KR19980065642A - Output pad arrangement method of semiconductor memory device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리장치의 출력패드 배치방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 출력패드 배치방법은, 메모리셀 어레이 부위와, 주변회로 부위와, 외부에 내부신호를 출력하고 전원공급을 위한 다수개의 출력 패드를 구비하는 반도체 메모리장치의 출력 패드 배치에 있어서, 상기 출력 패드를 패드, 드라이버 트랜지스터, 필드 트랜지스터, 및 제어회로를 포함하여 구성하고, X 방향으로 상기 패드와 패드 사이에 상기 제어회로를 위치시키고 Y 방향으로 상기 패드와 패드 사이에 상기 드라이버 트랜지스터를 위치시키는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명에 따른 출력패드 배치방법은, 패드를 두 층으로 배치할 경우에 드라이버 트랜지스터의 풀업 트랜지스터 및 풀다운 트랜지스터를 패드의 상하방향의 사이에 배치함으로써 칩 폭 방향, 즉 Y 방향으로의 면적을 줄일 수 있다. 또한 상기 풀업 및 풀다운 트랜지스터들의 졍션을 공유시킴으로써 입력 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.The present invention relates to a method for arranging an output pad of a semiconductor memory device. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of arranging an output pad, comprising: a memory cell array portion, a peripheral circuit portion, and a plurality of output pads for outputting internal signals and supplying power to the outside; An output pad including a pad, a driver transistor, a field transistor, and a control circuit, for positioning the control circuit between the pad and the pad in the X direction and the driver transistor between the pad and the pad in the Y direction. It is characterized by. Therefore, in the method of arranging the output pads according to the present invention, when the pads are arranged in two layers, the area of the chip width direction, that is, the Y direction is reduced by disposing the pull-up transistor and the pull-down transistor of the driver transistor between the up and down directions of the pad. Can be. In addition, input capacitance can be reduced by sharing the capacities of the pull-up and pull-down transistors.
Description
본 발명은 반도체 메모리장치의 출력패드 배치방법에 관한 것으로, 특히 패드를 두 층으로 배치할 경우에 칩 면적을 감소시킬 수 있는 출력패드 배치벙법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for arranging output pads in a semiconductor memory device, and more particularly, to an output pad arranging method that can reduce chip area when two pads are disposed.
반도체 기술이 발전함에 따라 메모리의 용량이 증가하고 처리속도는 급속히 발전하고 있지만, 사용자들은 현재 사용되고 있는 패키지 이상으로 패키지의 크기가 커지는 것을 요구하지 않는다. 이러한 사용자들의 요구에 부응하기 위하여 반도체 칩 설계자들은 칩 면적을 줄이기 위하여 여러 가지 방법을 취하는 데, 그 대표적인 것이 레이아웃과 시뮬레이션을 최적화하여 칩 면적을 줄이는 것이고 또 하나는 반도체 제조공정에 있어서 설계룰(Design Rule)을 줄이는 것이다. 그러나 레이아웃과 시뮬레이션의 최적화로 칩 면적을 줄이는 데는 한계가 있으며 칩 면적의 최소화가 설계자의 한 과제가 되고 있다. DRAM에 있어서 칩 면적의 구성은 메모리셀 부위, 주변회로 부위, 및 패드 부위로 나눌 수 있는 데, 현재의 반도체 제조공정을 살펴보면 메모리 셀 부위와 주변회로 부위는 끊임없는 공정개발로 인해 면적이 많이 줄어들었으나 패드의 면적은 거의 줄어들지 않고 있다. 반대로 메모리장치의 추세는 다 비트화로 가고 있는 데, 이것은 패드의 개수가 늘어남을 의미하고 있다. 그런데 이러한 패드중에서는 메모리장치의 동작 비트가 많아짐에 따라 그에 비례해서 출력 패드의 개수도 증가하게 되어 전체 칩 면적에서 출력 패드가 차지하는 면적의 비율이 커지게 된다. 출력 패드의 구성을 살펴보면 패드, 출력드라이버, 제어회로층으로 구분할 수 있는 데, 현재까지의 출력패드 배치는 칩 전체의 패드를 한 줄로 나열하는 것에 기본을 두었었다.As semiconductor technology advances, memory capacities increase and processing speeds are rapidly evolving, but users do not require the package to grow larger than the package currently in use. To meet the needs of these users, semiconductor chip designers take various methods to reduce the chip area. The representative one is to reduce the chip area by optimizing the layout and simulation, and the design rule in the semiconductor manufacturing process. To reduce the rule. However, there is a limit to reducing chip area by optimizing layout and simulation, and minimizing chip area is a challenge for designers. In DRAM, chip area can be divided into memory cell, peripheral circuit, and pad area. Looking at the current