JPS6092617A - 電子像投影器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、陰極によって放出せしめられた電子ビームを
ほぼ均一な電界および磁界作用の下でターゲット上にほ
ぼ１の倍率で投射する電子像投影器であって、前記の電
子ビームは前記の電界に対し交差するように延在する所
定の空間パターンを有するようにした電子像投影器に関
するものである。

電子像投影器は、半導体装置のような高解像度の超小型
固体装置の製造に際し、基板上に設けられた電子感応レ
ジスト層中にパターンをリソグラフ的に規定するのにも
ちいることができる。陰極によって放出しめられたパタ
ーン化した電子ビームはレジスト層上に投射され、この
レジスト層中に電子ビームのパターンを再生するパター
ンを規定する。電子ビームの投射後レジスト層が現象さ
れ、これにより形成されたパターン化しジス）　ＩＭは
基板の後の処理中固体装置を形成する型として用いられ
る。

しかし、倍率が１のこの既知の電子像投影器は、ターゲ
ット、すなわちレジスト被ｊｆｆ基板が陽極を構成し、
作動中陰極と陽極との間に大きな電位差（代表的に２０
ＫＶ）　が印加されて電界が形成され、この電界の作用
の下で電子ビーｌ、が陰極からターゲット上に投射され
るという欠点を有する。これが為、ターゲットの付近に
おける電界、従って電子の軌道を過度に歪まさないよう
にする為に、基板に厳しい平面条件が課せられる。電界
は必然的に基板の周辺に、ある歪を生ぜしめるものであ
り、後の処理工程に対してこのエツジ効果を無くす為に
は、電子像投影器において後の各電子投射に対して大き
な精度で基板を配置する必要がある。

これらの問題を無くした倍率ｌの電子像投影器の変形例
は英国特許出願第８３２３７６９号明細書に記載されて
いる。この変形例の電子像投影器には電子再透過領域の
アレイを有するグリッドを具える新規な陽極が設けられ
ており、このアレイは陰極によって放出された電子の空
間パターンと少なくとも同じ広がりとなっ′Ｃいる。グ
リッドは陰極とターゲットとの間に１１つこれらに対し
平行に配置されている。作動中、陰極とターゲットとの
間にはほぼ均一な電界が生じる。また、電界に対し平行
でほぼ均一な磁界を生ぜしめ、電子のパターン化ビーム
をターゲット上に集束せしめる手段が設けられている。

この変形した電子像投影器には、ターゲットの形状およ
び配置の双方またはいずれか一方に対する電子軌道の依
存性を減少せしめうるという利点がある。

陰極によって放出せしめられた電子は、電界および磁界
に対し平行で且つ互いに平行な直線でターゲットに向け
られるということに注意する必要がある。陰極に対して
垂直でない角度で放出される一層正確な電子は集束磁界
に対し−１２行な軸線を中心とするらせんを描く。描か
れる回転数は角度に依存しない。従って、陰極と陽極グ
リッドとの間の距離および陽極グリッドとターゲットと
の間の距離は、（電界および磁界の値に依存して）回転
数が整数、例えばｌとなるよに選択しうる。このように
することにより、陰極に対し垂直な線の付近の角度範囲
で陰極上の特定ないかなる点からも放出された電子は磁
界によって集束され、陽極グリッドおよびターゲット上
の対応する１個の点に衝突する。この状態では、陽極グ
リッドおよびターゲットは磁界の焦点にあるといえる。

陰極および陽極グリッド間で描かれる回転数が１である
場合には、陽極グリッドは第１磁界焦点にあるといえる
。陰極とターゲットとの間での回転数が２である場合に
は、ターゲットは第２磁界焦点にある。従って、陰極に
おける電子放出パターンは陽極グリッドおよびターゲッ
トにおける焦点で１の倍率で再生せしめうる。個々の電
子は上述したようにらせん路を追従しうるも、一般的な
移動方向は電界および磁界に対し平行な直線である。

前述の英国特許出第８３２３７６９号明細書で認めてい
るように、この明細書に記載されている変形電子像投影
器の利点は、グリッドとターゲットとの間に配置した検
出器を用いてターゲットからの後方散乱電子を検出する
ことにより、ターゲットを陰極に対し迅速且つ有効に整
合せしめうるということである。この整合には、パター
ン化された電子ビームを偏向させることをも含まれる。

既知の電子像投影器においては、このパターン化電子ビ
ームの偏向は、偏向磁界を集束磁界に対し交差させて与
える空心偏向コイルを用いることにより磁気的に達成さ
せられる。偏向磁界の強度、従って偏向量は偏向コイル
中を流れる電流を変えることにより変えることができる
。しかし、不運にも、磁界を均一にする為には、偏向コ
イルを必ず電子像投影器の全寸法に可成り影響を及ぼす
仕較的大型の構成素子とする必要がある。これによって
１尋られる磁界は大きな体積に亘って延在する。

この点は不利益なことである。その理由は、上記の体積
を、予想できなきい磁界変化により悪影響を受ける電子
顕微鏡或いは他の電子像投影器或いは電子ビームパター
ン発生器のような他の装置が占めることができない為で
ある。従って、他のこのような装置を当該電子像投影器
にいかに接近させて配置しうるかに関して制限が課せら
れる。この問題は三次元的な問題であり、ｊｌ’ｔに　
次元的な問題ではないこと勿論であるっ従って、電子１
′象投影器を複数階のビルディンク内に設置する場合に
は、この設置が上方の階であろうと下方の階てあろうと
、この電子像投影器によって同じ階のみならず、他の階
にも影響を及ぼす。また、（１）偏向コイルの固有自己
インダクタンス（２）変化する磁界に応答するうず電流
の不所望な発生 の為に、偏向速度が影響を受ける傾向にある。従って不
運にも、磁界を上述したような大きな体積に亘って十分
急速に変えることにより可成りの量の電力が消費されて
しまうおそれがある。

