JPS6391128A - CCl↓4含有廃ガスの分解処理方法 - Google Patents

CCl↓4含有廃ガスの分解処理方法

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JPS6391128A
JPS6391128A JP61235969A JP23596986A JPS6391128A JP S6391128 A JPS6391128 A JP S6391128A JP 61235969 A JP61235969 A JP 61235969A JP 23596986 A JP23596986 A JP 23596986A JP S6391128 A JPS6391128 A JP S6391128A
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ccl4
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八木 孝夫
Chitoshi Nogami
千俊 野上
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉 本発明は、CCρ、を含有する廃ガスの処理方法に関し
、 (1)低濃度のCCl4含有廃ガスであっても安全な許
容限界以下にccp、を効率良く確実に処理できるとと
もに、 (2)  CCl2.を処理の容易な他の物質に分解し
て、簡易、迅速に廃ガスを処理でとる ものを提供する。 〈従来技術及びその問題点〉 現在、ハロゲン系ガスはドライエツチング、ドーピング
等の半導体用を初めとして、光ファイバー、エキシマレ
ーザ−等にも拡く使用されている。 しかしなが呟このハロゲン系ガスは毒性が強いので、使
用後には不活性ガスやガス状フッ化物で希釈したうえで
、中に含まれる有毒ガスが安全な低濃度になるように当
該ハロゲン県境ガスを処理する必要がある。 しかしながら、ハロゲン系ガスの中でも、Cl2、HC
l、BCl3、SiCl4、SiH2Cl2、BCρ3
、SiCl2等が比較的容易にアルカリ水溶液に反応す
るのに対し、特に、CCl4は安定であって当該アルカ
リ水溶液にも反応しないので、CCρ、を含む廃ガスの
湿式処理方法としては有効なものがないのが実情である
。 一方、乾式処理方法としては、粉末状の活性炭を充填し
た処理装置にCCl4含有廃ガスを常温で通して、cc
p、を活性炭で吸着することが行なわれている。 しかし、上記吸着処理においては、脱着反応が吸着反応
と平衡関係にあるので、平衡が脱着反応の方に傾けばC
Cρ、を許容限界以下(ACG I HのTLVによる
自主基準では5p囲以下)に処理するという所期の目的
に反する場合が出て来るうえ、吸着反応においては本来
的に、−旦吸着したccp、が再び脱着する虞れがある
。 また、処理が長期に亘り、吸着量が増えて来ると、吸着
速度が減少し、低濃度に希釈されたCCQ、に対する吸
着能力が低下して来る虞れもある。 本発明は、活性炭による吸着処理方法とは異なる別途の
処理方法を提供し、CCl4を別の物質に化学変化させ
て根本的に排除することを技術的課題とする。 〈問題点を解決するための手段〉 本発明者等は、 (1)CCρ、は上述のように安定で、酸、塩基、濃硫
酸には作用されないが、鉄又はアルミニウムを触媒とし
て加水分解されることを出発点として、種々検討の結果
、 (2)酸化アルミニウムと水を反応物としてCCρ、に
作用させると加水分解反応を起こし、CCl24はHC
l、CO2及びAρCρ3に分解されてしまうことを新
たに見い出し、この発見に基づいて本発明を完成した。 即ち、本発明は、CCl4含有廃ガスを処理剤を収容し
た処理装置に通してCCl4の濃度を低減するCCQ4
含有廃ガスの処理方法において、酸化アルミニウム及び
水を処理剤として、CCl4を含有する廃ガスを330
℃以上で、且つ、水分の存在下に酸化アルミニウムに接
触させて、CCl4を加水分解することを特徴とするも
のである。 CCl4含有廃がスは、曹達のように、半導体工場等か
ら出るccp、ガスをN2、Co2、He、Ar5Ne
等の不活性ガス或いは、CF、、02F6、S F 6
等の不活性なガス状フッ化物で希釈したものである。 当該廃ガスは、CCρ、を単独で含有する場合だけでな
く、Cl2、HCl、BCl3、SiCl4、SiH2
Cl2、BC43,5iCQ4、3 i 82 Cl2
、HCl、BCl3、SiCl4、SiH2Cl2等の
塩素系有毒ガス及びF2、HF、BF2、SiF、、G
