JPS6389455A - ムライト焼結体 - Google Patents

ムライト焼結体

Info

Publication number
JPS6389455A
JPS6389455A JP61231294A JP23129486A JPS6389455A JP S6389455 A JPS6389455 A JP S6389455A JP 61231294 A JP61231294 A JP 61231294A JP 23129486 A JP23129486 A JP 23129486A JP S6389455 A JPS6389455 A JP S6389455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sintered body
pores
mullite
carbon
strength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61231294A
Other languages
English (en)
Inventor
新庄 清和
孝樹 正木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP61231294A priority Critical patent/JPS6389455A/ja
Publication of JPS6389455A publication Critical patent/JPS6389455A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、ムライト焼結体に関する。
従来の技術 ムライト焼結体は、Al2O3−3i02系の焼結体で
あり、融点が比較的高く、また熱膨張係数が低いといっ
た特長を有するため、炉材や化学機器などの構成材料と
して使用されている。また、近年、高温強度や耐熱衝撃
性が高いことや、塑性変形しにくいといった特性が見直
され、高温で使用する構造部材への適用が考えられるよ
うになってきた。
そのようなムライトは、たとえば内田老鶴圃社刊、「新
素材シリーズ・ムライト」、第51〜61頁(昭和60
年11月20日)に記載されているように、常圧焼結法
やホットプレス法によって製造するのが普通である。
常圧焼結法は、ムライ1へ粉末の、静水圧成形や金型成
形による成形体を、常圧下で、かつ真空下または水素雰
囲気下に1600〜1700’Cで加熱し、焼結するも
のである。この方法は、焼結を常圧下で行うため、密度
を上げるために比較的高い焼結温度をとっているのであ
るが、そのため結晶粒子の成長が大きくなり、得られた
焼結体は機械的強度やワイブル係数が低いという問題が
おる。
一方、ホットプレス法は、ムライトの粉末を黒鉛ダイス
に入れ、窒素雰囲気などの還元性雰囲気下で数百気圧の
圧力を加えて加熱し、焼結するものでおる。ところが、
この方法によると、焼結中に、原料粉末中に酸化物の形
で含まれている不純物が還元されたり、ダイスから炭素
等が侵入したりして焼結体が黒くなる。また、炭素等が
含まれていると、高温で使用したときにそれが次間ガス
となって蒸発し、焼結体中に空孔ができるために強度や
ワイブル係数が低下する。ざらに、炭素等の存在は電気
的特性をも低下させる。
発明が解決しようとする問題点 この発明の目的は、従来の焼結体の上記欠点を解決し、
機械的、電気的、光学的特性が優れているばかりか、そ
れらの特性のばらつきが少なく、また高温で使用しても
強度低下がほとんどないムライト焼結体を提供するにお
る。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成するために、この発明においては、炭素
を実質的に含まず、気孔率が0.6%以下でおり、気孔
の大きさが0.1μm以下であって、かつ気孔がムライ
トの結晶粒界の3重点に主として存在していることを特
徴とするムライト焼結体が提供される。ここで、ムライ
ト焼結体とは、アルミナ(Al2O2>とシリカ(S 
i 02 )との共晶多結晶体でおって、アルミナが6
8重量%以上、78重世%以下でおり、3A l 20
3・2SiOzで表わされるムライトを少なくとも90
重量%含み、残余がコランダム相(アルミナ過剰相)な
いしはガラス相(シリカ過剰相)でおるようなものでお
る。アルミナが74重星%のとき、ムライトの甲−相を
形成する。
以下、この発明の焼結体をその好ましい製造方法ととも
に詳細に説明する。
この発明においては、まず、純度がいずれも99.9%
以上である、硝酸アルミニウムの9水和物(A I N
O3・9H20)と、テトラエトキシシラン[3i (
OC21−1s > 4 ]とを所望の重量割合で混合
し、ざらに水とエタノールを加えて水溶液を調製する。
