JPS639111A - 電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS639111A JPS639111A JP61151716A JP15171686A JPS639111A JP S639111 A JPS639111 A JP S639111A JP 61151716 A JP61151716 A JP 61151716A JP 15171686 A JP15171686 A JP 15171686A JP S639111 A JPS639111 A JP S639111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- electrolytic capacitor
- lead wire
- wire
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- -1 titanium hydride Chemical compound 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 8
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電解コンデンサに関し、特にアルミニウムーチ
タン合金を陽極体とする電解コンデンサに関する。
タン合金を陽極体とする電解コンデンサに関する。
従来、アルミニウムーチタン合金を陽極体とする電3¥
コンデンサは、アルミニウム電解コンデンサ並の低価格
性とタンタル電解コンデンサ並の小型性を同時に有する
電解コンデンサとして開発されている(特公昭58−1
1477、特公昭60−48090.特公昭6O−44
822)。また、この種の電解コンデンサにおける陽極
リードワイヤとしては、窒化処理したチタンワイヤが使
用されている(米国特許4517727.特願昭57−
111102)。
コンデンサは、アルミニウム電解コンデンサ並の低価格
性とタンタル電解コンデンサ並の小型性を同時に有する
電解コンデンサとして開発されている(特公昭58−1
1477、特公昭60−48090.特公昭6O−44
822)。また、この種の電解コンデンサにおける陽極
リードワイヤとしては、窒化処理したチタンワイヤが使
用されている(米国特許4517727.特願昭57−
111102)。
このような電解コンデンサでは、陽極リードワイヤとし
ての窒化処理したチタンワイヤは、出発材料として窒化
チタンを使用しながら、そのワイヤ表面組成は最終的に
は陽極体と同一組成のアルミニウムーチタン合金になり
、良好な特性が得られるという優れた特徴を備えている
。
ての窒化処理したチタンワイヤは、出発材料として窒化
チタンを使用しながら、そのワイヤ表面組成は最終的に
は陽極体と同一組成のアルミニウムーチタン合金になり
、良好な特性が得られるという優れた特徴を備えている
。
上述した従来の電解コンデンサでは、陽極リードワイヤ
を焼結体本゛体と同一のアルミニウムーチタン合金とし
ているため、チタンがその表面に強固な自然酸化膜を生
成して窒化処理時に窒化むらを生じ易い。このため、焼
結後のワイヤ表面の合金組成が不安定となり、組成むら
が発生して漏れ電流不良が生じ、大量生産時の品質の安
定性に問題が生じることになる。
を焼結体本゛体と同一のアルミニウムーチタン合金とし
ているため、チタンがその表面に強固な自然酸化膜を生
成して窒化処理時に窒化むらを生じ易い。このため、焼
結後のワイヤ表面の合金組成が不安定となり、組成むら
が発生して漏れ電流不良が生じ、大量生産時の品質の安
定性に問題が生じることになる。
本発明の電解コンデンサは、以上の問題に鑑み、アルミ
ニウムーチタン合金を陽極体とする電解コンデンサの漏
れ電流不良発生率を低減してその安定性を向上するもの
である。
ニウムーチタン合金を陽極体とする電解コンデンサの漏
れ電流不良発生率を低減してその安定性を向上するもの
である。
本発明の電解コンデンサは、アルミニウムとチタンもし
くは水素化チタンの混合粉末のプレス形成体を焼結する
電解コンデンサのリードワイヤに、2400℃以上の融
点を有する高融点金属製のワイヤを使用している。
くは水素化チタンの混合粉末のプレス形成体を焼結する