eF、、MoF6、WF6等のフッ素系有毒ガスの少な
くとも一種を併存する場合をも含む。 酸化アルミニウムは、工業的にはα型、γ型アルミナで
あって、か粒状、粉末状を問わない。また、結晶水を有
する水利酸化アルミニウムが好ましいが、結晶水を持た
ないものであっても差し支えない。この場合には、別途
処理剤として水分を補填する必要がある。 分解処理操作としては、廃ガスを加熱して処理装置に通
しても、また、処理装置に加熱器をセットして所定温度
に加熱するようにしても良い。 尚、処理温度が330℃より低いと分解除去効率が低下
し、CCl4を許容濃度以下に処理できなくなる。 〈作 用〉 廃ガス中に含有されるCCl4は加水分解されて処理の
容易なHCl、CO2、AρCρ3に化学変化される。 しかも、上記加水分解反応は化学量論的に進行するので
、希釈されて低濃度になっているCCQ、でも確実に反
応して分解されてしまう。 〈発明の効果〉 (1)本発明では、廃ガス中のCCl2は化学量論的に
分解されるので、低濃度に希釈されたCCρ4含有廃ガ
スでも、反応物である酸化アルミニウムと水が処理装置
内に存在する限り、有効に加水分解反応を継続して、確
実にCCρ、を許容濃度以下に低減できる。 また、CCl2を処理の容易な他の物質に分解してしま
うので、吸着反応のようにCCQ、が再び脱着して来る
という虞れは全くなく、CCl24を根本的に排除でき
る。 (2)酸化アルミニウムと水でCCρ、を加水分解する
だけなので、吸着反応のように、吸着・脱着の操作を必
要とせず簡便な処理がでおる。 特に、水和酸化アルミニウムを処理剤にすれば、水を別
途補填する必要がなく、乾式処理によって簡便、迅速に
CCl2を分解除去できる。 また、か粒状の酸化アルミニウムを用いれば、廃ガスを
処理装置に供給する際の圧力損失が低減で外、粉末状活
性炭を用いるために圧力損失の大きい吸着法に比べて有
利である。 (3)他のハロゲン系ガスとは反応しないので、CCρ
、の選択除去に利用で慇る。 また、本発明の処理剤の少なくとも下流側に、所定処理
を施したソーダ石灰層を配置すれば、CCρ、以外のハ
ロゲン系ガス、例えば、Cl2、HCl、BCl3、S
iCl4、SiH2Cl2、BCρ3.5iCQ4、F
2、HF%BF3等を廃ガス中に併存する場合でも、こ
れらを完全に除去でき、ドライエツチング等の一般のハ
ロゲン系廃〃スの処理を確実に達成できる。 〈実 施 例〉 以下、実験装置を用いて、 (1)原料CCρ4ガス(CCρ、ガスを不活性ガスで
希釈したもの)を処理剤に接触させ、処理装置内に生じ
た生成物を確認するとともに、(2)原料ccp4ガス
を処理剤に接触させる際の温度、ガス流速、酸化アルミ
ニウムの粒径、CCl2の希釈濃度、原料CCρ4ガス
の種類(CCρ、以外のハロゲン系ガスの併存の有、無
)を各々変化させた場合の除去効率を順次実験した。 実験装置は、反応筒1、CCρ、供給源2、CCρ、気
化器3、希釈ガス供給源4、原料ガス供給ライン5、ガ
ス濃度検知ライン6及び反応筒加熱器7から成る(第8
図のうちBブロックを除いた系統を示す)。 反応筒1は長さ500帥、内径53mmの円筒体であり
、処理剤充填部の容積を661.9cm3、その断面積
を22.1cm2に設定し、当該充填部にか粒状の水和
アルミナ8を充填し、その両端にフィルター10を各々
固定した垂直固定床式反応器である。 CCρ、供給源2の下方にマントルヒータを組み込んだ
CCρ4気化器3を配置するとともに、CCρ、気化器
3の上流側に希釈ガス供給源4を可変流量弁、流量計を
介して接続し、その下流側から原料ガス供給ライン5を
導出して反応筒1の入口1aに接続する。 CCρ、は常温で液体であるため(沸点76.8℃)、
CCρ、供給源2に収容した液状CCρ4をニードル弁
12で調整のうえCCρ、気化器3に微量づつ滴下して
気化させ、これを希釈ガス供給源4から送られたN2ガ
スで希釈して原料CCρ4ガスとし、原料ガス供給ライ
ン5から反応筒1に供給する。 また、反応筒1の出口1bからガス濃度検知ライン6を
導出し、ガス吸着による色彩変化で濃度を検知する市販
の吸引式ガス検知器14をこれに接続して、出口1bか
ら排出されるガスの濃度を測定する。 尚、符号7は反応筒1に付設された加熱器で、反応筒1
の温度1よ処理剤充填部に挿し入れたCA熱電対15で
測定する。
【実験例1】 粒径2〜4mmのか粒状水和アルミナを反応筒1に充填
し、ガス濃度検知ライン6に市販のHCρガス検知器を