硝酸アルミニウムに代えて、塩化アルミニウム(A I
 CI 3 >やアルミニウムアルコキシド[AI (
OCH3)3、At (OC2H5)3、AI  (O
C3H7>:+など]を使用することもでき、テトラエ
トキシシランに代えて、テトラメトキシシラン[3i 
(OCH3) 4 ]やテトラプロポキシシラン[Si
  (OC3H7)4]などの有機ケイ酸塩を使用する
こともできる。
次に、上記水溶液から、周知の共沈法、加水分解法、熱
分解法、金属アルコキシド法、ゾルグル法、気相法等を
用いて、平均粒子径が0.3μm以下である原料粉末を
調製する。これらの工程は、仮焼、粉砕操作を含むが、
仮焼温度は600〜1300°Cで必り、またそのとき
の昇温速度は100〜300’C/時とするのが好まし
い。また、粉砕は、不純物が混入しないよう、ゴムやウ
レタンを内張すしたボールミルで行うのが好ましい。
次に、上記原料粉末を、ラバープレス法、射出成形法、
金型成形法、押出成形法などの周知の成形法を用いて所
望の形状に成形する。
次に、成形体を加熱炉に入れ、約900℃までは50〜
100’C/時の速度で、それ以上は30〜50’C/
時の速度で1300〜1600’Cまで胃温し、その温
度に数時間保持した後冷却し、かさ密度が理論密度の9
5%以上でおる、好ましくは97.5%以上であるよう
な予備焼結体を得る。
予備焼結体の結晶粒径や密度は、原料粉末の活性度や焼
結温度等によって決まる。
次に、上記予備焼結体を、いわゆる本焼結するわけであ
るが、これには酸化性雰囲気下における熱間静水圧加圧
処理法(HIP法)を使う。すなわち、上記予備焼結体
を、制御された酸素雰囲気、つまり酸化性雰囲気の下で
、1000〜2000Kq/Cm2の圧力下に1300
〜1600′Cで数時間加熱し、その後200〜500
’C/時速度で冷却する。これにより、この発明の焼結
体が得られるのであるが、この焼結体の結晶粒径は3μ
m以下であるのが好ましい。ざらに好ましいのは、1μ
m以下でおる。
さて、HIP法における酸素濃度は、11000ppか
ら25体積%である。1001000pp未満では、酸
素濃度が低1ぎ、炉の構成材料などから放出されるガス
によって焼結体が還元されてしまい、炭素等が残存する
ようになる。また、25体積%を越えるような高濃度酸
素雰囲気では、処理炉を構成している部材の発火点が大
きく低下し、炉の寿命が茗しく短くなるので実用的でな
い。
ところで、HIP法による処理には2つの方法がある。
ひとつは、原料粉末や成形体をガラスヤ金属の容器(カ
プセル)に入れて処理に供する方法であり、他のひとつ
は、上述した、かぎ密度が理論密度の95%以上でおる
予備焼結体を得た後それを処理に供する方法である。前
者は比較的低温でも緻密な焼結体が得られるという利点
がおる。
しかしながら、容器を使用する関係上、複雑な形状を有
するものの製造には適さない。後者は、そのような形状
の制約はないものの、ガスによる加圧を行なう関係上、
予1ArI焼結体の気孔が開気孔でなく、閉気孔である
ことを必要とする。この点、かさ密度が理論密度の95
%以上であるような予備焼結体の気孔はほとんどが閉気
孔であり、問題はない。このようなHI P法によれば
、結晶粒子間の結合が強固になり、しかも低温でも緻密
な焼結体が得られる。
HI P法は、上述したように酸化性雰囲気下で行なう
必要がある。というのは、ト11P法はカーボンなどの
ヒータを使用し、アルゴン雰囲気などの不活性雰囲気下
で行なうのが普通であるが、そうすると、微量の炭素等
が焼結体中に残存するようになる。しかるに、焼結体に
炭素等が残存していると、黒ずみ、透光性や電気的特性
が低下するようになる。また、600 ’C以上の高温
で使用した時に、残存していた炭素量が炭酸ガスになっ
て蒸発し、焼結体中に空孔ができるために強度が大きく
低下してしまう。
この発明の焼結体は、上述したように、600℃以上に
おける強度低下の原因になる炭素を実質的に含んでいな
い。ここにおいて、炭素を実質的に含んでいない焼結体
とは、以下のように定義されるものでおる。
すなわち、物質中の炭素量の分析には、燃焼赤外法、S
IMSと呼ばれる2次イオン質量分析法、レーザーラマ
ン分光分析法など、いろいろな方法が使用されるが、こ
の発明においては、レーザーラマン分光分析法を使用し
、アルゴンレーザーを用いて焼結体を波長4880人お
よび4579人の光で励起した場合に、アモルファスカ
ーボンとして検出される炭素の存在が全く認められない
とき、炭素が実質的に含まれていないものと定義する。
この発明においては、気孔率が0.6%以下でおり、し
かも気孔の大きさが0.1μm以下でおることを必須と
する。ここで、気孔率P(%)は、式、 P=[1−(かざ密度/理論密度)]X100で定義さ
れるものである。すなわち、焼結体の強度やそのばらつ
