JPS637629A - 電子ビ−ム描画装置 - Google Patents
電子ビ−ム描画装置Info
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- JPS637629A JPS637629A JP14976786A JP14976786A JPS637629A JP S637629 A JPS637629 A JP S637629A JP 14976786 A JP14976786 A JP 14976786A JP 14976786 A JP14976786 A JP 14976786A JP S637629 A JPS637629 A JP S637629A
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- signal
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
従来は電子ビームを偏向させるための信号として位相が
互いにπ/2ずれた信号V −Vえ。
互いにπ/2ずれた信号V −Vえ。
cosωt、V =V、ostnωtを各偏向装置に
与えるのみであったが、この発明によると、上記信号の
いずれか一方に直流信号±VDcを重畳するとともに、
これらの信号を偏向装置に与える時間帯をゲート装置に
よって制御するようにした。このことによって、従来の
描画範囲(たとえば1mmX1mm)内において、任意
の半径をもちかつ任意の点に中心をもつ円弧を描画でき
る。
与えるのみであったが、この発明によると、上記信号の
いずれか一方に直流信号±VDcを重畳するとともに、
これらの信号を偏向装置に与える時間帯をゲート装置に
よって制御するようにした。このことによって、従来の
描画範囲(たとえば1mmX1mm)内において、任意
の半径をもちかつ任意の点に中心をもつ円弧を描画でき
る。
発明の背景
技術分野
この発明は、光集積回路の作製その他の微細加工のため
に荷動なパターニング技術の一手段として用いられる電
子ビーム描画装置に関する。
に荷動なパターニング技術の一手段として用いられる電
子ビーム描画装置に関する。
従来技術
光集積回路等において用いられるグレーティング・レン
ズやフレネル・レンズを作製するための有効なバターニ
ング技術として電子ビーム描画法かある。これは第1図
に示すように、基板1上に電子ビーム・レジスト3を−
(羨に塗布する。必要ならば、レジストに帯電する電荷
を逃がすための導電波膜2(たとえば、インジウムティ
ンオキサイドI T O= I n O+ S 、n
O2)を基板1とレジスト3との間に形成しておく。
ズやフレネル・レンズを作製するための有効なバターニ
ング技術として電子ビーム描画法かある。これは第1図
に示すように、基板1上に電子ビーム・レジスト3を−
(羨に塗布する。必要ならば、レジストに帯電する電荷
を逃がすための導電波膜2(たとえば、インジウムティ
ンオキサイドI T O= I n O+ S 、n
O2)を基板1とレジスト3との間に形成しておく。
基板1上にコーティングされた電子ビーム・レジスト3
上に電子ビームEBによって所定のパターン(照射位置
および照射量によって決定される)を描画する。この後
、レジストを現像することによって基板1上に上記パタ
ーンのレジストφパターンを形成する。基板上のレジス
ト・パターンをそのままグレーティング・レンズまたは
フレネル・レンズとして用いることもできるし、または
このレジスト・パターンを成形型として、もしくはレジ
スト・パターン上にメツキをしたのち基板およびレジス
ト・パターンを除去することによってメツキ材料による
成形型を得、これらの成形型を用いて上を己レンズをb
又形することもできる。
上に電子ビームEBによって所定のパターン(照射位置
および照射量によって決定される)を描画する。この後
、レジストを現像することによって基板1上に上記パタ
ーンのレジストφパターンを形成する。基板上のレジス
ト・パターンをそのままグレーティング・レンズまたは
フレネル・レンズとして用いることもできるし、または
このレジスト・パターンを成形型として、もしくはレジ
スト・パターン上にメツキをしたのち基板およびレジス
ト・パターンを除去することによってメツキ材料による
成形型を得、これらの成形型を用いて上を己レンズをb
又形することもできる。
いずれにしても電子ビームt1°h画によるバターニン
グ技術は、現像後のレジストの残膜率が電子ビーム照射
量に依存することを利用しており(1七子ビームによっ
て照射された部分が残るか、照射されなかった部分が残
るかは、レジストのタイプ[ポジまたはネガ〕に依る)
、所定のパターンを電子ビームの照射位置、二によって
