JPS637514A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

Info

Publication number
JPS637514A
JPS637514A JP15117586A JP15117586A JPS637514A JP S637514 A JPS637514 A JP S637514A JP 15117586 A JP15117586 A JP 15117586A JP 15117586 A JP15117586 A JP 15117586A JP S637514 A JPS637514 A JP S637514A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
recording medium
magnetic recording
medium according
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15117586A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0827931B2 (ja
Inventor
Kenji Yokoyama
横山　研二
Masatoshi Nakayama
正俊 中山
Fumio Maruta
丸田　文生
Kunihiro Ueda
国博 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP61151175A priority Critical patent/JPH0827931B2/ja
Priority to US07/041,489 priority patent/US4889767A/en
Publication of JPS637514A publication Critical patent/JPS637514A/ja
Publication of JPH0827931B2 publication Critical patent/JPH0827931B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Paints Or Removers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工　発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは、いわ
ゆるハードタイプの磁気ディスク、磁気ドラム等の耐久
性等の改善に関するものである。
先行技術とその問題点 磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、−般に
磁気ディスク、またはディスク媒体と呼ばれ、その基本
構造はドーナツ状の基板と通常その両面に設層された磁
性層を有している。
このような記録媒体の基板材質は、例えばアルミ合金等
のハード材と、磁気テープ媒体と同じマイラーなどのプ
ラスチック材の二種類があり、−般に前者をハードタイ
プの磁気ディスク、後者をフレキシブルディスクと呼ん
でいる。
ところで、磁気ディスク装置、磁気ドラム装置における
磁気記録媒体、特にハードタイプの磁気ディスクでは、
磁気ヘッドとの機械的接触に対する耐久性、耐摩耗性等
の点で問題があり、そのため通常これらの磁気記録媒体
には保護膜が施される。　このような媒体の保護膜とし
て、従来無機保護膜あるいは固体潤滑剤等の憫滑膜を設
けることが知られている。
無機保護膜としては、Ｒｈ、Ｃｒ（特公昭５２−１８０
０１号公報）Ｎｉ−Ｐ（特公昭５４−３３７２６号公報
）、そのほか、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｐｔ、Ｐｄ（特公昭５７−６１７７号公報）、Ｎ１−Ｃ
ｒ（特公昭５７−１７２９２号公報）等が用いられ、他
方、固体潤滑剤としては、無機ないし有機の潤滑剤、例
えば、珪素化合物、例えばＳｉＯ２，５ｉＯ１Ｓｉ３Ｎ
４等（特公昭５４−３３７２６号公報）、ポリ珪酸もし
くはシランカップリング剤、例えばテトラヒドロキシシ
ラン、ポリアミノシラン等（特公昭５９−３９８０９号
公報）およびカーボン等が使用されている。
しかしながら、磁性層上に設けられるこれらの従来の保