きは、気孔率に大きく左右されるが、同時に気孔の大き
さにも左右される。気孔がおると、その部分に応力集中
を招くからである。
強度等の機械的特性の低下やばらつきは、気孔率が低く
、かつ気孔が小さい場合にはそれほどでもないが、気孔
率が0.6%を越え、かつ気孔の大きさが0.1μmを
越えると急激に大きくなる。
それゆえ、この発明においては、そのような不都合が起
こらないよう、気孔率を0.6%以下とし、合わせて気
孔の大きさを0.1μm以下としている。好ましい気孔
率は0.3%以下である。なお、強度のばらつきを統計
的に表わす指標としてワイブル係数が使用されているが
、このワイブル係数は、大きいほどばらつきが少なく、
信頼性が高いということになる。また、ワイブル係数が
大きいということは、均質かつ緻密で空孔ヤ異物が少な
いということであり、光学的、電気光学的特性も均一で
ばらつきが少ないということになる。
ここで、焼結体の理論密度は次のようにして求める。
すなわち、理論密度は、それに含まれるムライト、コラ
ンダム、ガラスの各相の量によって異なり、100%ム
ライトである場合の理論密度は3゜18±0.02CJ
/cm3となる。同様に、100%コランダムである場
合は3.98g/cm3となり、100%ガラスでおる
場合は2.20g/cm3となる。しかして、焼結体の
理論密度は、焼結体の組織を走査型電子顕微鏡によって
観察し、それによって1qた各相の面積割合から上記理
論密度に基いて樟出する。なお、組織を観察する場合、
100個以上の結晶粒子がひとつの視野に入るような条
件を選ぶのが好ましい。
この発明の焼結体においては、気孔がムライトの結晶粒
界の主とし″で3重点に存在している。主として3重点
に存在しているという意味は、気孔の90%以上が3重
点に存在しているということでおる。すなわち、一般に
、気孔はムライトの結晶粒内や粒界に現われ、また粒界
に現われる場合、3つの結晶粒が接する部分、つまり3
重点に現われたりする。しかるに、粒内ヤ2つの結晶粒
の粒界の気孔は、結晶粒の成長や、緻密化が十分でない
場合に現われ、強度を大きく低下させる原因になる。3
重点に現われる気孔もまた、強度低下の原因にはなるが
、その低下の程度は、結晶粒内や2つの結晶粒の粒界に
現われるものほど顕著ではないものである。
次に、実施例に基づいてこの発明をさらに詳細に説明す
る。
実施例 純度がともに99.95%である、アルミニウムイソプ
ロポオキシド[AI (OC3H7)3]とテトラエト
キシシラン[Si (OC2H5)4]とを焼結体中に
おける△1203としての開が74重但%になるように
混合した混合液10CIを攪拌しながらそれにアンモニ
ア水を8m1/分の速度で滴下し、4時間で加水分解し
てアルミナゾルとシリカゾルとの共沈物を得る。さらに
、その共沈物を遠心分離機にかけて共沈物のみを取り出
し、それを空気中にて80’Cで24時間乾燥して粉末
を得る。
次に、上記粉末をアルミナ製るつぼに入れ、炭化ケイ素
(S i C)製ヒーターを使用して空気中にて250
’C/時の速度で1200℃まで昇温し、その温度に3
時間保持して仮焼し、さらにその仮焼粉末をウレタンを
内張すしたボールミルで粉砕し、平均粒子径が0.1μ
mである原料粉末を得る。
次に、上記原料粉末をラバープレス法を用いて板状に成
形する。成形時の圧力は4000KCI/cm2とする
次に、上記成形体を加熱炉に入れ、900’Cまでは5
0’C/時の速度で、それ以上は40℃/時の速度で1
500℃まで昇温し、その温度に2時間保持し、かつ密
度が理論密度の約98%である予備焼結体を得る。
次に、HIP法を用いて上記予備焼結体を本焼結する。
すなわち白金ヒーターを用い、予備焼結体を酸素が3%
で残余がアルゴンガスである酸化性雰囲気下に450’
C/時の速度で1500’Cまで昇温し、同時に圧力が
2000Kg/cm2になるように昇圧し、1.5時間
保持した俊、400 ’C/時の速度で冷却し、この発
明の焼結体を得る。
上記焼結体について、気孔率と、気孔の大きざと、気孔
の位置と、炭素の有無と、曲げ強度と、ワイブル係数と
、空気中にて1000’Cで100時間保持した後の曲
げ強度(以下、高温強度という)とを測定すると、次の
ようになる。なお、気孔の大きざと位置の測定は電子顕
微鏡による。また、曲げ強度の測定はJ T5−T16
01による。
ワイブル係数はnllを20として求める。
気孔率   :0.3% 気孔の大きさ:0.04μm 気孔の位置 :主として3重点 炭素の有無 :検出せず 曲げ強度  : 1000MPa ワイブル係数:20 高温強度  : 1100MPa 発明の効果 この発明の焼結体は、気孔率が0.6%以下であり、か
つ気孔の大きさが0.1μm以下であって、かつ気孔が
