JPS6386912A - 弾性表面波トランスデユ−サ - Google Patents

弾性表面波トランスデユ−サ

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JPS6386912A
JPS6386912A JP23186586A JP23186586A JPS6386912A JP S6386912 A JPS6386912 A JP S6386912A JP 23186586 A JP23186586 A JP 23186586A JP 23186586 A JP23186586 A JP 23186586A JP S6386912 A JPS6386912 A JP S6386912A
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JP
Japan
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electrode
capacitor
surface acoustic
acoustic wave
electrode fingers
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JP23186586A
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English (en)
Inventor
Riichi Kodama
児玉 利一
Koichi Kawabata
広一 川端
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は遅延線やフィルタに使用される弾性表面波トラ
ンスデユーサに係り、特にキャパシタによる重み付けを
行なう弾性表面波トランスデユーサに関する。
(従来の技術) 弾性表面波(S A W )を用いた遅延線やフイルタ
等のSAWデバイスにおいては、所望の周波数特性を得
るために弾性表面波の励振または受信強度を位置的に変
化させる、いわゆる重み付けを施したトランスデユーサ
が使用される。この重み付は法として従来から良く知ら
れている方法に、弾性表面波トランスデユーサを構成す
るインターディジタル電極の交差幅を変化させるアポダ
イズ法がある。この方法は比較的容易に任意のフィルタ
特性を得ることができる。
しかし、アボダイズ法はトランスデユーサの開口長く最
大交差幅)が小さくなると、交差長が極端に小さくなる
場合がある。現実にそのような電極を作成すると、回折
効果(表面波の広がり現象)が生じ、それが原因で所望
のフィルタ特性が得られなくなるという欠点がある。
このような欠点を回避したものとして、特開昭53−1
01246号公報に記載された構造の弾性表面波トラン
スデユーサがある。これは第5図に示すように、圧電性
基板1上に形成された一対のインターディジタル電極2
.3の一方を複数の領域に分割した上で、電極指を上方
に延在させ、その延在部6上に誘電体膜4を形成し、さ
らにその上に信  “目端子となる共通電極部5を形成
したものである。
この構造のトランスデユーサでは、誘電体膜4によって
形成されるキャパシタの容量を電極指毎に変化させるこ
とにより、弾性表面波の励振または受信強度に重み付け
を施すことができる。これは第6図の等価回路からも理
解される。すなわち、C1,C2、C3、・・・がキャ
パシタの容量であり、R,GOはそれぞれインターディ
ジタル電極2゜3の電気−音響変換部の放射抵抗および
拘束容量である。第6図に示したように、電気−音響変
換部の交差幅が場所によらず一定の場合には、R9Co
は全ての電極についてほぼ同一の値となる。
このとき各電極の放射抵抗Rの両端にかかる電圧は、キ
ャパシタ部分のインピーダンス 1/jωC+ と、R,Caの並列インピーダンスR/
(1+jωCIIR)との分圧で決定されるから、C1
を変化させることにより所望の重み付けを実現できるの
である。
また、特開昭53−59343号公報、特公昭56−5
0027号公報に記載されているように、重み付けのた
めのキャパシタをインターディジタル電極構造にする方
法も提案されている。すなわち、第7図に示すようにイ
ンターディジタル電極3の電極指と、電極指7との交差
部により重み付けのためのキャパシタを形成し、インタ
ーディジタル電極2と電極指3との一様交差幅の領域で
弾性表面波の励振または受信を行なうようにしたもので
ある。
しかしながら、このようにキャパシタを利用した重み付
けを施した従来の弾性表面波トランスデユーサでは、次
の問題がある。まず、第5図の構造のトランスデユーサ
ではインターディジタル電極2,3をエツチングにより
パターン形成する場合、電極のオーバーエツチングの影
響により各キャパシタの容量の比が変動してしまうとい
う問題がある。すなわち、オーバーエツチングによる静
電容量の変化分(絶対量)は各キャパシタで同じである
から、この変化分をΔCとし、各キャパシタの容量の設
計値をCr 、 C2、C3、・・・とすると、各キャ
パシタの実際の容量はC1−ΔC1C2−ΔC,C3−
ΔCとなる。従って、容量比は (CI−ΔC)/(C2−ΔC)≠C1/C2となり、
設計値CI /C2と異なったものとなる。
