JPS6390186A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6390186A JPS6390186A JP23642186A JP23642186A JPS6390186A JP S6390186 A JPS6390186 A JP S6390186A JP 23642186 A JP23642186 A JP 23642186A JP 23642186 A JP23642186 A JP 23642186A JP S6390186 A JPS6390186 A JP S6390186A
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- Japan
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ダブルヘテロ構造の半導体発光装置である
半導体レーザ装置もしくは発光ダイオード装置に関する
ものである。
半導体レーザ装置もしくは発光ダイオード装置に関する
ものである。
第３図は従来のＳＢＡレーザの構造を示す断面図であり
、この図において、１はｐ型ＧａＡｓ基板（以下単に基
板という、その他の符号も同様に略称する）、２はｐ型
ＡＲｏ、 ４ＳＧ ａＱ、 ｓ％Ａｓバッファ層、３は
ｎ型ＧａＡｓブｏツク層、４はｐ型Ａ ｌ ６．４ＳＧ
ａＱ、ＢｑＡｓ下クラツクラッド層ノンドープＡＩ。
、この図において、１はｐ型ＧａＡｓ基板（以下単に基
板という、その他の符号も同様に略称する）、２はｐ型
ＡＲｏ、 ４ＳＧ ａＱ、 ｓ％Ａｓバッファ層、３は
ｎ型ＧａＡｓブｏツク層、４はｐ型Ａ ｌ ６．４ＳＧ
ａＱ、ＢｑＡｓ下クラツクラッド層ノンドープＡＩ。
、１゜Ｇ ａｏ、 ＠＠Ａ ｓ活性層、７はｎ型Ａ ’
ｌ ｏ、 、、Ｇ ａｏ、、、Ａ ｓ下クラッド層、８
はｎ型ＧａＡｓコンタクト層、９はストライブ部である
。
ｌ ｏ、 、、Ｇ ａｏ、、、Ａ ｓ下クラッド層、８
はｎ型ＧａＡｓコンタクト層、９はストライブ部である
。
次に、作用について説明する。
基板１よりバッファ居２を通ってきた電流は、ブロック
層３で狭窄され、ストライブ部９の部分のみから下クラ
ッド層４中に流れ出す。電流はｐ−ｎ接合である活性層
６において光に変換され、レーザ発振が生じる。
層３で狭窄され、ストライブ部９の部分のみから下クラ
ッド層４中に流れ出す。電流はｐ−ｎ接合である活性層
６において光に変換され、レーザ発振が生じる。
従来のＳＢＡレーザは以上のように構成されており、ま
た、ｐ型のドーパントによる結晶中を移動し易いＺｎを
用いているため、その製造プロセスにおいて、第３図の
ようにｐ型の基板１を用いた場合には下クラッド層４の
Ｚｎが拡散し、ｐ−ｎ接合の位置が本来設計されている
活性層６内ではなく、上クラタド層７内に移動してしま
い、その結果、動作電圧が高くなるなどの問題点があっ
た。
た、ｐ型のドーパントによる結晶中を移動し易いＺｎを
用いているため、その製造プロセスにおいて、第３図の
ようにｐ型の基板１を用いた場合には下クラッド層４の
Ｚｎが拡散し、ｐ−ｎ接合の位置が本来設計されている
活性層６内ではなく、上クラタド層７内に移動してしま
い、その結果、動作電圧が高くなるなどの問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、製造中に活性層におけるＶ−ｎ接合の位置
が移動することを防止した半導体発光装置を得ることを
目的とする。
れたもので、製造中に活性層におけるＶ−ｎ接合の位置
が移動することを防止した半導体発光装置を得ることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 ゛この発明に係る
半導体発光装置は、ドーピングされた下クラッド層と活
性層との間または上クラッド層と活性層との間にノンド
ープ層を介在させたものである。
半導体発光装置は、ドーピングされた下クラッド層と活
性層との間または上クラッド層と活性層との間にノンド
ープ層を介在させたものである。
この発明においては、下クラッド層と活性層との間また
ば上クラッド層と活性層との間にノンドープ層を介在さ
せたことから、ノンドープ層は、下クラッド層または上
クラッド層より拡散してきたＺｎが活性層もしくは上ク
ラッド層に達するのを防ぎ、ｐ−ｎ接合位置を常に活性
層にあるようにする。
ば上クラッド層と活性層との間にノンドープ層を介在さ
せたことから、ノンドープ層は、下クラッド層または上
クラッド層より拡散してきたＺｎが活性層もしくは上ク
ラッド層に達するのを防ぎ、ｐ−ｎ接合位置を常に活性
層にあるようにする。
この発明の一実施例を第１図について説明する。
この図において、第３図と同じ符号は同じものを示し、
５は前記下クラッド層４と活性層６との間に介在せしめ
たノンドープ層で、Ａｊ’６．４５Ｇ＆。、Ｓ！Ａｊ１
層である。
５は前記下クラッド層４と活性層６との間に介在せしめ
たノンドープ層で、Ａｊ’６．４５Ｇ＆。、Ｓ！Ａｊ１
層である。
ＭＯＣＶＤ法やその他の気相エピタキシャル成長法もし
くはＭ Ｂ Ｅ ７１においては、■族元素と■族元素
の流量比、あるいはフラックス強度比を適当に選ぶこと
により、ノンドープ結晶の伝導型をｐ型にもｎ型にもす
ることができる。
くはＭ Ｂ Ｅ ７１においては、■族元素と■族元素
の流量比、あるいはフラックス強度比を適当に選ぶこと
