JPS6392267A - 電源回路 - Google Patents

電源回路

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JPS6392267A
JPS6392267A JP23639686A JP23639686A JPS6392267A JP S6392267 A JPS6392267 A JP S6392267A JP 23639686 A JP23639686 A JP 23639686A JP 23639686 A JP23639686 A JP 23639686A JP S6392267 A JPS6392267 A JP S6392267A
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JP
Japan
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transformer
power supply
voltage
switching
supply circuit
Prior art date
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JP23639686A
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English (en)
Inventor
Hirokazu Toya
弘和 遠矢
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の目的 産業上の利用分野 本発明は、交流電源から各種の電子装置に供給する直流
電力を作成する電源回路に関し、特に全波整流回路とハ
ーフブリフジ形DC−DCコンバータを含む電源回路に
関する。
従来の技術 従来、交流電源から各種の電子装置に供給する直流電力
を作成する電源回路として、第3図に示すように、全波
整流回路とハーフブリフジ形DC・DCコンバータとを
組合せたものが知られている。
前段の全波整流回路は、交流入力端子1.2と、ダイオ
ードD1乃至D4と、分圧用のコンデンサCI、C2と
で構成されている。後段のハーフブリッジ形DC−DC
コンバータは、トランスT1と、その−次巻線に一次電
圧を供給するスイッチング・トランジスタQ1.Q2と
、トランスT1の二次側巻線と出力端子3.4間に設置
されるダイオードD7.D8.チョークコイルL1及び
平滑コンデンサC3から成る平滑回路とから構成されて
いる。
第4図の波形に例示するように、スイッチング・トラン
ジスタQl、Q2に全く同一波形のベース電流1bl、
Tb2を供給しても、それぞれの導通時間はコレクタ電
流の波形Icl、Ic2で例示するように、スイッチン
グ・トランジスタQ1、Q2の特性上のばらつきに起因
して、−Cには異なったものとなる。また、トランスT
1の二次側がダイオードD7やD8を介してほぼ短絡さ
れた状態となるため、スイッチング・トランジスタQ1
もQ2も導通していない期間中はトランスT1の一次側
巻線の端子5,6間の電圧は波形■3によって近似的に
示すようにほぼOになる。従って、トランスT1のコア
内の磁束13t+は、スイッチング・トランジスタQ1
もQ2も導通していない期間中はその変化が停止し、一
定値に留まる。
この結果、第4図の波形Bア、に例示するように、両ス
イッチング・トランジスタQ1とQ2の導通時間の差異
に起因する磁束の偏りが一方向に累積されてゆき、コア
の飽和値B、に接近する。この飽和値への接近につれて
トランスT1のインピーダンスが急激に減少してゆき、
一方のスイッチング・トランジスタ(この例ではスイッ
チング・トランジスタQ2)に過大な電流が流れて破壊
するに至る。両スイッチング・トランジスタ間で導通時
の電圧降下の大きさがばらついた場合にも同様の事態と
なる。
このような事態を防止するため、従来の電源回路では第
3図に示すように、トランスT1の一次巻線の一方の端
子6と倍電圧全波整流回路の中点間にコンデンサC4を
挿入し、トランスT1の一次巻線に加わる矩形パルス電
圧の正、負両側の電圧・時間積の不一致に起因する直流
分を遮断してトランスT1のコア内の磁束の飽和を防止
している。
発明が解決しようとする問題点 第3図に示した従来の電源回路は、トランスT1の一次
巻線に印加される矩形パルス電圧の直流分をコンデンサ
C4により遮断する構成となっている。このため、直流
遮断の効果を高める必要上コンデンサC4の容量値を小
さくほどそのインピーダンスが増大してトランスT1に
印加される端子間電圧が減少し、大出力を高効率で得る
ことができなくなるという問題がある。
また、上記直流遮断コンデンサC4には負荷に供給する
ための電力パルスが印加される。従って、大出力のDC
−DCコンバータではその静電容量値をある程度大きく
しなければならないが、軽負荷時にはその直流遮断効果
が薄れてしまい、上述したスイッチング・トランジスタ
の破壊が生ずるおそれがある。
発明の構成 問題点を解決するための手段 本発明の電源回路は、ハーフブリッジ形DC・DCコン
バータ内のトランスに交互に逆極性の一次電圧を供給す
る第1.第2のスイッチング・トランジスタの開閉に同
期してこのトランスの二次側回路を開閉する手段を備え
ることにより、第1゜第2のスイッチング・トランジス
タに一次電流が流れていない間はトランスの二次側を開
放してコア内磁束の時間変化を許容してOにクランプし
、磁束の一方向への偏りに伴う飽和を有効に防止するよ
うに一構成されている。
以下、本発明の作用を実施例と共に詳細に説明する。
実施例 第1図は本発明の一実施例の電源回路の構成を示す回路
図である。
この電源回路は、前段と後段にそれぞれ全波整流回路と
ハーフブリッジ形DC−DCコンバータを備えている。
前段の全波整流回路は、交流入力端子1,2、整流用ダ
イオードD1乃至D4及び分圧用コンデンサCI、C2
