JPH0341373A - 半導体部品の耐熱耐湿試験方法 - Google Patents
半導体部品の耐熱耐湿試験方法Info
- Publication number
- JPH0341373A JPH0341373A JP1177323A JP17732389A JPH0341373A JP H0341373 A JPH0341373 A JP H0341373A JP 1177323 A JP1177323 A JP 1177323A JP 17732389 A JP17732389 A JP 17732389A JP H0341373 A JPH0341373 A JP H0341373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- around
- heating
- humidity
- semiconductor components
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 7
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体部品を、比較的
高温度、高湿度、かつ高気圧の悪環境の中に置いても、
その性能が劣化しないかどうかを試験する半導体部品の
耐熱耐湿試験方法に関するもので、 ＩＣやＬＳＩなどの半導体部品をプリント配線板に実装
するときに、ヘーパーソルダー装置やフローソルダー装
置による半田付けの際に加わる高温度や高湿度などの悪
環境の中を通してもその性能が劣化しないような半導体
部品を提供するため、そのような悪環境に耐えうる半導
体部品を、比較的短時間に試験しうることを目的とし、
温度１１０’Ｃ前後で２４時間前後乾燥させる乾燥工程
と、温度８５゛Ｃ前後かつ湿度８５％前後で４８時間前
後吸湿を行う吸湿工程と、半田付けに際して加熱される
温度に相当する２６０℃前後で１０秒間前後の加熱を２
回前後行う加熱工程とを順次経過させた後、温度１２０
℃前後で湿度１０％前後かつ２気圧前後の加熱および加
湿を４８時間前後行う高圧加熱加湿工程を経て半導体部
品が劣化していないかどうかを試験するようにしたもの
である。
高温度、高湿度、かつ高気圧の悪環境の中に置いても、
その性能が劣化しないかどうかを試験する半導体部品の
耐熱耐湿試験方法に関するもので、 ＩＣやＬＳＩなどの半導体部品をプリント配線板に実装
するときに、ヘーパーソルダー装置やフローソルダー装
置による半田付けの際に加わる高温度や高湿度などの悪
環境の中を通してもその性能が劣化しないような半導体
部品を提供するため、そのような悪環境に耐えうる半導
体部品を、比較的短時間に試験しうることを目的とし、
温度１１０’Ｃ前後で２４時間前後乾燥させる乾燥工程
と、温度８５゛Ｃ前後かつ湿度８５％前後で４８時間前
後吸湿を行う吸湿工程と、半田付けに際して加熱される
温度に相当する２６０℃前後で１０秒間前後の加熱を２
回前後行う加熱工程とを順次経過させた後、温度１２０
℃前後で湿度１０％前後かつ２気圧前後の加熱および加
湿を４８時間前後行う高圧加熱加湿工程を経て半導体部
品が劣化していないかどうかを試験するようにしたもの
である。
この発明は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体部品を、比較的
高温度、高湿度、かつ高気圧の悪環境の中に置いても、
その性能が劣化しないかどうかを試験する半導体部品の
耐熱耐湿試験方法に関するもので、ＩＣやＬＳＩなどの
半導体部品をプリント配線板に実装するときに、ペーパ
ーソルダー装置やフローソルダー装置などによる半田付
けの際に加わる悪環境の中を通してもその性能が劣化し
ないような半導体部品を試験するようにしたものである
。
高温度、高湿度、かつ高気圧の悪環境の中に置いても、
その性能が劣化しないかどうかを試験する半導体部品の
耐熱耐湿試験方法に関するもので、ＩＣやＬＳＩなどの
半導体部品をプリント配線板に実装するときに、ペーパ
ーソルダー装置やフローソルダー装置などによる半田付
けの際に加わる悪環境の中を通してもその性能が劣化し
ないような半導体部品を試験するようにしたものである
。
［従来の技術］
近年、ＩＣやＬ Ｓ Ｉなどの半導体部品は、電子機器
の小型化に伴い高密度実装の可能な表面実装用小型パッ
ケージ部品いわゆるＳ Ｍ Ｄ （ＳｕｒｆａｃｅＭｏ
ｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）部品が主流となってきたため、
そのプリント配線板への実装は、はとんどペーパーソル
ダー装置あるいはフローソルダー装置などによって行わ
れている。
の小型化に伴い高密度実装の可能な表面実装用小型パッ
ケージ部品いわゆるＳ Ｍ Ｄ （ＳｕｒｆａｃｅＭｏ
ｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）部品が主流となってきたため、
そのプリント配線板への実装は、はとんどペーパーソル
ダー装置あるいはフローソルダー装置などによって行わ
れている。
半導体部品であるＳＭＤ部品のプリント配線板への実装
時における大きな問題点は、ペーパーソルダー装置ある
いはフローソルダー装置による半田付けにおける高温度
で、パッケージにクランクが生じ、また、ワイヤボンデ
ィングの剥がれや湿気の浸入による腐食などが生し、そ
の半導体部品に対するダメージはきわめて大きい、と言
った課題があった。
時における大きな問題点は、ペーパーソルダー装置ある
いはフローソルダー装置による半田付けにおける高温度
で、パッケージにクランクが生じ、また、ワイヤボンデ
ィングの剥がれや湿気の浸入による腐食などが生し、そ
