JPS63840A - 光磁気記録用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光学的記録用媒体、特に光磁気記録用媒体に
関する。

（従来の技術） 情報処理技術の分野においては、情報の増大及び多様化
の急速な進展に伴ない、磁気メモリの記録容量、書込み
回数等の一層の増大化等の要求が近年益々高まってきて
いる。そこで従来より、有望な光学的記録媒体の一つと
して希土類−遷移金属系合金の非晶質膜（以下、ＲＥ−
ＴＭ系合金層（又は膜）と称する。但しＲＥは希土類元
素及びＴＭは遷移金属元素を表わす、）を光磁気記録層
として用いた光磁気記録用媒体が提案されている（例え
ば、特開昭５２−３１７０３号或は特開昭５２−１０９
１９３号参照）。

これら公知のＲＥ−ＴＭ系合金膜（層）は具体的にはＲ
ＥとしてＧｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、
Ｄｙ（ジスプロシウム）その他の希土類元素とし、ＴＭ
としてはＦｅ（鉄）ヌはＣｏ（コア＜ルト）を主成分と
する。この膜は膜面に対して垂直な磁化をもったいわゆ
る垂直ｆａ化膜である。

このＲＥ−ＴＭ系合金層を記録層として用いた光磁気記
録用媒体はＩｇｍφ程度に絞られたレーザビーム及び外
部磁界を用いた熱磁気書込方式によって１０”　ビット
／ｃｍ２という極めて高富度な記録が可能であり、しか
も、原理的には無限回に近い消去及び再書込みが可能で
あるという著しく優れた特長を有していることが知られ
ている。

このＲＥ−ＴＭ系合金層は主としてＲＥ−Ｆｅ系と、Ｒ
Ｅ−Ｃｏ系とに分類される。

ＲＥ−Ｆｅ系は優れた磁気及び光磁気特性を有し、しか
も、特性の分布が均一な膜を作り易いという利点がある
が、非常に耐食性が悪く、特に孔食の発生及び発達がｗ
Ｊ′ｌＩｔであるという欠点がある。

一方、ＲＥ−Ｃｏ系は耐食性の点では優れているが、均
一特性の膜が得にくく、しかも、キュリー点が高いため
、熱磁気書込み特性の点でＲＥ−Ｆｅ系よりも劣ってい
る。

そこで従来は、周知の通り、ＲＥ−Ｆｅに少量のＣｏを
添加するのみで耐食性はもとより磁気及び光磁気特性の
両方の特性の改善を図っていた。

しかしながら、ＣＯの添加はキュリー点の急上昇を引き
起し、過度に添加すると熱磁気書込みを困難にするため
、実際には少量しか添加していなかった。このように少
量のＣｏをＲＥ−Ｆｅに添加して得られたＲＥ−Ｆｅ−
Ｃｏ系合金層は、磁気及び光磁気特性の点において、Ｒ
Ｅ−Ｆｅ系及びＲＥ−Ｃｏ系の百合金層のいづれよりも
優れているが、耐食性の点を比較すると、ＲＥ−Ｆｅ系
よりは改善されるが尚実用に供し得る程の耐食性を得る
ことが出来なかった。

従って、この耐食性を改善する方法として、ＲＥ−ＴＥ
層の記録層上に保護膜を設ける方法も行われている。こ
の保護膜は記録層を機械的損傷から保護すると共に、記
録層が外気、水分及び油等の外部雰囲気と直接接触しな
いように保護して、ＲＥ−ＴＥ層の耐食性を高める一層
としての役割を果すものである。しかしながら、例えば
膜厚６００Ａｃ７）ＲＥ−Ｆｅ−Ｃｏ膜を１００ＯＡの
膜厚のＳｉＯ□、ＳｉＯ又はＳｉ３Ｎ４で被覆した場合
、８５℃の温度及び８５％の相対湿度の条件下で５０時
間ニージングチストを行ったところ、多数の孔食が発生
してしまい、耐食性が悪いことがわかった。