電解コンデンサのリードワイヤに、2400℃以上の融
点を有する高融点金属製のワイヤを使用している。
ここで、高融点金属とは、具体的にはタングステン(W
)、モリブデン(Mo)、タンタル(T a )+ニオ
ブ(Nb)等の金属を指しており、Taのように本来そ
の材料自体の性質として電解コンデンサに必要な良質の
陽極酸化被膜を形成し得る金属は言うに及ばず、W、M
o、Nbのような本来良好な陽極酸化被膜形成性を有し
ていない金属をも含んでいる。
)、モリブデン(Mo)、タンタル(T a )+ニオ
ブ(Nb)等の金属を指しており、Taのように本来そ
の材料自体の性質として電解コンデンサに必要な良質の
陽極酸化被膜を形成し得る金属は言うに及ばず、W、M
o、Nbのような本来良好な陽極酸化被膜形成性を有し
ていない金属をも含んでいる。
このように、本発明において広い範囲の高融点金属を採
用可能な理由は、次の通りである。
用可能な理由は、次の通りである。
即ち、アルミニウムとチタンもしくは水素化チタンの混
合粉末のプレス成形体を焼結すると、500〜600℃
で合金化反応が起こり、最終焼結温度(1100℃程度
)で均一なAl−Ti合金多孔質焼結体となるが、アル
ミニウムは融点が低く蒸気圧が高い金属なので、この過
程で焼結体近傍にアルミニウム蒸気が発生する。この結
果、高融点金属のリードワイヤ表面全体をアルミニウム
蒸気が覆い、アルミニウム成分が付着する。
合粉末のプレス成形体を焼結すると、500〜600℃
で合金化反応が起こり、最終焼結温度(1100℃程度
)で均一なAl−Ti合金多孔質焼結体となるが、アル
ミニウムは融点が低く蒸気圧が高い金属なので、この過
程で焼結体近傍にアルミニウム蒸気が発生する。この結
果、高融点金属のリードワイヤ表面全体をアルミニウム
蒸気が覆い、アルミニウム成分が付着する。
一般には、高温でアルミニウムが付着した場合、ワイヤ
材料との合金化拡散反応が進み、ワイヤ表面は最終的に
アルミニウムとワイヤ材料との合金となってしまう。し
かるに、リードワイヤ材質が高融点金属であると、高融
点であるがために物質の拡散、移動が起こり難く、結果
としてワイヤ表面には純アルミニウム層が残されること
になる。
材料との合金化拡散反応が進み、ワイヤ表面は最終的に
アルミニウムとワイヤ材料との合金となってしまう。し
かるに、リードワイヤ材質が高融点金属であると、高融
点であるがために物質の拡散、移動が起こり難く、結果
としてワイヤ表面には純アルミニウム層が残されること
になる。
したがって、リードワイヤの出発材料として、陽極酸化
膜形成性に問題があり、そのままでは電解コンデンサ用
リードワイヤとしての使用に耐えない材料を用いながら
、最終的にアルミニウムという良質の陽極酸化膜を形成
し得る材料をリードワイヤに使用したのと同じ効果が得
られることになる。周知のように、アルミニウムはアル
ミ電解コンデンサとして大量に市販されていることから
明らかなように、優れた陽極酸化膜形成性を有している
。つまり、電解コンデンサ材料として使用する場合、特
性発現の上で重要なのは、陽極酸化膜の形成される表面
からの厚さが数μm程度の層の組成であって、これより
内側のリードワイヤの芯部の材質は問題にはならない。
膜形成性に問題があり、そのままでは電解コンデンサ用
リードワイヤとしての使用に耐えない材料を用いながら
、最終的にアルミニウムという良質の陽極酸化膜を形成
し得る材料をリードワイヤに使用したのと同じ効果が得
られることになる。周知のように、アルミニウムはアル
ミ電解コンデンサとして大量に市販されていることから
明らかなように、優れた陽極酸化膜形成性を有している
。つまり、電解コンデンサ材料として使用する場合、特
性発現の上で重要なのは、陽極酸化膜の形成される表面
からの厚さが数μm程度の層の組成であって、これより
内側のリードワイヤの芯部の材質は問題にはならない。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の電解コンデンサの断面図で
あり、同図(a)のようにアルミニウムと水素化チタン
(A RT i Hz )又はアルミニウムとチタン(
Al2−Ti)の混合粉プレス体1に高融点金蓬(タン
グステン)のリードワイヤ2を植設している。そして、
