JPS638598A - 放射線遮蔽用ペ−ストの製造法 - Google Patents
放射線遮蔽用ペ−ストの製造法Info
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- JPS638598A JPS638598A JP15305986A JP15305986A JPS638598A JP S638598 A JPS638598 A JP S638598A JP 15305986 A JP15305986 A JP 15305986A JP 15305986 A JP15305986 A JP 15305986A JP S638598 A JPS638598 A JP S638598A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
この発明は放射線遮蔽用ペーストの製造法に関する。さ
らに詳しくは放射線ことにX線検出器の近傍に位置する
増幅器等を含む電子回路部に用いる放射線遮蔽用ペース
トの製造法に関する。
らに詳しくは放射線ことにX線検出器の近傍に位置する
増幅器等を含む電子回路部に用いる放射線遮蔽用ペース
トの製造法に関する。
(ロ)従来の技術
医用X線撮影装置はX線検出器としてX線写真板、イメ
ージインテンシファイア等が用いられてきた。近年X線
イメージ蓄積板、X線光子計測法等か出現し画質の改良
か行われてきている。X線光子計数法においては検出器
としてSi、 CdTe。
ージインテンシファイア等が用いられてきた。近年X線
イメージ蓄積板、X線光子計測法等か出現し画質の改良
か行われてきている。X線光子計数法においては検出器
としてSi、 CdTe。
Cs1等の固体検出素子が1つまたは複数設定されたし
のが用いられている。これらの検出器は、雑音、入力容
量などを考慮すると、検出素子D\らの信号を増幅する
前置増幅器を検出素子のごく近傍に設定することが不可
欠である。またxf、l検出素子を複数用いて検出器を
多チャンネルとし一次元もしくは二次元のX線画像を測
定する場合には前置増幅器は多数の増幅器を並列に設置
した構造を1チツプ内に含むような集積回路とする必要
があり、この集積回路をチップの状態で実装することが
不可欠である。しかし上記の場合被測定X線のために前
置増幅器の雑音が増加したり、全く動作しないというこ
ともありうる。
のが用いられている。これらの検出器は、雑音、入力容
量などを考慮すると、検出素子D\らの信号を増幅する
前置増幅器を検出素子のごく近傍に設定することが不可
欠である。またxf、l検出素子を複数用いて検出器を
多チャンネルとし一次元もしくは二次元のX線画像を測
定する場合には前置増幅器は多数の増幅器を並列に設置
した構造を1チツプ内に含むような集積回路とする必要
があり、この集積回路をチップの状態で実装することが
不可欠である。しかし上記の場合被測定X線のために前
置増幅器の雑音が増加したり、全く動作しないというこ
ともありうる。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
上記X線を遮蔽するには、鉛元素を高密度に含有するも
ので被うことか考えられる。しかし現在汎用されている
鉛板では被覆部位の形状にそわず遮蔽が不完全でありま
た重量的にも負担があり取り扱いが不便である。これに
対して通常の液状結合剤中に金属鉛、酸化鉛、鉛ガラス
等の微粉末を分散させた流動性、いわゆるペースト状の
ものか考えられるが、この場合上記固体を微粉末にする
という操作が必要であり、また得られる微粉末も均一な
粒径のものが得られにくく従って該微粒子を分散させた
ペースト状を塗布・乾燥して得られる被膜の膜厚に不均
一さが生じやすい。さらに上記鉛ガラスでは通常酸化鉛
の含有割合が低く鉛成分の濃厚なりL膜が形成しにくく
遮蔽が不十分となりやすい。また反対に微粉末か酸化鉛
のみからなるものではこの酸化鉛の吸水性のために遮蔽
膜として適さない。さらに上記金属鉛を主成分とする遮
蔽材では仮に放射線遮蔽用の膜が簡便にできたとしても
電気的に絶縁することは困難である。
ので被うことか考えられる。しかし現在汎用されている
鉛板では被覆部位の形状にそわず遮蔽が不完全でありま
た重量的にも負担があり取り扱いが不便である。これに
対して通常の液状結合剤中に金属鉛、酸化鉛、鉛ガラス
等の微粉末を分散させた流動性、いわゆるペースト状の
ものか考えられるが、この場合上記固体を微粉末にする
という操作が必要であり、また得られる微粉末も均一な
粒径のものが得られにくく従って該微粒子を分散させた
ペースト状を塗布・乾燥して得られる被膜の膜厚に不均
一さが生じやすい。さらに上記鉛ガラスでは通常酸化鉛
の含有割合が低く鉛成分の濃厚なりL膜が形成しにくく
遮蔽が不十分となりやすい。また反対に微粉末か酸化鉛
