JPS6379041A - 樹脂封止部品の検査方法 - Google Patents
樹脂封止部品の検査方法Info
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- JPS6379041A JPS6379041A JP22565186A JP22565186A JPS6379041A JP S6379041 A JPS6379041 A JP S6379041A JP 22565186 A JP22565186 A JP 22565186A JP 22565186 A JP22565186 A JP 22565186A JP S6379041 A JPS6379041 A JP S6379041A
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- JP
- Japan
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- resin
- organic solvent
- paint
- heated
- void
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の１
本発明は、抵抗、コンデンサ、ダイオード、トランジス
タ、集積回路装置等の樹脂封止された部品の、特に、封
止樹脂内の空孔、空隙等の有無を検出するγのに好適な
検査方法に関するものである。
タ、集積回路装置等の樹脂封止された部品の、特に、封
止樹脂内の空孔、空隙等の有無を検出するγのに好適な
検査方法に関するものである。
従迷１ｕ月１
一般に、樹脂封止部品（以下単に部品と称す）は、封止
樹脂内に空孔、空隙等があると、内部に封止された抵抗
、コンデンサ、ダイオード、トランジスタ、集積回路装
置等の素子が、外部の水分の侵入により、耐湿性が劣化
するし、又、部品としての機械的強度も低下する。
樹脂内に空孔、空隙等があると、内部に封止された抵抗
、コンデンサ、ダイオード、トランジスタ、集積回路装
置等の素子が、外部の水分の侵入により、耐湿性が劣化
するし、又、部品としての機械的強度も低下する。
そこで、従来では、抜取的に部品を破壊して検査する方
法とか、Ｘ線を透射して検査する方法等が採用されてい
る。
法とか、Ｘ線を透射して検査する方法等が採用されてい
る。
！ｌ く ゛ −。
しかしながら、前者の破壊法は、時間を要して、工数が
大となるし、又、良品をも不良にする等、原価高になる
欠点があった。一方、後者のＸ線法は、設備が高価で、
しかも、Ｘ線遮蔽室を必要とし、これまた原価高になる
欠点があった。
大となるし、又、良品をも不良にする等、原価高になる
欠点があった。一方、後者のＸ線法は、設備が高価で、
しかも、Ｘ線遮蔽室を必要とし、これまた原価高になる
欠点があった。
−二 の
本発明は、上記欠点を改良除去したもので、部品を加熱
して有機溶剤中に浸漬させた後、その表面に塗料を塗布
し、前記打機溶剤を表面ににじませて、その時の塗料の
変化を検出することにより、検査するようにしたことを
特徴とする。
して有機溶剤中に浸漬させた後、その表面に塗料を塗布
し、前記打機溶剤を表面ににじませて、その時の塗料の
変化を検出することにより、検査するようにしたことを
特徴とする。
１皿
以上のような方法を採用することにより、塗料の有機溶
剤による変化を視るだけで、而単に検査できる。
剤による変化を視るだけで、而単に検査できる。
炎り肚
以下、本発明の一実施例を説明する。先ず、樹脂封止さ
れた部品を用意し、これを、７０°Ｃ前後の炉で５〜１
０分間加熱して、空孔、空隙中の持込み空気を排出し、
その直後、これをトリエタン、トリクレン等の有機溶剤
中に３〜５分間浸漬する。
れた部品を用意し、これを、７０°Ｃ前後の炉で５〜１
０分間加熱して、空孔、空隙中の持込み空気を排出し、
その直後、これをトリエタン、トリクレン等の有機溶剤
中に３〜５分間浸漬する。
すると、部品の封止樹脂内に空孔、空隙等がある場合、
この部分に、有機溶剤が侵入する。次に、この部品の封
止樹脂の全表面に塗料、例えば、マーキング用のインク
を塗布する。しかる後、これを、１３０〜１５０℃の乾
燥オーブン中に入れ、１０〜１５分間加熱する。すると
、空孔、空隙内に侵入した有機溶剤が加熱されて、樹脂
表面ににじみ出てき、表面に塗布された塗料を溶かして
にじませる。この結果、封止樹脂内に空孔、空隙等があ
ることが確認されたこととなる。
この部分に、有機溶剤が侵入する。次に、この部品の封
止樹脂の全表面に塗料、例えば、マーキング用のインク
を塗布する。しかる後、これを、１３０〜１５０℃の乾
燥オーブン中に入れ、１０〜１５分間加熱する。すると
、空孔、空隙内に侵入した有機溶剤が加熱されて、樹脂
表面ににじみ出てき、表面に塗布された塗料を溶かして
にじませる。この結果、封止樹脂内に空孔、空隙等があ
ることが確認されたこととなる。
而して、上記実施例は、乾燥オーブン中に入れ、たが、
単なる加熱炉でもよく、又、減圧装置中に入れても、空
孔、空隙内に侵入した有機溶剤を、樹脂表面ににじませ
ることができる。
単なる加熱炉でもよく、又、減圧装置中に入れても、空
孔、空隙内に侵入した有機溶剤を、樹脂表面ににじませ
ることができる。
発１Ｆと迭未−
本発明は、以上のように、部品を加熱して、何機溶剤中
に浸漬させた後、その表面に塗料を塗布し、前記有機溶
剤を表面ににじませて、その時の塗料の変化を検出して
検査するようにしたから、検査のための設備、材料に特
殊な物を必要とせず、むしろ、部品の製造工程にて使用
しているものを兼用できるので、検査費用が安価となる
。
に浸漬させた後、その表面に塗料を塗布し、前記有機溶
剤を表面ににじませて、その時の塗料の変化を検出して
検査するようにしたから、検査のための設備、材料に特
殊な物を必要とせず、むしろ、部品の製造工程にて使用
しているものを兼用できるので、検査費用が安価となる
。
又、検査も非常に簡単で、検査後、表面の塗料を洗い落
とすことにより、良品を不良とすることもなく、大変経
済的で、その実用性が大きい。
とすことにより、良品を不良とすることもなく、大変経
済的で、その実用性が大きい。
Claims (1)
- 樹脂封止部品を加熱して、有機溶剤中に浸漬させた後、
その表面に塗料を塗布し、前記有機溶剤を表面ににじま
せて、その時の塗料の変化を検出することにより検査す
るようにしたことを特徴とする樹脂封止部品の検査方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22565186A JPS6379041A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 樹脂封止部品の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22565186A JPS6379041A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 樹脂封止部品の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379041A true JPS6379041A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16832634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22565186A Pending JPS6379041A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 樹脂封止部品の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000234993A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置の欠陥検査方法 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22565186A patent/JPS6379041A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000234993A (ja) * | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置の欠陥検査方法 |
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