これを焼結することにより、同図(b)のように混合粉
プレス体はA/−Ti合金多孔質焼結体IAとして構成
され、かつリードワイヤ2の表面には純A1層3が形成
され、これが陽極体として構成されることになる。
あり、同図(a)のようにアルミニウムと水素化チタン
(A RT i Hz )又はアルミニウムとチタン(
Al2−Ti)の混合粉プレス体1に高融点金蓬(タン
グステン)のリードワイヤ2を植設している。そして、
これを焼結することにより、同図(b)のように混合粉
プレス体はA/−Ti合金多孔質焼結体IAとして構成
され、かつリードワイヤ2の表面には純A1層3が形成
され、これが陽極体として構成されることになる。
この電解コンデンサにおいて、上記したように陽極体を
得るために、アルミニウムと水素化チタンの混合粉末に
タングステンワイヤを埋込みプレスして焼結体を温度1
100℃で陽極酸化して試料を作成し、このワイヤ表面
の深さ方向の組成分析を行った結果(オージェ分光分析
)を第2図に示す。図において、縦軸は任意スケールで
の各成分のオージェ信号強度を示し、横軸はイオンスパ
ッタ時間、即ちワイヤ表面から中心方向に向かう深さを
示している。つまり、スパッタ時間零が表面であり、時
間の増加とともにワイヤ中心方向−こ近くなる。
得るために、アルミニウムと水素化チタンの混合粉末に
タングステンワイヤを埋込みプレスして焼結体を温度1
100℃で陽極酸化して試料を作成し、このワイヤ表面
の深さ方向の組成分析を行った結果(オージェ分光分析
)を第2図に示す。図において、縦軸は任意スケールで
の各成分のオージェ信号強度を示し、横軸はイオンスパ
ッタ時間、即ちワイヤ表面から中心方向に向かう深さを
示している。つまり、スパッタ時間零が表面であり、時
間の増加とともにワイヤ中心方向−こ近くなる。
図中、酸素プロファイルの強度が減少して行く部分が陽
極酸化膜と下地金属との界面であり、酸化波y厚の表面
から杓415のところ迄タングステン強度は零であり、
実質的に純アルミニウムの酸化被膜(非結晶AIt C
h )となっているのがわかる(酸化膜〜下地金属の界
面は、WとAItの合金の酸化膜となっている)。タン
グステンそのものは、もともと良質の陽極酸化被膜形成
性に乏しい材料であるが、焼結時のアルミニウム蒸気に
より、ワイヤ表面に純アルミニウム層が形成された結果
、良好な陽極酸化特性を示すようになったのである。
極酸化膜と下地金属との界面であり、酸化波y厚の表面
から杓415のところ迄タングステン強度は零であり、
実質的に純アルミニウムの酸化被膜(非結晶AIt C
h )となっているのがわかる(酸化膜〜下地金属の界
面は、WとAItの合金の酸化膜となっている)。タン
グステンそのものは、もともと良質の陽極酸化被膜形成
性に乏しい材料であるが、焼結時のアルミニウム蒸気に
より、ワイヤ表面に純アルミニウム層が形成された結果
、良好な陽極酸化特性を示すようになったのである。
ここでは、タングステンの例を示したが、モリブデン、
タンタル、ニオブについても同様にその表面に純アルミ
ニウム層が形成できることが確認された。
タンタル、ニオブについても同様にその表面に純アルミ
ニウム層が形成できることが確認された。
なお、融点が2400℃以下の金属については、アルミ
ニウムとの相互拡散が起こり易く、ワイヤ表面が合金化
してしまうので、目的の効果が得られないことになる。
ニウムとの相互拡散が起こり易く、ワイヤ表面が合金化
してしまうので、目的の効果が得られないことになる。
実際に、アルミニウムが54原子%となるように水素化
チタンとアルミニウムの粉末を混合し、表1に示すよう
な直径0.3μmの5種のリードワイヤを埋込みリード
ワイヤとして2 ton/cm2の圧力で加圧成形し、
プレス成形体試料とした。プレス成形体1儒当たりの混
合粉未使用量は40 m gとした。リードワイヤ5種
の内一種(魚5)を比較例として、従来使用してきた窒
化チタンワイヤとした。窒化チタンワイヤの窒化処理条
件は、これまでと同様の条件(例えば、米国特許451
7727或いは特願昭57−111102中に記載され
ているものと同一)とした。
チタンとアルミニウムの粉末を混合し、表1に示すよう
な直径0.3μmの5種のリードワイヤを埋込みリード
ワイヤとして2 ton/cm2の圧力で加圧成形し、