を備えている。
また、後段のハーフブリッジ形DC−DCコンバータは
、トランスT1と、このトランスT1の一次巻線に選択
的にかつ交互に逆極性の一次電圧を供給する第1.第2
のスイッチング・トランスQ1、C2と、トランスT1
の一方の入力端子5及び前段の全波整流回路の正、負各
端子の間にそれぞれ接続されるダイオードD5.D6と
、トランスT1の二次巻線と出力端子3.4間に設置さ
れチョークコイルL1及び平滑コンデンサC3から構成
される平滑回路とを備えている。
更に、上記ハーフブリッジ形DC−DCコンバータは、
第1のスイッチング・トランジスタQ1のエミッタ端子
とトランスT1の一方の入力端子5との間に一次巻線が
接続される第1のカレント・トランスT2と、上記トラ
ンスT1の一方の入力端子5と第2のスイッチング・ト
ランジスタQ2のコレクタ端子との間に一次巻線が接続
される第2のカレント・トランスT3とを備えている。
第1のカレント・トランスT2の出力端子は、トランス
T1の二次巻線と平滑回路との間に設置された第1の電
界効果トランジスタQ3のソース端子Sとゲート端子0
間に抵抗器R1を介して接続されている。第2のカレン
ト・トランスT3の出力端子は、トランスTIの二次巻
線と平滑回路との間に設置された第2の電界効果トラン
ジスタQ4のソース端子Sとゲート端子0間に抵抗器R
2を介して接続されている。
第1の電界効果トランジスタQ3は、第1のスイッチン
グ・トランジスタQ1が導通している期間だけ第1のカ
レント・トランスT2によって駆動され、ソース端子S
とドレイン端子り間が導通ずる。同様に、第2の電界効
果トランジスタQ4は、第2のスイッチング・トランジ
スタQ2が導通している期間だけ第2のカレント・トラ
ンスT3によって駆動され、ソース端子Sとドレイン端
子り間が導通ずる。この結果、スイッチング・トランジ
スタQl、Q2が導通してない期間中はトランスT1の
二次側が開放状態となり、コア内磁束の時間変化に伴う
電圧が一次巻線側に発生し、トランスT1の励磁エネル
ギーがダイオードD5又はD6を通してコンデンサC1
,C2に還流される。
また、スイッチング・トランジスタQ1とC2が非導通
の期間中、従って電界効果トランジスタQ3とC4が非
導通の期間中は、チョークコイルL1の誘導エネルギー
はダイオードD7を通して放出されコンデンサC3に蓄
積される。
第2図は、上記ハーフブリッジ形DC−DCコンバータ
内の各部の動作を示す波形図である。この波形図には、
スイッチング・トランジスタQ2の導通時間が何らかの
原因でスイッチング・トランジスタQ1のそれよりも長
くなった場合の動作が例示されている。
波形IblとIb2は、スイッチング・トランジスタQ
1とC2のベース駆動電流であり、位相は互いに180
度ずれている。これにより、スイッチング・トランジス
タQl、Q2は交互に導通し、トランスT1に電力が供
給される。
波形IclとIc2は、それぞれスイッチング・トラン
ジスタQl、Q2のコレクタ電流であり、前述のように
Ic2のパルス幅がIclに比べてやや大きくなってい
る。このパルス幅の不揃いは、両スイッチング・トラン
ジスタの蓄積時間(t s)が製造上バラツキつくこと
に起因する場合が多い。
このばらつきは、コレクタ電流やベース駆動電流のレベ
ルによっても変化するため、一般には不可避であると考
えられている。
波形V1.V2は第1.第2のカレント・トランスT2
.T3の出力電圧波形であり、スイッチング・トランジ
スタQl、Q2のコレクタ電流波形ICI、Ic2のそ
れぞれと相似なものとなっている。また、波形v3はト
ランスT1の一次巻線に出現する電圧波形であり、Bア
、はトランスT1の磁束の波形である。
第2図の波形V3とBTIにおいて、時刻t0からt、
までの期間はトランスT1の一次巻線の極性方向にEi
/2の電圧が印加されており、磁束BTIは+側に直線
的に増加する。
次の時刻t1からt2までの期間は、スイッチング・ト
ランジスタQ1とQ2のいずれもが導通しておらず、従
って電界効果トランジスタQ3とQ4のいずれもが導通
していない。このため、トランスT1の二次側が開放状
態になっており、磁束B7Iが減少し続けることによっ
てトランスT1の一次巻線には−Ei/2の電圧が発生
し、トランスT1の励磁エネルギーがダイオードD6を
通してコンデンサC2に還流される。
次の時刻t2からt3までの期間中は、スイッチング・
トランジスタQ2の導通に伴いトランスTIの一次巻線
に−Ei/2の電圧が印加され、コア内の磁束BTIは
Oを通り越して一側に直線的に増加し続ける。この例で
は、スイッチング・トランジスタQ2の導通時間がスイ
ッチング・トランジスタQ1のそれに比べて長いため、
スイッチング・トランジスタQ2の導通終了時点t3に
おけるコア内の磁束BTIは時刻t0におけるよりも一
側に増加している。
次の時刻t、からt4までの期間には、スイッチングト
ランジスタQl、Q2も電界効果トランジスタQ3.Q
4も非導通状態となりトランスTIの二次側は開放状態
になる。このため、コア内の磁束BTIはOに向けて直
線的に減少し続け、トランスT1の一次巻線にはEi/
2の電圧が発生し、トランスTIの励磁エネルギーがダ
イオードD5を通してコンデンサC1に還流される。
次の時刻t4からt、までの期間中は、前述した時刻t
0から1.までの期間中と同様に、スイッチング・トラ
ンジスタQ1の導通に伴いトランスT1の一次巻線にE
i/2の電圧が印加され、コア内の磁束13t+は0を
通り越し、子方向に直線的に増加し続ける。しかしなが
ら、前述のように時刻t、における磁束が時刻t0にお
けるよりも一側に増加しているため、スイッチング・ト
ランジスタQ1の導通の終了時点t、におけるコア内の
磁束E3t+のピーク値は時刻1.におけるものより小
さくなる。
続く時刻t、からt、までの期間中は、スイッチング・
トランジスタQ1.Q2も電界効果トランジスタQ3.