ムライトの結晶粒界の3重点に主として存在しているか
ら、実施例にも示したように、機械的特性が大変例れて
いるばかりか、炭素を実質的に含んでいないので高温で
使用しても強度の低下がほとんどなく、また光学的、電
気的特性も向上する。しかも、これらの特性のばらつき
が少ないばかりか、製造上は周囲から一様に加圧力が与
えられるHIP法を使用するため、ホットプレス法で製
造したもののように方向性をもたない。
この発明の材料は、上)ホした特長から、いろいろな用
途に使用することができる。以下にその一例を示す。
A、 回路基板等の電気的用途。
B、 放電灯の外管、などの光学的用途。
C0断熱材、耐熱基板等の耐熱用途。
D、 減速材等の原子炉関連用途。
E、 人工歯骨、触媒担体等の生化学的用途。
F、 人工宝石、印鑑、ネクタイピン、カラスボタン、
時計用部品等の装飾、宝石代用用途。
G、 粉砕機用ボール、各種メカニカルシール、各種バ
ルブ、各種軸受、各種ロール、各種ポンプ、インペラ、
スクリュー、各種スリーブ、オリフィス、タイル、糸道
ガイド等の産業機械用部品用途。
Hl 副燃焼室、ターボチャージャ、ピストンキャップ
、シリンダ、シリンダライナ、プレートニゲシーストバ
ルブヘッド、ガスタービン翼、燃焼器、ノーズコーン、
シュラッド、排気弁、各種断熱部材などの内燃機関用部
品用途。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  炭素を実質的に含まず、気孔率が0.6%以下であり
    、気孔の大きさが0.1μm以下であつて、かつ気孔が
    ムライトの結晶粒界の3重点に主として存在しているこ
    とを特徴とするムライト焼結体。
JP61231294A 1986-10-01 1986-10-01 ムライト焼結体 Pending JPS6389455A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61231294A JPS6389455A (ja) 1986-10-01 1986-10-01 ムライト焼結体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61231294A JPS6389455A (ja) 1986-10-01 1986-10-01 ムライト焼結体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6389455A true JPS6389455A (ja) 1988-04-20

Family

ID=16921355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61231294A Pending JPS6389455A (ja) 1986-10-01 1986-10-01 ムライト焼結体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6389455A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160032270A (ko) * 2014-06-06 2016-03-23 엔지케이 인슐레이터 엘티디 멀라이트 소결체, 그 제법 및 복합 기판
CN105764871A (zh) * 2014-06-06 2016-07-13 日本碍子株式会社 堇青石烧结体、其制法、复合基板以及电子器件
JP6989722B1 (ja) * 2021-03-31 2022-01-05 株式会社ニッカトー 耐熱性及び耐久性にすぐれたムライト焼結体及びその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54152010A (en) * 1978-05-08 1979-11-29 Ibm Formation of high density ceramic material
JPS57175724A (en) * 1981-04-23 1982-10-28 Ngk Insulators Ltd Preparation of high purity ceramic powder
JPS60161371A (ja) * 1984-02-01 1985-08-23 工業技術院長 高強度セラミツクス焼結体の製造法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54152010A (en) * 1978-05-08 1979-11-29 Ibm Formation of high density ceramic material
JPS57175724A (en) * 1981-04-23 1982-10-28 Ngk Insulators Ltd Preparation of high purity ceramic powder