プレス成形体試料とした。プレス成形体1儒当たりの混
合粉未使用量は40 m gとした。リードワイヤ5種
の内一種(魚5)を比較例として、従来使用してきた窒
化チタンワイヤとした。窒化チタンワイヤの窒化処理条
件は、これまでと同様の条件(例えば、米国特許451
7727或いは特願昭57−111102中に記載され
ているものと同一)とした。
以下、第1表中、リードワイヤ番号をそのまま実験水準
番号(試料番号)として使用する。
番号(試料番号)として使用する。
タンタル製蓋付き容器中に上記プレス成形体を各水準毎
に2000個づつ入れ、I X 10−”am)Igの
減圧下1100℃で焼結してアルミニウム合金の多孔質
焼結体とした。蓋付き容器を使用するのは、試料(プレ
ス成形体)近傍のアルミニウム蒸気の充満度を上げ、ア
ルミニウム成分がリードワイヤ表面に効率良く付着させ
るためである。
に2000個づつ入れ、I X 10−”am)Igの
減圧下1100℃で焼結してアルミニウム合金の多孔質
焼結体とした。蓋付き容器を使用するのは、試料(プレ
ス成形体)近傍のアルミニウム蒸気の充満度を上げ、ア
ルミニウム成分がリードワイヤ表面に効率良く付着させ
るためである。
次に、各水準の焼結体2000個をすべてリン酸水溶液
中80Vの陽極酸化を行い、120H!での静電容量(
C12゜)、酸化被膜の誘電損失(tan 6f)及び
16V印加時の漏れ電流(LC)を測定した。C+Z。
中80Vの陽極酸化を行い、120H!での静電容量(
C12゜)、酸化被膜の誘電損失(tan 6f)及び
16V印加時の漏れ電流(LC)を測定した。C+Z。
、 tan δf測測定30%硫酸水溶液中で行った。
測定試料数は、LCについては全数、C+Z。、 ta
n 6 fについては各水準100個づつとした。
n 6 fについては各水準100個づつとした。
得られたデータを第2表に示す、LCは各水準共0.2
μ八以下の値のものを良品としてその平均値を示し、0
.2μAより大きいものを不良品とし、不良発生率とし
て示した。C1,。、tan 6 fは各水準共測定し
た100個全敗の平均値を示した。
μ八以下の値のものを良品としてその平均値を示し、0
.2μAより大きいものを不良品とし、不良発生率とし
て示した。C1,。、tan 6 fは各水準共測定し
た100個全敗の平均値を示した。
次に、各水準共CI2゜、 tan δf測測定使用し
た100個を除<1900個すべてについて、固体電解
コンデンサ製造に適用される通常の方法、即ち硝酸マン
ガンの含浸、熱分解によるMnO2陰極付けを行い、更
にグラファイト、1!ペースト付け、半田ディツプ、樹
脂外装を行って固体コンデンサとした。
た100個を除<1900個すべてについて、固体電解
コンデンサ製造に適用される通常の方法、即ち硝酸マン
ガンの含浸、熱分解によるMnO2陰極付けを行い、更
にグラファイト、1!ペースト付け、半田ディツプ、樹
脂外装を行って固体コンデンサとした。
固体化後についても陽極酸化後と同様C+Z。。
tan δf及びLCの測定データを第3表に示す。
但し、ここでのtan δfは、MnO□等外部陰極の
透過直列抵抗(E CR)を含むコンデンサ全体として
の損失を示す。また、LCの良品範囲は0.5μA以下
とし、0.5μAより大きいものを不良品とした。
透過直列抵抗(E CR)を含むコンデンサ全体として
の損失を示す。また、LCの良品範囲は0.5μA以下
とし、0.5μAより大きいものを不良品とした。
第2表及び第3表から判るように、陽極酸化後。
固体化後共にCI 2゜、 jan δf、LC良品平
均値には殆ど差がないが、LC不良発生率には大きな差
が生じている。すなわち、比較例として示した従来技術
による試料番号(リードワイヤ、窒化チタンワイヤ)の
場合の不良発生率が陽極酸化後11%、固体化後13%
と大きい。これに対し、本発明による試料番号1,2.
3.4 (リードワイヤが夫々タングステン、モリブデ
ン、タンタル。
均値には殆ど差がないが、LC不良発生率には大きな差
が生じている。すなわち、比較例として示した従来技術
による試料番号(リードワイヤ、窒化チタンワイヤ)の
場合の不良発生率が陽極酸化後11%、固体化後13%
と大きい。これに対し、本発明による試料番号1,2.