本発明の目的は、上述した欠点のない電子像投影器を提
供せんとするにある。

本発明は、陰極によって放出せしめられた電子ビームを
ほぼ均一な電界の作用の下でターゲット上にほぼｌの倍
率で投射する電子像投影器であって、前記の電子ビーム
は前記の電界に対し交差するように延在する所定の空間
パターンを有するようにしただ電子像投影器において、
該電子像投影器は電子放出陰極と、電子再透過領域のア
レイを持つグリッドを有する陽極とを具えており、前記
のアレイは前記の空間パターンと少なくとも同じ広がり
となっており、前記のグリッドは陰極とターゲットとの
間に且つこれらに平行に配置されており、これにより作
動中電界が陰極と陽極クリッドとの間に生ぜしめられ、
前記の電子像投影器は更に、前記の電界に対し平行でほ
ぼ均一な磁界を生ぜしめ、電子のパターン化ビームをク
ーゲット上に集束せしめる手段き、ビームの電子を前記
の電磁界に対し交差する方向に偏向せしめる偏向手段と
を具えており、該偏向手段は電子ビームが陰極に面する
グリッドの表面からターゲットに流れている際にこの電
子ビームの少なくとも一部分を偏向させるように配置し
た静電偏向板を合していることを特徴とする。

本発明による電子像投影器においては、電子投射と偏向
との双方が電界によって行われるばがりではなく、作動
中電子投射用の電界が陰極とこの陰極に面するグリッド
の表面きの間に形成され、偏向用の電界がターゲットと
陰極に而するクリッドの表面との間の領域中で電子投射
用の電界に交差して形成されるという点でこれら双方の
電界が空間的に別個のものとなる。偏向用の電界は静電
偏向板間に形成されるものであり、これら静電偏向板は
偏向コイルに比べ−Ｃ仕較的コンパクトであり、電子像
投影器の全寸法に影響を及ぼさない。

さらに、電界は電子像投影型装置の境界内で得られる為
、１ｍの同種の電子像投影器（或いは変化する磁界に感
応する他の装置１ｆｆ）　を近接して配置しても、その
作動により前者の電子像投影器は悪影響を受けない。ま
た、静電偏向は比較的はんのわずかの電力消費で高速と
なる利点がある。

陰極に面する陽極グリッドの表面は磁界の焦点とほぼ一
致させるのが好ましい。この場合、ターゲットをもほぼ
磁界焦点に位置させれば、このようにしない場合に導入
されるおそれのあるいかなる歪みも磁界により最適に補
償される。

偏向能力を最大にする為には、静電偏向板を、ビームの
電子を２．つの互いに直角な方向に偏向させるように配
置することができる。この場合、Ｘおよびｙ軸方向にそ
れぞれ偏向を行う２対の偏向板を電子像投影器が有する
ようにすることができる。

しかし、２つの互いに直角な方向の各々における偏向に
対して数組の電極対を用いることができる。この場合、
電子再透過グリッドは複数の部分を有し、これらの各部
分はそれぞれ関連する静電偏向板の組を有する。この場
合、同じ電界強度に対し、偏向板間に印加される電圧差
を減少させることができるという利点が得られる。その
理由は、偏向板をより一層近接して配置することができ
る為である。

陽極グリッドが、比較的電子を透過しうる領域と、比較
的電子を透過しえない領域とのアレイを有する実施例で
は、電子を透過しうる領域の各々にそれぞれ静電偏向板
の組を関連させることにより、偏向板にまたがって印加
される電圧を所定の電界強度に対して最小とすることが
できる。

電子像投影器には、グリッドを電子の運動方向に交差す
る方向に移動させる手段を設け、電子投射によりターゲ
ット上に生ぜしめられるパターンにより、グリッドのア
レイを再生ずることなく電子ビームのパターンを再生さ
せるようにすることができる。この場合、静電偏向板を
電子可透過陽極グリッドに対し剛固に固定するのが好ま
しい。

この目的の為には、電子を透過しうる領域がグリッド中
の孔の形態をしている場合に、偏向板を例えば後に詳細
に説明するように方向性蒸着によりこれらの孔の壁部上
に設けることができる。或いはまた、偏向板自体を以て
電子再透過陰極グリッドに剛固に連結された他のグリッ
ドの一部を構成することができる。２方向への偏向を必
要とする場合には、１方向に対する偏向板を陽極グリッ
ド上に設け、直角な方向に対する偏向板を以て他のグリ
ッドの一部分を構成することができる。或いはまた、■
方向に対する偏向板を他のグリッドの１つの主表面に設
け、直角方向に対する偏向板をこの他のグリッドの反対
側の主表面に設けることができる。

他の実施例では、電子可透過陽極グリッドが、電子ビー
ムの一部分を第１方向に偏向させるように向けられた関
連の静電偏向板を有する少なくとも１つの領域と、電子
ビームの他の一部分を前記の第１方向とは異なる第２の
方向に同時に偏向させるように向けられた関連の偏向板
を有する少なくとも１つの他の領域とを有しているよう
にする。

この構成によれば、ビームの一部分を１つの周波数で一
方向に発振的に偏向させ、ビームの他の一部分を異なる
周波数或いは位相で異なる方向に発振的に偏向させるこ
とができる。後に説明するように、この機能は、ターゲ
ット上の基準マーカと電子ビームの対応するパターン化
部分とを用いてターゲットを陰極と整合させる位相感応
検出方法に用いることができる。

図面につき本発明を説明する。

図面の各部の寸法は実際のものに正比例するものではな
い。

第１図に示す電子像投影器は光電陰極マスク１と、後に
説明する均一電界の下でこの光電陰極マスク１からパタ
ーン化した電子ビームが照射されるターゲット３とを有
する。ターゲット３は光電陰極マスク１に対し平行であ
る。これらの間にはグリッド２が配置されており、この
グリッドの主表面は光電陰極マスク１およびターゲット
２に対し平行である。光電陰極マスク１、グリッド２お
よびターゲット３は真空室８内に入れられており、この
真空室内は作動中例えばＩｆｌ−５）ルの低圧に維持さ
れる。

光電陰極マスクは、例えば直径をｌ１５ｎ１ｍ、厚さを
３　ｍｍとしうる石英円板４を有する。グリッド２に対
向する石英円板４の表面７上には紫外線に対し不透明な
材料より成るパターン化された層５、例えば１０００へ
の厚さのクロム層が存在する。この不透明なパターン化
層と表面７の露出領域とは例えば２００　人の厚さの連
続な光電子放出層６で被覆されている。帯電効果を無く
す為に、不透明なパターン化層５と円板４の露出部分と
の上に連続な薄肉導電層、例えば２００　人の厚さのク
ロム層が設けられる。図面を明瞭とする為に、光学的に
透明となる程度に薄肉のこの導電りＤ　ノ、層は第１図
に図示しない。