のみからなるものではこの酸化鉛の吸水性のために遮蔽
膜として適さない。さらに上記金属鉛を主成分とする遮
蔽材では仮に放射線遮蔽用の膜が簡便にできたとしても
電気的に絶縁することは困難である。
この発明はかかる状況に鑑み為されたものであり、こと
にX線等の放射線を遮蔽する絶縁性ペーストの簡便な製
造法を提供しようとするものである。
にX線等の放射線を遮蔽する絶縁性ペーストの簡便な製
造法を提供しようとするものである。
(ニ)問題点を解汐するための手段
か(してこの発明によれば、鉛アルコキシドを主成分と
する金属アルコキシドの混合物のアルコール溶液を加温
・撹拌下に水を添加して加水分解して得られる沈殿を濾
取し、該沈殿を必要に応じて熱処理した後液状結合剤中
に混合・分散することを特徴とする放射線遮蔽用ペース
トの製造法が提供される。
する金属アルコキシドの混合物のアルコール溶液を加温
・撹拌下に水を添加して加水分解して得られる沈殿を濾
取し、該沈殿を必要に応じて熱処理した後液状結合剤中
に混合・分散することを特徴とする放射線遮蔽用ペース
トの製造法が提供される。
この発明に用いられる鉛アルコキシドとしては、アルコ
キン基が低級アルコキシ基のものか通しており、例えば
メトキノ基、エトキシ基、プロピオキン基等が挙げられ
る。従って上記鉛アルコキンドには例えば、 鉛ジメトキシドP b(OCH3)。
キン基が低級アルコキシ基のものか通しており、例えば
メトキノ基、エトキシ基、プロピオキン基等が挙げられ
る。従って上記鉛アルコキンドには例えば、 鉛ジメトキシドP b(OCH3)。
鉛ノエトキンドP b(OCt Hs) を鉛ジイソプ
ロポキンドPb(○−+C5Ht)を等が挙げられる。
ロポキンドPb(○−+C5Ht)を等が挙げられる。
また鉛アルコキシド以外の金属アルコキシドとしては例
えば、シリコンアルコキシド、ボロンアルコキシド、ア
ルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシド等が挙げ
られ、シリコンアルコキシド、ボロンアルコキ7F、ア
ルミニウムアルコキシドが好ましい。またアルコキン基
には低級アルコキノ基が適しており、例えばメトキン基
、エトキノ基、プロピオキン基等が挙げられる。従って
上記金属アルコキシドには例えば、 ノリコンテトラエトキシドs ;(o c pHb)い
ト’) :X−t−# ノボG :/B(OCtHs)
*゛トリエトキノアルミニウムΔlOC2HbL、テト
ライソプロピオキシチタンT 1(o−1c d(7)
4、等が挙げられ、ノリコンテトラエトキシド、トリエ
トキンボロンが好ましい。
えば、シリコンアルコキシド、ボロンアルコキシド、ア
ルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシド等が挙げ
られ、シリコンアルコキシド、ボロンアルコキ7F、ア
ルミニウムアルコキシドが好ましい。またアルコキン基
には低級アルコキノ基が適しており、例えばメトキン基
、エトキノ基、プロピオキン基等が挙げられる。従って
上記金属アルコキシドには例えば、 ノリコンテトラエトキシドs ;(o c pHb)い
ト’) :X−t−# ノボG :/B(OCtHs)
*゛トリエトキノアルミニウムΔlOC2HbL、テト
ライソプロピオキシチタンT 1(o−1c d(7)
4、等が挙げられ、ノリコンテトラエトキシド、トリエ
トキンボロンが好ましい。
この発明において、上記鉛アルコキシドと他の金属アル
コキシドとの混合物を用いる場合、得られる沈殿中で上
記金属アルコキシドの混合物から由来する酸化物中に鉛
酸化物(例えばPbO等)が50〜80no1%含まれ
るように鉛アルコキンドの量が用いられる。この下限よ
りら少ない場合は放射線遮蔽効果が不充分になる点で好
ましくなく、上限以上の場合生成される鉛酸化物の吸水
性または4電性等が顕著になる点で好ましくない。
コキシドとの混合物を用いる場合、得られる沈殿中で上
記金属アルコキシドの混合物から由来する酸化物中に鉛
酸化物(例えばPbO等)が50〜80no1%含まれ
るように鉛アルコキンドの量が用いられる。この下限よ
りら少ない場合は放射線遮蔽効果が不充分になる点で好
ましくなく、上限以上の場合生成される鉛酸化物の吸水
性または4電性等が顕著になる点で好ましくない。
この発明において、前記鉛アルコキシドと他の金属アル
コキシドとの混合物をアルコールに溶解して該アルコー
ルの沸点で数時間還流して均一なアルコール溶液とした
後、該アルコール溶液を加−温・撹拌下で加水分解に付
すことによりg時に粉末状のゲルが得られる。上記加水
分解は水だIすでも充分行ないえるが、加水分解触媒を
用いてもよい。該触奴は従来法と同様に、塩酸、硫酸、
アンモニア水溶液等が用いられる。上記加温条件は室温
