JPS6386672A - Ｃｃｄイメ−ジセンサの密度変換方法 - Google Patents
Ｃｃｄイメ−ジセンサの密度変換方法Info
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- JPS6386672A JPS6386672A JP22952686A JP22952686A JPS6386672A JP S6386672 A JPS6386672 A JP S6386672A JP 22952686 A JP22952686 A JP 22952686A JP 22952686 A JP22952686 A JP 22952686A JP S6386672 A JPS6386672 A JP S6386672A
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- Japan
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- image sensor
- ccd image
- accumulated
- charges
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＣＤイメージセンサの制御方法に関し、特に
走査密度の変換方法に関する。
走査密度の変換方法に関する。
従来、ＣＣＤイメージセンサに関する密度変換は、フォ
トセルの並び密度よりも粗（する場合、シフトレジスタ
からの信号を間引いてサンプリングしたり、ディジタル
の後処理で行ったりしていた。
トセルの並び密度よりも粗（する場合、シフトレジスタ
からの信号を間引いてサンプリングしたり、ディジタル
の後処理で行ったりしていた。
上述した従来の密度変換方法では、フォトセルに蓄積し
た電荷を飛び飛びに信号として利用している為、その間
のフォトセルに蓄積された電荷を捨てているという欠点
がある。
た電荷を飛び飛びに信号として利用している為、その間
のフォトセルに蓄積された電荷を捨てているという欠点
がある。
本発明の目的は、このような欠点のないＣＣＤイメージ
センサの密度変換方法を提供することにある。
センサの密度変換方法を提供することにある。
本発明のＣＣＤイメージセンサの密度変換方法は、ＣＣ
Ｄイメージセンサのフォトセルに蓄積された電荷を複数
個のフォトセル分、ＣＣＤイメージセンサのバッファア
ンプ部に蓄積して総和の信号を得、この信号をサンプル
・ホールドして整形された信号を得ることにより走査密
度の変換を行うことを特徴とする。
Ｄイメージセンサのフォトセルに蓄積された電荷を複数
個のフォトセル分、ＣＣＤイメージセンサのバッファア
ンプ部に蓄積して総和の信号を得、この信号をサンプル
・ホールドして整形された信号を得ることにより走査密
度の変換を行うことを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に用いられるＣＯＤイメージ
センサの密度変換装置を示す。図中、１はＣ０Ｄ−次元
イメージセンサ、２はセルフォックレンズアレー、３は
ＣＣＤ制御回路、４はサンプル・ホールド回路である。
センサの密度変換装置を示す。図中、１はＣ０Ｄ−次元
イメージセンサ、２はセルフォックレンズアレー、３は
ＣＣＤ制御回路、４はサンプル・ホールド回路である。
セルフォックレンズアレー２は、イオン変換方法を用い
て作られる一種の屈折率分布形レンズを多数配列してな
るレンズアレーであり、正立等倍実像を結ぶ。ＣＣＤ制
御回路３は、ＣＣＤイメージセンサ１のＣＣＤフォトセ
ル（光電変換部）に蓄積した電荷をＣＣＤ転送部に移送
するパルスａと、転送部シフトレジスタのクロックパル
スｂと、出カバソファアンプ部のリセットパルスＣとを
ＣＣＤイメージセンサ１に入力し、一方、サンプル・ホ
ールドパルスｅをサンプル・ホールド回路４に入力する
。ＣＣＤイメージセンサ１からの出力信号ｄは、サンプ
ル・ホールド回路４に入力され、サンプル・ホールドさ
れ整形された出力信号ｆとして出力されている。
て作られる一種の屈折率分布形レンズを多数配列してな
るレンズアレーであり、正立等倍実像を結ぶ。ＣＣＤ制
御回路３は、ＣＣＤイメージセンサ１のＣＣＤフォトセ
ル（光電変換部）に蓄積した電荷をＣＣＤ転送部に移送
するパルスａと、転送部シフトレジスタのクロックパル
スｂと、出カバソファアンプ部のリセットパルスＣとを
ＣＣＤイメージセンサ１に入力し、一方、サンプル・ホ
ールドパルスｅをサンプル・ホールド回路４に入力する
。ＣＣＤイメージセンサ１からの出力信号ｄは、サンプ
ル・ホールド回路４に入力され、サンプル・ホールドさ
れ整形された出力信号ｆとして出力されている。
以上の構成のＣＣＤイメージセンサの密度変換装置にお
ける密度変換方法を、第２図を参照して説明する。なお
、第２図は信号ａ ｙ ｆのタイミング図を示している
。
ける密度変換方法を、第２図を参照して説明する。なお
、第２図は信号ａ ｙ ｆのタイミング図を示している
。
パルスａによってＣＣＤイメージセンサ１のフォトセル
に蓄積した電荷をＣＣＤ転送部に移送する。その後、ク
ロックパルスｂによって転送部の電荷を順次転送し、Ｃ
ＣＤイメージセンサ内のバッファアンプ部のコンデンサ
に蓄積する。本実施例では８個分のフォトセルの電荷を
蓄積した後、リセットパルスＣによってリセットする。
に蓄積した電荷をＣＣＤ転送部に移送する。その後、ク
ロックパルスｂによって転送部の電荷を順次転送し、Ｃ
ＣＤイメージセンサ内のバッファアンプ部のコンデンサ
に蓄積する。本実施例では８個分のフォトセルの電荷を
蓄積した後、リセットパルスＣによってリセットする。
蓄積された電荷はＣＣＤイメージセンサ１内のバッファ
アンプ部を通して出力信号ｄとなる。その出力をサンプ
ル・ホールド回路４でサンプル・ホールドパルスｅによ
ってサンプル・ホールドすることにより整形された出力
信号ｆを得る。
アンプ部を通して出力信号ｄとなる。その出力をサンプ
