JPS6381945A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

Info

Publication number
JPS6381945A
JPS6381945A JP61225954A JP22595486A JPS6381945A JP S6381945 A JPS6381945 A JP S6381945A JP 61225954 A JP61225954 A JP 61225954A JP 22595486 A JP22595486 A JP 22595486A JP S6381945 A JPS6381945 A JP S6381945A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit section
circuit
output buffer
buffer
fundamental
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61225954A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ken Uragami
浦上 憲
Manabu Shibata
学 柴田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61225954A priority Critical patent/JPS6381945A/en
Publication of JPS6381945A publication Critical patent/JPS6381945A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11898Input and output buffer/driver structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square

Abstract

PURPOSE:To improve the utilization of the area of a semiconductor chip, and to scale down the size of the chip by fractionating and forming the size of a fundamental cell constituting a peripheral circuit section to small sections in the same manner as a fundamental cell organizing an internal circuit section and using an arbitrary number of the fundamental cells. CONSTITUTION:An internal circuit section 2 is constituted arbitrarily of a large number of fundamental cells 21, to each of which predetermined circuit elements are shaped. The internal circuit sec tion 2 can have an optional logic circuit function by determining only wiring patterns in the fundamental cells and among the fundamental cells in response to order specifications from users. A peripheral circuit section 3 is positioned among the internal circuit section 2 and terminal pads 4. The peripheral circuit section 3 has a large number of fundamental cells 51, 52 in the same manner as the internal circuit section 2. A large number of the fundamental cells 51, 52 formed to the peripheral circuit section 3 are each disposed under the state in which two kinds of the fundamental cell 51 for an input buffer and the fundamental cell 52 for an output buffer are paired.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体集積回路装置技術、さらには論理用
半導体集積回路装置に適用して有効な技術に関するもの
で、たとえば、ゲートアレイに利用して有効な技術に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to semiconductor integrated circuit device technology, and further to technology that is effective when applied to logic semiconductor integrated circuit devices. It is about effective techniques.

[従来の技術] 論理用の半導体集積回路装置を構成する場合、それが多
品種少量生産のものである場合には、たとえば日経マグ
ロウヒル社刊行「日経エレクトロニクス 1985年6
月3日号」151〜177頁(解説:1000億円市場
が間近に迫ったゲートアレイ)に記載されているような
ゲートアレイを使用するのが有利である。このゲートア
レイを使うことにより、配線パターンの変更だけでもっ
てユーザーからの多種多様な仕様要求に簡単に応じるこ
とができる。
[Prior Art] When configuring a semiconductor integrated circuit device for logic, if it is a high-mix, low-volume production device, for example, the method described in "Nikkei Electronics," published by Nikkei McGraw-Hill, June 1985, is used.
It is advantageous to use a gate array such as that described in "Monthly 3rd issue", pages 151-177 (Explanation: Gate array market approaching 100 billion yen). By using this gate array, it is possible to easily meet a wide variety of specification requests from users simply by changing the wiring pattern.

第10図はそのゲートアレイの平面レイアウト構成の概
要を示す。
FIG. 10 shows an outline of the planar layout configuration of the gate array.

同図に示すように、ゲートアレイ1は、内部回路部2、
周辺回路部3、および端子バッド4を有する。
As shown in the figure, the gate array 1 includes an internal circuit section 2,
It has a peripheral circuit section 3 and a terminal pad 4.

内部回路部2は、それぞれに所定の回路要素が形成され
た多数の基本セル21によって任意に構成される。この
内部回路部2は、基本セル内および基本セル間の配線パ
ターンだけをユーザーからの注文仕様に応じて決定する
ことにより、任意の論理回路機能をもつことができる。
The internal circuit section 2 is arbitrarily constituted by a large number of basic cells 21 each having a predetermined circuit element formed therein. This internal circuit section 2 can have any logic circuit function by determining only the wiring patterns within the basic cells and between the basic cells according to the specifications ordered by the user.

