JPS6395707A

JPS6395707A - 周波数変換装置

Info

Publication number: JPS6395707A
Application number: JP24110986A
Authority: JP
Inventors: Kazusuke Yanagisawa; 和介柳沢; Shinichi Haruyama; 春山　真一; Kazutoshi Ito; 一敏伊藤
Original assignee: Yokowo Mfg Co Ltd
Current assignee: Yokowo Co Ltd
Priority date: 1986-10-09
Filing date: 1986-10-09
Publication date: 1988-04-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、ＲＦ倍信号マイクロ波帯にある周波数変換装
置に関するものである。

（従来の技術）第２図にＲＦ倍信号マイクロ波帯にある周波数変換装置
の一例の回路図を示す。第２図において、誘電体共振１
１とこの誘電体共振器１と電磁結合するマイクロストリ
ップ線路２およびＦＥＴ３によって局部発振回路４が形
成されている。そして、局部発振回路４から出力される
局部発振信号と、ＲＦ信号入力端子５に与えられたマイ
クロ波帯のＲＦ倍信号が方向性結合器６にそれぞれ入力
されて混合器であるミクサーダイオード７に与えられて
いる。さらに、このミクサーダイオード７で局部発振信
号とＲＦ倍信号が混合されてフィルター８に与えられ、
局部発振信号とＲＦ倍信号減衰さ九て中間周波信号のみ
がフィルター８を通過してＩＦ出力端子９から取り出さ
れる。

（発明が解決しよう゛とする問題点）上記従来の周波数変換装置にあっては、局部発振信号を
混合器に導入するための方向性結合器６が必要であり、
それだけ回路構成が複雑となっている。また、混合器と
してミクサーダイオード７を使用するが、１以下の利得
であり、中間周波信−号として出力される信号のレベル
が低い。

このｊ、−め、かかる従来の周波数変換装置を用いた受
４Ｂ　器全体として、雑ｆ￥指数が悪いという問題点が
あった。

本発明の目的は、−に記した従来の周波数変換装置の問
題点を解決するためになされたもので、回路構成が簡ｍ
であるとともに中間周波信号を高いレベルで得られるよ
うに１７だ周波数変換装置を提供することにある。

（問題を解決するための手段）かかる「１的を達成するために、本発明の周波数変換装
置は、マイクロストリップ線路の一端をＲＦ信号入力端
子−に接続するとともにＲＦ倍信号対する整合用スタブ
に接続し、他端を増幅用半導体素ｒ−のル制御端ｆ−に
接続し、前記マイクロストリップ線路の近くに電磁結合
させて誘電体共振器を配設し、前記増幅用半導体素子の
出力端を首記ＲＦ信号および前記誘電体共振器で共振す
る局部発振信号に対して高周波的に接地し、Ｏｆ記ＲＦ
信号と０１記局部発振信号の混合により生じる中間周波
信号を前記出力端から取り出”１ように構成されている
。

（作用）一端にＲＦ倍信号人力され他端か増幅用゛Ｉ′：専体素
了−の制御端子に接続されたマイクロストリップ線路に
、誘電体共振器な電磁結合させて配設し・たので、増幅
用半導体素−ｆ−にＲＦ倍信号誘ｔ、Ｍ体共振器で共振
する局部発振信号がともに人力されて増幅および混合さ
れて出力される。そして、増幅用２ｒ導体素子の出力端
をＲＦ倍信号局部発振信号に対して高周波的に接地１７
たので、出力端から中間周波信号のみが高いレベルで取
り出される。

（実施例の説明）以Ｆ、本発明の実施例を第１図を参照して説明する。第
１図は、本発明の周波数変換装置の一実ｂＫ例の回路図
である。

第１図において、マイクロストリップ線路１０の一端に
、ＲＦ信号入力端子５が接続されるとともに抵抗１１を
介して接地さ才１、さらにＲＦ倍信号′対する整合用ス
タブ１２が接続されている。そして、このマイクロスト
リップ線路ｌＯの他端が、増幅用半導体素子であるＦＥ
Ｔ１３のゲートＧに接続さゎている。さらに、マイクロ
ストリップ線路ｉｏの近くで電磁結合する位置に誘電体
共振器１４が配設されている。なお、この誘電体共振器
１４は、所望の局部発振信号の周波数に共振するよう調
整されたものである。また、ＦＥＴ１３のドレインＤは
、バイアス電圧が与えられるバイアス端子Ｉ５と、ＲＦ
倍信号よび局部発振信号をともに高周波的に短絡するだ
めの短絡用スタブ１６が接続され、さらに中間周波信号
を接地するだめのＩＦバイパスコンデンサ１７を介して
接地されている。さらに、ＦＥＴ１３のソースＳは、伝
送線路１８と整合用抵抗１９およびコイル２０を順次直
列に介して接地されている。