により、ノンドープ結晶の伝導型をｐ型にもｎ型にもす
ることができる。
第２図はその様子をＧａＡｓのＭＯＣＶＤ法による成長
の場合について示したものである。この発明に係るノン
ドープ層５であるＡＩｏ、 ４ＳＧ ａＯ，５ｉＡｓ層
もＶ−１１比の小さい領域でエピタキシャル成長すると
、ｐ型の伝導型を示すようにすることができる。このよ
うにして成長されたノンドープ層５は電気的・光学的に
は第３図における下クラッド層４と同等の働きをする。
の場合について示したものである。この発明に係るノン
ドープ層５であるＡＩｏ、 ４ＳＧ ａＯ，５ｉＡｓ層
もＶ−１１比の小さい領域でエピタキシャル成長すると
、ｐ型の伝導型を示すようにすることができる。このよ
うにして成長されたノンドープ層５は電気的・光学的に
は第３図における下クラッド層４と同等の働きをする。
しかし、ノンドープ層５はその名の通り何もドープされ
ていないため、エピタキシャル成長中に下クラッド層４
から拡散してくるＺｎを活性層６もしくは上クラッド層
７まで到達することを防止してＮＰ ”接合位置を活
性層６に常にあるようにする働きをする。
ていないため、エピタキシャル成長中に下クラッド層４
から拡散してくるＺｎを活性層６もしくは上クラッド層
７まで到達することを防止してＮＰ ”接合位置を活
性層６に常にあるようにする働きをする。
なお、上記実施例では、ｐ型基板を用いた下クラッド層
４と活性層６との間にノンドープ層５を設けたものを示
したが、ｎ型基板を用いる際には、上クラッド層７と活
性層６との間にノンドープ層５を設けてもよいことはい
うまでもない。
４と活性層６との間にノンドープ層５を設けたものを示
したが、ｎ型基板を用いる際には、上クラッド層７と活
性層６との間にノンドープ層５を設けてもよいことはい
うまでもない。
この発明は以上説明したとおし、ドーピングされた下ク
ラッド層と活性層との同または上クラッド層と活性層と
の間にノンドープ層を介在させたので、常にｐ −ｎ接
合位置を活性層内に保つことができる効果がある。
ラッド層と活性層との同または上クラッド層と活性層と
の間にノンドープ層を介在させたので、常にｐ −ｎ接
合位置を活性層内に保つことができる効果がある。
第１図は乙の発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図、第２図はＭＯＣＶＤ法における■／■比と伝導型
との関係を示す図、第３図は従来の半導体発光装置を示
す断面図である。 図において、１は基板、４は下クラッド層、５はノンド
ープ層、６は活性層、７は上クラッド層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 Ｖ／ｍ比 第３図
面図、第２図はＭＯＣＶＤ法における■／■比と伝導型
との関係を示す図、第３図は従来の半導体発光装置を示
す断面図である。 図において、１は基板、４は下クラッド層、５はノンド
ープ層、６は活性層、７は上クラッド層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 Ｖ／ｍ比 第３図
Claims (1)
- ダブルヘテロ構造の半導体発光装置において、ドーピン
グされた下クラッド層と活性層との間または上クラッド
層と活性層との間にノンドープ層を介在させたことを特
徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23642186A JPS6390186A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23642186A JPS6390186A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390186A true JPS6390186A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=17000505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23642186A Pending JPS6390186A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390186A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0449553A2 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| US6798808B1 (en) | 1999-01-29 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23642186A patent/JPS6390186A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0449553A2 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
| US6798808B1 (en) | 1999-01-29 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
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