なお、22は配線領域であって、基本セル間の配線に利
用される。
Note that 22 is a wiring area, which is used for wiring between basic cells.

周辺回路部3は多数の入出力バッファ回路31を有する
。この入出力バッファ回路31は、内部回路部2と端子
バッド4との間に介在する一種のインターフェイスをな
すものであって、端子バッド4ごとに設けられているや
この入出力バッファ回路31は、ユーザーからの注文仕
様に応じて決定される配線パターンによって、入力専用
バッファ、出力専用バッファ、あるいは入出力兼用バッ
ファのいずれかの機能をもたせられるようになっている
The peripheral circuit section 3 has a large number of input/output buffer circuits 31. This input/output buffer circuit 31 forms a kind of interface between the internal circuit section 2 and the terminal pad 4, and the input/output buffer circuit 31 provided for each terminal pad 4 is Depending on the wiring pattern determined according to the specifications ordered by the user, it can function as an input-only buffer, an output-only buffer, or an input/output buffer.

この場合、各人出力バッファ回路31のサイズはいずれ
も、出力バッファあるいは入出力兼用バッファとしての
機能をもたせられたときに最大定格の出力容Ji(L(
低レベル)出力時の最大吸込電流容量)が得られるよう
に、十分に大きく形成されている。これにより、どの入
出力バッファ回路31にも大出力容量の出力バッファと
しての機能をもたせることができるようになっている。
In this case, the size of each output buffer circuit 31 is determined by the maximum rated output capacity Ji(L(
It is formed sufficiently large so that the maximum sink current capacity at the time of output (low level) can be obtained. This allows any input/output buffer circuit 31 to function as an output buffer with a large output capacity.

[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上述した技術には、次のような問題点の
あることが本発明者によってあきらかとされた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, the inventors have found that the above-mentioned technique has the following problems.

すなわち、ユーザーからの注文仕様などに応じて多種多
様の機能を付与するゲートアレイにあっては、そこに設
けられた多数の入出力バッファ回路のすべてが最大定格
の出力容量をもつ出力バッファとしての機能をもたせら
れるような使われ方はほとんどない、多くの場合、最大
定格付近の出力容量が要求されるのは一部の人出力バッ
ファ回路だけであって、他の大部分の人出力バッファ回
路は最大定格よりも大幅に小さな出力容量でも十分であ
る場合が多い、このような場合、すべての入出力バッフ
ァ回路のサイズを、最大定格の出力容量に対応すべく最
初から大型に形成しておくことは、半導体チップの限ら
れた面積を無駄にするものであって、チップ面積の縮小
を阻む大きな要因の一つとなっている、ということが本
発明らによってあきらかとされた。
In other words, in a gate array that is provided with a wide variety of functions according to the specifications ordered by the user, all of the numerous input/output buffer circuits provided therein are configured as output buffers with the maximum rated output capacity. In most cases, only some human output buffer circuits require an output capacity close to the maximum rating, and most other human output buffer circuits do not. In many cases, an output capacitance much smaller than the maximum rating is sufficient. In such cases, all input/output buffer circuits should be made large from the beginning to accommodate the maximum rated output capacitance. The present inventors have clarified that this wastes the limited area of a semiconductor chip, and is one of the major factors preventing the reduction of the chip area.

本発明の目的は、ユーザーから゛の多種多様な注文仕様
に簡単に対応できるというゲートアレイ本来の利点を損
なわずに、その入出力バッファ回路部分のサイズの最適
化をはかれるようにし、これによって半導体チップ面積
の利用効率を高めて、そのサイズの縮小を可能にする、
という技術を提供することにある。
An object of the present invention is to optimize the size of the input/output buffer circuit portion of the gate array without sacrificing the inherent advantage of being able to easily respond to a wide variety of customer specifications. Improves the efficiency of chip area utilization and enables reduction of its size.
Our goal is to provide this technology.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of the present invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