3.4 (リードワイヤが夫々タングステン、モリブデ
ン、タンタル。
ニオブ)の場合は、陽極酸化後2〜3%、固体化後4〜
6%と遥かに小さな値を示しており、漏れ電流の不良発
生率が大幅に低減されていることが判る。
6%と遥かに小さな値を示しており、漏れ電流の不良発
生率が大幅に低減されていることが判る。
以上説明したように本発明は、アルミニウムとチタンも
しくは水素化チタンの混合粉末のプレス形成体を焼結す
る電解コンデンサのリードワイヤに、2400℃以上の
融点を有する高融点金属製のワイヤを使用しているので
、漏れ電流不良発生率が低く、品質安定型の良い電解コ
ンデンサを得ることができる。
しくは水素化チタンの混合粉末のプレス形成体を焼結す
る電解コンデンサのリードワイヤに、2400℃以上の
融点を有する高融点金属製のワイヤを使用しているので
、漏れ電流不良発生率が低く、品質安定型の良い電解コ
ンデンサを得ることができる。
第1図(a)、 (b)は本発明の一実施例を示す一
部破断斜視図、第2図はリードワイヤ表面をオージェ分
光法により深さ方向の組成分析を行った結果を示す図で
ある。 1・・・Al−TiH2混合粉プレス体、IA・・・A
l−Ti合金多孔賞焼結体、2・・・高融点金属リード
ワイヤ、3・・・純A1層。 第2図 Aオン・スハ0ツク咬rfl(分) 手続主甫正書(自発) 昭和62年 2月 2日
部破断斜視図、第2図はリードワイヤ表面をオージェ分
光法により深さ方向の組成分析を行った結果を示す図で
ある。 1・・・Al−TiH2混合粉プレス体、IA・・・A
l−Ti合金多孔賞焼結体、2・・・高融点金属リード
ワイヤ、3・・・純A1層。 第2図 Aオン・スハ0ツク咬rfl(分) 手続主甫正書(自発) 昭和62年 2月 2日
Claims (2)
- (1)リードワイヤを植設したアルミニウムとチタンも
しくは水素化チタンの混合粉末のプレス成形体を焼結し
て陽極体を構成してなる電解コンデンサにおいて、前記
リードワイヤに2400℃以上の融点を有する高融点金
属を用いたことを特徴とする電解コンデンサ。 - (2)リードワイヤがタングステンである特許請求の範
囲第1項記載の電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61151716A JPS639111A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61151716A JPS639111A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS639111A true JPS639111A (ja) | 1988-01-14 |
JPH0553053B2 JPH0553053B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=15524719
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61151716A Granted JPS639111A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS639111A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011524629A (ja) * | 2008-06-02 | 2011-09-01 | ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 漏えい電流の少ない電解キャパシタを製造するための方法 |
WO2021117617A1 (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 金属線 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814521A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 日本電気株式会社 | 電解コンデンサ |
JPS59117212A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | 日本電気株式会社 | 電解コンデンサ用多孔質焼結体の製造方法 |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP61151716A patent/JPS639111A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814521A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | 日本電気株式会社 | 電解コンデンサ |
JPS59117212A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | 日本電気株式会社 | 電解コンデンサ用多孔質焼結体の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011524629A (ja) * | 2008-06-02 | 2011-09-01 | ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 漏えい電流の少ない電解キャパシタを製造するための方法 |
WO2021117617A1 (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 金属線 |
JP2021095585A (ja) * | 2019-12-13 | 2021-06-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 金属線 |
CN114729460A (zh) * | 2019-12-13 | 2022-07-08 | 松下知识产权经营株式会社 | 金属线 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0553053B2 (ja) | 1993-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7489498B2 (en) | Capacitors and methods for manufacturing the same | |
US4041359A (en) | Method of making an electrolytic capacitor and electrolytic capacitor made thereby | |
EP0166205A1 (en) | Method of producing electrolytic capacitor with Al-Ti anode body | |
US3599053A (en) | Improved titanium alloy capacitor | |
US4517727A (en) | Method of producing a porous body for electrolytic capacitor having a lead wire | |
US5938797A (en) | Low impedance solid electrolytic capacitor and method for fabricating the same | |
JP4931776B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
EP0038149B1 (en) | Improvements in porous bodies for solid electrolytic capacitors and processes for producing the same | |
JPS639111A (ja) | 電解コンデンサ | |
US3126503A (en) | Electrical capacitor and electrode | |
US3564348A (en) | Titanium-antimony alloy electrode electrical capacitor | |
US3325698A (en) | Electrical capacitor electrode and method of making the same | |
US20040212949A1 (en) | Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same | |
JP4454526B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
TW529049B (en) | Electrode and capacitor with the electrode | |
US3239436A (en) | Method of making titanium electrolytic capacitors | |
US3649880A (en) | Solid electrolytic capacitor having a titanium-zirconium alloy electrode | |
US4277543A (en) | Anode for solid electrolytic capacitor and method for making the same | |
JP2885101B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JP2000068160A (ja) | Ta固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
US3182235A (en) | Electrical capacitor and titaniumcontaining electrode material therefor | |
JP2908830B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
JPS6257090B2 (ja) | ||
US3689990A (en) | Method of making an electrical capacitor | |
JP2008288561A (ja) | ニオブ固体電解コンデンサ及びその製造方法 |