グリッド２は、以下に詳細に説明するようにこのグリッ
ド２と光電陰極マスク１との間に電界を形成する為の電
位を印加しうる陽極を構成する。

グリッド２は導電性且つ非磁性であり、例えば、（１）
薄肉な有孔銅板、 （２）導電層で被覆された薄肉な有孔プラスチック板、 （３）有孔珪素ウェファ （４）ガラスチャネル板 （５）一方の主表面が金属化されたホトエッチンク可能
な有孔ガラス板 のいずれかより成り、電子を比較的透過する領域と電子
を比較的透過しない領域とが交互に配置された規則的な
アレイを以って構成されている。これらの形態のグリッ
ドは英国特許出願第８３２３７６　！１号に詳細に説明
されている。このグリッドはこの英国特許出願明細書に
説明されているように投影器内で支持された導電性リン
グ９上に装着されており、この導電性リングは移動手段
Ｍによりこのリングの面内で移動せしめうる。

ターゲト３は半導体ウェファ１１上に存在する電子感応
レジスト層１０を有しており、この半導体ウェファ１１
はチャック１２、例えば英国特許第ＧＢ１４４３２１５
　号明細書或いは欧州特許出願第ＵＰ　Ｏ，０７４，６
９１号明細書に記載されているような静電チャックによ
り保持されている。

真空室８の外部には紫外線ランプＩ３が位置しており、
この紫外線ランプはグリッド２側とは反対側の光電陰極
マスク１の表面を照射しうる。紫外線は窓１４を経て真
空室内の光電陰極マスクに達する。

作動に当たっては、例えば２０ｋｖの大きな電位差■を
光電陰極マスクｌとグリッド２との間に（リング９を介
して）印加し、これらの間に電界Ｅを形成する。この電
界Ｅの作用の下で、不透明なバクーン化層５を覆ってい
ない従ってランプ１３から紫外線が照射された光電子放
出層６０部分から放出された電子が、電界Ｅに刻し交差
する方向に延在する空間パターンをイｊする電子ビーム
として陽極グリッドに投射される。電子ビームのパター
ンは、不透明なパターン化Ｈ５が存在しない光電子放出
層６の部分によって決る光電陰極マスク１のパターンに
相当する。

パターン化した電子ビームを集束させるほぼ均一な磁界
Ｈは真空室を囲む空心ソレノイド１５により既知のよう
にして生ぜしめられる為、磁界Ｈは電界Ｅに対し平行で
少なくとも光電陰極マスク１とターゲット３との間の全
領域内に存在する。磁界の強度は例えば２ＫＧとするこ
とができる。この場合電子は一般に互いに平行な直線で
光電陰極マスク１からターゲット３の方向に向かう。

光電陰極マスク１と陽極グリッド２との間の間隔は、光
電陰極マスク１に対向するグリッド２の表面が前述した
ように陰極に関する第１磁界焦点とほぼ一致する位置に
あるように選択する。この場合、集束された電子像がほ
ぼ陰極に対向するクリッドの表面に、すなわちグリッド
の入射面内に形成される。しかしこの場合、磁界焦点と
クリッドの入射面とは正確に一致させずにわずかにずら
し、陰極が磁界焦点に対するよりもほんのわずかだけグ
リッドの入射面に近づくようにするのが好ましいことに
注意ずべきである。

グリッド２の孔、すなわち電子再透過領域を通りうる電
子はグリッド２とターゲット３との間の領域内に入る。

クーゲット３とグリッド２との間には電位差を生ぜしめ
ず、電子感応レジスト層が被覆さている半導体ウェファ
がグリッド２と同じ電位■に保持されるようにするのが
好ましい。しかし、わずかな不正確さをＮｌｉ正する為
に、投影電圧■よりも著しく少ない小電圧δｖ１例えば
投影電圧の数％以下（約５％以下）の電圧を第１図に破
線で示すようにクリッド２とターゲット３との間に印加
し、パターン化した電子ビームがターゲツト面内に正し
く集束するようにすることができる。

電子ビームがクリッド２を通過すると、依然として磁界
１４の影響の下にある電子ビームの電子は、これらが半
導体ウェファｌｌ上にあるレジスト層１０に衝突するま
で、これら電子がグリッド２に入った時とほぼ同じ速度
で一般にカーいに平行な直線で移動し続ける。レジスト
層が被覆された半導体ウェファは光電陰極マスク１に関
する第２磁界焦点に配置する。個々の電子は、光電陰極
マスク１に対して垂直以外の角度で放出される場合には
磁界焦点の為に実際に磁気力線を中心とするらせん路を
追従する。電子が磁界Ｈによる影響の下でらせんの１回
転を描いている間にこれら電子が磁界１１に対し平行な
方向に移動する距離はこれら電子の速度に比例し、グリ
ッド２とターゲット３との間での電子の速度は光電陰極
マスク１とグリッド２との間でのこれら電子の速度の平
均のほぼ２倍−Ｃある為、ターゲット３とグリッド２と
の間隔はグリッド２と光電陰極マスクＪ吉の間隔のほぼ
２　Ｑ″；にすることができる。この場合磁界強度を２
Ｋ］；とし、電界強度を２０にＶとすると、光電陰極マ
スク１とグリッド２との間１４Ｗを７冊１１、クリッド
２とターゲット３との間隔を１４ｍｍとすることができ
る。

グリッド２はこれを通過する電子を偏向させる傾向にあ
る電子レンズとして作用するおそれがあることに注意す
べきである。この点を検査しないと、この偏向によりタ
ーゲット上に投影される電子像を歪ませるおそれがある
。より詳細に言えば、電子レンズ効果により電子に追加
の横方向速度成分を与え、これにより電子が１’＆ｉ　
＜らせん路の半径を変える。しかし、グリッドおよびタ
ーゲットをそれぞれ第１及び第２磁界焦点に配置すると
、グリッドからターゲットに移動する電子はらせんの完
全な１回転を描き、従って電子が受ける正味の偏向は零
となり、電子像は殆ど歪みなくターゲット３上に投影さ
れる。

超小型固体装置、例えば集積回路のような半導体装置を
製造するに当たっては、ターゲットを数回照射しく電子
ビーム露光）、各照射での電子ビームは異なるパターン
にする必要がある。これらの照射間では他の処理工程を
行う為にターゲットは電子像投影器がら除去される。