接続したのち、反応筒温度を3時間に亘り66℃、21
1℃、304℃,330℃、351℃に順次上昇させな
がら、希釈濃度7.2%の原料c cρ、ガスを539
mρ/m i nの速度で反応筒に供給して、反応筒出
口でのHCρ濃度を、30秒間隔で打点するレコーダー
を用いて測定した。 第7図はその結果を示すHCρ〃ス濃度の記録図であっ
て、HCρガスの濃度は330℃付近か・ ら上昇し、
351℃を越えると急速に高まることが判る。 これは、330℃付近からCCρイが化学変化してHC
pに分解されてしまうことを示している。 尚、300℃以下の時点でもHCpを微量(ippm以
下)検出するのは、ガスラインに残存して内壁に付着し
ていたHCpが加熱によってパージされるためと考えら
れる。 因みに、この実験に際して、反応筒1の出口付近及びこ
れに続く下流側配管部分には若干黄味を帯びた白色粉末
状の付着物が認められた。 この粉末の付着した配管をアセトン及び水の混合液で洗
浄したところ、付着物は多量の熱を発して溶けた。 また、この付着物は空気中で発煙した。 一方、AジCβ3は、(1)潮解性が強く空気中の湿気
に合うと発煙する、(2)水に溶けるときに発熱すると
いう性状を示すことか呟上記付着物はAlCl2である
と推定できる。 しかも、上記実験結果では、反応筒出口だけでなく、そ
の下流側の配管内にも付着物が認められたが、これはA
pCρ、の昇華点が183℃で、例えば、304℃以上
に保たれた反応筒では12cρ3は昇華してしまうのに
対し、下流側の配管では冷やされて凝固するためと考え
られる。 他方、HCρガス検知器に代えてCo2xス検知器をガ
ス濃度検知ライン6に接続したところ、C02の排出を
確認できた。 また、CCρ4〃ス検知器を接続したところ、330℃
以上ではCCρイを検出しなかった。 以上のことから上記実験結果を総合すると、CCρ、原
料ガスを水和アルミナの充填された反応筒に通せば、反
応筒の下流側に12cN3、1l− HCp及びCo2が生成し、CCρ、は排除されてしま
うことが判る。 このことは、CCρ、を水和アルミナに接触させれば、
前述した従来技術の吸着反応のように水利アルミナにC
Cρ、が吸着されるのではなく、反応物としてふるまう
ccp、が水和アルミナによって他の物質、即ちAlC
l2、HCp及びCO2に加水分解されてしまうことを
意味する。 そこで、上記実験例で確認した定性的な関係を一歩進め
て、実験で得られる反応物と生成物とを定量することに
よって上記反応の化学論量関係を以下に確かめることに
した。
【実験例2】 反応筒1に粒径2〜4mmのか粒状水和アルミナを充填
し、ccp4供給源2に所定量の液状CCρ4を入れ、
100gのソーダ石灰を充填しHeρ処理器をガス濃度
検知ライン6に(即ち、反応筒1の下流側に)接続して
、原料CCρ、ガスを反応筒1で処理することによりそ
の下流側に排出されるHCpを当該HCp処理処理油し
、HC1処理器が処理能力の上限を越えた時点(即ち、
HCρ処理器がHCpを処理し切れずに、当該処理器の
下流側でHCQが検出される時点)で、CCρ、原料ガ
スの供給を停止したところ、CCρ、の消費量は49.
5gであった。 但し、経験的に、ソーダ石灰60gのHCρ〃ス処理能
力は10ρ(常温常圧)であることが確認されている。 上記実験によれば、ioo、のソーダ石灰が処理したH
Cρガス量が反応筒1で生成したHC7l量となり、こ
れは上記データか呟10ρ×(100g/60g)=1
6.’?1となる。 単位モル数当たりのガス容積は常温・常圧では22.4
ρであることから、HCρガスのモル数は16,7.C
/22.4j2=0.74moffとなる。 一方、CCρ4の供給量は49.5gであるので、その
モル数は49.5g/l 54g=0.32moQとな
り、CCρ、とHCpのモル比をとると、CCρ、:H
C7l=0.32:0.74=1:2.31となる。 因みに、当該実験に際して反応筒1及びその出口付近の
配管に生じた付着物をAlCl3と推定して、この定量
も行なった。 しかしながら、実験問題として、反応筒及び配管に付着
したAρCQ3を全てかき集めることは不可能であり、
CCρ、原料ガスを流し終えた後にはHCfiやC02
はガスとして反応筒から流去し、残存する成分はiCρ
、に限定できることか呟実験後の水和アルミナに含有さ
れるC6分の割合に着目し、このCr分の重量%からA
QCρ、量を逆算することにした。 そこで、反応筒の複数個所から採取した水和アルミナに
含まれるCr分の定量分析値の平均をとったところ6.
