JPS61131830U - - Google Patents

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JPS61131830U
JPS61131830U JP1459285U JP1459285U JPS61131830U JP S61131830 U JPS61131830 U JP S61131830U JP 1459285 U JP1459285 U JP 1459285U JP 1459285 U JP1459285 U JP 1459285U JP S61131830 U JPS61131830 U JP S61131830U
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JP
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wafer
temperature section
reaction tube
heater
insertion port
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JP1459285U
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案CVD装置の断面模式図、第2
図は本考案CVD装置の他の実施例断面模式図、
第3図は従来のCVD装置の断面模式図である。 1……反応管、2……真空ポンプ、3……抵抗
加熱器、4……ガス供給装置、6,6……ウエハ
、7……ボート、8……高温部、9……低温部、
11……蓋体、12……密閉部材、13……フツ
ク棒、14……シール材、16……駆動部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応管内にウエハを設定し、このウエハをヒー
    タで加熱しながら、反応管内へ所望の反応ガスを
    供給して、ウエハ上に所定の導電性膜を形成する
    導電性模成長装置において上記反応管は、ウエハ
    を挿入する挿入口と、上記ヒータにより熱が与え
    られる高温部と、上記挿入口及び高温部間に設け
    られた低温部と、から成る構成にするとともに、
    上記反応管内を真空に引くポンプと上記ウエハを
    反応管内の低温部から高温部へ移動する移送機構
    と、を設けたCVD装置。
JP1459285U 1985-02-04 1985-02-04 Pending JPS61131830U (ja)

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JP1459285U JPS61131830U (ja) 1985-02-04 1985-02-04

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JP1459285U JPS61131830U (ja) 1985-02-04 1985-02-04

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JPS61131830U true JPS61131830U (ja) 1986-08-18

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ID=30499656

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JP1459285U Pending JPS61131830U (ja) 1985-02-04 1985-02-04

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