決定することを特徴とするものである。
グ技術は、現像後のレジストの残膜率が電子ビーム照射
量に依存することを利用しており(1七子ビームによっ
て照射された部分が残るか、照射されなかった部分が残
るかは、レジストのタイプ[ポジまたはネガ〕に依る)
、所定のパターンを電子ビームの照射位置、二によって
決定することを特徴とするものである。
第2図は従来の電子ビーム描画装置の概要、とくにその
電気的構成の一例を示している。電子ビーム出射源であ
るフィラメント(後述する第4図の符号9参照)から出
射した電子ビームは偏向装置13.23によって偏向さ
れ、上述した電子ビーム・レジスト3が塗布された基板
1上を所定パターンに走査される。バターニングには照
射位置のみならず照射量の制御も必要であり、照射はの
制御は同一箇所の走査回数または電子ビームの強度(密
度)を変えることによって行なわれるが、説明の簡略化
のために、この点について触れることなく単に電子ビー
ムの走査について述べることにする。偏向装置には、T
L界の印加によって7佐子ビームを偏向するタイプのも
のと、GM、界によって電子ビームを偏向するタイプの
ものとがある。前者のタイプの偏向装置は電圧印加用の
偏向阪を含み、後者のタイプのものは偏向コイルを含む
。いずれにしても1対の偏向装置13.23は、基板1
に向かって進む電子ビームに互いに直交する力を与える
ように作用する。この・ことによって、原理的には、電
子ビームは2次元平面内で任意の方向に走査される。説
明の簡略化のために、以下とくに明記しない限り、偏向
装置として前者のタイプのものが用いられているものと
する。
電気的構成の一例を示している。電子ビーム出射源であ
るフィラメント(後述する第4図の符号9参照)から出
射した電子ビームは偏向装置13.23によって偏向さ
れ、上述した電子ビーム・レジスト3が塗布された基板
1上を所定パターンに走査される。バターニングには照
射位置のみならず照射量の制御も必要であり、照射はの
制御は同一箇所の走査回数または電子ビームの強度(密
度)を変えることによって行なわれるが、説明の簡略化
のために、この点について触れることなく単に電子ビー
ムの走査について述べることにする。偏向装置には、T
L界の印加によって7佐子ビームを偏向するタイプのも
のと、GM、界によって電子ビームを偏向するタイプの
ものとがある。前者のタイプの偏向装置は電圧印加用の
偏向阪を含み、後者のタイプのものは偏向コイルを含む
。いずれにしても1対の偏向装置13.23は、基板1
に向かって進む電子ビームに互いに直交する力を与える
ように作用する。この・ことによって、原理的には、電
子ビームは2次元平面内で任意の方向に走査される。説
明の簡略化のために、以下とくに明記しない限り、偏向
装置として前者のタイプのものが用いられているものと
する。
三角関数波発生回路11および21は互いに位Fljが
π/2ずれた三角関数波信号を発生するものて、これら
の信号をそれぞれV−VxoCO8ωt。
π/2ずれた三角関数波信号を発生するものて、これら
の信号をそれぞれV−VxoCO8ωt。
V −V、osinωtで表わす(第3図参照)。こ
れらの信号は増幅回路12.22でそれぞれ増幅された
のち電圧信号として偏向装置13.23に与えられる。
れらの信号は増幅回路12.22でそれぞれ増幅された
のち電圧信号として偏向装置13.23に与えられる。
したがって、電子ビームは印加された電圧によって発生
する電界の方向と逆方向の力を受け” xO””’y。
する電界の方向と逆方向の力を受け” xO””’y。
の場合には、第3図に示されているように、電子ビーム
はXY平而面で角速度ωでV (−V 、o)に対応
する半径の円を描くこxO とになる。
はXY平而面で角速度ωでV (−V 、o)に対応
する半径の円を描くこxO とになる。
第2図において制御装置(CPU)10は上述の三角関
数波発生回路11.21等を制御し、その信号の角周波
数、振幅等を変えることによってあらかじめプログラム
されたパターンの描画を達成する。
数波発生回路11.21等を制御し、その信号の角周波
数、振幅等を変えることによってあらかじめプログラム
されたパターンの描画を達成する。
上述のようにして、原理的には任意のパターンの電子ビ
ーム描画が可能となる筈であるが、実際上は種々の制限
がある。たとえば、描画範囲は1 mm X l m3
程度の正方形に限られるので3円パターンの描画におい
ては最大半径0.5mmの円しか描画できない(第6図
参照)。その理由は次の通りである。
ーム描画が可能となる筈であるが、実際上は種々の制限
がある。たとえば、描画範囲は1 mm X l m3
程度の正方形に限られるので3円パターンの描画におい
ては最大半径0.5mmの円しか描画できない(第6図