又、耐食性を改善するための従来の他の方法として、Ｒ
Ｅ−ＴＭ層に種々の元素を添加する方法がある。しかし
、これら元素の添加によって磁気或は光磁気特性が劣化
してしまう場合が多いため、この添加量を少量に抑える
心安があるが、その場合には、充分な耐食性を得ること
が出来ないことが多い。

（発明が解決しようとする問題点） このように、ＲＥ−鉄（Ｆ　ｅ）系合金層及びＲＥ−鉄
（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）系合金層は光磁気材料とし
ては優れた特性を有するが、１耐食性が著しく悪いとい
う問題点がある。

また、この耐食性の欠陥を補う方法として、徒来は記録
層上に保２！膜を設けたり、或は上述したように種々の
元素の添加を行っているが、いずれの方法も耐食性を実
用レベルにまで充分に改善することが出来ないという問
題点があった。

この出願の第−及び第二の発明の目的は、共に、充分実
用に供し得る耐食性を有し、優れた磁気及び光磁気特性
を併せ持った光磁気記録用媒体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、第−及び第二の発明におい
て、光磁気記録用媒体の記録層としての光磁気記録層を
ＲＥ−ＴＭ系合金層（但しＲＥは希土類元素及びＴＭは
遷移金属元素を表わす）を含む層とする。

そして、第一の発明においては、ＲＥ−ＴＭ系合金層を
ＲＥ−Ｍ（−Ｎｉ−Ｍ２系合金層とする。ここで、ＲＥ
を一種又は二種以上の希土類元素とし、Ｍｌを鉄（Ｆｅ
）、Ｎｉをニッケル及びＭｌをアルミニウム（ＡＭ）、
りＤム（Ｃｒ）。

ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）。

タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎ　
ｂ）及びバナジウム（Ｖ）から選ばれた少なくとも一種
以上の元素とする。

さらに、ＲＥの埴をＲＥ＋Ｍ、＋Ｎ　ｒ　＋Ｍ２の全体
ｙ徒の１８〜３５原子％とする。

さらに、Ｍ、＋Ｎｉ＋Ｍ、、の全体量において、Ｍｌを
２〜１０原子％、Ｎｉを１０〜２０原子％及び残部をＭ
ｌとする。

又、第二の発明においては、ＲＥ−ＴＭ系合金層をＲＥ
−Ｍ、　−Ｎ　ｆ−Ｍ２系合金層とし。

ＲＥを一種又は二種以上の希土類元素とし、Ｍｌを鉄−
コバルト（Ｆｅ−Ｃｏ）合金、Ｎｉをニッケル及びＭｌ
をアルミニウム（ＡＭ）。

クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（
Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオ
ブ（Ｎ　ｂ）及びバナジウム（Ｖ）から選ばれた少なく
とも一種以上の元素とする。

さらに、ＲＥの量をＲＥ＋Ｍ１　十Ｎ　ｉ　＋Ｍ２の全
体量の１８〜３５ｉ子％とする。

さらに、Ｍ　Ｈ＋　Ｎ　ｉ　＋　Ｍｌの全体量において
。

Ｍｌを２〜１０原子％、Ｎｉを１０〜２０原子％及び残
部をＭ、とする。

さらに、Ｍ１中のＣｏ量をＭｌ　＋Ｎ　ｉ　＋Ｍ２　（
７）仝体ひの２０原子％以下とする。

（作用） この発明の光磁気記録用媒体の記録層（ＲＥ−ＴＭ層）
はＲＥ−ＭＩ−Ｎ　ｉ−Ｍ；＋合金層であり、この合金
に含ませたＮｉ及びＭｌ　（Ａ文。

Ｃｒ、Ｚｒ、ＭＯ，Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ及びＶから選ばれた
少なくとも一種以上の元素）に起因して耐食性が著しく
向上する。

また、この発ＩＪの光磁気記録用媒体の磁気及び光磁気
特性は、ＲＥ−Ｆｅ又はＲＥ−Ｆｅ−Ｃ。

系合金であるので、従来の光磁気記録用媒体の特性と比
へてほとんど劣化しない。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例につき説明する
。尚、この発明は以下の特定実施例により説明するが、
これら実施例は単なる好適例の例示であって、この発明
は、特に限定している場合を除き、これら実施例に掲げ
られた材料、形状、ｅ！！値的条件及び配置関係にのみ
限定されるものではないことを理解されたい。

