体層
が大面積のものとしてかつ放射線透過性のものとして製
造できるため、たとえばレントゲン撮影においては、フ
ィルムの前に実施例２の非晶質半導体装置を置くことに
より放射線量を調整しながら撮影をおこなうことができ
、その他店範囲の分野に応用できる。
が大面積のものとしてかつ放射線透過性のものとして製
造できるため、たとえばレントゲン撮影においては、フ
ィルムの前に実施例２の非晶質半導体装置を置くことに
より放射線量を調整しながら撮影をおこなうことができ
、その他店範囲の分野に応用できる。
［発明の効果］
以上のように本発明にかかわる非晶質半導体装置は基板
に金属などを使用して強固なものとなることができ、ま
たこの基板上に基板の保護膜として機能する導電性薄膜
を形成し、この導電性薄膜上に非晶質半導体層を形成す
ることにより、均一でかつ良質の膜厚の非晶質半導体層
を形成してなることができる。そしてさらに本発明の非
晶質半導体装置は半導体面積を大きいものとして作成さ
れつるとともに基板および非晶質半導体層上に形成され
る電極層に放射線吸収量の少ない材料を使用することに
より放射線透過型の放射線検出素子として作成されうる
効果がある。
に金属などを使用して強固なものとなることができ、ま
たこの基板上に基板の保護膜として機能する導電性薄膜
を形成し、この導電性薄膜上に非晶質半導体層を形成す
ることにより、均一でかつ良質の膜厚の非晶質半導体層
を形成してなることができる。そしてさらに本発明の非
晶質半導体装置は半導体面積を大きいものとして作成さ
れつるとともに基板および非晶質半導体層上に形成され
る電極層に放射線吸収量の少ない材料を使用することに
より放射線透過型の放射線検出素子として作成されうる
効果がある。
第１図は本発明にかかわる非晶質半導体装置の実施例１
である光検出素子の断面図、第２図は本発明にかかわる
非晶質半導体装置の実施例２である透過型放射線検出素
子の断面図、第３図は従来の非晶質半導体装置である太
陽電池の断面図である。 （図面の主要符号） （１）、（２Ｄ二基板 （２）、（２２１，導電性薄膜 （３）、（２３：非晶質半導体層 ３．２５：非晶質半導体層 手続補正書帽発） 昭和６１年８月４日 １事仕の表示 昭和６１年特許願第１５４５５９号 ２発明の名称 非晶質半導体装置 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市北区中之島三丁目２番４号名 称
（０９４）鐘淵化学工業株式会社代表者新納眞人 ４代理人 〒５４０ ほか１名 ５補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書６頁１５行の「２加」を「２Ｉｎｍ」と補
正する。 （′２Ｉ 同８頁１８行の「２項」をｒ２ｍｓ＋Ｊと
補正する。 以上
である光検出素子の断面図、第２図は本発明にかかわる
非晶質半導体装置の実施例２である透過型放射線検出素
子の断面図、第３図は従来の非晶質半導体装置である太
陽電池の断面図である。 （図面の主要符号） （１）、（２Ｄ二基板 （２）、（２２１，導電性薄膜 （３）、（２３：非晶質半導体層 ３．２５：非晶質半導体層 手続補正書帽発） 昭和６１年８月４日 １事仕の表示 昭和６１年特許願第１５４５５９号 ２発明の名称 非晶質半導体装置 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 大阪市北区中之島三丁目２番４号名 称
（０９４）鐘淵化学工業株式会社代表者新納眞人 ４代理人 〒５４０ ほか１名 ５補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書６頁１５行の「２加」を「２Ｉｎｍ」と補
正する。 （′２Ｉ 同８頁１８行の「２項」をｒ２ｍｓ＋Ｊと
補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 非晶質半導体層と該非晶質半導体層を支持する基板
を有し、該基板が前記非晶質半導体層の第１電極を兼ね
てなる半導体装置であって、前記基板と非晶質半導体層
とのあいだに導電性薄膜が形成されてなる非晶質半導体
装置。 ２ 前記基板の寸法が１０ｃｍ×１０ｃｍ以上で、かつ
非晶質半導体層が１ｃｍ＾２あたり１ＭΩ以上のシャン
ト抵抗を有する特許請求の範囲第１項記載の非晶質半導
体装置。 ３ 前記基板がステンレス鋼および／またはＮｉおよび
／またはＴｉおよび／またはＡｌおよび／またはＣｕお
よび／またはこれらの金属の２以上の合金からなる特許
請求の範囲第１項または第２項記載の非晶質半導体装置
。 ４ 前記導電性薄膜の厚さが１０００Å以下である特許
請求の範囲第１項または第２項記載の非晶質半導体装置
。 ５ 前記導電性薄膜が透明導電材または高融点の金属か
らなる特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第
４項記載の非晶質半導体装置。 ６ 前記透明導電材がＩＴＯおよび／またはＳｎＯ＿２
からなる特許請求の範囲第５項記載の非晶質半導体装置
。 ７ 前記高融点の金属がＴｉ、Ｃｒ、ＮｉまたはＰｄか
らなる特許請求の範囲第５項記載の非晶質半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154559A JPS639984A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 非晶質半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61154559A JPS639984A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 非晶質半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS639984A true JPS639984A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0533549B2 JPH0533549B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=15586892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61154559A Granted JPS639984A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 非晶質半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS639984A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043472A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Toshiba Corp | 半導体放射線検出器 |
| US11087875B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-08-10 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
| US11133105B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-09-28 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
| US11145408B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-10-12 | Masimo Corporation | Medical communication protocol translator |