の半導体部品に対するダメージはきわめて大きい、と言
った課題があった。
この発明は、このような課題に鑑みて創案したものであ
り、半導体部品をプリント配線板に実装する前に、この
半導体部品がペーパーソルダー装置あるいはフローソル
ダー装置による半田付けに際して加わる高温度において
劣化しないかどうかを、予め比較的短時間に試験するこ
とができる半導体部品の耐熱耐湿試験方法を提供するこ
とを目的とするものである。
り、半導体部品をプリント配線板に実装する前に、この
半導体部品がペーパーソルダー装置あるいはフローソル
ダー装置による半田付けに際して加わる高温度において
劣化しないかどうかを、予め比較的短時間に試験するこ
とができる半導体部品の耐熱耐湿試験方法を提供するこ
とを目的とするものである。
この発明は、前記のような課題を解決するため、第１図
に示すように、温度１１０℃前後で２４時間前後乾燥さ
せる乾燥工程１と、温度８５℃前後かつ湿度８５％前後
で４８時間前後吸湿を行う吸湿工程２と、半田付けに際
して加熱される温度に相当する２６０℃前後で１０秒間
前後の加熱を２回前後行う加熱工程３とを順次経過させ
た後、温度１２０℃前後で湿度１００％前後かつ２気圧
前後の加熱および加湿を４８時間前後行う高圧加熱加湿
工程４を経て、半導体部品が劣化していないかどうかを
試験するようにしたことを特徴とする半導体部品の耐熱
耐湿試験方法としたものである。
に示すように、温度１１０℃前後で２４時間前後乾燥さ
せる乾燥工程１と、温度８５℃前後かつ湿度８５％前後
で４８時間前後吸湿を行う吸湿工程２と、半田付けに際
して加熱される温度に相当する２６０℃前後で１０秒間
前後の加熱を２回前後行う加熱工程３とを順次経過させ
た後、温度１２０℃前後で湿度１００％前後かつ２気圧
前後の加熱および加湿を４８時間前後行う高圧加熱加湿
工程４を経て、半導体部品が劣化していないかどうかを
試験するようにしたことを特徴とする半導体部品の耐熱
耐湿試験方法としたものである。
この発明による半導体部品の耐熱耐湿試験においては、
先ず、乾燥工程１において、温度１１０℃前後で２４時
間前後乾燥させる。次に、吸湿工程２において、温度８
５℃前後かつ湿度８５％前後で４８時間前後吸湿を行う
。次に、加熱工程において、半田付けに際して加熱され
る温度に相当する２６０℃前後で１０秒間前後の加熱を
２回前後行う。最後に、高圧加熱加湿工程４において、
温度１２０ ”Ｃ前後で湿度１００％前後かつ２気圧前
後の加熱および加湿を４８時間前後行った後、半導体部
品が劣化していないがどうかを試験する。
先ず、乾燥工程１において、温度１１０℃前後で２４時
間前後乾燥させる。次に、吸湿工程２において、温度８
５℃前後かつ湿度８５％前後で４８時間前後吸湿を行う
。次に、加熱工程において、半田付けに際して加熱され
る温度に相当する２６０℃前後で１０秒間前後の加熱を
２回前後行う。最後に、高圧加熱加湿工程４において、
温度１２０ ”Ｃ前後で湿度１００％前後かつ２気圧前
後の加熱および加湿を４８時間前後行った後、半導体部
品が劣化していないがどうかを試験する。
以下、この発明の半導体部品の耐熱耐湿試験方法の実施
例を第１図に示す作業工程にしたがって説明する。
例を第１図に示す作業工程にしたがって説明する。
先ず、乾燥工程ｌにおいて、温度１１０″Ｃ前後で２４
時間前後乾燥させる。
時間前後乾燥させる。
次に、吸湿工程２において、温度８５℃前後かつ湿度８
５％前後で４８時間前後吸湿を行う。
５％前後で４８時間前後吸湿を行う。
次に、加熱工程３において、半田付けに際して加熱され
る温度に相当する２６０℃前後で１０秒間前後の加熱を
２回前後行う。
る温度に相当する２６０℃前後で１０秒間前後の加熱を
２回前後行う。
最後に、高圧加熱加湿工程４において、温度１２０℃前
後で湿度１００％前後かつ２気圧前後の加熱および加湿
を４８時間前後行った後に、半導体部品が劣化していな
いかどうかを試験するものである。
後で湿度１００％前後かつ２気圧前後の加熱および加湿
を４８時間前後行った後に、半導体部品が劣化していな
いかどうかを試験するものである。
なお、前記半導体部品への加熱、加湿、加圧は、これら
の条件を所望の値に設定することができる周知の加熱加
湿加圧槽の中に半導体部品を入れて行う。
の条件を所望の値に設定することができる周知の加熱加
湿加圧槽の中に半導体部品を入れて行う。
この発明は、以上説明したような半導体部品の耐熱耐湿
試験方法としたので、ＩＣやＬＳＩなどの半導体部品を
プリント配線板に実装するときに、ペーパーソルダー装
置やフローソルダー装置による半田付けの際に加わる高
温度や高湿度などの悪環境の中を通してもその性能が劣
化しないような半導体部品を提供するため、そのような
悪環境に耐えろる半導体部品を、比較的短時間に試験す
ることができる。
試験方法としたので、ＩＣやＬＳＩなどの半導体部品を
プリント配線板に実装するときに、ペーパーソルダー装
置やフローソルダー装置による半田付けの際に加わる高
温度や高湿度などの悪環境の中を通してもその性能が劣
化しないような半導体部品を提供するため、そのような
悪環境に耐えろる半導体部品を、比較的短時間に試験す
ることができる。
第１図はこの発明の半導体部品の耐熱耐湿試験方法の作
業工程を示すものである。 １・・・乾燥工程、 ２・・・吸湿工程、 ３・・・加熱工程、 ４・・・高圧加熱加湿工程。
業工程を示すものである。 １・・・乾燥工程、 ２・・・吸湿工程、 ３・・・加熱工程、 ４・・・高圧加熱加湿工程。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 温度１１０℃前後で２４時間前後乾燥させる乾燥工程
（１）と、 温度８５℃前後かつ湿度８５％前後で４８時間前後吸湿
