JPS6389975U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6389975U JPS6389975U JP18625386U JP18625386U JPS6389975U JP S6389975 U JPS6389975 U JP S6389975U JP 18625386 U JP18625386 U JP 18625386U JP 18625386 U JP18625386 U JP 18625386U JP S6389975 U JPS6389975 U JP S6389975U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial growth
- liquid phase
- phase epitaxial
- reaction tube
- gas
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の液相エピタキシヤ
ル成長装置の断面図、第2図は従来の液相エピタ
キシヤル成長装置の例を示す断面図である。 1:加熱炉、2:反応管、3:操作棒、4:ス
ライドボート、5:予熱炉。
ル成長装置の断面図、第2図は従来の液相エピタ
キシヤル成長装置の例を示す断面図である。 1:加熱炉、2:反応管、3:操作棒、4:ス
ライドボート、5:予熱炉。
Claims (1)
- 液相エピタキシヤル成長を行なうように構成し
たスライドボートを内設した反応管を加熱炉内に
設置し、前記反応管内に導入したガスを加熱して
エピタキシヤル成長を行なう液相エピタキシヤル
成長装置において、前記ガスを、前以て前記スラ
イドボート付近のガス雰囲気と同一温度まで加熱
する予熱炉を備えていることを特徴とする液相エ
ピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18625386U JPS6389975U (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18625386U JPS6389975U (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6389975U true JPS6389975U (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=31135641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18625386U Pending JPS6389975U (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6389975U (ja) |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP18625386U patent/JPS6389975U/ja active Pending