第１図はこの発明の光磁気記録用媒体を使用した光磁気
配＃ｉ媒体の一実施例をその構造が理解出来る程度に示
す略図的要部断面図である。

【Ｗ几旦１９遣逼］ 第１図において、■は基板で、この基板工として充分に
平滑でかつ光学特性の良い透明なガラス基板或は樹脂基
板を用いる９２はこの基板１の」二側に設けた誘電体層
であり、カー効果エンハンスメントの（動きを有する。

従来はこの誘電体層はカー効果エンハンスメントと、保
護層との働きを兼用していたので、使用材料に制限があ
ったが。

この発明では保二偉層との１動きを、ｙ、ＴＭシなくて
も良いノテ、カー効果エンハンスメントに右利な材料で
あれば良く、例えば膜厚８００ＡのＳｉＯ膜を使用する
ことが出来る。

この誘電体層２の上側に記録層であるＲＥ−７Ｍ層３を
、例えば１００ＯＡの膜厚で設ける。

このＲＥ−７Ｍ層３を例えばＲＥ−Ｍ、−Ｎｉ−Ｍ、系
合金層とする。ここで、好ましくは、ＲＥを一種又は二
種以上の希土類元素とし、Ｍ。

を鉄（Ｆｅ）又は鉄−コバルト合金（Ｆｅ−Ｃ。

合金）とし、Ｎｉをニッケルとし及びＭ２をアルミニウ
ム（ＡＭ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（
Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）及びバナジウム（Ｖ）から選ば
れた少なくとも一種以上の元素とするのが良い。

ここで、Ｍ、が鉄（Ｆ　ｅ）又は鉄−コバルト合金（Ｆ
ｅ−Ｃｏ合金）とした場合、ＲＥの量を。

ＲＥ−ＴＭ層が実用的な垂直磁化膜となることを考慮し
て、好ましくは、ＲＥ＋Ｍ１　＋Ｎ　ｉ　＋Ｍ２の全体
量の約１８〜３５原子％とするのが良い。

また、Ｍｌが鉄（Ｆｅ）又は鉄−コバルト合金（Ｆ　ｅ
−Ｃｏ合金）とした場合、好ましくはＮｉの量をＭ、＋
Ｎ　ｉ　＋Ｍ２の全体量の約１０〜２０原子％とし及び
Ｍ２の埴をＭ１＋Ｎｉ＋Ｍ２の全体Ｉｔ１の約２〜１０
原子％とし、残部をＭｌ　とするのが良い０Ｍ２をこの
ような添加ψの範囲としたのは、この範囲外であると、
光磁気特性の劣化が大きくなると共に、温度８５°Ｃ及
び相対湿度８５％の（以下、単に８５°Ｃ８５％相対湿
度雰囲気という）に対する耐食性の向上を図れなくなる
からである。また、Ｎｉをこのような添加量の範囲とし
たのは、約１０原子％より少ないと、Ｎａｃｌ水溶液に
対しての実用車の耐食性が得られなり、又、約２０Ｊｒ
Ｃ子％より多くすると、カー回転角の減少が大となって
良好な古き込み及び読取り特性を期待出来なくなるから
である。

このように、この発明の光磁気記録用媒体では、Ｍ２と
Ｎｉとの両方の添加により８５°０８５％相対湿度雰囲
気及びＮａＣ文水溶水溶液者に対する耐食性を著しく高
めることが出来る。

また、Ｍ、を鉄−コバルト合金（Ｆｅ−Ｃｏ合金）とす
る場合には、好ましくはＣｏｉをＭ、＋Ｎｉ＋Ｍ７の全
体量の約２０％以下とするのが良い。ＣＯ添加量がこの
範囲外であると、ａ７ａ気書き込みが困難となるので、
好ましくない。