Q4も導通しておらず、コア内の磁束E3t+が上述の
ピーク値から降下し続け、励磁エネルギーがダイオード
D6を通してコンデンサC2に還流され続ける。この結
果、時刻t、の手前の時刻t6においてトランスT1の
磁束13t+がOl−次巻線の端子間電圧が0かつダイ
オードD6が非導通となり、以後時刻t、までこの状態
が保たれる。
次の時刻t7からt、までの期間にわたってスイッチン
グ・トランジスタQ2が導通し、トランスTlの一次巻
線に−Ei/2の電圧が印加される。これに伴い、トラ
ンスT1の磁束BTIは0から一側に直線的に増加し始
めるが、この−例への増加がOレベルから開始されるた
め一側のピーク値が累積的に増加することは生じない。
従って、コアが+、−の片側に最大(Ei/2)×(ス
イッチング・トランジスタの1回の導通時間)の条件で
励磁されても飽和することのないようにトランスT1を
設計しさえすれば、コアの飽和に伴うスイッチング・ト
ランジスタの破壊を完全に防止できる。
発明の効果 以上詳細に説明したように、本発明の電源回路はハーフ
ブリッジ形DC−DCコンバータのトランスの一次側の
スイッチング・トランジスタの開閉と同時に二次側巻線
と整流回路との間を開閉する構成であるから、−次側の
スイッチング・トランジスタの非導通期間中にトランス
のコア内の磁束が毎回0にクランプされ、磁束の飽和に
伴うスイッチング・トランジスタの破壊などの問題が有
効に防止されるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の電源回路の構成を示す回路
図、第2図は第1図の回路の動作を例示するための波形
図、第3図は従来の電源回路の構成を示す回路図、第4
図は第3図の従来回路の動作を例示するための波形図で
ある。 Dl乃至Dl・・・ダイオード、C1乃至C3・・・コ
ンデンサ、Ql、C2・・・第1.第2のスイッチング
・トランジスタ、C3、C4・・・第1.第2の電界効
果トランジスタ、T1・・・トランス、TI、T2・・
・第1.第2のカレント・トランス、Ll・・・チョー
クコイル。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)前段に全波整流回路を備えると共に後段にハーフ
    ブリッジ形DC・DCコンバータを備えた電源回路であ
    って、 前記ハーフブリッジ形DC・DCコンバータ内のトラン
    スに交互に逆極性の一次電圧を供給する第1、第2のス
    イッチング・トランジスタの開閉に同期してこのトラン
    スの二次側回路を開閉する手段を備えたことを特徴とす
    る電源回路。
  2. (2)前記トランスの二次側回路を開閉する手段は、前
    記第1、第2のスイッチング・トランジスタのそれぞれ
    を流れるトランスの一次電流値に比例する電圧を発生す
    る第1、第2の電圧発生手段と、この第1、第2の電圧
    発生手段が発生した電圧によって導通され、前記第1、
    第2のスイッチング・トランジスタに前記トランスの一
    次電流が流れている期間だけこのトランスの二次巻線を
    後段の平滑回路に選択的に接続する第1、第2の開閉素
    子とを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の電源回路。
  3. (3)前記第1、第2の電圧発生手段は、前記第1、第
    2のスイッチング・トランジスタと前記トランスの一次
    巻線の一方の端子との間に一次巻線が接続される第1、
    第2のカレント・トランスであり、 前記第1、第2の開閉素子は、これら第1、第2のカレ
    ント・トランスの出力電圧をゲート端子とソース端子と
    の間に受ける第1、第2の電界効果トランジスタである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の電源回路
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