[問題点を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
[Means for Solving the Problems] A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、周辺回路部を内部回路部と同様に基本セルに
よって構成するようにし、さらにその周辺回路部を構成
する基本セルのサイズを内部回路部を構成する基本セル
と同様に小さく細分化して形成し、この細分化された基
本セルを任意数用いることにより必要かつ十分な出力容
量をもつ適正規模の人出力バッファ回路を任意に構成す
る、というものである。
That is, the peripheral circuit section is made up of basic cells in the same way as the internal circuit section, and the size of the basic cells making up the peripheral circuit section is further subdivided into smaller sizes in the same way as the basic cells making up the internal circuit section. By using an arbitrary number of these subdivided basic cells, an appropriately sized human output buffer circuit having necessary and sufficient output capacity can be arbitrarily constructed.

[作用] 上記した手段によれば、複数個の基本セルを並列的に使
用することによって任意の出力容量をもつ入出力バッフ
ァ回路を構成することができる。
[Operation] According to the above-described means, an input/output buffer circuit having an arbitrary output capacity can be configured by using a plurality of basic cells in parallel.

したがって、その入出力バッファ回路を構成するために
使用する基本セルの数によって、各入出力バッファ回路
のそれぞれに、ユーザーの多種多様な注文仕様に応じた
最適な出力容量を任意にもたせることができる。また、
並列的に使用される基本セルの数によって人出力バッフ
ァ回路の出力容量を選ぶことができるので、経済的な小
出力容量かつ小サイズの人出力バッファ回路を構成する
一方で、従来の最大定格を越えた大きな出力容量をもつ
人出力バッファ回路を構成することもできるようになる
。さらに、余った基本セルは、内部回路部の機能を補う
論理回路あるいは独立のバッファ回路などとして有効に
利用できる。
Therefore, depending on the number of basic cells used to configure the input/output buffer circuit, each input/output buffer circuit can have an optimal output capacity according to the user's various order specifications. . Also,
Since the output capacity of the human output buffer circuit can be selected depending on the number of basic cells used in parallel, it is possible to construct an economical human output buffer circuit with a small output capacity and small size, while still exceeding the conventional maximum rating. It also becomes possible to construct a human output buffer circuit with a larger output capacity than that of the present invention. Furthermore, the remaining basic cells can be effectively used as logic circuits that supplement the functions of the internal circuit section or as independent buffer circuits.

以上のようにして、ユーザーからの多種多様な注文仕様
に簡単に対応できるというゲートアレイ本来の利点を損
なわずに、その人出力バッファ回路部分のサイズの最適
化をはかれるようにし、これによって半導体チップ面積
の利用効率を高めて、そのサイズの縮小を可能にする、
という目的が達成される。
In this way, the size of the output buffer circuit can be optimized without sacrificing the inherent advantage of gate arrays that they can easily accommodate a wide variety of customer specifications, and this allows semiconductor chips to Improve the efficiency of use of area and enable reduction of its size.
That purpose is achieved.

[実施例] 以下、本発明の好適な実施例を図面に基づいて説明する
[Examples] Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described based on the drawings.

なお、各図中、同一符号は同一あるいは相当部分を示す
In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

第1図はこの発明による技術が適用されたゲートアレイ
における平面レイアウト状態の一実施例を示す。
FIG. 1 shows an example of a planar layout state of a gate array to which the technology according to the present invention is applied.

同図に示すゲートアレイ1は、先ず、内部回路部2、周
辺回路部3、および端子パッド4を有する。
The gate array 1 shown in the figure first has an internal circuit section 2, a peripheral circuit section 3, and a terminal pad 4.

内部回路部2は、それぞれに所定の回路要素が形成され
た多数の基本セル21によって任意に構成される。この
内部回路部2は、基本セル内および基本セル間の配線パ
ターンだけをユーザーからの注文仕様に応じて決定する
ことにより、任意の論理回路機能をもつことができる。
The internal circuit section 2 is arbitrarily constituted by a large number of basic cells 21 each having a predetermined circuit element formed therein. This internal circuit section 2 can have any logic circuit function by determining only the wiring patterns within the basic cells and between the basic cells according to the specifications ordered by the user.