重み付は量はほぼキャパシタの容量比に比例するから、
この容量比が設計値と異なってしまうことは、とりも直
さず重み付は量が設計値と異なってしまうことを意味し
ている。容量変化分ΔCを最初から考慮してキャパシタ
形成部のN極面積を選ぶことも考えられるが、それには
オーバーエツチングの量を正確に制御しなくてはならず
、実際上困難である。
また、第5図に示した構造のトラン、スデューサでは、
誘電体[14にピンホールが発生すると、そのピンホー
ルを通して上下の電極間が短絡する。
このような不良が生じた場合には、製造後に救済するこ
とが不可能であり、製造歩留りを著しく低下させる要因
となる。
第7図に示した構造のトランスデユーサにおいても−・
静電容量比のばらつきの問題は幾分改善されるが、十分
とは言えない。また、電極間の短絡の問題についても、
製造後の救済は極めて困難である。
(発明が解決しようとする問題点) このように従来のキャパシタによる重み付けを施した弾
性表面波トランスデユーサでは、静電容量比のばらつき
により重み付は量が設計値からずれてしまい、また電極
の短絡に対する救済が困難であるという問題があった。
本発明は重み付は用キャパシタの容量比のばらつきが小
さく、所望の重み付は量が正確かつ容易に得られ、また
キャパシタ部の電極が短絡しても容易に救済が可能で、
歩留りの向上が期待できる弾性表面波トランスデユーサ
を提供することを目的とする。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 本発明は弾性表面波を励損または受信するための一対の
インターディジタル電極における少なくと亡゛一方を複
数の領域に分割し、その各分割領域毎に信号端子との間
に重み付けのための容量の異なるキャパシタを形成した
弾性表面波トランスデユーサにおいて、インターディジ
タル電極の分割領域毎のキャパシタ形成部を各々複数の
電極指により形成し、しかもその電極指の幅を電気−音
響変換部の電極指より幅より小さくしたことを特徴とす
るものである。
(作用) キャパシタ形成部における複数の電極指の1本当りの静
電容量は、電極指の位置に関係なくほぼ一定であるから
、各々のキャパシタの容量はキャパシタ形成部の電極指
の本数に比例する。また、製造時に生じるオーバーエツ
チングによる電極指1本当りの容量変化分もほぼ一定で
あるから、各々のキャパシタにおける容量変化分もキャ
パシタ形成部の電極指の本数に比例し、容量の大きいキ
ャパシタはどオーバーエツチングによる容量変化分が大
きくなる。この結果、オーバーエツチングによって各々
のキャパシタの容量そのものは変化するが、その比はほ
ぼ設計値を保つことになり、設計通りの重み付けが実現
される。
また、キャパシタ形成部の電極指の幅が電気−音響変換
部の電極指の幅より小さいことにより、キャパシタ形成
部の電極指間や電極指と共通電極部との間で短絡が生じ
た場合でも、高周波電流を流すことで電極指の一部を溶
断させて短絡のない正常な状態に復帰させることができ
る。さらに、キャパシタ形成部の電極指の数が多くなる
ため、電極指端面に生じる電界の広がり効果による容量
誤差が減少する。
(実施例) 第1図は本発明の第1の実施例に係る弾性表面波トラン
スデユーサの平面図である。図に示すように、圧電性基
板11上にアルミニウム薄膜等による一対のインターデ
ィジタル電極12.13が互いに交差して、すなわち各
々の1!糧指が互いに噛合うように形成されている。
インターディジタル電極13は弾性表面波伝搬方向にお
いて、電極指2本ずつを含む領域を一単位とする複数の
領域A、B、C・・・に分割されている。インターディ
ジタル電極13の各分割領域における電極指は上方に延
在され、その延在部において電気−音響変換部の電極指
の幅Wより小さい幅dの複数の電極指16の分割されて
いる。なお、電気−音響変換部の電極指の幅および間隙
Wは1/8λ(λは弾性表面波波長)であり、いわゆる
スプリット電極となっているが、これに限るものではな
り1/4λ等の幅および間隙を有するインターディジタ
ル電極構造であってもよい。
そして、インターディジタル電極13のキャパシタ形成
部の電極指16上に覆い被さるように、弾性表面波伝搬
方向に沿って帯状の誘電体膜14が設けられている。こ
の誘電体1114は例えばS io2.AffiN、S
 i3N4等の薄膜己ゝより形成され、この上に一方の
信号端子となる共通電極部15が形成されている。
すなわち、共通電極部15とインターディジタル電極1
2の共通電極部とが信@端子となる。これらの両信号端
子間に電気信号を入力すれば、インターディジタル電極
12.13の交差領域(それぞれの電極指が噛合う領域
)において弾性表面波が励振される。また、インターデ
ィジタル電極12.13の交差領域に弾性表面波が伝搬
されると、その弾性表面波に応じた電気信号が信号端子
から出力される。この場合、インターディジタル電極1
2.13の各交差領域での励振または受信強度は、電極
指16と誘電体1114および共通電極部15によりイ
ンターディジタル電極13の各分割領域A、B、C,・
・・毎に形成されたキャパシタの容量によって異なり、
これによって重み付けが施される。
上記のように各分割領域A、B、C,・・・のキャパシ
タを各々複数のN極指により形成すると、各キャパシタ