次に、このＲＥ−ＴＭ層３上にさらに保護層４を被着す
る。この実施例では、この保護層４の膜厚を１ｏｏＯＡ
（７）ＳｉＯ膜とする。

このようにして形成された光磁気記録用媒体からなるデ
ィスクを回転数９００ｒｐｍで回転させ、媒体面で６ｍ
Ｗ以下の半導体レーザ光を用いてこの媒体にＪ）込みを
行って、約ｔＩＬｍ径程度の微小記録を得、また、１０
万回以北の消去及び再占込みの反復に１耐えることを確
認した。

１食上 次に、この発明の光磁気記録用媒体の耐食性につき第２
図及び第３図に示した実験結果を参照して説明する。

この発明の光磁気記録用媒体に対して耐食性の比較試験
を行ったところ、著しく耐食性が優れていることが確認
された。

この耐食性試験に用いた記録用媒体の記録層を次の火工
に示す。

火工 試才゛１番号　　　　　　ＲＥ−ＴＭ層番号 Ｎｏ　、　ｌ　　　Ｔｂ３０（ＦｅｇｆＮｉ７ｏＡ話）
７６Ｎ　Ｏ、２Ｔ　ｂ３ｇＣＦ　ｅｙｙＮ　ｉ、５　Ａ
ｌ（）７゜Ｎｏ　、　３　　　ＴｂＪθ（ＦｅｚｏＮ！
７５　ＡＬ；Ｌｔｏ＞７゜Ｎ　Ｏ，４Ｔ　ｂＪＯＣＦｅ
７０Ｃｏ／（ｌ　Ｎ１ｆＯ”、５”　７ＯＮ　Ｏ、５Ｔ
　ｂ３ｏ（Ｆ　ｅ　ｇ５　Ｎ　ｌ　１０　Ｃｒ　５　）
　７６Ｎ　Ｏ−６Ｔ　ｂ３ｏＣＦ　ｅ　７５ＣＯｔｏ　
Ｎ　ｌ　１６　Ｃｒｓ　）　ｙ。

Ｎ　０　、７　　　Ｔ　ｂＪ□（Ｆ　ｅｒｒ　Ｎ　ｉｔ
ｏ　Ｚ　ｒ６　）７゜Ｎｏ　、　８　　ＴｂＪ、（Ｆｅ
７．５．Ｃｏ、、Ｎｉ、、　Ｚｒ、　）７゜Ｎ　０　、
９　　　　　　　Ｔ　ｂ　３ｏＦ　ｅ７７７Ｎ　Ｏ、ｌ
　ＯＴ　ｂ３ｏＣＦ　ｅｙ５　Ｎ　ｉｚ、ｙ＞７ＯＮ　
Ｏ、１１Ｔ　ｂ３ｏｃ　Ｆ　ｅｈ　Ｃ０７０Ｎ　Ｉｔｏ
　）７゜Ｎｏ、１２　　ＴｂＪ、（Ｆｅｑ、Ａｌ、）、
。

Ｎｏ、１３　　Ｔｂ、、（Ｆｅ、Ｃｒ５）２゜以下、こ
の耐食性につき述へる。尚、試料番号Ｎｏ、１〜８は第
１図につき説明したこの発明の光磁気記録用媒体の例で
あり、試料番号ＮＯ１９〜１３は比較例としての光磁気
記録用媒体である。

一般に、Ｆｅ系の光Ｉａ気気記録媒体は高湿度雰囲気中
或いはＮａ０文水溶液中において孔食を生じ、この孔食
は薄膜を貫通する。そのため、孔食星の増加に伴ない、
光透過率が増大する。従って５光透過率変化の大小で耐
食性を評価することが出来る。従って、この試験では、
光磁気記録用媒体（試ネ１番号Ｎ０８１〜１３）を温度
８５℃及び相対湿度８５％の雰囲気中に保持した場合（
第２［Δ（Ａ）及び（Ｂ））及びＮａＣＱ水溶液中に保
持した場合（第３図（Ａ）及びＢ））のそれぞれにつき
。