ル・ホールド回路４でサンプル・ホールドパルスｅによ
ってサンプル・ホールドすることにより整形された出力
信号ｆを得る。
以上説明したように本発明によれば、ＣＣＤイメージセ
ンサのフォトセルに蓄積された電荷を複数個のフォトセ
ル分、ＣＣＤイメージセンサのバッファアンプ部に蓄積
することによりその総和の信号が得られ、この信号をサ
ンプル・ホールドして整形された出力信号を得ることに
より、密度変換を行うことができる。
ンサのフォトセルに蓄積された電荷を複数個のフォトセ
ル分、ＣＣＤイメージセンサのバッファアンプ部に蓄積
することによりその総和の信号が得られ、この信号をサ
ンプル・ホールドして整形された出力信号を得ることに
より、密度変換を行うことができる。
本発明の方法によって密度変換を行えば、従来方法のよ
うにフォトセルに蓄積された電荷を捨てることがないの
で、ＣＣＤイメージセンサの感度が向上し、しかも出カ
バソファアンプ部が飽和するまで出力がとれるという利
点がある。
うにフォトセルに蓄積された電荷を捨てることがないの
で、ＣＣＤイメージセンサの感度が向上し、しかも出カ
バソファアンプ部が飽和するまで出力がとれるという利
点がある。
第１図は、本発明の７実施例に用いられる密度変換装置
を示す図、 第２図は信号のタイミング図である。 １・・・・・Ｃ０Ｄ−次元イメージセンサ２・・・・・
セルフォックレンズアレー３・・・・・ＣＣＤ制御回路 ４・・・・・サンプル・ホールド回路 ａ・・・・・光電変換部（フォトセル）から転送部（Ｃ
ＯＤシフトレジスタ） へ電荷を転送させるパルス ｂ・・・・・転送部のクロックパルス Ｃ・・・・・転送部から送られて来た電荷を蓄積するコ
ンデンサの電荷打消 しパルス（リセットパルス） ｄ・・・・・ＣＣＤイメージセンサの出力信号 ｅ・・・・・サンプル・ホールドパルスｒ・・・・・サ
ンプル・ホールド後の整形された出力信号
を示す図、 第２図は信号のタイミング図である。 １・・・・・Ｃ０Ｄ−次元イメージセンサ２・・・・・
セルフォックレンズアレー３・・・・・ＣＣＤ制御回路 ４・・・・・サンプル・ホールド回路 ａ・・・・・光電変換部（フォトセル）から転送部（Ｃ
ＯＤシフトレジスタ） へ電荷を転送させるパルス ｂ・・・・・転送部のクロックパルス Ｃ・・・・・転送部から送られて来た電荷を蓄積するコ
ンデンサの電荷打消 しパルス（リセットパルス） ｄ・・・・・ＣＣＤイメージセンサの出力信号 ｅ・・・・・サンプル・ホールドパルスｒ・・・・・サ
ンプル・ホールド後の整形された出力信号
Claims (1)
- （１）ＣＣＤイメージセンサのフォトセルに蓄積された
電荷を複数個のフォトセル分、ＣＣＤイメージセンサの
バッファアンプ部に蓄積して総和の信号を得、この信号
をサンプル・ホールドして整形された信号を得ることに
より走査密度の変換を行うＣＣＤイメージセンサの密度
変換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22952686A JPS6386672A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Ｃｃｄイメ−ジセンサの密度変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22952686A JPS6386672A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Ｃｃｄイメ−ジセンサの密度変換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386672A true JPS6386672A (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=16893549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22952686A Pending JPS6386672A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | Ｃｃｄイメ−ジセンサの密度変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223771A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-13 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| GB2323471A (en) * | 1997-03-22 | 1998-09-23 | Eev Ltd | CCD imager |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP22952686A patent/JPS6386672A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223771A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-13 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| GB2323471A (en) * | 1997-03-22 | 1998-09-23 | Eev Ltd | CCD imager |
| GB2323471B (en) * | 1997-03-22 | 2002-04-17 | Eev Ltd | CCd imagers |
| US6444968B1 (en) | 1997-03-22 | 2002-09-03 | Eev Ltd | CCD imager with separate charge multiplication elements |
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