なお、22は配線領域であって、基本セル間の配線に利
用される。
Note that 22 is a wiring area, which is used for wiring between basic cells.

周辺回路部3は内部回路部2と端子パッド4の間に位置
する。この周辺回路部3には、内部回路部2と同様に多
数の基本セル51.52を有する。この周辺回路部3に
形成された基本セル51.52は、入力バッファ用基本
セル51と出力バッファ用基本セル52の2種類が対を
なした状態でもって、それぞれ多数配設されている。両
基本セル51.52の各サイズはそれぞれ、内部回路部
2内の基本セル21と同程度の大きさのサイズに細分化
されて形成されている。この場合、入力バッファ用基本
セル51には、たとえば静電破壊防止素子を形成するた
めのダイオードのように、インターフェイス部を構成す
るのに必要な回路要素が含まれている。一方、出力バッ
ファ用基本セル52には、出力インターフェイスを構成
するための回路要素が含まれているが、この回路要素は
内部回路部2内の基本セル21に含まれているものと同
等のものでよい。
The peripheral circuit section 3 is located between the internal circuit section 2 and the terminal pad 4. This peripheral circuit section 3 has a large number of basic cells 51 and 52 similarly to the internal circuit section 2. A large number of basic cells 51 and 52 formed in the peripheral circuit section 3 are arranged in pairs of two types: input buffer basic cells 51 and output buffer basic cells 52. Each of the basic cells 51 and 52 is formed by being subdivided into sizes that are approximately the same size as the basic cell 21 in the internal circuit section 2. In this case, the input buffer basic cell 51 includes circuit elements necessary to configure the interface section, such as a diode for forming an electrostatic breakdown prevention element. On the other hand, the output buffer basic cell 52 includes circuit elements for configuring an output interface, and these circuit elements are equivalent to those included in the basic cell 21 in the internal circuit section 2. That's fine.

ここで、周辺回路部3に配設された基本セル51.52
は、以下に例示するように、出力バッファや入力バッフ
ァなどのインターフェイス用回路を構成するのに使用さ
れ、さらに要すれば、内部回路部2の回路機能を補う論
理回路あるいは独立のバッファ回路を構成することにも
使用される。
Here, basic cells 51 and 52 arranged in the peripheral circuit section 3
As exemplified below, is used to configure interface circuits such as output buffers and input buffers, and if necessary, configures a logic circuit that supplements the circuit function of the internal circuit section 2 or an independent buffer circuit. It is also used to.

第2図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
52の第1の使用例を示す、同図に示す例では、1つの
出力バッファ用基本セル52によって、小出力容量の出
力バッファが形成されている。
FIGS. 2(a) and 2(b) show a first usage example of the basic cell 52 of the peripheral circuit section 3 described above. An output buffer is formed.

第3図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
52の第2の使用例を示す、同図に示す例では、2組の
出力バッファ用基本セル52を並列的に動作させるよう
に接続することによって、第2図(a)(b)に示した
ものの約2倍の出力容量をもつ中出力容量の出力バッフ
ァが形成されている。
3(a) and 3(b) show a second usage example of the basic cell 52 of the peripheral circuit section 3 described above. In the example shown in the figure, two sets of output buffer basic cells 52 are operated in parallel. By connecting them in such a manner, an output buffer with a medium output capacity having an output capacity approximately twice that shown in FIGS. 2(a) and 2(b) is formed.

第4図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
52の第3の使用例を示す、同図に示す例では、上述し
たものよりもさらに1組多い3組の出力バッファ用基本
セル52を並列的に動作させるように接続することによ
って、第2図(a)(b)に示したものの約3倍の出力
容量をもつ大出力容量の出力バッファが形成されている
FIGS. 4(a) and 4(b) show a third usage example of the basic cell 52 of the peripheral circuit section 3 described above. In the example shown in the figure, three sets of output buffers, one set more than those described above, By connecting the basic cells 52 so as to operate in parallel, an output buffer with a large output capacity having an output capacity approximately three times that shown in FIGS. 2(a) and 2(b) is formed.