各光磁気記録用媒体の光透過率の経時的変化を調べた。

尚、この場合の光透過率変化は各保持時間の経ａ８後の
透過率Ｔとこの雰囲気又は水溶液中に入れる前の状態で
の透過率（初期値という）Ｔ。

との比で表わした透過率比Ｔ／Ｔｏとした。

第２図（Ａ）は試ネ１番号Ｎｏ、１〜６及び第２図（Ｂ
）は試料番号Ｎ０１７〜１３についての試験結果を横軸
に保持時間（単位は時間：／ｈ）及び縦軸に光透ミニＣ
変化を取ってそれぞれ示しである。

この発明の試料はいずれも光透過率比は１０−４より小
さいのに対し、従来の試料ではＮｏ、１３を除き、全て
１０−４より大きい。

又、第３ＵＡ（Ａ）は試料番号Ｎｏ、１〜６及び第３図
（Ｂ）は試料番号Ｎｏ、７〜１３の各試ネ４を１規定の
ＮａＣＱ水溶液中に浸漬した時の試験結果を横軸に保持
時間（学位は時間：／ｈ）及び縦軸に光透過率変化を取
ってそれぞれ示しである。

この場合にも、この発明の各試料は光透過率比が１０−
３よりも小さくほとんどが約１０−４程度以下である。

これに対し、従来の試料では、全て１０−３以上と大で
ある。

これらの試験結果からも理解出来るように、この発明の
実施例の各媒体（試料番号Ｎｏ、１〜８）は耐食性が大
であることが理解出来る。

これに対し、比較例においても、Ｍ２添加合金膜（Ｎｏ
、１２及び１３）及びＮｉ添加合金膜（Ｎｏ、１０及び
１１）はいずれもＴ　ｂ　３０　Ｆ　ｅ　７０（Ｎｏ、
９）と比べて光透過率比が約ｌ／１０〜１７１００程度
にまで小さくなって耐食性の改善が図られていることが
わかる。特に、Ｍ２添加合金１１り（Ｎｏ、１２及び１
３）は８５℃８５％相対合湿度雰囲気中ではこの発明の
実施例の媒体に匹敵する耐食性を示している。

しかし、第３図（Ａ）及び（Ｂ）の結果からも理解出来
るように、Ｎａ０文水溶液中にける１ｉｆｔ食性はこの
発明の実施例の各媒体の方が各段に良好（光透過率比が
従来の約１／１ｏ〜１／１０００以下）であることが理
解出来る。

ところで、Ｍ２の添加量をＭ　ｌ＋　Ｎ　ｒ　＋　Ｍ　
２の全体ｊ５のうち約１０原了−％より多くすると、Ｎ
　ａ　Ｃｌ水溶液及び８５°０８５％相対湿度雰囲気の
いずれにおいても著しく優れた耐食性を示す。

しかし、多Ｉ１１にＭ２を添加すると媒体の光磁気特性
を劣化してしまう。従って、この発明では、Ｍ２の添加
量の範囲を約２〜１０原子％とし、光磁気特性の劣化を
少なくすると共に、８５°０８５％相対湿度雰囲気で優
れた耐食性を示すようになしている。しかしながら、Ｎ
ａｃｌ水溶液に対する耐食性は街着のＭ２を添加した程
度では効果が少なく、約４〜５原子％程度以１−の添加
から急激に効果が増大する。従って、約２〜５　′ｃｒ
、子％のＭ２の添加１４の媒体ではＮａＣλ水溶液中で
はｌ耐食性が小さく、又、約５〜１０原子％の添加量で
あっても、合金中でのＭ２分布の不均一性等を考慮する
と不安がある。

そこで、この発（すｊでは、Ｎｉを添加して；耐食性の
４入を図っている。Ｎｒの耐食性数片効果はＭ２に比べ
ると劣るが、ＮａＣＱ水溶液において添加、＋、＋、に
比例して耐食性を示す。従って、この発明では、Ｍ２と
Ｎｉとの両名を添加することによって、８５°０８５％
相対湿度雰囲気及びＮａＣ１水溶液のいずれにおいても
高耐食性を示すようになしている。