従って、順次のパターンの位置合ゎせを行う為に整合の
容易さが必要きなる。整合には一般に２つの工程、すな
わちターゲット３と光電陰極マスク１との間に何らかの
位置的誤差があるか否がを決定し、位置的誤差がある場
合にはどの程度かを決定する工程と、このような誤差を
補正する工程とが含まれる。実際にはこれら２つの整合
工程は例えばサーボシステムを用いて同時に行うことが
できる。

第１の整合工程は、装置の全製造処理中ターゲット上に
維持されている基準マーカパターンを用いて行われる。

この製造処理中に用いられる光重陰極マスクの各々にも
対応するパターンが設けられている。基準マーカパター
ンの位「は、グリッド２とターゲット３との中間で投影
電子が占める領域の外部に位置する電子検出器りを用い
て、基準マーカパターンから後方散乱する電子を検出す
ることにより確認することができる。ターゲットが電子
感応レジスト層を被覆した半導体ウェファである場合に
は、ターゲット上の基ＪＱｉマーカパターンを例えば二
酸化珪素のバー（細長部）がら形成するか、或いは半導
体ウェファの表面に設けた形状部、特にピット（孔）を
以て構成しうる。電子検出器りの出力は、第２の整合工
程を行うのに、すなわちパターン化した電子ビームを横
方向に偏向させてこの電子ビームがターゲット上の正し
い位置に入射されるようにすることにより位置誤差を補
正するのに用いることができる。

第１の整合工程には後に詳細に説明するようパターン化
した電子ビームを偏向させることも含めることができる
ことに注意する必要がある。

第１図に線図的に示されるように、グリッド２とターゲ
ット３との間は静電偏向板１６ａ、１６ｂが設けられ、
パターン化された電子ビームがグリッド２からターゲッ
ト３まで通過する際に静電的に偏向されるようになって
いる。図示されているように、グリッドの番孔ずなわら
各電子再透過部分には一対の偏向板が関連しており、ビ
ームは＄１の方向に偏向される。番孔には偏向板１６ａ
、　１６ｂ　に対し直角に配置した他の対の偏向板を関
連させ、ビームを前記の’；Ｉｓ　１の方向に対し直角
な方向に偏向させるようにすることができる。偏向は隣
接の偏向［１６ａ、１６ｂ間に適当な電位差を印加する
ことにより達成される。偏向の程度は隣接の偏向板１６
ａ。

１６ｂ　にまたがる電界強度に依存し、この電界強度は
これら偏向板間の電位差および間隔の双方に依存する。

グリッド２の孔すなわち電子再透過領域のピッチを例え
ば２００　μｍとする場合には、隣接の偏向板１６ａ、
　１６ｂ　の間隔は例えば１００　μｍ　とすることが
できる。適切な偏向静電界は］　ｆｌ　Ｖ・Ｃｎｌ　’
程度であり、この場合隣接の偏向板間には１０ｖ　のみ
の電位差を印加する必要がある。偏向板１６ａ、１ｆｉ
ｌｌの８対には同じ偏向電界を印加する必要がある為、
すべての対応する偏向板１６ａ　を互いに電気的に接続
し、同様にすべての対応する。偏向板］　［ｉ　ｌＩを
ｌｊ、いに電気的に接続することができる。直角に配置
した他の偏向板に対しても同じことが成立つこと勿論で
あり、これら他の偏向板は偏向板１ｆｉａ、Ｉｆｉｂか
ら電気的に分離する必要があるも、対応するこれら他の
偏向板を電気的に相１１″、接続し、異なる電界強度を
互いに直角な２つの方向に１−ｊえ、これにより完全な
偏向能力が１．ヒられるようにすることができる。偏向
の量および方向の双方は静電偏向板の長さＬｌおよびグ
リッド２からのこれら偏向板の分離距離Ｌ２に依存する
。この点を第２ａ、２ｂ　および２（７図面の簡単な説
明する。これらの図は、静電偏向板をターゲット３とク
リッド２との間の種々の位置に設けた場合の電子ビーム
の偏向程度および方向を定性的に示す。これらの図には
直角座標軸が示されており、ｚ軸は図面の面に対し垂直
で図面の面からその裏側に向がって延在する。各々の場
合、電子ビームはｚ軸の正方向に、すなわち図面の面の
表側から裏側に直線的に移動するものとする。磁界Ｈの
方向も電子ビームと同じ方向である。各々の場合、偏向
静電界口、はｙ軸の負方向に印加される。第２ａ図は、
静電偏向板をＬ２−ｏ−ｄ（ここにｄはターゲット３と
グリッド２との間の間隔である）に配置した場合、すな
わち偏向板がグリッドの入射面と一致する場合の仮定状
態を示す。この状態では、電子ビームはターゲットに衝
突するまで磁界Ｈによる影響の下でらせんの完全な１回
転を１品き、正味の偏向効果は零となる。

１．２＝’／４ｄ（第２ｂ図）の場合には、電子ビーム
はターゲットに衝突するまで、静電偏向力を受けた後磁
界Ｈによる影響の下でらせんの１回転のうちの３／４の
みを描く。従らて全体の偏向は正のｙ軸およびｙ軸の双
方に対し４５°の方向にある。偏向の量は矢印りの長さ
で示す。第２ｃ図は、静電偏向板を１２＝’／２ｄ　の
位置に配置した場合の状態を示す。

この場合、電子ビームはターゲットに衝突するまで静電
偏向力Ｂｄ　を受けた後磁界ｌ］による影響の下でらせ
んの半回転を描く。この場合、正味の偏向は正のｙ軸方
向にあり、この場合偏向の量は矢印りの長さによって示
すように所定の電界強度Ｂｄ　に対し最大となる。

上述したところから明らかなように、偏向方向は静電偏
向板の向きによるばかりではなく、グリッドおよびター
ゲットに対するこれら偏向板の位置によっても決定され
るものである。それにもがかわらず、２対の静電偏向板
を常に、電子ビームが互いに直角な方向に偏向されるよ
うに向け、これによりグリッドおよびターゲットに対す
るこれら偏向板の位置にかかわらず最大の偏向能力が１
１）られるようにすることができる。

特定の一例を考慮した計算から明らかなように、偏向感
度を約０，１４μｍ　／Ｖとする場合、隣接偏向板の間
隔を１００　μｍとすると、偏向板の長さり、は約１０
０　μｍとなり、偏向板とグリッドＬ２との間隔は約３
．０ｍｍとなる。１０μｍ程度の代表的な偏向量を必要
とする場合、この条件は偏向感度を０．１４μｍ　／Ｖ
とし、隣接の偏向板間の電圧差を３５ボルトとすること
により達成しうる。

