JPS6378077A - Memory aging circuit - Google Patents

Memory aging circuit

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JPS6378077A
JPS6378077A JP61221844A JP22184486A JPS6378077A JP S6378077 A JPS6378077 A JP S6378077A JP 61221844 A JP61221844 A JP 61221844A JP 22184486 A JP22184486 A JP 22184486A JP S6378077 A JPS6378077 A JP S6378077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aging
signal
package
memory
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP61221844A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kanji Tanabe
田辺 完治
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS6378077A publication Critical patent/JPS6378077A/en
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Abstract

PURPOSE:To simplify an equipment on a manufacturing line by incorporating a clock generating circuit, an aging pin, and an aging controlling circuit in a package, making an external signal unnecessary, and using an aging tank is common. CONSTITUTION:In a package which has been constituted so that a dynamic RAM 2 is controlled by a memory control part MMC 1 and brought to an access, a clock generating circuit, an aging pin and an aging controlling circuit are incorporated. In this state, a memory request signal is switched by AND circuits 4, 5 and an OR circuit 3, and a clock signal is switched by AND circuits 6, 7 and an OR circuit 8. Also, a control signal SND-N is provided as a package aging signal, and when a power source of +5V is fed to the package, the signal SND-N becomes a high level, the clock and memory request signals to the MMC 1 become ON, and a pseudo request shape is formed. The MMC 1 executes a memory access operation, irrespective of aging and other operation environments. In this way, aging can be executed by executing only a power source feed by the package unit.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はパッケージ単体レベルでのエージングに係り、
エージング槽の統一が実現でき、特にダイナミックメモ
リーのエージングに好適なエージング回路に関するもの
である。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to aging at the level of a single package,
The present invention relates to an aging circuit that can unify aging tanks and is particularly suitable for aging dynamic memory.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のエージング方法は、素子単体でエージング後パッ
ケージに組込む方法と、パッケージ上でメモリ部のみ物
理的に切離しかつ、エージング装置に外付論理を追加し
外部より制御しエージングを行なう方式がある。前方式
は工数の増加となり、後方式は、物理的制約及びエージ
ング装置の増加をまねき、端末の小形化実装に生産設備
が追従できない問題があった。公知例としては、特開昭
59−178696号、同昭59−478697号及び
、特開昭59−227095号がある。
Conventional aging methods include a method in which a single element is assembled into a package after aging, and a method in which only the memory section is physically separated from the package and external logic is added to the aging device to perform aging under external control. The former method resulted in an increase in man-hours, and the latter method resulted in physical constraints and an increase in the number of aging devices, which caused the problem that production equipment could not keep up with the miniaturization of terminals. Known examples include JP-A-59-178696, JP-A-59-478697, and JP-A-59-227095.

〔発明が解決しようとする問題点J 上記従来技術は、パッケージ内でメモリ部を論理的に切
り離す構造とし、ダイナミックメモリ専用エージング槽
に合ったPK形態にすることで対応する。この場合は、
メモリ制御部とメモリ間を装置実装時に接続する方式と
なり、入力ビンの増加をまねくとともに、他装置での流
用時は入力ビンの配列にも制限が付くφとなる。
[Problem J to be Solved by the Invention The above-mentioned prior art solves this problem by creating a structure in which the memory section is logically separated within the package, and by adopting a PK format suitable for an aging bath dedicated to dynamic memory. in this case,
This method connects the memory control unit and memory when the device is installed, which results in an increase in the number of input bins and limits the arrangement of input bins when used in other devices.

また接続機構が無くならない事から、プラッタおよびそ
の代りの接続ケーブル等が必要となり、小形化、低価格
化が図れない。
Furthermore, since the connection mechanism is not eliminated, a platter and a connection cable in place of the platter are required, making it impossible to reduce the size and price.

その他、メモリのエージングを行なわない方向で実施で
きるが、より安定した製品を送り出す面からは必須であ
る。
Other methods can be implemented without memory aging, but this is essential from the perspective of delivering more stable products.