護膜の材質および構造では、媒体の耐久性、耐摩耗性、
耐候性、耐食性等が満足できるとはいえない。
そこで、本発明者らは、先に、カーボン保護層上に有機
フッ素化合物のトップコート層を設けると耐久性、耐摩
耗性、耐候性、耐食性等か格段と向上する旨を提案して
いる〔特願昭６０−２８９０１０号、同６０−２８９０
１１号、同６０−２９６３０１号、同６０−２９６３０
２号、同６０−２９６３０３号、同６０−２９６３０４
号、昭和６１年４月３日の特許願、同４月４日の特許願
（１）〕。
しかしなから、これらの諸特性に対する要求は厳しく、
さらにより一層の改善が要望されている。
■　発明の目的 本発明の目的は、媒体の耐久性、耐摩耗性、耐候性、耐
食性等に優れ、ヘッド吸着もなく、実用に際してきわめ
て高い信頼性を有する磁気記録媒体を提供することにあ
る。
■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、非磁性基体上に、金属薄膜磁性層を
有し、この上に有機金属プラズマ重合膜を有し、さらに
この上に有機フッ素化合物を含有するトップコート膜を
有することを特徴とする磁気記録媒体である。
■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。　
第１図には本発明の磁気記録媒体の一実施例が示されて
いる。
本発明の磁気記録媒体１は、非磁性基体２Ｌに一般に下
地層３を有し、この下地層３の上には通常、非磁性金属
中間層４を存し、この七に金属薄膜磁性層５（以下、磁
性層という）、有機金属プラズマ重合膜６、さらにより
好ましい態様としてこの上にカーボン保護膜を、そして
この上に有機フッ素化合物を含有するトップコート膜７
を順次有してなる。
本発明の有機金属プラズマ重合膜６は、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ
２　、Ｎ２等のキャリヤーガスの放電プラズマと、有機
金属ガスまたは有機金属を有機溶剤に溶解した時の発生
ガスとを混合し、被処理基体表面にこの混合ガスを接触
させることにより形成することができる。　使用される
有機金属ガスとしては、スズ５チタニウム、アルミニウ
ム、コバルト、鉄、銅１．二・ンケル、マンガン、亜鉛
、鉛、ガリウム、インジウム、水銀、マグネシウム、セ
レン、砒素、金、銀、カドミウム、ゲルマニウム等の有
機化合物あるいは錯塩のうちプラズマ重合可能なもので
あればいずれもイ吏用しうる。
具体例を挙げると次のようになる（Ｒは有機基を表し、
モしてＸは水素あるいはハロゲンを表わす）： （八）　　　　Ｍ”Ｒ 例　フェニル銅、フェニル銀 ■ （Ｂ）　　Ｍ　　Ｒｏ　Ｎ２−ｏ　　（０＝　１　、　
２　）例　ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、ヨウ化メチル
水銀、ヨウ化メチルマグネシウム、臭化エチルマグネシ
ウム、ジメチル水Ｓ艮、ジメチルセレン、ジメチルマグ
ネシウム、ジエチルマグネシウム、ジフェニルマグネシ
ム、ジメチル亜鉛、ジ−ｎ−プロピル亜鉛、シーｎ−ブ
チル亜鉛、ジフェニル亜鉛、ジフェニルカドミウム、ジ
エチル水銀、ジ−ｎ−プロピル水銀、アリルエチル水銀
、ジフェニル水銀、■ （Ｇ）　　Ｍ　　ＲｐＸ３−、（ｐ＝１．２．３）例　
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リイソブ千ルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリ
メチルインジウム、ジエチルアルミニウムクロリドトリ
メチル金 ■ （Ｄ）Ｍ　　Ｒ９Ｘ４−、（ｑ＝ｔ、２，３．４）例　
テトラメチルスズ、ジ−ｎ−ブチルスズマレート、ジブ
チルスズシアセラート、テトラ−ｎ−ブチルスズ、テト
ラエチル鉛、テトラメチルゲルマン、テトラエチルゲル
マン、ジエチルシクロケルマナヘキサン、テトラフェニ
ルケルマン、メチルケルマン、エチルゲルマン、ｎ−プ
ロビルゲンマン、トリエチルケルマン、ジフェニルケル
マン、トリフェニルケルマン、トリメチルブロムケルマ
ン、トリエチルブロムゲルマン、トリエチルフルオロゲ
ルマン、トリエチルクロルケルマン、ジメチルジクロル
ゲルマン、メチルトリクロルゲルマン、ジエチルジクロ
ルゲルマン、ジエチルジブロムゲルマン、ジフェニルジ