前述したように、グリッドは電子照射中このグリッド自
体の平面内で移動する。グリッドを光電陰極マスク１に
対し正確に平行に且つ光電陰極マスク１からの一定の距
離に維持するようにこのグリッドを移動させる適当な装
着法は前記の英国特許出願第８３２３７６９号明細書に
詳細に説明されている。グリッドの移、動は、ベローズ
を介して真空室の外部から或いは１個以上のブルドン管
を用いて真空室内で空気圧力的に行うことができる。グ
リッドを移動させる他の手段は前述した英国特許出願第
８３２３７６９号明細書に記載されている。

本例の場合、偏向板１６ａ、１６ｂが陽極グリッドに剛
固に連結されている為、偏向板とグリッド中の孔との相
対位置は固定状態に維持される。従って、グリッドを通
過するビームの電子はすべて等しく偏向される。第１図
では、偏向板１６ａ、　１６ｂ　とグリッド２との間に
延在する電気絶縁性の分離手段１７として前記の剛固な
連結を示しである。異なる構成とした偏向板、グリッド
および分離手段の例は後に詳細に説明する。

静電偏向は、前述したように第２整合工程でターゲット
に対する電子ビームの位置を補正するのに用いることが
できること明らかである。これに加え或いはこれに代え
て静電偏向を第１整合工程で何らかの位置的誤差および
その量が決定された際に用いるようにすることもできる
。この目的の為に、基準マーカパターン、例えば長さが
１００　μｍで、幅が５μｍで、互いに５μｍだけ離間
され、Ｘ軸方向に延在する１０本のバーの列と、ｙ軸方
向に延在する１０本のバーの同様な列とをターゲット上
に設ける。これらのバーは例えば１μｍの１′７．さの
二酸化珪素或いは０．１　μｍの厚さの珪化タンクルを
以て構成するか、または半導体装置を製造する場合には
半導体ウェファの表面に約２μｍの深さで形成したピッ
トを以て構成することができる。

光電陰極マスク１は、ターゲット上の基準マーカパター
ンに相当するパターン化部分を生じるようにパターン化
させる。パターン化された電子ビームがターゲットに対
して正確に整合されると、基準マーカパターンに相当す
るパターン化部分はターゲット上の基準マーカパターン
上に入射される。

電子検出器りを用いて、基ｉ（Ｃ！マーカパターンから
後方散乱する電子を検出することによりいかなる整合誤
りをも決定することができる。パターン化された電子ビ
ームをＸ軸およびｙ軸方向に発振的に偏向させその発振
周波数或いは位相を２方向で異ならせるようにした変調
技術を用いて位置的誤差を決定することは既知である。

この場合、位相検出技術を用いて２つの直角方向におけ
る偏移間の判別を行い、２つの軸方向における整合を同
時に行うようにすることができる。この変調技術は英国
特許第１．４６７、　Ｏ’７９号明細書で詳細に説明さ
れている。既知の電子像投影器では変調が磁気的に行わ
れているが、本発明の電子像投影器では、前述した寸法
の場合約１５ボルトの発振振幅を有する変調電圧差を偏
向板に印加することにより変調を静電的に達成すること
ができる。電圧差の大きさによって決定される変調の振
幅は偏向板１６ａ、　１６ｂの組とこれに対し直角に向
けた１周向板の組との双方に対し同じにすることができ
るも、変調の周波数或いは位相はそれぞれの偏向板の組
に対し異ならせる必要がある。静電４Ｈ向の場合、パタ
ーン化さた電子ビームは磁気偏向を用いた場合に可能な
よりも可成り高い周波数で変調せしめることができる。

例えば、静電偏向の場合の変調周波数はキロヘルツのオ
ーダにすることができ、一方の軸方向における周波数は
代表的にこれに対し直角な他方の軸方向における周波数
の２倍にすることができる。このようにすることにより
位置誤差情報を一層迅速に得ることができる。従って、
前述しすこ後方散乱電子検出技術と関連して全整合処理
を極めて短い時間で終了させることができる。

静電偏向は双方の整合工程で用いる必要はないことに注
意する必要がある。静電偏向は第１整合工程でのみ用い
て迅速な変調を行うことができるのに対し、通常の偏向
コイルを用いる磁気偏向は第２整合工程で位置誤差を補
正するのに用いられている。

静電変調のみを用いる為には、静電偏向板をグリッドの
全面積に亘って設ける必要はなく、偏向させる必要のあ
る基準マーカパターンに相当するビームの部分のみに設
ければよい。第３図に線図的に示すように、偏向板１１
６ａ、１１．６ｂは陽極のグリッドのターゲット側の面
上の２つの個別の領域ＡおよびＢにのみそれぞれ設ける
。光電陰極マスクおよびターゲットには第１図と同様に
符号１および３をそれぞれ付した。領域ＡおよびＢはタ
ーゲット上の基準マーカパターンＣおよびＤにそれぞれ
対応する。マーカパターンＡはＸ軸の方向に対する位置
情報を得る為にｙ軸方向に延在する例えば１０本の平行
なバーの列を有し、マーカパターンＢはｙ軸方向に対す
る位置情報を得る為にＸ軸方向に延在するバーの同様な
列を有する。

図面を明瞭とする為に第３図には、マーカパターンを上
述した４本のみのバーを有するように示しである。マー
カパターンＡにおける偏向板１１６ａは電子ビームの一
部分をＸ軸方向でマーカパターンＣに亘って偏向させる
ように向け、マーカパターンＢにおける偏向板１１６ｂ
は電子ビームの一部分をｙ軸方向でマーカパターンＤに
亘って偏向させるように向ける。残りの領域では、電子
ビームは偏向されずにターゲット上に衝突する。基準マ
ーカパターンＣおよびＤは既知のように回転情報が追加
的に得られるように互いに離間させる。