本発明の目的は、以上の問題を解決することにある。An object of the present invention is to solve the above problems.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記目的は、パッケージ内に、クロック発生回路を用意
し、エージング実行時は、クロック発生回路より擬似メ
モリアクセス信号を作り出すことでメモリ活性化信号の
RAS、CAS 信号を発生させることにより達成され
る。
The above object is achieved by providing a clock generation circuit in the package and generating pseudo memory access signals from the clock generation circuit during aging to generate memory activation signals RAS and CAS.

動作の切替えは、入力ピンにエージングピンを割当て、
ノーマルオーブン(パッケージ単体での電源供給状態)
で出gh  レベル信号とし、装置実装状態にてはLo
wレベル信号とすることで論理的ツ クロック発生回路は、電源給電のみで動作し、メモリ制
御部にてメモリアクセス制御を行なう為・同−論理を使
用して動作させる事ができろ。エージングピンで、クロ
ック信号を、メモリ制御用のクロック信号と、疑似メモ
リアクセス信号に論理的に変換させ、システム動作をさ
せない事で非同期的な動作をさせることが可能である為
、簡単なエージング回路のみで動作させることができる
To switch the operation, assign the aging pin to the input pin,
Normal oven (power supply status for single package)
It is output as a high level signal, and is low when the device is installed.
By using a W level signal, the logical clock generation circuit can operate only with power supply, and the memory control section can control memory access, so it can be operated using the same logic. The aging pin logically converts the clock signal into a clock signal for memory control and a pseudo memory access signal, allowing asynchronous operation without system operation, making the aging circuit simple. It can be operated only with

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図面により詳細に説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本発明を実施したパッケージのブロック図を示
したものである。
FIG. 1 shows a block diagram of a package implementing the present invention.

ダイナばツタRAM2 (D−RAMと略す)をメモリ
コントロール制御部MMC1で制御しアクセスする溝底
とする。D−RAMの為、制御信号として、RAS−N
/CAS−Nがあり、アドレスを時分割に与えるコント
ロール信号である。
A dynamic RAM 2 (abbreviated as D-RAM) is used as a groove bottom that is controlled and accessed by the memory control unit MMC1. For D-RAM, RAS-N is used as a control signal.
/CAS-N is a control signal that gives addresses in a time-division manner.

まずパッケージの装置での動作内容を説明する。First, the operation contents of the package device will be explained.

図示していないμ−CPUがメモリ、アクセスした場合
、CADR−N信号でメモリアドレスを指定し、RW−
N信号で、メモリリードあるいはライト動作を指示する
、またそれと同時に、メモリへ元の動作要求として、M
凡EQ−Nも同時オンとし、これらの信号をもとにMM
Clがメモリアクセス動作を実施する。クロック信号M
CLK−Pは常時供給されている。また5ND−N信号
は常時LOWレベルを与え動作させる。
When a μ-CPU (not shown) accesses the memory, it specifies the memory address with the CADR-N signal and RW-
The N signal instructs the memory read or write operation, and at the same time, the M signal is sent as the original operation request to the memory.
EQ-N is also turned on at the same time, and MM is set based on these signals.
Cl performs memory access operations. clock signal M
CLK-P is constantly supplied. Further, the 5ND-N signal is always given a LOW level to operate.

次に本パッケージをエージングする場合のメモリ動作に
ついて説明する。
Next, the memory operation when aging this package will be explained.

パッケージエージング用信号として、5ND−Nの制御
信号を設け、装置上での使用はロウレベルを与え動作さ
せるが、エージング動作時は、外部より信号を与えるこ
とを行なわない事で、ノ・イレペルが固定供給する様、
プルアップした回路としておく。
A 5ND-N control signal is provided as a signal for package aging, and when used on the device, it is operated by giving a low level, but during aging operation, no signal is given from the outside, so that the noise level is fixed. To supply,
Leave it as a pull-up circuit.

パッケージに+5vの電源が給電されると、5ND−N
信号がハイレベル信号となり、M M cへのクロック
およびメモリ要求信号がオンとなり、擬似要求形態とな
る。MMCはエージングその他の動作環境に関係なく、
メモリアクセス動作を実行することとなる。
When the package is powered with +5V power, 5ND-N
The signal becomes a high level signal, and the clock and memory request signals to M Mc are turned on, resulting in a pseudo request form. Regardless of aging or other operating environments, MMC
A memory access operation will be executed.