の容量比を設計値通りにすることができる。例えば、分
割領域A、Bのキャパシタの静電容l比について求める
と、次のようになる。領域Aにおける電極指16の本数
をm本、領域Bにおける電極指16の本数をn本とする
。誘電体膜14の厚さが電極指16の幅dより十分小さ
い場合には、電極指16の1本当りの静電容量は電極指
の幾何学的位置によらずほぼ一定の値(Cとする)であ
る。従って、領域A、Bのキャパシタの容量は各々rr
+C,nCとなる。製造時における電極のオーバーエツ
チングによる静電容量の変化分をΔCとすれば、製造後
における領域A、Bのキャパシタの容量の比は次のよう
になる。
(mC−mΔG)/(nc−nΔG)−m/nすなわち
、オーバーエツチングによって各キャパシタの容量その
ものは変化するが、容量比は設計値(mc/nC−m/
n)を維持する。従って、キャパシタによる励振または
受信強度の重み付けを設計通りに実現することができる
また、キャパシタ形成部の電極指16の@dが、電気−
音響変換部の電極指の幅Wより小さいため、誘電体膜1
4に生じたピンホールによって電極指16と共通電極部
15とが短絡した場合においても、正常の状態に復帰さ
せることができる。すなわち、このような短絡が生じた
場合には信号端子間に比較的高電圧の高周波電圧を印加
し、大きな高周波N8!を流す。この高周波電流は電極
指16においては誘電体1014のピンホールを通して
共通電極部15と接している部分を流れるので、その電
極指の一部が溶断する。このときd<wの関係から、イ
ンターディジタル電極12.13の電気−音響変換部の
電極指が溶断されることはない。
例えば第1図で点Plにおいて短絡が生じたとすると、
高周波電流が流れることによって点P2゜P3等で電極
指16が溶断し、短絡点Plは動作上関係がなくなる。
この溶断により厳密はキャパシタの言回が変化し、その
分だけ重み付は量が変化することになるが、実際上は無
視できる。この場合、例えば領域Bに示されるように電
極指16を共通接続する電極指17を付加して、溶断後
の容a減少分をできるだけ小さくするようにしてもよい
なお、実際の製造においてはインターディジタル電極1
2.13の電気−音響変換部の電極指の幅Wは完全に均
一に形成されるわけではなく、場所により種々変化する
。このような状況においても電極指16の上記溶断操作
が確実になされるためには、電極指16の幅dがWの1
/2以下であることが望ましい。
さらに、キャパシタ形成部の電極指16の幅dをWより
小さくすると、電極指16の数を多′くとれることによ
り、電極指端面に生じる電界の広がり効果による容量誤
差が減少するという利点がある。
第1図の弾性表面波トランスデユーサの等価回路は従来
と同様、第6図に示されるものとなる。
同図で放射抵抗Rの両端に生じる電圧の大きさは、重み
付は用キャパシタの容1c1.C2、C3。
・・・によって制御できることは先に述べた通りである
が、放射抵抗Rの両端に生じる電圧の位相も同様にCr
 、 C2、C3、・・・により変化する。この位相変
化を補正するために、インターディジタル電極12.1
3の電気−音響変換部の電極指の位置を弾性表面波の伝
搬方向に沿って変化させるようにしてもよい。
また、第1図ではインターディジタル電極13を2本の
電極指(スプリット電極)を−単位として複数の領域分
割しているが、電極指3本以上あるいは電極指1本を一
単位として領域分割し、それぞれに坦み付は用キャパシ
タを一統してもよい。
このような種々の領域分割の形態を適宜組合わせること
によって、キャパシタによる重み付けのダイナミックレ
ンジを上げることができる。
第2図は本発明の第2の実施例であり、インターディジ
タル電極13の電気−音響変換部の電極指を下方にも延
在させてその延在部を幅dの複数の電極指16により形
成し、さらにこれらの電極指16とインターディジタル
電極12の共通電極部との間に誘電体膜14を設けるこ
とによって、領域りにおいてもキャパシタを付加してい
る。
このような構造にすると、重み付は母が小さい場合にお
いても精度の高い重み付は制御ができるようになる。す
なわち、領域りにおけるキャパシタの容量は第6図の等
価回路において電気−音響変換部の拘束容量Cと並列に
接続されることになるから、放射抵抗Rの両端にかかる
電圧は領域りのキャパシタがない場合に比べて、より小
さいとなる。従って、第1図のようにして形成された重
み付は用キャパシタ(例えばIMAのキャパシタ)の容
量を極端に小さくしなくとも、小さな重み付けを高い精
度でかけることができる。
第3図は本発明の第3の実施例であり、インターディジ
タル電極12の電気−音響変換部に音響反射器を内蔵さ
せて、一方向性トランスデユーサを構成している。すな
わち、インターディジタル電極12の電気−音響変換部
は1/8λ幅の電極指12aと、3/8λ幅の電極指1
2bの組合せにより構成され、3/8λ幅の電極指12
bで音響反射を生じるようにして一方向性を持たせてい
る。図示したように、音響反射器による重み付けは、電
極指の交差幅方向(弾性表面波の伝搬方向と直交する方
向)に沿って3/8λ幅の電極指12bの占める割合を
変化させることによって達成される。
一方、電気的な重み付けはキャパシタの容量を変化させ
ることによって達成されている。従って、本実施例によ