偏向板１１６ａ、　１１６ｂ　の向きは前述したように
陽極グリッドに対するこれら偏向板の位置によって決ま
る。これら偏向板は同一平面内にある為、偏向板１１６
ａは互いに直角な偏向が１１１られるように偏向板１１
６ｂに対し直角とする。第３図では、偏向板１１６ｂを
正のＸ軸および正のＸ軸の双方に対して４５゜に向ける
。偏向板１１６ａは正のＸ軸および負のｙ４’ｌｌ＋に
対し４５°に向ける。これらの向きの場合、（ＪＡｆ向
板はグリッド２とターゲット３との間でターゲットに対
するよりもグリッド２に対して近い１／４　の位置に位
置させる。従ってこの場合Ｌ２＝１八となる。

次に第４ａおよび第４ｂ図を参照して、第１図の電子像
投影器に用いる為の静電偏向装置を説明する。

この場合、偏向板のシステムは陽極グリッドと一体にな
っており、電子ビームを第４ａ図に矢印で示す磁界１（
に対し交差する一方向に偏向させる。第４ａおよび４ｂ
図は偏向装置の一部分のみを示す。電子の投射方向は磁
界Ｉ」と同一方向であることに注意する必要がある。

陽極グリッド２はホトエツチングしろるガラス、例えば
Ｃｏｒｎｉｎｇ社から市販されているホトポルム（Ｆｏ
ｔｏｆｏｒｍ：登録商標）の２１１１１＋１厚の板がら
造る。このガラスにはホ）　ＩＪソゲラフ技術および腐
食技術を用いて孔２０を形成する。これらの孔２ｏは横
方向寸法が例えば１５０　μｍとした正方形（横断面で
）とすることができる。隣接する孔２ｏの間隔は例えば
５０μｍとすることができ、従っ−Ｃ孔２ｏのピッチは
約２００　μｍとなる。第４ａ図では一定の孔を有する
ように示したが、これらの孔がテーパーを有し、幅狭端
部がグリッド２・の入射面に位置するようにすることが
できる。

有孔ガラス板の表面３１上には例えばクロムを２０００
人の厚さに蒸着することにより陽極金属化層３０を設け
、グリッド２の周辺には第１図に線図的に示すように導
電性リング９を介して電気接点を形成する。陽極金属化
層３０はクリッドの入射面を構成する。

グリッド２と一体の偏向板１６ａ、１６ｂは、入射面側
とは反対側のグリッドの側で孔２０の各々の２つの対向
する壁部２０ａ、　２Ｏｂ上にクロムを例えば２０００
人の厚さに蒸着することにより形成する。孔２０の対向
する壁部２０ａ、　２Ｏｂ上への蒸着は第４ａ図に矢印
Ａｌおよび＾２で示す２方向での方向性蒸着により達成
する。隣接する孔２０間のグリッド２の残存部分２１が
影となるシャドウ効果により、偏向板が延在する深さが
制限される。蒸着方向は例えば第４ａ１ｇｌに示すよう
に有孔ガラス板の主表面３２に対し４５゜の角度とし、
偏向板１６ａ、　１６ｂが表面３２から孔２０内に約１
５０μｍだけ延在するようにすることができる。蒸着の
方向が他の２つの壁部２０ｃ、　２０ｄ　に対し平行と
なるようにするか或いは蒸着を望まない２つの壁部２０
ｃ、　２０ｄを蒸着前に例えば腐食により表面３２から
削減するか、またはこれらの双方を行うことにより、孔
２０内でのクロムの蒸着を２つの壁部２０ａ、　２０ｂ
　に制限することができる。方向性蒸着中、クロムは有
孔ガラス板の全表面３２上に層として堆積される。従っ
て、このクロム層を通常のホトリソグラフおよびｌｌｌ
Ｋ食技術を用いてパターン化し、偏向板１６ａを偏向板
１６ｂがら電気的に分離するとともにすべての（Ｊｒｉ
ｌ向板１にａ　を、またすべての偏向板１６１１をそれ
ぞれ互いに電気的に接続するクロムの相互接続部２２ａ
　および２２ｂ（第４ｂ図）を形成する。偏向板１６ａ
、　１６ｂを表面３２上に約１５μｍだけ延在させるこ
とにより、隣接する偏向板１６ａ、　１６ｂが２０μｍ
だけ互いに離間し、相互接続部２２ａ、　２２ｂの幅が
１５μｍとなるようにすることができる。また相互接続
部２２ａ　および２２１）間に電位差を与えることによ
り、等しい強度で同じ方向の電界を偏向板１６ａ、　１
６ｂの各対間に形成する。

本例では、グリッドの多孔を一対の静電偏向板と関連さ
せて電子ビームを磁界１］に対し交差する方向に偏向さ
せることができる。しがし前述した点で、偏向板１６ａ
、　１６ｂ　はグリッド２の孔２ｏの各々に設ける必要
はないこと明らかである。特に電子ビームを整合の目的
で変調させる必要がある場合には、偏向板をグリッドの
ある領域のみに設けるようにすることができる。この場
合、ターゲット上の基準マーカパターンに対応する１領
域を設けて同様にパターン化した電子ビーム部分を第１
方向に偏向させ、ターゲット上の他の基準マーカパター
ンに対応する他の領域を設けて同様にパターン化した電
子ビームを前記の第１方向に対し直角な方向に同時に偏
向させることができる。偏向板の向きは前述したように
グリッドがらのこれら偏向板の距離に依存するも、■領
域における偏向板は他の領域における偏向板に対し直角
となる。前述したところから明らがなように、この構造
は、金属化を必要としない領域をマスクして関連の領域
に偏向板材料の適切な方向性蒸着を行い旧っすツクラフ
技術によるパターン化を行うことにより得ることができ
る。

次に第５ａ〜５ｃ図を参照して、第１図の電子像投影器
に用いられる静電偏向装置であって、磁界（第５ａ図に
矢印１」で示す）に対し交差する２つの互いに直角な方
向に電子ビームを偏向させる静電偏向装置につき説明す
る。この場合も電子の投射方向は磁界Ｈと同じ方向であ
ることに注意する必要がある。

この偏向装置はあらゆる点で第４ａ及び４ｂ図につき説
明したクリッドに等価である陽極グリッドＧを有してお
り、従って同様に電子ビームを一方向に偏向させる一体
の偏向板１６ａ、　１６ｂを有している。