〜70℃が好ましい。
コキシドとの混合物をアルコールに溶解して該アルコー
ルの沸点で数時間還流して均一なアルコール溶液とした
後、該アルコール溶液を加−温・撹拌下で加水分解に付
すことによりg時に粉末状のゲルが得られる。上記加水
分解は水だIすでも充分行ないえるが、加水分解触媒を
用いてもよい。該触奴は従来法と同様に、塩酸、硫酸、
アンモニア水溶液等が用いられる。上記加温条件は室温
〜70℃が好ましい。
上記アルコール溶液の加温条件としては、温度は該溶液
の沸点付近が適しており、時間は1〜3時間程度が適し
ている。
の沸点付近が適しており、時間は1〜3時間程度が適し
ている。
上記アルコール溶液の撹拌は、微粒子状の沈殿物を得る
ためになされる操作であり、該条件としては撹拌翼によ
り120rpm、程度行うことか好ましい。
ためになされる操作であり、該条件としては撹拌翼によ
り120rpm、程度行うことか好ましい。
上記加水分解に用、いる水の量は、上記アルコール溶液
に対して2:1程度の重量比であることが、生成する沈
殿の粒径が好ましい大きさで得られる点で通している。
に対して2:1程度の重量比であることが、生成する沈
殿の粒径が好ましい大きさで得られる点で通している。
上記割合よりち水の量がかなり少ない場合、得られる粒
子が小さくなるので好ましくない。
子が小さくなるので好ましくない。
上記のごとく得られた沈殿は濾取された後そのまままた
は熱処理されて用いられる。ただし該熱処理は鉛酸化物
が素材中で分離しない程度の温度および時間に抑えるべ
きである。
は熱処理されて用いられる。ただし該熱処理は鉛酸化物
が素材中で分離しない程度の温度および時間に抑えるべ
きである。
上記得られる沈殿物の粒径としては、0.1〜1110
μmのものがX線の遮蔽に対する緻密さの点で適してお
り、さらに0.1〜1μmのものが好ましい。
μmのものがX線の遮蔽に対する緻密さの点で適してお
り、さらに0.1〜1μmのものが好ましい。
0.1μmより小さい場合は塗布時の分散が悪くなる点
で好ましくない。
で好ましくない。
上記沈殿物は適当な液状結合剤と混合されてペーストと
される。上記液状結合剤としては通常、セルローストリ
アセテート、プロピルセルロース、エチルセルロース等
のセルロース系等の増粘成分を含む揮発性有機溶媒が適
している。該増粘成分はペーストの乾燥により残存する
被膜の強度の点で好ましいものである。上記溶媒として
は通常、ジクロロメタン、エチルアルコール、アセトン
等が用いられる。
される。上記液状結合剤としては通常、セルローストリ
アセテート、プロピルセルロース、エチルセルロース等
のセルロース系等の増粘成分を含む揮発性有機溶媒が適
している。該増粘成分はペーストの乾燥により残存する
被膜の強度の点で好ましいものである。上記溶媒として
は通常、ジクロロメタン、エチルアルコール、アセトン
等が用いられる。
以上のごとく行って、この発明の放射線遮蔽用ペースト
が得られる。
が得られる。
この発明の放射線遮蔽用ペーストは、放射線の遮蔽を意
図する部分に塗布されて用いられる。上記塗布はハケ塗
り、ディッピング等により行われる。上記塗布後乾燥処
理に付され被膜形成される。
図する部分に塗布されて用いられる。上記塗布はハケ塗
り、ディッピング等により行われる。上記塗布後乾燥処
理に付され被膜形成される。
(ホ)作用
この発明によれば、鉛アルコキンドを主成分とした金属
アルコキシド混合物のアルコール溶液の加温・撹拌下に
水を添加して加水分解することにより得られる沈殿を液
状結合剤中に分散させると鉛元素が高密度に存在するペ
ーストが得られる。
アルコキシド混合物のアルコール溶液の加温・撹拌下に
水を添加して加水分解することにより得られる沈殿を液
状結合剤中に分散させると鉛元素が高密度に存在するペ
ーストが得られる。
このペーストを塗布して乾燥すると緻密な被膜が形成さ
れ、その結果鉛元素が均一で高密度に存在する膜となる
。
れ、その結果鉛元素が均一で高密度に存在する膜となる
。
以下実施例によりこの発明の詳細な説明するが、これに
よりこの発明は限定されるものではない。
よりこの発明は限定されるものではない。
(へ)実施例
実施例1
金属アルコキシド原料として、S i(OCtH%、l
a。
a。
P b(OCtHs)y、 B (OCtH&)3を選
び、これらを、酸化物としての組成がS io t
3(1+wo1%、 Pb0 60mo1%、 B t
o s 10a+o!%となるように秤量し、全ff1
20gとなるようにし、これをエタノール200m(中
に加えた後、80℃で2時間還流し均一なエタ、ノール
溶液とした。これに水101]n+2を撹拌下に滴下し
、均一な微粉末の沈殿を得た。この沈殿を濾取した後5
00℃で1時間熱処理し、粒径0.5〜20μmの範囲
の微粉末状ガラスを得た。