れば従来のようなアボダイズ損失のない簡便な一方向性
弾性表面波トランスデユーサが実現される。
なお、電気−音響変換部の構成として、2Fm構造のス
ピリット電極や、内部グレーティジグを用いたもの等、
他の方式の音響反射器を内蔵させてもよいことは言うま
でもない。
以上述べた第1〜第3の実施例では、重み付は用キャパ
シタを誘電体膜14を用いて構成したが、インターディ
ジタル電極構造の重み付は用キャパシタを用いた場合で
も、本発明は有効である。第4図は重み付は用キャパシ
タをインターディジタル電橋構造とした本発明の第4の
実施例を示したものであり、キャパシタを構成する幅d
の電極指16がインターディジタル電極構造となってい
る。
この実施例によっても、先の実施例と同様の効果が得ら
れる。また、キャパシタ形成部が幅の小さい複数の電極
指によって構成されているため、例えば第7図に示した
従来のインターディジタル電極構造の重み付は用キャパ
シタに比較して、基板11上のキャパシタ部分の占有面
積を小さくすることができ、トランスデユーサの小型化
を図ることができる。
[発明の効果コ 本発明によれば、インターディジタル電極のうち重み付
は用キャパシタを形成する部分を電気−音響変換部の電
極指より幅の小さい複数の電極指によって構成したこと
により、各キャパシタの容農比が電極のオーバーエツチ
ングの影響を受けず、所望の重み付けを正確に実現でき
、しかも誘電体膜のピンホールその他の原因によるキャ
パシタ形成部の電極の短絡があっても容易に救済するこ
とが可能であり、歩留りの高い弾性表面波トランスデユ
ーサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図はそれぞれ本発明の実施例に係る弾性表
面波トランスデユーサの構成を示す平面図、第5図は従
来の弾性表面波トランスデユーサの一例を示す平面図、
第6図は重み付は用キャパシタを付加した弾性表面波ト
ランスデユーサの等価回路図、第7図は従来の弾性表面
波トランスデユーサの他の例を示す平面図である。 11・・・圧電性基板、12.13・・・インターディ
ジタル電極、14・・・誘電体膜、15・・・共通電極
部、16・・・キャパシタ形成部の電極指、A、B、C
。 D・・・分割領域。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 1 図 第 2 図 第3図 第5図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)圧電性基板上に形成された弾性表面波を励振また
    は受信するための一対のインターディジタル電極におけ
    る少なくとも一方のインターディジタル電極を複数の領
    域に分割し、その各分割領域毎に信号端子との間にキャ
    パシタを付加し、これらのキャパシタの容量を各分割領
    域毎に異ならせることにより、弾性表面波の励振または
    受信強度に重み付けを行なう弾性表面波トランスデュー
    サにおいて、前記インターディジタル電極の前記分割領
    域毎のキャパシタ形成部を、インターディジタル電極の
    電気−音響変換部の電極指より幅の小さい複数の電極指
    によって形成したことを特徴とする弾性表面波トランス
    デューサ。
  2. (2)キャパシタはインターディジタル電極のキャパシ
    タ形成部と、信号端子となる共通電極部との間に誘電体
    膜を設けたものであることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の弾性表面波トランスデューサ。
  3. (3)キャパシタはインターディジタル電極のキャパシ
    タ形成部における電極指と、信号端子となる共通電極部
    から伸びた電極指とを交差させたインターディジタル電
    極構造を有するものであることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の弾性表面波トランスデューサ。
  4. (4)インターディジタル電極は音響反射器を内蔵した
    ものであることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の弾性表面波トランスデューサ。
JP23186586A 1986-09-30 1986-09-30 弾性表面波トランスデユ−サ Pending JPS6386912A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7548407B2 (en) * 2005-09-12 2009-06-16 Qualcomm Incorporated Capacitor structure
JP2011035892A (ja) * 2009-07-07 2011-02-17 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性波フィルタ
CN107005227A (zh) * 2015-01-07 2017-08-01 株式会社村田制作所 弹性波装置

Cited By (4)

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