参照)。その理由は次の通りである。
第4図に示されているように、偏向装置13゜23に偏
向電圧を印加しない状態では、フィラメント9から出射
した電子ビームFBIは偏向されることなく直進し、電
子ビーム・レジストがコーティングされた基板1の中心
O(描画原点、第6図参照)に垂直に照射する。このと
き、電子ビームEBIは基板l上でフォーカスし、最少
スポット径2γ を得る。
向電圧を印加しない状態では、フィラメント9から出射
した電子ビームFBIは偏向されることなく直進し、電
子ビーム・レジストがコーティングされた基板1の中心
O(描画原点、第6図参照)に垂直に照射する。このと
き、電子ビームEBIは基板l上でフォーカスし、最少
スポット径2γ を得る。
EBI
偏向装置13.23に電圧を印加して電子ビームを偏向
させていくと、電子ビームのフォーカシング・ポイント
はFで示すように球面を描くことになる。第5図に拡大
して示すように、フォーカシング・ポイントをすぎた電
子ビームは拡がるので、偏向された電子ビームEB2の
基板1上におけるスポット径は上述の27 よりも大
きいBI 2γ となる。
させていくと、電子ビームのフォーカシング・ポイント
はFで示すように球面を描くことになる。第5図に拡大
して示すように、フォーカシング・ポイントをすぎた電
子ビームは拡がるので、偏向された電子ビームEB2の
基板1上におけるスポット径は上述の27 よりも大
きいBI 2γ となる。
n2
また、偏向されていない電子ビームFBIにおいて、こ
の電子ビームEBIの進行方向に垂直な断面の電子ビー
ムのプロファイルは円形でありかつ強度分布もガウシア
ン型(ガウス分布)となっている。しかしながら、偏向
された電子ビームEB2においては、偏向電界が加わっ
ているためにその断面プロファイルは電界方向に歪み1
強度分布もガウシアン型からずれる。
の電子ビームEBIの進行方向に垂直な断面の電子ビー
ムのプロファイルは円形でありかつ強度分布もガウシア
ン型(ガウス分布)となっている。しかしながら、偏向
された電子ビームEB2においては、偏向電界が加わっ
ているためにその断面プロファイルは電界方向に歪み1
強度分布もガウシアン型からずれる。
このように、電子ビームの偏向によって基板上のスポッ
ト径が増大し、その断面プロファイルおよび強度分布が
変形するので、描画時においてこれらの影響が殆んど無
視できる偏向角θが自ずと定まり、これによって基板上
における描画範囲が決定される。この範囲がl mII
X 1 mm程度ということになる。
ト径が増大し、その断面プロファイルおよび強度分布が
変形するので、描画時においてこれらの影響が殆んど無
視できる偏向角θが自ずと定まり、これによって基板上
における描画範囲が決定される。この範囲がl mII
X 1 mm程度ということになる。
このように従来の電子ビーム描画装置では、描画できる
円の最大半径が0.5mm程度にとどまり。
円の最大半径が0.5mm程度にとどまり。
しかも描画原点を中心とする円に限られるという問題が
ある。
ある。
発明の概要
発明の目的
この発明は、」二連のような1 mm X 1 +u程
度の描画範囲内において任意の半径をもちかつl:I−
意の点にその中心をもつ円弧を描画することが可能な電
子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
度の描画範囲内において任意の半径をもちかつl:I−
意の点にその中心をもつ円弧を描画することが可能な電
子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
発明の構成と効果
この発明は、直進する電子ビームをその進行方向にほぼ
垂直な平面内において互いに直交する方向に偏向させる
よう作用する電界または磁界を発生する1対の偏向装置
を備えた電子ビーム描画装置において1位相が互いにπ
/2ずれた三角関数波信号を発生する回路を上記1対の
偏向装置に対してそれぞれ設けるとともに、 iu流倍
信号発生回路三角関数波信号発生回路の出力三角関数波
信号に直流信号発生回路の出力直流信号を重畳する加算
回路、および加算回路の出力信号を偏向装置に与える時
間帯を制御するためのゲート回路を上記1対の偏向装置
の少なくともいずれか一方に対して設けたことを特徴と
する。
垂直な平面内において互いに直交する方向に偏向させる
よう作用する電界または磁界を発生する1対の偏向装置
を備えた電子ビーム描画装置において1位相が互いにπ
/2ずれた三角関数波信号を発生する回路を上記1対の
偏向装置に対してそれぞれ設けるとともに、 iu流倍
信号発生回路三角関数波信号発生回路の出力三角関数波
信号に直流信号発生回路の出力直流信号を重畳する加算