友−［ｆｆｌ帆漁 第４図はこの発明の各試料（Ｎｏ、１〜８）について実
験で得られたカー回転角の大きさ示す図で、縦軸にカー
回転角θに／θｋＯを取って示しである。ここで、ｅｋ
ｏはＲＥ−ＴＭＭＢ２してＴ　ｂ　３０　Ｆ　ｅ　７（
７を用いた媒体（試料ＮＯ，９）（７）カー回転角の値
で基準値である。

この第４図から理解出来るように、この実験によれば、
試料Ｎ０１４及び８以外はカー回転角の減少を示してい
るが、Ｍ２の添加量がＭ１＋Ｎｉ＋Ｍ２の全体量の約１
０原子％以下であるのでその減少量はいずれも小さい。

−方、Ｎｉはカー回転角を減少させるが、Ｍ、＋Ｎｉ＋
Ｍ２の全体量の約１０〜２０原子％としであるので、こ
の添加範囲の添加量であるとカー回転角の減少率は小さ
い。従って、この発明でのＭ２及びＮｉの添加量の範囲
内では、カー回転角は小さく、前述した誘電体層による
カー効果エンハンスメントを積極的に利用することによ
ってこのカー回転角の減少を補償しさらにはカー回転角
を増大させるこ２も出来る。従って前述したようなカー
回転角の減少は実用上問題とならない。

支皿」 この発明は上述した実施例にのみ限定されるものではな
く、この発明の範囲内において多くの変形又は変更が可
能である。

例えばに述した実施例では希り類元素（ＲＥ）としてＴ
ｂにつき説明したが、このＴｂとは別の希土類元素例え
ばＤｙ（ジスプロシウム）　　、Ｇｄ（ガドリニウム）
、Ｎｄ（ネオジム）及びＳｍ（サマリウム）から選ばれ
たー・種又は二種以上の希土類元素を用いた場合であっ
ても、Ｎｉ及びＭ２の添加効果はＴｂの場合と全く同様
に有効であり、従って、優れた光磁気記録特性を有しか
つ高耐食性を有する光磁気記録用媒体を得ることが出来
る。

さらに、この発明の記録用媒体は第１図に示した構造に
同等限定されるものではなく、光磁気記録層としてＲＥ
−ＭＨ−Ｎ　１−Ｍ２合金層を備える記録用媒体であれ
ば全て適用出来る。例えば、基板１とＲＥ−ＴＭ層の間
の誘電体層２を省略した構造となっていても良いし、保
護層４の上側に接着層を介してカバー基板層（図示して
いない）を設けた構造としても良く、或は又、それ以外
の任意好適な構造とすることが出来る。

さらに、保護膜として、従来と同様に酸化膜或いは窒化
膜であっても良いし、或はポリカーボネート樹脂膜、ポ
リウレタン、エポキシ、ポリイミド、フロロカーボン、
ポリキシレン、ポリビニル、ポリアミド、ポリサルファ
イド、その他のポリマー材ネ゛［で形成した層であって
も良い。

さらに、基板１として、その材料はもとより、その形状
を板状、シート状、テープ状、目的に適ったその他の任
意形状とすることが出来る。

また、上述した実施例の説明で揚げた数値は単なる一好
適例であるので、この発り１はこれらのイ１ｌＩＮに限
定されるものではない。

（発明の効果） 上述した説明から明らかなように、この発明による光磁
気記録用媒体は、記録層をＲＥ　　ＭＩ−Ｎｉ−Ｍ２合
金層で形成しであるので、磁気及び光磁気特性を実質的
に劣化させることなく、耐食性が従来よりも著しく向上
するという効果がある。

この１耐食性の向−１−に起因して、記録の安定性が署
しく向上するため、記録用媒体の−）込み及び再生特性
の経時的劣化を効果的に抑制出来る。

また、この発明で用いた記録層の耐食性がスしく高いの
で、保護層として、従来安価に入手出来しかも筒中な手
法によって記録層−１−に被着出来るポリマー材料によ
る層を用いることが出来、交って、歩留まりが向１−シ
、安価なかつ高信頼性の記録用媒体を提供することが出
来る。