第5図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
51.52の第4の使用例を示す、同図に示す例では、
2組の入力バッファ用基本セル51と出力バッファ用基
本セル52によって、内部回路部2を経ずに端子バッド
4から端子バッド4へ抜ける独立のバッファ回路が形成
されている。
FIGS. 5(a) and 5(b) show a fourth usage example of the basic cells 51 and 52 of the peripheral circuit section 3 described above.
The two sets of input buffer basic cell 51 and output buffer basic cell 52 form an independent buffer circuit that passes from terminal pad 4 to terminal pad 4 without passing through internal circuit section 2.

第6図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
51.52の第5の使用例を示す、同図に示す例では、
3組の入力バッファ用基本セル51と出力バッファ用基
本セル52によって、第5図(a)(b)のものよりも
さらに大容量の独立バッファ回路が形成されている。
FIGS. 6(a) and 6(b) show a fifth usage example of the basic cells 51 and 52 of the peripheral circuit section 3 described above.
Three sets of input buffer basic cells 51 and output buffer basic cells 52 form an independent buffer circuit with a larger capacity than those shown in FIGS. 5(a) and 5(b).

第7図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
51.52の第6の使用例を示す、同図に示す例では、
3組の入力バッファ用基本セル51と出力バッファ用基
本セル52によって、3人力型の論理回路が独立して形
成されている。
FIGS. 7(a) and 7(b) show a sixth usage example of the basic cells 51 and 52 of the peripheral circuit section 3 described above.
Three sets of input buffer basic cells 51 and output buffer basic cells 52 independently form a three-person logic circuit.

第8図(a)(b)は上述した周辺回路部3の基本セル
52の第7の使用例を示す。同図に示す例では、3組の
出力バッファ用基本セル52によって、3人力型の論理
機能をもつ出力バッファ回路が構成されている。
FIGS. 8(a) and 8(b) show a seventh usage example of the basic cell 52 of the peripheral circuit section 3 described above. In the example shown in the figure, three sets of output buffer basic cells 52 constitute an output buffer circuit having a three-manpower type logic function.

第9図(a>(b)は上述した周辺回路部30基本セル
51.52の第8の使用例を示す。同図に示す例では、
周辺回路部3の入力バッファ用基本セル51と出力バッ
ファ用基本セル52が内部回路部2の回路機能を補う論
理回路を構成するために使用されている。この場合、内
部回路部2がらの出力信号を出力バッファ用基本セル5
2を介し2て入力バッファ用基本セル51に入力し、さ
らに入力バッファ用基本セル51からの出力信号を内部
回路部2に再び入力する。その結果、入出力バッファ用
基本セル51.52がレベル変換機能を有していて、出
力バッファ用基本セル52の入力信号と入力バッファ用
基本セル51からの出力信号との間のレベル変化はなく
なる2実際、入力バッファ用基本セル51はTTレベル
をCMOSレベルに変換する機能を有し、出力バッファ
用基本セル52はCMOSレベルをTTLレベルに変換
する機能を有している。入出力バッファ用基本セル51
.52がレベル変換機能を持たない場合は上記とする必
要はあまりない。
FIG. 9 (a>(b) shows an eighth usage example of the basic cells 51 and 52 of the peripheral circuit section 30 described above. In the example shown in the figure,
The input buffer basic cell 51 and the output buffer basic cell 52 of the peripheral circuit section 3 are used to configure a logic circuit that supplements the circuit function of the internal circuit section 2. In this case, the output signal from the internal circuit section 2 is transferred to the output buffer basic cell 5.
2 to the input buffer basic cell 51, and the output signal from the input buffer basic cell 51 is input again to the internal circuit section 2. As a result, the input/output buffer basic cells 51 and 52 have a level conversion function, and there is no level change between the input signal of the output buffer basic cell 52 and the output signal from the input buffer basic cell 51. 2. In fact, the input buffer basic cell 51 has the function of converting the TT level to the CMOS level, and the output buffer basic cell 52 has the function of converting the CMOS level to the TTL level. Basic cell 51 for input/output buffer
.. If the 52 does not have a level conversion function, there is not much need to do the above.