び、これらを、酸化物としての組成がS io t
3(1+wo1%、 Pb0 60mo1%、 B t
o s 10a+o!%となるように秤量し、全ff1
20gとなるようにし、これをエタノール200m(中
に加えた後、80℃で2時間還流し均一なエタ、ノール
溶液とした。これに水101]n+2を撹拌下に滴下し
、均一な微粉末の沈殿を得た。この沈殿を濾取した後5
00℃で1時間熱処理し、粒径0.5〜20μmの範囲
の微粉末状ガラスを得た。
一方液状結合剤としてのセルローストリアセテートをジ
クロロエタンで溶解し、これに上記微粉末状ガラスを、
セルローストリアセテート:微粉末状ガラス=40:6
G(体積比)の割合で添加して混合することによりこの
発明の放射線遮蔽用ペーストが得られた。
クロロエタンで溶解し、これに上記微粉末状ガラスを、
セルローストリアセテート:微粉末状ガラス=40:6
G(体積比)の割合で添加して混合することによりこの
発明の放射線遮蔽用ペーストが得られた。
実施例2
実施例1で得られた放射線遮蔽用ペーストを、同一チッ
プ内のX線検出器の電子回路部に用いた例を示す。
プ内のX線検出器の電子回路部に用いた例を示す。
第1図は、アルミニウム基板(1)上にCs T 盾i
体検出素子からなる検出器(2)を多チャンネルで設置
し、これらに対応する前置増幅器(3)および周辺電子
回路(4)を同一基板(i)上の上記検出器(2)近傍
に設定したチップの構成説明図である。
体検出素子からなる検出器(2)を多チャンネルで設置
し、これらに対応する前置増幅器(3)および周辺電子
回路(4)を同一基板(i)上の上記検出器(2)近傍
に設定したチップの構成説明図である。
上記チップの前置増幅器(3)および周辺電子回路(4
)を第2図に示すごとく、実施例1で得られた放射線遮
蔽用ペースト(5)により被覆した。この場合これら前
置増幅器(3)および周辺電子回路(4)のみならずこ
れらが設置されている基板(1)の裏面(6)にも塗布
して被覆し、これを室温下デノケータ(図示しない)中
で乾燥したところ、膜厚0.1+++n程度のゲル状被
膜が被覆された。この後膣チップを50℃/hrで45
0℃まで昇温し、450℃で2時間保持した結果膜厚的
0.05+mmのガラス状被膜に形成された。
)を第2図に示すごとく、実施例1で得られた放射線遮
蔽用ペースト(5)により被覆した。この場合これら前
置増幅器(3)および周辺電子回路(4)のみならずこ
れらが設置されている基板(1)の裏面(6)にも塗布
して被覆し、これを室温下デノケータ(図示しない)中
で乾燥したところ、膜厚0.1+++n程度のゲル状被
膜が被覆された。この後膣チップを50℃/hrで45
0℃まで昇温し、450℃で2時間保持した結果膜厚的
0.05+mmのガラス状被膜に形成された。
上記のように電子回路部を放射線遮蔽用ペーストで被覆
して得られたX線検出器チップは、特別な他の放射線遮
物を用いることなく、XgAの測定が不可能(バイアス
電圧をかけ平衡状色になっているのかX線が入ったたぬ
にその平衡がくずれる)になることはなかツを二。
して得られたX線検出器チップは、特別な他の放射線遮
物を用いることなく、XgAの測定が不可能(バイアス
電圧をかけ平衡状色になっているのかX線が入ったたぬ
にその平衡がくずれる)になることはなかツを二。
(ト)発明の効果
この発明によれば、鉛酸化物を高濃度で含有して放射線
ことにX′aの遮蔽膜を簡便に形成しかつ電気的に絶縁
性を有するペーストが得られる。そしてとくにこのペー
ストで増幅器、電子回路等を被削することにより、これ
らを放射線検出器の近傍に設置することができる。従っ
てIC等の集積回路のチップをX線等の放射線検出器近
傍に設置することができ、放射線検出装置のさらなる小
型・軽量化が可能となる。
ことにX′aの遮蔽膜を簡便に形成しかつ電気的に絶縁
性を有するペーストが得られる。そしてとくにこのペー
ストで増幅器、電子回路等を被削することにより、これ
らを放射線検出器の近傍に設置することができる。従っ
てIC等の集積回路のチップをX線等の放射線検出器近
傍に設置することができ、放射線検出装置のさらなる小
型・軽量化が可能となる。
第1図は、この発明の方法を実施するX線検出器、前置
増幅器および周辺電子回路を設置したチップの一例の構
成説明図、第2図は第1図のチップにこの発明の方法の
一実施例により製造される放射線遮蔽用ペーストを被覆
した状態の一例を示す構成説明図である。 (1)・・・−アルミニウム基板、 (2)・・・・X線検出器、 (3)・−・−・・
前置増幅器、(4)・・・・周辺電子回路、 (5)・・・・・・放射線遮蔽用ペースト、 (6)・
・・・・裏面。
増幅器および周辺電子回路を設置したチップの一例の構
成説明図、第2図は第1図のチップにこの発明の方法の