07重量%であったので、これに配管へ流去する割合を
経験的に加味して水和アルミナ中のCr分を6.5重量
%とじた。 この実験後の水利アルミナの重量は286gだったので
、C1分=286gX6.5%=1.8.6gとなる。 今、このCr分がAlCl3の塩素分に等しいとすると
、AlCl2の重量及びモル数は次のようになる。 AQCff3=(AffCり、/CQ分)・18.6g
=(AσCQ 3/CN 3)・18.6g=23.3
g=0.17moρ そこで、CCρ、の供給モル数が前述の通り0.32m
oρであることか呟CCρ、とAlCl3のモル比をと
ると、 CCl2:AρCρ、=0.32:0.17=1.81
:1となる。 従って、前記実験例1の定性結果と本実験例2の定量結
果を総合すると、CCρ、を水和アルミナ反応筒に通せ
ば、次式に示すような化学量論関係を有する加水分解反
応が進行するものと推定で外る。 4CCQ4+Aρ203+5H20→ 10HCρ↑+4CO2↑+2AρCC3以下、反応筒
に原料CCQ、ガスを接触させる際の条件、具体的には
反応温度、ガス流速等を種々変化させて、ccl、の除
去効率がどのようになるかを実験した。
【実験例3】 粒径2〜4mmのか粒状水和アルミナを反応筒に充填し
、ガス流速を19.9cm/min、 N2ffスによ
る原料cc12.ガスの希釈濃度を8.8%に各々設定
し、反応筒温度を259℃、300℃1330℃、34
0℃、351℃及び378℃の6段階に変化させて、反
応筒出口でのCCρ、の濃度を各々測定した。 第1図はその結果を示す図表であって、処理温度の上昇
に伴って出口ccp、濃度は減少した。 330℃でCCρ4濃度は許容基準限界の5ppmを示
しく実際には、340℃で3 、5 ppmを示したの
で、漸次的に温度を下げて5 ppmになる限界を調べ
たところ330℃であった)、351℃以上ではN、D
、 を示した。 従って、実用上の処理温度としては330℃以上が必要
である。但し、処理温度を高くし過ぎると、ランニング
コストが増加するうえ、処理装置の耐熱性に問題が出て
来る。
【実験例4】 反応筒温度を355℃、ガス流速を19.5cm/mi
n、原料CCρ4Crの希釈濃度を7.2%に各々設定
し、反応筒に充填するか粒状水和アルミナの粒径を2〜
4關の細径品し、4〜6mmの粗径品とに各々変化させ
て、反応筒出口でのCCρ。 の濃度を測定した。 第2図はその結果を示す図表であって、水和アルミナの
粒径に関係なく、出口CCρ4濃度はN、D、  を維
持した。 従って、水和アルミナは粒径の大・小に拘らずCCρ、
を確実に分解できるが、粒径が大きい場合は排圧を抑え
てエネルギー損失を小さくできる。
【実験例5】 反応筒温度を350℃1水和アルミナの粒径を2〜4 
mm、原料CCρ、ガスの希釈濃度を6.8%に各々設
定し、原料CCQ、ガスのガス流速を19.1c市/m
in、  1 9.4cm/mi口、 28.5cm/
min及び29.30m/minの4段階に変化させて
各々反応筒に供給し、反応筒出口でのCCρ4濃度を測
定した。 第3図はその結果を示す図表であって、ガス流速の増加
に伴いCCρ4出口濃度は増加した。 即ち、ガス流速が19.4 cm/min以下ではcc
p4濃度はN、D、を維持するが、28.5c+n/m
 i nでは4.5 ppmに上昇してCCl2の許容
限界濃度である5 ppmに近づくので、このあたりの
流速が実用上の限界である。 尚、ガス流速19 、4 cn+/minの条件下で(
他の条件は上述の通りである)CCρ4原料ガスを反応
筒に流し続けて、N、D、を越える時点までの処理量、
即ち、反応筒に供給した純CCρ、、Vス量(常温、常
圧下)を測定したところ、16.4ρであった。
【実施例6】 反応筒温度を352℃、水和アルミナの粒径を2−4m
m、ガス流速を19.4cm/minに各々設定し、原
料CCρ4〃スの希釈濃度を22.5%→14.3%→
6.8%→3.4%に順次減少させていくとともに、C
Cρ、の滴下量を調整するニードル弁12を封止したの
ち、CCρ4加熱器3に残留するCCX、ガスをパージ
させて、当該希釈濃度を11000pp→500 pp