以上のように、複数個の基本セル51.52を並列的に
使用することによって任意の出力容量をもつ入出力バッ
ファ回路を構成することができる。したがって、その入
出力バッファ回路を構成するために使用する基本セル5
1.52の数によって、各入出力バッファ回路のそれぞ
れに、ユーザーの多種多様な注文仕様に応じた最適な出
力容量を任意にもたせることができる。また、並列的に
使用される基本セル51.52の数によって入出力バッ
ファ回路の出力容量を選ぶことができるので、経済的な
小出力容量かつ小サイズの入出力バッファ回路を構成す
る一方で、従来の最大定格を越えた大きな出力容量をも
つ人出力バッファ回路を構成することもできるようにな
る。さらに、余った基本セル5]、、52は、内部回路
部の機能を補う論理回路あるいは独立のバッファ回路な
どとしても有効に利用できる。
As described above, by using a plurality of basic cells 51 and 52 in parallel, an input/output buffer circuit having an arbitrary output capacity can be constructed. Therefore, the basic cell 5 used to configure the input/output buffer circuit
By using the number 1.52, each input/output buffer circuit can be arbitrarily provided with an optimal output capacity according to a wide variety of user's order specifications. In addition, since the output capacity of the input/output buffer circuit can be selected depending on the number of basic cells 51 and 52 used in parallel, an economical input/output buffer circuit with small output capacity and small size can be constructed. It also becomes possible to construct a human output buffer circuit with a large output capacity exceeding the conventional maximum rating. Furthermore, the remaining basic cells 5], , 52 can be effectively used as logic circuits to supplement the functions of the internal circuit section or as independent buffer circuits.

以上のようにして、ユーザーからの多種多様な注文仕様
に簡単に対応できるというゲートアレイ本来の利点を損
なわずに、周辺回路部3における人出力バッファ回路部
分のサイズの最適化をはかることができる。これによっ
て、半導体チップ面積の利用効率を高めて、そのサイズ
の縮小を可能にする、という目的が達成される。
As described above, it is possible to optimize the size of the human output buffer circuit portion in the peripheral circuit section 3 without sacrificing the inherent advantage of the gate array that it can easily accommodate a wide variety of ordered specifications from users. . This achieves the objective of increasing the utilization efficiency of the semiconductor chip area and making it possible to reduce its size.

以上、本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない、たとえば、周辺回路
部2の基本セル51.52を内部回路部2の基本セル2
1と同じ領域内に一緒に配設する構成であってもよい。
Above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on the examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the above examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Needless to say, for example, the basic cells 51 and 52 of the peripheral circuit section 2 are replaced with the basic cells 2 of the internal circuit section 2.
1 may be arranged together in the same area.

つまり、周辺回路部2と内部回路部3との区別をなくし
てもよい、また、内部回路部2における基本セル21の
内容を周辺回路部3における基本セル51.52の内容
と同じにしてもよい、つまり、・ゲートアレイ1内に形
成されるセルの種類を1つだけに統一させてもよい。
In other words, the distinction between the peripheral circuit section 2 and the internal circuit section 3 may be eliminated, or the contents of the basic cells 21 in the internal circuit section 2 may be the same as the contents of the basic cells 51 and 52 in the peripheral circuit section 3. In other words, the types of cells formed in the gate array 1 may be unified to only one.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発゛
明をその背景となった利用分野であるゲートアレイに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、PLA(プログラマブル・ロジッ
ク・アレイ)やスタンダードセル方式の半導体集積回路
装置などにも適用できる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to gate arrays, which is the background field of application, but the invention is not limited to this. For example, PLA (programmable logic・It can also be applied to standard cell type semiconductor integrated circuit devices, etc.