そして、整合用抵抗１９とコイル２ｏの接続点ａに、Ｒ
Ｆ倍信号よび局部発振信号をともに高周波的に短絡する
ための短絡用スタブ２１が接続され、さらにＩＦ出力コ
ンデンサ２２を介してＩＦ出方端子９が接続されている
。なお、整合用抵抗！９はＦＥＴ１３から増幅出力され
るＲＦ倍信号よび局部発振信号の整合用であり、コイル
２０は中間周波信号に対して交流的に接地せず直流的に
接地できるインダクタンス値に設定されている。

かかる構成において、整合用抵抗１９とコイル２゜の接
続点ａは、局部発振信号に対して短絡用スタブ２１で接
地され、誘電体共振３１４とマイクロストリップ線路１
０およびＦＥＴ１３により局部発振回路が形成されてい
る。そして、マイクロストリップ線路１０には、整合用
スタブ１２で整合されて効率良（ＲＦ倍信号人力される
。ここで、誘電体共振器１４は共振する局部発掘信号の
周波数に対してマイクロストリップ線路１０を短絡させ
るよう機能するが、Ｑが高いために周波数の異なるＲＦ
倍信号マイクロストリップ線路１０を伝送さねでも減衰
させることかない。そこで、このＲＦ倍信号マイクロス
トリップ線路１０を伝送されてＦＥＴＩ：ｌに人力され
て増幅されるとともに、局部発振ｆＩＥ号と混合される
。さらに、こわらの混合された信号が整合用抵抗１９を
介して接続点ａに効率良く伝達される。そして、短絡用
スタブ２１でＲＦ倍信号局部発振信号が短絡され、これ
らに比較して周波数が火１１Ｊに低い中間周波信号のみ
がＩＦ出力端子９から高いレベルで取り出される。そし
て、ＦＥＴ１３のドレインＤは、短絡用スタブ１６およ
びＩＦバイパスコンデンサ１７により、ＲＦ倍信号局部
発振信号および中間周波信号のいずれに対しても交流的
に接地され、所定のバイアス電圧で一定であり、安定し
た増幅動作が得られる。

なお、Ｌ記実施例では、ＲＦ倍信号局部発振信号の接地
を短絡相スタブ１６．２＋で行なっているが、こわに限
られず、コンデンサ等によるものであっても良い。また
、マイクロストリップ線路ＩＯに接続される整合用スタ
ブ１２は１個で示されているが、複数個のスタブで構成
しても良い。さらに、ＦＥＴｌ３に代えて高周波用トラ
ンジスタ等の増幅用半導体素子であっても良い。

（発明の効果）以上説明したように、本発明の周波数変換装置によりば
、局部発振回路用と混合用を１個の増幅用半導体素子で
兼用し、しかも従来のこの種の回路のごとく方向性結合
器を必要としないので、回路構成が簡単である。また、
増幅用半導体素子によりＲＦ倍信号局部発振信号を混合
するとともに増幅するので、中間周波信号を高い信号レ
ベルで取り出すことができるという優れた効果を奏する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の周波数変換装置の一実施例の回路図
であり、第２図は、ＲＦ倍信号マイクロ波帯にある従来
の周波数変換装置の一例の回路図である。５：ＲＦ信号入力端子、９：　ＩＦ出力端子、１０：マ
イクロストリップ線路、１２：整合用スタブ、Ｉｌｌ：ＦＥＴ、１４＝誘電体共
振器、１６，２１：短絡用スタブ。

Claims

【特許請求の範囲】

マイクロストリップ線路の一端をＲＦ信号入力端子に接
続するとともにＲＦ信号に対する整合用スタブに接続し
、他端を増幅用半導体素子の制御端子に接続し、前記マ
イクロストリップ線路の近くに電磁結合させて誘電体共
振器を配設し、前記増幅用半導体素子の出力端を前記Ｒ
Ｆ信号および前記誘電体共振器で共振する局部発振信号
に対して高周波的に接地し、前記ＲＦ信号と前記局部発
振信号の混合により生じる中間周波信号を前記出力端か
ら取り出すように構成したことを特徴とする周波数変換
装置。