クロックの供給は、装置での基本クロック発生回路部分
を同一パッケージに取込むことで実現できろ。AND回
路4.5およびOR回路3でメモリ要求信号を切替え、
AND回路6.7およびOR回路8でクロック信号を切
替え、その他の信号は共通信号として使用する。
Clock supply can be achieved by incorporating the basic clock generation circuit part of the device into the same package. Switch the memory request signal with AND circuit 4.5 and OR circuit 3,
The clock signal is switched by the AND circuit 6.7 and the OR circuit 8, and the other signals are used as common signals.

第2図は、パッケージエージング時のm成を示したもの
である。エージング槽13、エージングパッケージ12
と、それに電源供給を行なう外部電源10よりなる。
FIG. 2 shows the m composition during package aging. Aging tank 13, aging package 12
and an external power supply 10 that supplies power to it.

エージング槽には複数枚のパッケージが挿入でき、電圧
マージン、温度マージン試験が行なえる機能があること
とする。
The aging tank will be capable of inserting multiple packages and will have the ability to perform voltage margin and temperature margin tests.

エージング時のパッケージ動作機能としては、電源給電
のみで搭載D−RAMを動作させる必要があり、パッケ
ージ内のX−TAL (電源給電のみでタロツク信号を
発生させるもの〕より擬似的にD−RAMをアクセスす
る論理を動作させることができればよい、この方法とし
て、パッケージ外部より各種の制御信号なしで動作させ
る時と、外部制御信号より動作させる場合の切分けを、
第1スの制御信号5ND−Nで行な5゜擬似的動作が行
なえる根な論理回路は、第1Mに示すゲートで4成した
#I理と、LSI内部にアドレス発生回路を組み込む。
As for the package operation function during aging, it is necessary to operate the on-board D-RAM only by power supply, and the D-RAM is simulated by X-TAL (which generates tarok signal only by power supply) inside the package. It is only necessary to operate the logic to be accessed.As a method for this, it is necessary to distinguish between operating without various control signals from outside the package and operating using external control signals.
The basic logic circuit that can perform the 5° pseudo operation using the control signal 5ND-N of the first path incorporates the #I logic formed by four gates shown in the 1M, and an address generation circuit inside the LSI.

装置として構成した時の動作は、外部制御信号より動作
し、筑1南の、CADR−N信号よりアドレスを入力し
、RW−N信号でD −R,A Mのリード、ライト動
作を指示し、MREQ−N信号で、メモリアクセス要求
のあることを示し、M CL K −P信号で、タイミ
ング制御を行なう。
When configured as a device, it operates from an external control signal, inputs the address from the CADR-N signal of Chiku1 Minami, and instructs read and write operations of D-R and AM with the RW-N signal. , MREQ-N signals indicate that there is a memory access request, and the MCLK-P signal performs timing control.

この動作は、前記したエージング時の動作を外部のコン
トローラー、例えばμmCPU等によって動作させるこ
とである。
This operation is performed by an external controller such as a .mu.m CPU or the like to perform the aging operation described above.

第3図は、舅1図に示す回路の、外部制御信号でD−R
AMをアクセスするタイムチャートを示したものである
。この場合、5ND−N信号はロウレベルとなっており
、MへICへのクロック信号は、ANDゲート7により
X−TAL出力クロツク信号はMMCへの供給を停th
させ、かつANDゲート4およびANDゲート5により
、メモリアクセス信号は、MREQ−NがそのままLS
Iへ供給される。この回路により、LSIMMCは外部
制御信号にてメモリアクセスが可能となる。また5ND
−Hの制御信号なMΔ(Cに入力することで、内部のア
ドレス発生回路は、外部信号であるCADR−Nのアド
レス信号にてアクセスすることが可能となる。
Figure 3 shows the external control signal of the circuit shown in Figure 1.
This figure shows a time chart for accessing AM. In this case, the 5ND-N signal is at a low level, and the clock signal to the M IC is stopped by the AND gate 7.
and AND gate 4 and AND gate 5, the memory access signal is changed from MREQ-N to LS as it is.
Supplied to I. This circuit allows LSI MMC to access memory using an external control signal. 5ND again
By inputting the -H control signal MΔ(C), the internal address generation circuit can be accessed using the external signal CADR-N address signal.