第５Ｃ図は、グリッドＧの１個の孔を、偏向板１６ａ。

１６ｂが存在する側から見た平面図である。前述したよ
うに偏向板１６ａ、　１６ｂ　は孔２０の２つの対向す
る壁部２０ａ、　２Ｏｂ　上にある。

陽極金属化層３０の側とは反対側のグリッドＧの側には
他のグリッドＦを設ける。これら２つのグリッドは絶縁
材料、例えばＰ’ｒｌｉ［ｉ（ポリテトラフルオルエチ
レン）より成る環状離間部材２５により剛固に連結し、
これらクリットを離間関係に賄持する。グリッドＦと陽
極グリッドＧとの間隔は例えば３　ｍｍとすることがで
きる。

グリッドＦは、陽極グリッドＧの寸法と同じ寸法でホト
エツチングしうるガラスより成る有孔板３５を有するよ
うにすることができる。有孔板３５の孔２００　の対向
する壁部２００ｃ、　２（Ｉｆｌｄ　上には、陽極グリ
ッドＧの偏向板１６ａ、　１６ｂ　に対するように方向
性蒸着およびこれに続くホ）　ＩＪソゲラフ技術を用い
て偏向板１６ｃ、　１６ｄ　を設ける。第Ｆｉｂ図はグ
リッドＦの１個の孔を、偏向板１６ｃ、　ｆ６ｃｌが存
在する側から見た平面図である。偏向板１６Ｆ：、　１
ａｉｄ　は陽極クリッド上に形成された偏向板１６ａ、
　１６ｂ　に対し、電子ビームがほぼ互いに直角な２つ
の方向に偏向されるように向ける。前述したところから
明らかなように、偏向板の相対的な向きはグリッドＦお
よびＧの間隔によって決まる。この間隔は異なる厚さの
離間部材２５を用いることにより簡単に変えることがで
きる。

しかし、グリノＦは、偏向板１６ｃ、　１６ｄ　がグリ
ッドＧ側とは反対側の有孔ガラス板３５の表面に位置す
るように構成することができ、この場合偏向板１６ａ、
　１６ｂ　と偏向板１６ｃ、　］６ｄ　との間隔はガラ
ス板３５の厚さにも依存することに注意する必要がある
。

この場合所望に応じ、離間部材２５を完全に省略するこ
とができる。その理由は、ガラス板３５が偏向板１６ａ
、　１６ｂを偏向板１６ｃ、１６ｄ　から電気的に絶縁
する為である。

これら双方の場合、クリッドＦは陽極金属化層を必要と
しないという点を除いてグリッドＧを造る場合と同様に
して造ることができる。

第６ａ〜６０図は第１図の電子像投影器に用いられる偏
向装置の変形例を示し、この場合も電子ビームを２つの
互いに直交する方向に偏向させる。この場合陽極グリッ
ドＧ＊はその上に偏向板が存在しないという点を除いて
第５ａ図につき説明した陽極グリッドＧに類似させるこ
とができる。その代わり、互いに直角な偏向板］［１（
ｌａ、１６０ｂおよび１６０ｃ。

１６０ｄの２つの組を他のグリッドＦ＊の互いに対向す
る主表面にそれぞれ設ける。偏向板１６０ａおよび１６
０ｂも方向性蒸着およびリンクラフ技術により、陽極グ
リッドＧ＊側とは反対側にある主表面においてグリッド
Ｆ＊の孔２００　の対向壁部２００　ａおよび２００ｂ
上にそれぞれ設ける。第６ｂ図は１個の孔２００　およ
びこれに関連する偏向板を陽極クリッドＧ＊側とは反対
側のグリッドＦ＊の側から見たＮｌｉ面図である。偏向
板１６０ｃおよび１６０ｄは同様な方向性蒸着およびリ
ングラフ技術を用いて陽極クリッドＧ＊に対向する主表
面においてグリッドＦ＊の孔２００　の互いに対向する
壁ｆｉｌ＜　２００　ｃおよび２００ｄ　ｌ二にそれぞ
れ設ける。偏向板１６０ｃ、　１６［］ｄを設ける為の
蒸着方向は偏向板１６（ｌａ、　１Ｇ［］ｂを設ける為
の蒸着方向に対し直角とする。第６ｃ図は１個の孔２　
（ｌ　ｆｌ　およびこれに関連する偏向板を陽極クリッ
ドＧ＊に対向するグリッドＦ＊の側から見たｉｌｉ面図
である。

偏向板１６０ａ、　１６０ｂ　および１６０ｃ、　１６
０ｄ　の双方の組は同じグリッドＦ＊の一部を構成し且
つ陽極グリッドＧ＊から電気的に絶縁されている為、陽
極グリッドＧ＊は例えば有孔銅板のような導電性材料て
形成することができる。

第６ａ〜６０図に示ず孔２　＋１０　は正方形の横断面
を有するも、これらを正確に正方形とせずに、これらの
孔が偏菱形の横断面を有し、孔の対向壁部上に設けられ
た偏向板が互いに５１７行となるも隣接の壁部上の偏向
板に対し直角とならないようにするのも好ましい。この
ようにすることにより、偏向板１６０ａ、　１６０ｂお
よびＨＥｃ、　ｌ［１ｌｂｌ　の異なる組の長手方向の
間隔に対し補償を行い、電子ビームを２つの互いに直角
な方向に偏向ぜしめうるようにすることがてきる。偏菱
形の孔の隣接壁部間の正確な角度はグリッドＦ＊を形成
する板の厚さに依存する。

この板がホトエツチング可能なガラスではなく（１１０
）珪素を有する場合には、例えばエチレンジアミンと、
ピロカテコールと、水との混合液を腐食剤として用いて
異方性腐食を行い、珪素板の厚さ全体に亘って垂直壁お
よび偏菱形横断面を有する孔を形成することができる。