を行う吸湿工程（２）と、 半田付けに際して加熱される温度に相当する２６０℃前
後で１０秒間前後の加熱を２回前後行う加熱工程（３）
とを順次経過させた後、 温度１２０℃前後で湿度１００％前後かつ２気圧前後の
加熱および加湿を４８時間前後行う高圧加熱加湿工程（
４）を経て、 半導体部品が劣化していないかどうかを試験するように
したことを特徴とする半導体部品の耐熱耐湿試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177323A JPH0341373A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体部品の耐熱耐湿試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1177323A JPH0341373A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体部品の耐熱耐湿試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0341373A true JPH0341373A (ja) | 1991-02-21 |
Family
ID=16028971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1177323A Pending JPH0341373A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 半導体部品の耐熱耐湿試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0341373A (ja) |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1177323A patent/JPH0341373A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04226046A (ja) | 電子チップの非破壊電気検査方法 | |
| WO2021000842A1 (zh) | 印制电路板pcb的测试方法及装置方法及装置 | |
| JPH0341373A (ja) | 半導体部品の耐熱耐湿試験方法 | |
| US11166401B2 (en) | Dye and pry process for surface mount technology dual in-line memory module | |
| Deshpande et al. | Copper trace failures in ball grid array (BGA) packages under sequential harmonic vibration and temperature cycling | |
| US4905371A (en) | Method for cleaning process control | |
| JPH09172103A (ja) | 半導体装置及びその半導体装置を実装したガラスエポキシ基板の製造方法 | |
| US20090035890A1 (en) | Techniques for direct encasement of circuit board structures | |
| JP3307256B2 (ja) | バンプ付きワークの実装方法 | |
| Shelton | Testing of properties for soldered leadless chip carrier assemblies | |
| KR20090097349A (ko) | 반도체 모듈 검사 방법 및 장치 | |
| Tolla et al. | Surface insulation resistance of no-clean flux residues under various surface mount components | |
| JPH10319074A (ja) | 配線基板の接続性能評価方法、その評価用キット及び配線基板 | |
| JP2600700Y2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH11204683A (ja) | Ｂｇａの実装方法 | |
| Ang et al. | The mini flex ball-grid-array chip-scale package | |
| JP3237166B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| Grama et al. | Contributions on low-cost/spl mu/BGA soldering/re-soldering methods | |
| JPH01253987A (ja) | プリント回路 | |
| Lu et al. | Systematic Verification of BGA Solder Joint Reliability in Multiple Ways | |
| Hodges et al. | Flip chip MCM-L using known good die | |
| JP2778602B2 (ja) | 半田ブリッジの検出方法及び装置 | |
| JP2551141B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61216498A (ja) | はんだ付けする部品の処理方法 | |
| JP3511874B2 (ja) | 半導体基板収納ケース |