semiconductor manufacturing process, memory cell and peripheral circuit areas are reduced in size due to continuous process development. However, the pad area is hardly reduced. On the contrary, the trend of memory devices is to multiply, which means that the number of pads increases. However, as the number of operation bits of the memory device increases, the number of output pads also increases in proportion to the pads, thereby increasing the ratio of the area occupied by the output pads to the total chip area. The configuration of the output pads can be divided into pads, output drivers, and control circuit layers. Until now, the layout of the output pads was based on arranging pads of the entire chip in a single line.
도 1은 종래의 출력 패드의 배치도를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a layout view of a conventional output pad.
도 1을 참조하면, 상기 종래의 출력패드에서는 패드(1a,1b)를 기준으로 우측 및 좌측에 제어회로(2a,2b) 및 ESD에 관련된 필드 트랜지스터(3a,3b)가 배치되고, 상기 패드(1a,1b)를 기준으로 상하에 풀업트랜지스터(4a,4b) 및 풀다운 트랜지스터(5a,5b)가 배치되어 있다.Referring to FIG. 1, in the conventional output pad, control circuits 2a and 2b and field transistors 3a and 3b related to ESD are disposed on the right and left sides of the pads 1a and 1b, respectively. Pull-up transistors 4a and 4b and pull-down transistors 5a and 5b are disposed on the upper and lower sides based on 1a and 1b.
상기 도 1에 도시된 종래의 출력 패드의 배치는, 상기 패드(1a,1b)를 한줄로 나열하여 배치시킬 때는 상기 패드 주위의 여유공간을 최대한 활용할 수 있으므로 칩 폭(Width) 방향으로의 면적감소에 도움을 주지만, 상기 패드를 두 층으로 배치할 경우에는 반대로 폭 방향으로 칩의 면적이 증가하게 되는 단점이 있다.In the arrangement of the conventional output pad illustrated in FIG. 1, when the pads 1a and 1b are arranged in a single line, the space in the chip width direction is reduced since the free space around the pad can be utilized to the maximum. However, when the pads are arranged in two layers, the area of the chip increases in the width direction.
따라서 본 발명의 목적은, 패드를 두 층으로 배치할 경우에 상기 종래기술의 단점을 해결하고 칩 면적을 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치의 출력패드 배치방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for arranging an output pad of a semiconductor memory device which can reduce the chip area and reduce the chip area when the pad is disposed in two layers.
도 1은 종래의 출력 패드의 배치도를 나타내는 도면1 is a view showing a layout of a conventional output pad
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 출력 패드의 배치도를 나타내는 도면2 illustrates a layout view of an output pad according to an exemplary embodiment of the present invention.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 출력패드 배치방법은, 메모리셀 어레이 부위와, 주변회로 부위와, 외부에 내부신호를 출력하고 전원공급을 위한 다수개의 출력 패드를 구비하는 반도체 메모리장치의 출력 패드 배치에 있어서, 상기 출력 패드를 패드, 드라이버 트랜지스터, 필드 트랜지스터, 및 제어회로를 포함하여 구성하고, X 방향으로 상기 패드와 패드 사이에 상기 제어회로를 위치시키고 Y 방향으로 상기 패드와 패드 사이에 상기 드라이버 트랜지스터를 위치시키는 것을 특징으로 한다.An output pad arrangement method according to the present invention for achieving the above object, the output of a semiconductor memory device having a memory cell array portion, a peripheral circuit portion, and a plurality of output pads for outputting an internal signal to the outside and supplying power In the pad arrangement, the output pad includes a pad, a driver transistor, a field transistor, and a control circuit, and the control circuit is positioned between the pad and the pad in the X direction and between the pad and the pad in the Y direction. The driver transistor is positioned.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 출력 패드의 배치도를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a layout view of an output pad according to an exemplary embodiment of the present invention.