ブロムゲルマン、ジフェニルジクロルゲルマン、エチル
トリブロムゲルマン、エチルトリブロムゲルマン、ｎ−
プロピルトリクロルゲルマン、テトラエチルスズ、トリ
メチルエチルスズ、テトラアリルスズ、テトラフェニル
スズ、フェニルトリメチルスズ、トリフェニルメチルス
ズ、二塩化ジメチルスズ、三水素化ジメチルスズ、水素
化トリメチルスズ、水素化トリフェニルスズ、テトラメ
チル鉛、テトラ−ｎ−プロピル鉛、テトライソプロピル
鉛、トリメチルエチル鉛、トリメチル−〇−プロピル鉛
、ジメチルジエチル鉛、 ■ （Ｅ）Ｍ　　Ｒｓ−ｒ　　＜　ｒ＝　１．２，３，４．
６）例　へキサエチルゲルマン、ヘキサメチルニスズ、
ヘキサエチルニスズ、ヘキサフェニルニスズ （Ｆ）アセチルアセトン錯塩 例　アセチルアセトンチタニウム、アセチルアセトンア
ルミニウム、アセチルアセトンコバルト、アセチルアセ
トン鉄、アセチルアセトン鋼、アセチルアセトンニッケ
ル、アセチルアセトンマンガン 注　Ｒ＝有機塩・０１〜Ｃ１ｏ（好ましくはＣ１〜Ｃｓ
　）アルキル ・Ｃ２〜Ｃ６アルケニル （アリル） ・アリール（フェニル） ・アシルオキシ（マレオイ ル、アセチル） Ｘ＝ハロゲン　フッ素、塩素、臭素、 ヨウ素、この他、フェニルアルシンオキサイド等も使用
できる。
プラズマ重合法は、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２、Ｎ２等のキャリ
ヤガスの放電プラズマと千ツマーカスとを混合し、被処
理基体表面にこれら混合ガスを接触させることにより基
体表面にプラズマ重合膜を形成するものである。
プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度
）を獲得する。
この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。
解難した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれは、プラズマガスと呼ば
れている。
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。
このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して被処理体上にプラズマ重合膜
を形成しようとするものである。　なお低温プラズマを
利用するため、被処理体への熱影響は全くない。
被処理体表面にプラズマ重合膜を形成する装置例か第２
図に示しである。　第２図は、周波数可変型の電源を用
いたプラズマ重合装置である。
第２図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。　ガス源５
１１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混
合器５３において混合して供給する。
原料ガスは、各々１〜２５０　　ｍ見／分の流量範囲を
とりうる。
反応容器Ｒ内には、被処理体１１１が一方の回転式電極
５５２に支持される。
そして被処理体１１１を挟むように回転式電極５５２に
対向する電極５５１が設けられている。
一方の電ｇｉ５５１は、例えば周波数可変型の電源５４
に接続され、他方の回転式電極５５２は８にて接地され
ている。　さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気す
るための真空系統が配備され、そしてこれは油回転ポン
プ５６、液体窒素トラップ５７、油拡散ポンプ５８およ
び真空コントローラ５９を含む。　これら真空系統は、
反応容器内を０．０１〜１０　Ｔｏｒｒの真空度の範囲
に維持する。
操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
以下になるまで容器内を排気し、その後処理ガスが所定
の流量において容器内に混合状態で供給される。
このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。
原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。　
こうして、被処理体上にプラズマ重合膜か形成される。
なお、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｎ２な