珪素の異方性腐食自体は周知の技術であり、特別な腐食
に関する一層詳細な情報としては“１．　Ｂ、　［ｉ、
ε、　Ｔ　ｒ　ａ　ｎ　ｓ。

旧ｅｃ、　ロｅｖｉｃｅｓ”、Ｖｏｌ、８０２５．　１
０　、＋１１］、１１８５−９３（１９７８年）の［１
ｅａｎ氏による論文を参照しうる。前述したように珪素
の厚さは、孔の隣接する壁部の相対的な傾きに依存して
２つの互いに直角な偏向方向が得られるように決定する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による電子像投影器の一例を示す線図
的断面図、 第２ａ〜２０図は第１図の電子像投影器における静電偏
向効果を示す線図的説明図、 第３図は、電子像投影器の数個の構成素子を示す線図的
斜視図、 第４ａ図は、本発明の１実施例における陽極グリッドの
一部分と静電偏向板の数個とを示す線図的断面図、 第４ｂ図は、第４ａ図の偏向板の面側から見た平面図、 第５ａ図は、本発明の他の実施例における陽極グリッド
の一部分と静電偏向板の数個とを示す線図的断面図、 第５ｈおよび５０図は、第５ａ図における偏向板の対を
示す平面図、 第６ａ図は、更に他の実施例における陽極グリッドの一
部分と偏向板の数個とを示す線図的断面図、第６８およ
び６（：図は、第６ａ図における偏向板の対を示す平面
図である。 ｌ・・・光電陰極マスク　２・・・グリッド３・・ター
ゲット　４・・・石英円板 ５・・・パターン化層　６・・・光電子放出層８・・・
真空室　９・・・導電性リンク１０・・・電子感応レジ
スト層 １１・・・半導体ウェファ　１２・・・チャック１３・
・・紫外線ランプ １（ｉａ、１６１，１ｆｉｃ、１６ｄ、１１６ａ、１１
６ｂ、１６Ｇａ、１６０ｂ、１６（ｌｃ。 １６０ｄ・・静電偏向板 １７・・分離手段　２（）・・・孔 ２２ａ、　２２１＋・・・相互接続部 ２５・・・離間部材　：ｌＯ・・・陽極金属化層３５・
・・有孔板　Ｇ、Ｇ＊・・・陽極グリッドＦ’、Ｆ＊・
・・グリッド

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■、　陰極によって放出せしめられた電子ビームをほぼ
   均一な電界の作用の下でターゲット上にほぼｌの倍率−
   Ｃ投射する電子像投影器であって、前記の電子ビームは
   前記の電界に対し交差するように延在する所定の空間パ
   ターンを有するようにした電子像投影器において、該電
   子像投影器は電子放出陰極と、電子再透過領域のアレイ
   を持つグリッドを有する陽極とを具えており、前記のア
   レイは前記の空間パターンと少なくとも同じ広がりとな
   っており、前記のクリッドは陰極とターゲットとの間に
   月つこれらにζ１１行に配置されており、これにより作
   動中電界が陰極と陽極グリッドとの間に生ぜしめられ、
   前記の電子像投影器は更に、前記の電界に対し平行でほ
   ぼ均一な磁界を生ぜしめ、電子のパターン化ビームをタ
   ーゲット上に集束せしめる手段と、ビームの電子を前記
   の電磁界に対し交差する方向に偏向せしめる偏向手段と
   を具えており、該偏向手段は電子ビームが陰極に面する
   グリッドの表面からターゲットに流れている際にこの電
   子ビームの少なくとも一部分を偏向させるように配置し
   た静電偏向板を有していることを特徴とする電子像投影
   器。 ２、特許請求の範囲１記載の電子像投影器において、陰
   極に面するクリッドの表面は磁界の焦点とほぼ一致する
   ように配置されていることを特徴とする電子像投影器。 ３、　特許請求の範囲１または２に記載の電子像投影器
   において、前記の静電偏向板はビーｌ、の電子を２つの
   互いにほぼ直角な方向に偏向せしめるように配置されて
   いることを特徴とする電子像投影器。 ４、　特許請求の範囲１〜３のいずれか１つに記載の電
   子像投影器において、電子再透過陽極グリッドは複数の
   部分を具え、これらのｒ８１−分の各々はそれぞれ関連
   する静電偏向板の組を具えていることを特徴とする電子
   像投影器。 ５．　特許請求の範囲１〜４のいずれが１つに記載の電
   子像投影器において、前記の陽極グリッドは比較的電子
   を透過しうる領域と、比較的電子を透過しえない領域と
   のアレイを有しており、電子を透過しうる各領域はそれ
   ぞれ関連する静電偏向板の組を有していることを特徴と
   する電子像投影器。 ６、　特許請求の範囲１〜５のいずれが１つに記載の電
   子像投影器において、この電子像投影器が電子の移動方
   向に対し交差する方向にグリッドを移動させる手段を具
   えており、静電偏向板が電子再透過陽極グリッドに対し
   て剛固に固定されていることを特徴とする電子像投影器
   。 ７、　特許請求の範囲１〜６のいずれか１つに記載の電
   子像投影器において、ビームを少なくとも一方向に偏向
   させる偏向板が、陽極グリッドに剛固に連結されている
   他のグリッドの一部分を形成していることを特１敷とす
   る電子像投影器。 ８、　特許請求の範囲１〜７のいずれが１つに記載の電
   子像投影器において、陽極クリッドが有孔絶縁部材を具
   え、ビームを少なくとも一方向に偏向させる偏向板が前
   記の絶縁部材中の孔の壁部上に設けられていることを特
   徴とする電子像投影器。 ９、　陽極グリッドが有孔絶縁部材を具え、ビームを少
   なくとも一方向に偏向させる偏向板が前記の絶縁部材中
   の孔の壁部上に設けられている特許請求の範囲７記載の
   電子像投影器において、前記の他のグリッドが有孔絶縁
   部材を具え、ビームを一方向に偏向させる偏向板が陽極
   グリッドの絶縁部材中の孔の壁部」二に存在し、ビーム
   を１１に角方向に偏向させる偏向板が前記の他のグリッ
   ドの絶縁部材中の孔の壁部上に存在しているこきを特徴
   とする電子像投影器。 １０、特許請求の範囲７記載の電子像投影器において、
   前記の他のグリッドが有孔絶縁部材を具え、ビームを一
   方向に偏向させる偏向板が前記の他のグリッドの絶縁部
   材の一主表面でこの絶縁部材中の孔の壁部上に存在し、
   ビームを直角方向に偏向させる偏向板が前記の他のグリ
   ッドの絶縁部材の反対側の主表面でこの絶縁部材中の孔
   の壁部上に存在していることを特徴とする電子像投影器
   。 １１、特許請求の範囲１〜８のいずれか１つに記載の電
   子像投影器において、電子再透過陽極グリッドが、電子
   ビームの一部分を第１方向に偏向させるように向けられ
   た関連の静電偏向板を有する少なくとも１つの領域と、
   電子ビームの他の一部分を前記の第１方向とは異なるｆ
   Ｊ！　２の方向に同時に偏向させるように向けられた関
   連の偏向板をイ１する少なくとも１つの他の領域とを有
   しＣいることを特徴とする電子像投影器。