回路、および加算回路の出力信号を偏向装置に与える時
間帯を制御するためのゲート回路を上記1対の偏向装置
の少なくともいずれか一方に対して設けたことを特徴と
する。
三角関数波信号に直流信号成分を重畳しているので装置
の描画面における描画原点を直流信号成分の大きさに対
応する距離だけ移動させることができ、その移動量に応
じた位置に中心をもつとともにそれに対応する半径の円
の描画が可能であり、しかもこの円の描画範囲をゲート
回路によって制御できるので装置の描画面内に限定して
描画可詣となり、この結果、描画面上には上記の円の一
部すなわち円弧を描画することが可能となる。
の描画面における描画原点を直流信号成分の大きさに対
応する距離だけ移動させることができ、その移動量に応
じた位置に中心をもつとともにそれに対応する半径の円
の描画が可能であり、しかもこの円の描画範囲をゲート
回路によって制御できるので装置の描画面内に限定して
描画可詣となり、この結果、描画面上には上記の円の一
部すなわち円弧を描画することが可能となる。
すなわち、任意の点に中心をもちかつ任意の半径をもつ
円弧の描画が可能であり、このことは、原点に対して対
称性をもつパターンしか描画できなかった従来例と比較
すると、描画原点に対して対称性をもたないパターンの
描画がこの発明にょって可能となったと言いかえること
もできる。
円弧の描画が可能であり、このことは、原点に対して対
称性をもつパターンしか描画できなかった従来例と比較
すると、描画原点に対して対称性をもたないパターンの
描画がこの発明にょって可能となったと言いかえること
もできる。
実施例の説明
この発明の実施例は第7図から第9図に示されチ
ている。第7図は型骨ビーム描画装置の電気的構成を示
しており(従来例を示す第2図に対応)。
しており(従来例を示す第2図に対応)。
この図において第2図に示すものと同一物には同一符号
が付けられている。また第8図は、第7図の回路の描画
動作を示すものであり(従来の動作説明図である第3図
に対応)、第9図はII′h画商囲の位置関係を示すも
のである。
が付けられている。また第8図は、第7図の回路の描画
動作を示すものであり(従来の動作説明図である第3図
に対応)、第9図はII′h画商囲の位置関係を示すも
のである。
これらの図面、とくに第7図を参照して、電子ビーム描
画装置は、 V −V、ocostJJtの信号を
発生する三角関数波発生回路11.その増幅回路12、
v −v、osinωtの信号を発生する三角関数
波発生回路21.その増幅回路22゜および偏向装置1
3.23に加えて、偏向装置”13に対しては直流信号
(たとえばiIl流電圧電圧発生回路14、増幅回路1
2の出力三角関数波信号に発生回路14の出力直流信号
を重畳する加算回路15、および加算回路15の出力信
号を偏向装置13に与える時間帯を制御するゲート回路
16が設けられ、偏向装置23に対しても同じように1
11流信号発生回路24.加算回路25およびケート回
路26が設けられている。三角関数波発生回路11.2
1の出力信号の角周波数ωはそれぞれ別個に可変であり
、CPUl0によってバスを介して制御される。これら
の三角関数波信号の振幅V ■ は増幅回路12.2
2の増幅度を制XO’ yO 御することによって変化させられ、これもまたCPUl
0によって制御される。さらに、直流信号発生回路14
.24から発生する直流信号の大きさくたとえば電圧)
もまた相互に独立に可変でありCPUl0によって制御
され、ゲート回路16と26のゲート開放時間帯は一般
に同時間帯に設定され、CPUl0によってi;it
laされる。
画装置は、 V −V、ocostJJtの信号を
発生する三角関数波発生回路11.その増幅回路12、
v −v、osinωtの信号を発生する三角関数
波発生回路21.その増幅回路22゜および偏向装置1
3.23に加えて、偏向装置”13に対しては直流信号
(たとえばiIl流電圧電圧発生回路14、増幅回路1
2の出力三角関数波信号に発生回路14の出力直流信号
を重畳する加算回路15、および加算回路15の出力信
号を偏向装置13に与える時間帯を制御するゲート回路
16が設けられ、偏向装置23に対しても同じように1
11流信号発生回路24.加算回路25およびケート回
路26が設けられている。三角関数波発生回路11.2
1の出力信号の角周波数ωはそれぞれ別個に可変であり
、CPUl0によってバスを介して制御される。これら
の三角関数波信号の振幅V ■ は増幅回路12.2
2の増幅度を制XO’ yO 御することによって変化させられ、これもまたCPUl
0によって制御される。さらに、直流信号発生回路14
.24から発生する直流信号の大きさくたとえば電圧)
もまた相互に独立に可変でありCPUl0によって制御