逆にエージングモードの動作(SND−Nがハイレベル
での動作)は、M RE Q −N 、 M CL K
 −Pの供給を停止させ、代りに、アクセス信号は5N
D−N信号がそのまま入力されることとなり、動作的に
は、メモリアクセスが連続して行なわれている装状とし
てM M Cを動作させる。
Conversely, in aging mode operation (operation when SND-N is at high level), MREQ-N, MCLK
−P supply is stopped and the access signal is 5N instead.
The D-N signal is input as is, and the MMC operates as if memory access is being performed continuously.

動作タイミングは、外部制砥クロックの代りに。The operation timing is determined by an external grinding clock.

X−TAL出力のクロックタイミングを供給し、動作を
可能とする。すなわち、第3図に示すタイムチャートで
、MREQ−Nがオン状態のままとなり、アドレスはM
 MC内部で自動発生させR,W−N信号は、固定(リ
ードまたはライト動作固定)とするかくり返し行な5か
は、8ND−N信号の状態がMMCに供給されているこ
とで内部的に作り畠すことが可能である。
It supplies the clock timing of the X-TAL output and enables operation. That is, in the time chart shown in FIG. 3, MREQ-N remains on and the address is M
The R and W-N signals that are automatically generated within the MC are fixed (read or write operations are fixed) and the 8ND-N signal state is internally supplied to the MMC. It is possible to make a farm.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、パッケージ単体で電源給電のみ行なう
ことで、ダイナミックRAMの効率よりエージングがで
き、外部信号を必要としないことでエージング槽の共通
化が図れ製造ライン上での設備の簡略化ができる。
According to the present invention, by only supplying power to a single package, aging can be performed more efficiently than dynamic RAM, and since external signals are not required, aging tanks can be shared and equipment on the manufacturing line can be simplified. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1肉は本発明の一実施例を示したパッケージでのメモ
リ制御部のブロック因、第2図はパンケージエージング
時のf11成を説明するための図、第3図は第1図にお
いて外部制御信号でのり−RAMアクセスを示すタイム
チャートである。 1・・・メモリ制御部MMC,2・・・ダイナミックR
LAMヤ3 ・・・ OR1ゲ − ト 、   8 
・・・ ORゲ −  ト 。
The first figure is a block diagram of the memory control section in a package showing an embodiment of the present invention. Figure 2 is a diagram for explaining the f11 configuration during pan cage aging. 3 is a time chart showing access to RAM using a control signal. 1...Memory control unit MMC, 2...Dynamic R
LAM 3...OR1 gate, 8
...OR gate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、メモリーとその制御回路及び、その他の機能回路を
合せ持つた1枚のパッケージにおいて、クロック発生回
路と、エージングピン、エージング制御回路を組込むこ
とで、外部より特別な制御信号を与えメモリーのエージ
ング動作をさせることなく、電源給電のみでエージング
が可能となることを特徴とするメモリエージング回路。
1. By incorporating a clock generation circuit, an aging pin, and an aging control circuit into a single package that includes memory, its control circuit, and other functional circuits, a special control signal can be applied from the outside to aging the memory. A memory aging circuit that is characterized by being capable of aging only by supplying power without operating it.
JP61221844A 1986-09-22 1986-09-22 Memory aging circuit Pending JPS6378077A (en)

Priority Applications (1)

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JP61221844A JPS6378077A (en) 1986-09-22 1986-09-22 Memory aging circuit

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JP61221844A JPS6378077A (en) 1986-09-22 1986-09-22 Memory aging circuit

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JPS6378077A true JPS6378077A (en) 1988-04-08

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ID=16773075

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JP61221844A Pending JPS6378077A (en) 1986-09-22 1986-09-22 Memory aging circuit

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0417349A (en) * 1990-05-11 1992-01-22 Toshiba Corp Dynamic memory device and burn-in method therefor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0417349A (en) * 1990-05-11 1992-01-22 Toshiba Corp Dynamic memory device and burn-in method therefor

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