また、従来と同様に、この記録用媒体自体の性質により
、高密度記録が可能となり、記録感度が良いという利点
を有する。

また、この発明の光磁気記録用媒体はレーザ光を用いて
書込み及び消去が可能であり、使用光源に関する従来の
ごとき種々の制約が著しく軽減されるという利点がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の光磁気記録用媒体を示す略図的要部
断面図、 第２図（Ａ）及びＣＢ）はこの発明による光磁気記録用
媒体の特性の説明にそれぞれ供する光透過率の実験結果
を示す曲線図、 第３図（Ａ）及び（Ｂ）はこの発明による光磁気記録用
媒体の特性の説明に供するカー回転角の実験結果を示す
曲線図、 ：５４図はこの発明の説明に供するカー回転角の実験結
果を示す図である。 ■・・・基板、　　　　　　　２・・・誘電体層３・・
・記録層（ＲＥ−ＴＭ層） ４・・・保護層。 べＥ写しイ；Ｆ−孝算、Ｌｌダ″］ 第１図 カー国転角 第４図 保衿時聞／ｈ 碍、荷時間／ｈ δ５°ｃ　ｚｓｙｐ　［Ｈ７；ＸＡ３８％？”のＡ’Ｌ
衾ゴ工第２図 θ　　　　　　　　　ｌθ ：／＋墳吟間／ッ、ｎ ′／＋　、ｔ　　Ｉ＋’ｔ　戸Ｂ’ｌ　　／　７７１　
ｒ　７？ｆネＥ危ｆ’Ｊｄｃｌ水郭−地Ｌ゛の耐食・渫
第３図 手１売ネ甫正１（ 昭和６２年３月５日

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）、ＲＥ−ＴＭ系合金層（但しＲＥは希土類元素及
   びＴＭは遷移金属元素を表わす）を記録層として備える
   光磁気記録用媒体において、 前記ＲＥ−ＴＭ系合金層をＲＥ−Ｍ＿１−Ｎｉ−Ｍ＿２
   系合金層とし、ＲＥを一種又は二種以上の希土類元素と
   し、Ｍ＿１を鉄（Ｆｅ）、Ｎｉをニッケル及びＭ＿２を
   アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム
   （Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、
   タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）及びバナジウム（Ｖ
   ）から選ばれた一種又は二種以上の元素とし、前記ＲＥ
   の量をＲＥ＋Ｍ＿１＋Ｎｉ＋Ｍ＿２の全体量の１８〜３
   ５原子％とし、 Ｍ＿１＋Ｎｉ＋Ｍ＿２の全体量において、Ｍ＿２を２〜
   １０原子％、Ｎｉを１０〜２０原子％及び残部をＭ＿１
   としたこと を特徴とする光磁気記録用媒体。
2. （２）、ＲＥ−ＴＭ系合金層（但しＲＥは希土類元素及
   びＴＭは遷移金属元素を表わす）を記録層として備える
   光磁気記録用媒体において、 前記ＲＥ−ＴＭ系合金層をＲＥ−Ｍ＿１−Ｎｉ−Ｍ＿２
   系合金層とし、ＲＥを一種又は二種以上の希土類元素と
   し、Ｍ＿１を鉄−コバルト（Ｆｅ−Ｃｏ）合金、Ｎｉを
   ニッケル及びＭ＿２をアルミニウム（Ａｌ）、クロム（
   Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
   タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ
   ）及びバナジウム（Ｖ）から選ばれた一種又は二種以上
   の元素とし、 前記ＲＥの量をＲＥ＋Ｍ＿１＋Ｎｉ＋Ｍ＿２の全体量の
   １８〜３５原子％とし、 Ｍ＿１＋Ｎｉ＋Ｍ＿２の全体量において、Ｍ＿２を２〜
   １０原子％、Ｎｉを１０〜２０原子％及び残部をＭ＿１
   とし、 前記Ｍ＿１中のＣｏ量をＭ＿１＋Ｎｉ＋Ｍ＿２の全体量
   の２０原子％以下としたこと を特徴とする光磁気記録用媒体。