され、ゲート回路16と26のゲート開放時間帯は一般
に同時間帯に設定され、CPUl0によってi;it
laされる。
第8図も参照して、三角関数波発生回路11および21
から発生する信号は位相が互いにπ7/またけずれてい
る。これらの信号の各周波数ωが等しく、また振幅も等
しい(vxO=”y。)ものとする。直流信号発生回路
14からは直流信号か発生していず(信号の大きさが零
)、直流信号発生回路24からは−VDCの値をもつ直
流信号か発生しているものとする。この場合の加算回路
15および25の出力信号波形が第8図にそれぞれV
。
から発生する信号は位相が互いにπ7/またけずれてい
る。これらの信号の各周波数ωが等しく、また振幅も等
しい(vxO=”y。)ものとする。直流信号発生回路
14からは直流信号か発生していず(信号の大きさが零
)、直流信号発生回路24からは−VDCの値をもつ直
流信号か発生しているものとする。この場合の加算回路
15および25の出力信号波形が第8図にそれぞれV
。
Xa
■ で示されている。今、ゲート回路16およXa
び26がともに時刻t からt2まで開いたとす■
ると、偏向装置13には信号V のうちのA1〜a
B1の部分の波形の信号が、(−同装置23には爾号V
のうちのA −82の部分の波形の信号かya
2 それぞれ印加される。この結果、電子ビームはIHX
l muの描画範囲内においてA −Boて示される
円弧を描くように走査される。
のうちのA −82の部分の波形の信号かya
2 それぞれ印加される。この結果、電子ビームはIHX
l muの描画範囲内においてA −Boて示される
円弧を描くように走査される。
これは、Y方向の偏向信号に一■Doの直流成分を加え
たために1円の中心がY軸上で負方向にV に対応する
距離だけ移動して(中心O8)C 信号V とV とによって円C3か描かれるためXa
ya la
であり、ゲートか1−1 から1−12まで開か■ れることにより実際にはXY平面上で角度ψ−ωt 〜
ωt2まての間電子ビーム描画が行なわれるからである
。
たために1円の中心がY軸上で負方向にV に対応する
距離だけ移動して(中心O8)C 信号V とV とによって円C3か描かれるためXa
ya la
であり、ゲートか1−1 から1−12まで開か■ れることにより実際にはXY平面上で角度ψ−ωt 〜
ωt2まての間電子ビーム描画が行なわれるからである
。
三角関数波信号■ 、■ の振幅をそれぞれy
V ■ に変え、かつ信号V に−VDCの直流xi
’ yl Y
成分を加えると、V 、V で示された波形か得x
c yc られる。ゲート回路16.26のゲートを1−1 −1
の間で開くと1円弧C6−Doの電子ビーム177
i画が達成できる。
’ yl Y
成分を加えると、V 、V で示された波形か得x
c yc られる。ゲート回路16.26のゲートを1−1 −1
の間で開くと1円弧C6−Doの電子ビーム177
i画が達成できる。
三角関数波信号■ に直流仁号を重畳すると。
円の中心をXf111方向に移動させることか可能とな
る。
る。
以上のようにして、2つの三角関数波信号の少なくとも
いずれか一方に直流成分を重畳することによって、そし
て偏向装置にこれらの三角関数波信号を印加する時間を
ケート制御することによって、電子ビーム描画装置の描
画範囲(1mn x1m+n)内において、半径が描画
範囲の一辺の長さの半分(0,5mm)以上でかつ任意
の点に中心をもつ円弧を描くことが可能となる。半径の
異なる円弧を描く場合にはそれぞれの円弧に対応したゲ
ート開放時間帯制御を行なえばよい。従来の装置では描
画範囲内の原点に対して対称性をもつパターンしか描画
できなかったが、この発明では非対ぜ1、なパターンの
描画も可能となる。
いずれか一方に直流成分を重畳することによって、そし
て偏向装置にこれらの三角関数波信号を印加する時間を
ケート制御することによって、電子ビーム描画装置の描
画範囲(1mn x1m+n)内において、半径が描画
範囲の一辺の長さの半分(0,5mm)以上でかつ任意
の点に中心をもつ円弧を描くことが可能となる。半径の
異なる円弧を描く場合にはそれぞれの円弧に対応したゲ
ート開放時間帯制御を行なえばよい。従来の装置では描
画範囲内の原点に対して対称性をもつパターンしか描画
できなかったが、この発明では非対ぜ1、なパターンの
描画も可能となる。
第1図は一般的な電子ビーム描画法を説明するための斜
視図である。 第2図から第6図は従来例を示すためのもので、第2図
は電気的+)14成を示すブロック図、第3図1は描画
動作を示す波形図、第4図は描画の劃°に子を側方から
みた説明5 + ′:j45図は第4図の一部の拡大図
、第6図は描画範囲と描画可能な最大半径円を示す説明