| US11176801B2 (en) | 2011-08-19 | 2021-11-16 | Masimo Corporation | Health care sanitation monitoring system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211279A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Kobe Steel Ltd | Amorphous si solar cell |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61154559A patent/JPS639984A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211279A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Kobe Steel Ltd | Amorphous si solar cell |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH043472A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Toshiba Corp | 半導体放射線検出器 |
| US11087875B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-08-10 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
| US11133105B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-09-28 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
| US11145408B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-10-12 | Masimo Corporation | Medical communication protocol translator |
| US11158421B2 (en) | 2009-03-04 | 2021-10-26 | Masimo Corporation | Physiological parameter alarm delay |
| US11923080B2 (en) | 2009-03-04 | 2024-03-05 | Masimo Corporation | Medical monitoring system |
| US12057222B2 (en) | 2009-03-04 | 2024-08-06 | Masimo Corporation | Physiological alarm threshold determination |
| US11176801B2 (en) | 2011-08-19 | 2021-11-16 | Masimo Corporation | Health care sanitation monitoring system |
| US11816973B2 (en) | 2011-08-19 | 2023-11-14 | Masimo Corporation | Health care sanitation monitoring system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533549B2 (ja) | 1993-05-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4317844A (en) | Semiconductor device having a body of amorphous silicon and method of making the same | |
| JPH04395B2 (ja) | ||
| Fortunato et al. | Thin film position sensitive detector based on amorphous silicon p–i–n diode | |
| CN104617180A (zh) | 一种石墨烯/氮化硼/氧化锌紫外探测器及其制备方法 | |
| Wyrsch et al. | Review of amorphous silicon based particle detectors: the quest for single particle detection | |
| US5291036A (en) | Amorphous silicon sensor | |
| Wei et al. | Single crystal CdSe X-ray detectors with ultra-high sensitivity and low detection limit | |
| AU647675B2 (en) | Solar cell | |
| JPS639984A (ja) | 非晶質半導体装置 | |
| Street et al. | Large-area x-ray image sensing using a Pbl2 photoconductor | |
| Alvarez et al. | Large deep-ultraviolet photocurrent in metal-semiconductor-metal structures fabricated on as-grown boron-doped diamond | |
| Ba et al. | Wafer-Sized CsPbBr3/CsPbCl3 Heterojunction: Breaking the Trade-Off between Sensitivity and Dark Current for Efficient X-ray Detector | |
| TW512524B (en) | Fabrication of amorphous silicon/amorphous silicon gemine NI1PI2N infrared position defectors | |
| Gao et al. | Effects of substrate temperature on morphological, structural and photo-electric properties of Cd1− x Zn x Te polycrystalline films | |
| US20050184320A1 (en) | Photoconductor having an embedded contact electrode | |
| Chen et al. | Neutron irradiation effects on boron nitride-based ceramics for use in x-ray detection | |
| CN108682717A (zh) | 一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法 | |
| CA2447403C (en) | Semiconductor radiation detecting element | |
| JPS61196572A (ja) | アモルフアスシリコンｘ線センサ | |
| US20050056829A1 (en) | Reducing dark current of photoconductor using heterojunction that maintains high x-ray sensitivity | |
| JPS5828878A (ja) | 半導体装置 | |
| Keppner et al. | X-Ray Detectors Based on “Thick” a-Si: H Layers Deposited by the VHF-GD Process | |
| JPH0447993B2 (ja) | ||
| JPS61196582A (ja) | アモルフアスシリコンｘ線センサ | |
| JPH03159179A (ja) | 光電変換素子の製造方法 |