JPS60161371A (ja) * 1984-02-01 1985-08-23 工業技術院長 高強度セラミツクス焼結体の製造法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160032270A (ko) * 2014-06-06 2016-03-23 엔지케이 인슐레이터 엘티디 멀라이트 소결체, 그 제법 및 복합 기판
CN105636920A (zh) * 2014-06-06 2016-06-01 日本碍子株式会社 莫来石烧结体、其制法以及复合基板
CN105764871A (zh) * 2014-06-06 2016-07-13 日本碍子株式会社 堇青石烧结体、其制法、复合基板以及电子器件
US9771303B2 (en) 2014-06-06 2017-09-26 Ngk Insulators, Ltd. Cordierite sintered body, method for manufacturing the same, composite substrate, and electronic device
US9776924B2 (en) 2014-06-06 2017-10-03 Ngk Insulators, Ltd. Mullite sintered body, method for producing the same, and composite substrate
DE112015000148B4 (de) 2014-06-06 2023-11-02 Ngk Insulators, Ltd. Verbundsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6989722B1 (ja) * 2021-03-31 2022-01-05 株式会社ニッカトー 耐熱性及び耐久性にすぐれたムライト焼結体及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107522404A (zh) 一种牙科用锂铝硅系微晶玻璃及其制备方法
CN108640672A (zh) 一种镁铝尖晶石透明陶瓷的制备方法
CN110436930A (zh) 一种高性能纳米SiC陶瓷及其制备方法和应用
CN112500163A (zh) 一种高可见光透过率氧化钇透明陶瓷的制备方法
US5156830A (en) Process for preparing an alpha-phase silicon nitride material and thereafter converting to non-densified beta-phase material
CN114105639A (zh) 一种红外透明陶瓷材料及其制备方法
US5213729A (en) Process for preparing a densified beta-phase silicon nitride material having at least one densification aid, and the material resulting therefrom
JPS6389455A (ja) ムライト焼結体
Li et al. Sintering of nanopowders of amorphous silicon nitride under ultrahigh pressure
JPS62260766A (ja) アルミナ焼結体
CN114804850A (zh) 高光学性能的荧光透明陶瓷的制备方法
CN110183229A (zh) 一种具有低温裂纹自愈合能力的Ti2Al(1-x)SnxC陶瓷修复相粉体的制备方法
CN107382288A (zh) 一种新型耐高温陶瓷材料的制备工艺
JP2620287B2 (ja) 透光性スピネル焼結体の製造方法
JP4458409B2 (ja) 透光性セラミックスの製造方法および透光性セラミックス
JPH0535102B2 (ja)
KR101143312B1 (ko) 내열성이 우수한 열차단재 및 그 제조방법
JP2687632B2 (ja) 窒化珪素焼結体の製造方法
US5876660A (en) Sintered reaction-bonded silicon nitride components
JPS6337064B2 (ja)
KR101442634B1 (ko) 고온 강도가 우수한 알루미늄티타네이트의 제조방법
JPH0146472B2 (ja)
JPS61289287A (ja) 熱間静水圧加圧処理装置
CN112500162A (zh) 一种yag透明陶瓷及其致密化烧结方法
CN117945757A (zh) 一种低温烧结制备yag透明陶瓷的方法