図である。 第7図から第9図はこの発明の実施例を示し。 第7図は電気的構成を示すブロック図、第8図は描画動
作を示す波形図、第9図は描画可能な円とその円に対す
る描画範囲の位置を示す説明図である。 11.21・・・三角関数波発生回路。 12.22・・・増幅回路。 13.23・・・偏向装置。 14.24・・・直流信号発生回路。 15.25・・・加算回路。 16.26・・・ゲート回路。 以 上 特許出願人 立石電機株式会社 代 理 人 弁理士 牛 久 健 司(外1名) 第1図 第2図 第3′gA 第4図 jI5 閃 第6図 第7図 ] 二 VXa
視図である。 第2図から第6図は従来例を示すためのもので、第2図
は電気的+)14成を示すブロック図、第3図1は描画
動作を示す波形図、第4図は描画の劃°に子を側方から
みた説明5 + ′:j45図は第4図の一部の拡大図
、第6図は描画範囲と描画可能な最大半径円を示す説明
図である。 第7図から第9図はこの発明の実施例を示し。 第7図は電気的構成を示すブロック図、第8図は描画動
作を示す波形図、第9図は描画可能な円とその円に対す
る描画範囲の位置を示す説明図である。 11.21・・・三角関数波発生回路。 12.22・・・増幅回路。 13.23・・・偏向装置。 14.24・・・直流信号発生回路。 15.25・・・加算回路。 16.26・・・ゲート回路。 以 上 特許出願人 立石電機株式会社 代 理 人 弁理士 牛 久 健 司(外1名) 第1図 第2図 第3′gA 第4図 jI5 閃 第6図 第7図 ] 二 VXa
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 直進する電子ビームをその進行方向にほぼ垂直な平面内
において互いに直交する方向に偏向させるよう作用する
電界または磁界を発生する1対の偏向装置を備えたもの
において、 上記1対の偏向装置に対してそれぞれ設けられ、位相が
互いにπ/2ずれた三角関数波信号を発生する回路、な
らびに 上記1対の偏向装置の少なくともいずれか一方に対して
設けられた、直流信号発生回路、三角関数波信号発生回
路の出力三角関数波信号に直流信号発生回路の出力直流
信号を重畳する加算回路、および加算回路の出力信号を
偏向装置に与える時間帯を制御するためのゲート回路、 を備えていることを特徴とする電子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14976786A JPS637629A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 電子ビ−ム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14976786A JPS637629A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 電子ビ−ム描画装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS637629A true JPS637629A (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=15482288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14976786A Pending JPS637629A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 電子ビ−ム描画装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS637629A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0739214U (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-14 | 株式会社東和サプライ | 電気ケーブル送り出し装置 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP14976786A patent/JPS637629A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0739214U (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-14 | 株式会社東和サプライ | 電気ケーブル送り出し装置 |
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