m→1100pp→SOppmの如< ppm単位で徐
々に減少させて行き、各希釈濃度における反応筒出口で
のCCρ、濃度を測定した。 第4図はその結果を示す図表であって、22.5%の高
濃度から50ppmの低濃度に亘り、出口CCρ4濃度
は全てN、D、を示した。 従って、原料ガス中のcc4.濃度が50ppmのよう
にきわめて低い場合でも、確実に検出限界以下にCCl
2を分解処理で外る。
【実験例7】 反応筒温度を350℃、水和アルミナの粒径を2〜4■
、原料CCρ4〃スのガス流速を19.3c m/m 
i nに各々設定し、反応筒に供給する希釈埠料ガスの
種類をCCム単独、BCρ3単独及びCCρ、+BC4
,の混合ガスに変化させて、反応筒出口でのCCρ、及
びBCl2の濃度を各々測定した。 尚、BCl2は常温で気体なので、CCρ、気化器3の
上流側にBCρ3供給ライン20(第8図の想像線で示
す)を接続して、反応筒1に供給するようにした。 第5図はその結果を示す図表であって、CCρ、ガス単
独の希釈原料ガスを流した場合には、反応筒出口の含有
廃ガス濃度はガス流速及び希釈濃度を二連りに変化させ
ても、いずれの場合もN、D、を示したが、C(J2.
+BCρ3の混合希釈ガスを流した場合には、反応筒出
口でのCCρ、濃度はN、D、であったが、BCρ3濃
度は原料ガス濃度と全く同じ1.8%を示した。 また、BCρ3ガス単独の希釈原料ガスを流した場合に
は、反応筒出口でのBCρ3濃度は、ガス流速及び希釈
濃度を変化させても、原料ガス濃度と全く同じであった
。 従って、CCl2は水和アルミナ反応筒で分解排除され
るが、これ以外の物質、例えばBCl2は排除されずに
素通りしてしまう。 即ち、水和アルミナ処理剤はCCρ、を選択的に分解処
理することが判る。 そこで、水和アルミナを充填した反応筒1の下流側に、
第8図のBブロックに示すように、300℃で5時間、
予め加熱脱水乾燥させたソーダ石灰を充填した別途の反
応筒30を直列状に接続し、このソーダ石灰反応筒30
の出口から導出される排ガスライン31にガス検知器3
2を接続して、CCρ、と他のハロゲン系ガスの混合希
釈ガスを原料ガスとして水和アルミナ反応筒1及びソー
ダ石灰反応筒30に順次通して、上記排ガスライン31
に排出される〃ス濃度を測定することにした。 尚、ソーダ石灰を予め加熱脱水するのは、水分を排除す
ることにより、ソーダ石灰の処理ガスに対する接触面積
を大きくして処理効率を向上するためである。 また、ソーダ石灰反応筒の加熱温度は、処理効率とラン
ニングコストを勘案して200〜300℃に設定するの
が好ましい。 【実験例8] 水和アルミナの粒径を2〜4mm、水和アルミナ反応筒
の温度を350℃、ソーダ石灰反応筒の温度を282℃
に各々投設し、ガス流速を19.30m/minに調整
された原料ガスの種類を、CClf、+BCρ、の混合
ガス及びCCρ4+Cρ2の混合ガスに各々変化させて
、水和アルミナ及びソーダ石灰で処理した後に徘〃スラ
インに排出されるガス濃度を測定した。 第6図はその結果も示す図表であって、ソーダ石灰反応
筒の下流側ではCCl2、BCl2、Cf2の各濃度は
ともにN、D、を示した。 従って、水和アルミナでは処理できないCCρ4以外の
ハロゲン系ガス、即ち、BCl2やCf2ガスは、ソー
ダ石灰層を通すことにより、これを円滑に除去できる。 実際上、半導体工場におけるドライエツチング等の廃〃
スの中にはCCρ、のほかに、BCQ、、Cf2等の有
毒ハロゲン系ガスを併存している場合が多く、上記二段
式の処理を施せばCCl2ばかりでなく有毒ガスを一括
して処理できる。 尚、上記実験装置では、水和アルミナ反応筒1とソーダ
石灰反応筒30を別途直列状に接続したが、実用上の処
理装置としては、次のようなものが考えられる。 (1)第9図に示すように、一つの反応筒100に水和
アルミナ層Rとソーダ石灰層Sを二層状に組み込んだも
の (2)第10図に示すように、一つの反応筒100にソ
ーダ石灰層S、水和アルミナ層R及びソーダ石灰層Sを
サンドイッチ状に組み込んだもの(3)第11図に示す
ように、水和アルミナ反応筒Rとソーダ石灰反応筒Sと