[発明の効果] 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
[Effects of the Invention] The effects obtained by typical inventions disclosed in this application are briefly explained below.

すなわち、ユーザーからの多種多様な注文仕様に簡単に
対応できるというゲートアレイ本来の利点を損なわずに
、その人出力バッファ回路部分のサイズの最適化をはか
れるようになり、これによって半導体チップ面積の利用
効率を高めて、そのサイズの縮小が可能になる、という
効果が得られる。
In other words, the size of the output buffer circuit can be optimized without sacrificing the inherent advantage of gate arrays, which is that they can easily accommodate a wide variety of customer specifications. The effect is that the efficiency can be increased and the size can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明による技術が適用されたゲートアレイ
の平面レイアウト状態の一実施例を示す図、 第2図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第1使用例を示す図、 第3図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第2使用例を示す図、 第4図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第3使用例を示す図、 第5図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第4使用例を示す図、 第6図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第5使用例を示す図、 第7図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第6使用例を示す図、 第8図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第7使用例を示す図、 第9図(a)(b)は第1図に示したゲートアレイの周
辺回路部に形成された基本セルの第8使用例を示す図、 第10図はこの発明に先立って検討されたゲートアレイ
の平面レイアウト状態を示す図である。 1・・・半導体集積回路装置くゲートアレイ)、2・・
・内部回路部、21・・・内部回路部に形成される基本
セル、3・・・周辺回路部、51・・・周辺回路部に形
成される入力バッファ用基本セル、52・・・周辺回路
部に形成される出力バッファ用基本セル、4・・・端子
パッド。 第  1  図 第  2 Crt) 第  3 (レジ グー 図 (b、1 第  5 第  6 (6L) (b) 図 (bン 第  8 (a−) 第  9 (6L) (b) 図 (b)
FIG. 1 is a diagram showing an example of a planar layout state of a gate array to which the technology according to the present invention is applied, and FIGS. 3(a) and 3(b) are diagrams showing a second usage example of the basic cell formed in the peripheral circuit portion of the gate array shown in FIG. 4(a) and 4(b) are diagrams showing a third usage example of the basic cell formed in the peripheral circuit portion of the gate array shown in FIG. 1, and FIG. Figures 6(a) and 6(b) show a fourth usage example of basic cells formed in the peripheral circuit part of the gate array shown in Figure 1. 7(a) and 7(b) are diagrams showing a sixth usage example of the basic cell formed in the peripheral circuit portion of the gate array shown in FIG. 1; Figures (a) and (b) are diagrams showing a seventh usage example of the basic cell formed in the peripheral circuit section of the gate array shown in Figure 1, and Figures 9 (a) and (b) are shown in Figure 1. FIG. 10 is a diagram showing a planar layout state of a gate array studied prior to the present invention. 1...Semiconductor integrated circuit device (gate array), 2...
- Internal circuit section, 21... Basic cell formed in the internal circuit section, 3... Peripheral circuit section, 51... Basic cell for input buffer formed in the peripheral circuit section, 52... Peripheral circuit Output buffer basic cell formed in the section, 4...terminal pad. Fig. 1 Fig. 2 Crt) Fig. 3 (Regigu Fig. (b, 1 Fig. 5 6 (6L) (b)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、それぞれに所定の回路要素が形成された多数の基本
セルによって任意の回路機能が構成された内部回路部と
、外部接続用の端子パッドと、上記内部回路部と上記端
子パッドとの間に介在する入出力バッファ回路とを備え
た半導体集積回路装置であつて、入力インターフェイス
部を構成するための回路要素を含む入力バッファ用基本
セルと出力インターフェイス部を構成するための回路要
素を含む出力バッファ用基本セルとがそれぞれ小さく細
分化された区画ごとに多数形成され、これらのバッファ
用基本セルを任意数用いることによつて任意の出力容量
をもつ出力バッファ回路が構成されていることを特徴と
する半導体集積回路装置。 2、上記バッファ用基本セルによって上記内部回路部の
外に独立した論理回路が構成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路装置。 3、上記バッファ用基本セルは、上記内部回路部の基本
セルと同程度の大きさのサイズに細分化されて形成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第
2項記載の半導体集積回路装置。
[Claims] 1. An internal circuit section in which an arbitrary circuit function is configured by a large number of basic cells each having a predetermined circuit element formed therein; a terminal pad for external connection; the internal circuit section and the above; A semiconductor integrated circuit device comprising an input/output buffer circuit interposed between a terminal pad and an input/output buffer circuit, the basic cell for an input buffer including circuit elements for configuring an input interface section, and a circuit element for configuring an output interface section. A large number of output buffer basic cells including circuit elements are formed in each subdivided section, and by using any number of these buffer basic cells, an output buffer circuit having an arbitrary output capacity can be constructed. A semiconductor integrated circuit device characterized by: 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the buffer basic cell constitutes an independent logic circuit outside the internal circuit section. 3. The basic cell for buffer is formed by being subdivided into the same size as the basic cell of the internal circuit section, as set forth in claim 1 or 2. semiconductor integrated circuit devices.
JP61225954A 1986-09-26 1986-09-26 Semiconductor integrated circuit device Pending JPS6381945A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61225954A JPS6381945A (en) 1986-09-26 1986-09-26 Semiconductor integrated circuit device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61225954A JPS6381945A (en) 1986-09-26 1986-09-26 Semiconductor integrated circuit device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6381945A true JPS6381945A (en) 1988-04-12