두 층으로 배치된 패드는 주변회로의 영역 때문에 어느 정도의 거리가 있어야 하고, 출력 패드는 드라이버 트랜지스터, 필드 트랜지스터, 제어회로가 필요하다. 도 2를 참조하면, 패드(6a,6b)가 두 층으로 배열되어 있으므로 그 사이의 공간에 X 방향으로는 제어회로(7a,7b)를 배치하며 Y 방향으로는 드라이버 트랜지스터를 배치하고, 즉 상기 드라이버 트랜지스터의 풀업 트랜지스터(8a,8b) 및 풀다운 트랜지스터(9a,9b)를 X 방향으로 나열하여 두 트랜지스터들의 입력 졍션(Junction) 단을 공유시킨다.The pads arranged in two layers must have some distance due to the area of the peripheral circuit, and the output pads need a driver transistor, a field transistor, and a control circuit. 2, since the pads 6a and 6b are arranged in two layers, the control circuits 7a and 7b are disposed in the X direction and the driver transistors are disposed in the Y direction in the space therebetween. The pull-up transistors 8a and 8b and the pull-down transistors 9a and 9b of the driver transistors are arranged in the X direction to share the input junction stage of the two transistors.
따라서 본 발명에 따른 반도체 메모리장치의 출력패드 배치방법은, 패드를 두 층으로 배치할 경우에 드라이버 트랜지스터의 풀업 트랜지스터 및 풀다운 트랜지스터를 패드의 상하방향의 사이에 배치함으로써 칩 폭 방향, 즉 Y 방향으로의 면적을 줄일 수 있다. 또한 상기 풀업 및 풀다운 트랜지스터들의 졍션을 공유시킴으로써 입력 커패시턴스를 감소시킬 수 있다.Therefore, in the method of arranging the output pads of the semiconductor memory device according to the present invention, when the pads are arranged in two layers, the pull-up transistors and pull-down transistors of the driver transistors are disposed between the pads in the vertical direction, ie, in the chip width direction, that is, in the Y direction. Can reduce the area. In addition, input capacitance can be reduced by sharing the capacities of the pull-up and pull-down transistors.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019970000753A KR19980065642A (en) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Output pad arrangement method of semiconductor memory device |
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KR1019970000753A KR19980065642A (en) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Output pad arrangement method of semiconductor memory device |
Publications (1)
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KR19980065642A true KR19980065642A (en) | 1998-10-15 |
Family
ID=65952778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019970000753A KR19980065642A (en) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | Output pad arrangement method of semiconductor memory device |
Country Status (1)
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KR (1) | KR19980065642A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7268579B2 (en) | 2002-08-23 | 2007-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit having on-chip termination |
KR100773397B1 (en) * | 2005-03-14 | 2007-11-05 | 삼성전자주식회사 | Layout for semiconductor integrated circuit having on-chip determination |
KR20220169575A (en) | 2021-06-21 | 2022-12-28 | 에스지티(주) | Pressure compensating irrigation drip emitters |
-
1997
- 1997-01-14 KR KR1019970000753A patent/KR19980065642A/en not_active Application Discontinuation
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US7268579B2 (en) | 2002-08-23 | 2007-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit having on-chip termination |
KR100773397B1 (en) * | 2005-03-14 | 2007-11-05 | 삼성전자주식회사 | Layout for semiconductor integrated circuit having on-chip determination |
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