を別々に直列状に接続するとともに、水和アルミナ反応
筒Rの上流側と下流側をバイパス管200で接続して、
CCρ、を含有する廃ガスでは水和アルミナ反応筒R→
ソーダ石灰反応筒Sを通し、CCρ、を含有しないハロ
ゲン県境ガスではバイパス管200を通して、ソーダ石
灰反応筒Sのみに供給するように構成したもの
【図面の簡単な説明】
第1図は反応筒温度を変化させた場合のCCρ4処理能
力の実験結果を示す図表、第2図は水和アルミナの粒径
を変えた場合の第1図相当図、第3図はガス流速を変え
た場合の第1図相当図、第4図はccp4原料ガスの希
釈濃度を変えた場合の第1図相当図、第5図は導入原料
ガスの種類を変えた場合の処理能力の実験結果を示す図
表、第6図は他のハロゲン系ガスを併存するCCρ、原
料ガスを水利アルミナ反応筒とソーダ石灰反応筒に順次
通した場合の実験結果を示す図表、第7図はHCρガス
の温度・濃度関係図、第8図は本発明方法について実験
装置の概略説明図、第9図〜第11図は各々実用上の処
理装置を示す概略系統図である。 1・・・反応筒、  2・・・CCρイ供給源、3・・
・CCρ4気化器、 4・・・希釈ガス供給源、5・・
・原料ガス供給ライン、  6・・・ガス濃度検知ライ
ン、 7・・・反応筒加熱器。 滅          べρυ 嶌郊o   c9鈴 表 和qN bY !、l鳩   い峠 区 塚       、−吠 R壺     叩\響霊 、 璽 Eトご 紹                  “l ・・・
ビ゛へcio べ\    11R 、k 、、0笥 鳴     俣凌票〉〕   梢\ 
\      N央釆ぺ[δ   3   目本可;「
J」 甘 砂   筒部 帖 ■

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、CCl_4含有廃ガスを処理剤を収容した処理装置
    に通してCCl_4の濃度を低減するCCl_4含有廃
    ガスの処理方法において、酸化アルミニウム及び水を処
    理剤として、 CCl_4を含有する廃ガスを330℃以上で、且つ、
    水分の存在下に酸化アルミニウムに接触させて、CCl
    _4を加水分解することを特徴とするCCl_4含有廃
    ガスの分解処理方法 2、処理剤が水和酸化アルミニウムであることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項に記載のCCl_4含有廃ガ
    スの分解処理方法 3、酸化アルミニウムがか粒状であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項又は第2項に記載のCCl_4含
    有廃ガスの分解処理方法 4、CCl_4含有廃ガスがCl_2、HCl、BCl
    _3、SiCl_4、SiH_2Cl_2、F_2、H
    F、BF_3、SiF_4、GeF_4、MoF_6、
    及びWF_6の少なくとも一種を併存し、酸化アルミニ
    ウム及び水から成る処理剤の少なくとも下流側に予め脱
    水乾燥させたソーダ石灰層を配置し、当該CCl_4含
    有廃ガスを上記処理剤で分解したのち、200〜300
    ℃の温度下でソーダ石灰層に接触させることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1、2又は3項に記載のCCl_4
    含有廃ガスの分解処理方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151263A (en) * 1989-08-05 1992-09-29 Dupont-Mitsui Fluorochemicals Co., Ltd. Process for the catalyic decomposition of chlorofluoro-alkanes
JP2001149752A (ja) * 1999-11-26 2001-06-05 Yoshizawa Lime Industry 排ガスの処理方法

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