一実施例により製造される放射線遮蔽用ペーストを被覆
した状態の一例を示す構成説明図である。 (1)・・・−アルミニウム基板、 (2)・・・・X線検出器、 (3)・−・−・・
前置増幅器、(4)・・・・周辺電子回路、 (5)・・・・・・放射線遮蔽用ペースト、 (6)・
・・・・裏面。
Claims (1)
- 1、鉛アルコキシドを主成分とする金属アルコキシドの
混合物のアルコール溶液を加温・撹拌下に水を添加して
加水分解して得られる沈殿を濾取し、該沈殿を必要に応
じて熱処理した後液状結合剤中に混合・分散することを
特徴とする放射線遮蔽用ペーストの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15305986A JPS638598A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 放射線遮蔽用ペ−ストの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15305986A JPS638598A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 放射線遮蔽用ペ−ストの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS638598A true JPS638598A (ja) | 1988-01-14 |
Family
ID=15554080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15305986A Pending JPS638598A (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | 放射線遮蔽用ペ−ストの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS638598A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1025840A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Fujita Corp | プレキャスト耐震壁を有する建物躯体の構築方法 |
WO2006105144A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Medtronic, Inc. | Methods and apparatus for reducing deleterious effects of x-ray radiation upon implantable medical device circuitry |
JP2013061287A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Kawahara Technical Research Inc | ペースト製造方法およびペースト |
JP2015074715A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 株式会社トクヤマ | 放射線遮蔽インク |
-
1986
- 1986-06-30 JP JP15305986A patent/JPS638598A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1025840A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Fujita Corp | プレキャスト耐震壁を有する建物躯体の構築方法 |
WO2006105144A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Medtronic, Inc. | Methods and apparatus for reducing deleterious effects of x-ray radiation upon implantable medical device circuitry |
JP2013061287A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Kawahara Technical Research Inc | ペースト製造方法およびペースト |
JP2015074715A (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-20 | 株式会社トクヤマ | 放射線遮蔽インク |
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