Family

ID=16837492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61225954A Pending JPS6381945A (en) 1986-09-26 1986-09-26 Semiconductor integrated circuit device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6381945A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0210854A (en) * 1988-06-29 1990-01-16 Hitachi Ltd Semiconductor device
EP1205974A2 (en) * 2000-11-10 2002-05-15 Seiko Epson Corporation I/O cell placement method and semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0210854A (en) * 1988-06-29 1990-01-16 Hitachi Ltd Semiconductor device
EP1205974A2 (en) * 2000-11-10 2002-05-15 Seiko Epson Corporation I/O cell placement method and semiconductor device
EP1205974A3 (en) * 2000-11-10 2003-06-25 Seiko Epson Corporation I/O cell placement method and semiconductor device
US6721933B2 (en) 2000-11-10 2004-04-13 Seiko Epson Corporation Input/output cell placement method and semiconductor device
KR100433199B1 (en) * 2000-11-10 2004-05-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 I/o cell placement method and semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5432708A (en) Multichip module integrated circuit device having maximum input/output capability
JP3433731B2 (en) I / O cell arrangement method and semiconductor device
EP0278857A2 (en) Master slice type integrated circuit
US4947233A (en) Semi-custom LSI having input/output cells
KR960006977B1 (en) Master slice type semiconductor integrated circuit
JPS6381945A (en) Semiconductor integrated circuit device
EP0041844A2 (en) Semiconductor integrated circuit devices
US5497014A (en) BI-CMOS gate array semiconductor integrated circuits and internal cell structure involved in the same
US5206529A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0123943B2 (en)
KR100207499B1 (en) Pad-open i/o cell layout design method for core limit design
KR19980065642A (en) Output pad arrangement method of semiconductor memory device
JPH0550143B2 (en)
JP2003318263A (en) Semiconductor device
JPH0493047A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH0514428B2 (en)
JPH0438869A (en) Master slice semiconductor integrated circuit
KR100190092B1 (en) Structure of input output base cell of gate array
JPH02306650A (en) Semiconductor device
JPS613430A (en) Semiconductor device
JPS6182455A (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2671537B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JPH06232267A (en) Method of designing semiconductor integrated circuit device
KR19980043552A (en) Load driving circuit of semiconductor chip
JPH04742A (en) Semiconductor integrated circuit