どを使用してもよい。
また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。
プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。
このようにして形成される有機金属プラズマ重合膜６の
膜厚は３０〜３００人、より好ましくは５０〜３００人
である。　この膜厚が３０人未満であると本発明の効果
が十分でなく、３００人をこえるとスペーシングロスが
増大し実用上好ましくない。
そして、この重合膜６中に含有される金属原子Ｍと炭素
原子Ｃとの原子比Ｍ／Ｃは、０．０５〜１．０、より好
ましくは０．０８〜０．８である。
この値が０．０５未満であると、接着性の改善に寄与せ
ず、また１、０をこえるとプラズマ重合膜が硬くなりす
ぎて実用上好ましくない。
このようなプラズマ重合膜６は、被処理体（例えば基体
２）にきわめて強固に付着する三次元的に発達した均一
厚の薄膜であるために、このプラズマ重合膜６を有する
媒体は非常に耐久的に冨むものである。
このような有機金属プラズマ重合膜６は、第１図に示さ
れるごとく、通常、後述する金属薄膜磁性層５の上に直
接設けられ、さらにプラズマ重合膜６の上には有機フッ
素化合物を含有するトップコート膜７が直接あるいはカ
ーボン保護膜を介して設けられる。
すなわち、本発明の有機金属プラズマ重合膜６は金属薄
膜磁性層５とトップコート膜７ないしカーボン保護膜と
をジヨイントするための中間層的役割をも果すものであ
るが、このものは金属および有機物の両方の物性を有す
るがために、上述したような積層構造にした場合の接合
面の強度は格段と向上する。　従って、媒体としての耐
久性は格段と向上する。
このような有機金属プラズマ重合膜６の上には前述した
ように有機フッ素化合物を含有するトップコート膜７が
形成される。
トップコート膜７中に含有される有機フッ素化合物とし
ては、下記（Ａ）〜（Ｄ）、特に（Ａ）〜（Ｂ）に示さ
れるものを用いることが好ましい。
（Ａ）カルボキシパーフルオロポリエーテルまたはその
塩もしくはそのエステル このようなものとしては、下記式（Ｉ）で示される化合
物が挙げられる。
式（Ｉ） Ｒｆ（−Ｒｆ’　Ｏ＋−Ｒｆ”　Ｃ０ＯＲ。
上記式（Ｉ）において、Ｒ，ｆはフッ素原子もしくはパ
ーフルオロアルキル基またはｃｏｏｚもしくは一〇Ｒｆ
”　Ｃ００Ｚを表わす。
Ｒｆ’およびＲｆ”は、それぞれ二価のパーフルオロア
ルキレン基を表わし、これらは同一でも異なっていても
よい。　ｎは正の整数を表わし、ｎか２以七の場合Ｒｆ
”　はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１は水素、−価のカチオンまたは置換もしくは非置換
のアルキル基をあられす。　アルキル基の炭素数は１〜
５であって、しかも非置換のアルキル基が好ましい。
カチオンとしては、Ｎａ”、に十、Ｌｉ＋などのアルカ
リ金属イオンやＮＨ４＋等が好ましい。
Ｒ１で表わされる置換もしくは非置換のアルキル基とし
ては−ＣＨ３、−Ｃ２Ｒ５、−Ｃ３Ｒ７，１−Ｃ３Ｒ７
、−Ｃ４Ｈｇ、−Ｃ５Ｈ，などが挙げられる。
これらの中でも−ＣＨ３、−Ｃ２Ｒ５などが好ましい。
ＺはＲ１と同義であるか、これらＺとＲ１は同一でも異
なっていてもよい。
Ｒｆで表わされるパーフルオロアルキル基としては、−
ＣＦ３、−Ｃ２Ｒ５、−Ｃ３Ｒ７などが挙げられる。
Ｒｆ’　およびＲｆ”としては、−ＣＦ２−１−ＣＦ２
　ＣＦ２−１−ＣＦ−５ ＣＦ３ 一〇Ｆ２−１−ＣＦ２　ＣＦ２−１−ＣＦＣＦ３−ＣＦ
２−である。
なお、Ｒｆの好ましい例は、−Ｆ、 −ＣｏＯＣＨ３、−ＣｏＯＨ，−ＣｏＯＣ２Ｈ５、−Ｃ
ｏＯＣ３Ｒ７などが挙げられる。
ｎとしては１０〜１００程度であり、好ましくは３０〜
７０である。
なお、Ｒｆ’が複数ある場合、それらは互いに同一であ
つも異なってもよい。
また、上記式（Ｉ）で表わされる化合物がエステルであ
る場合、カルボン酸のモノまたはジエステルのいずれで
あってもよい。
上記式（１）で表わされるもののなかでも下記式（Ｉ−
１）〜（Ｉ−４）で示される化合物が好ましいものとし
て挙げられる。
式（Ｉ−１） ＺＯＣｏＣＦ２モ（○−ＣＦ２−ＣＦ２　）Ｎ−（０−
ＣＦ２　）　　−５−ＯＣＦ２　Ｃ００ＲＩ式（Ｉ−２
） ＣＦ３ ＺＯＣｏＣＦ２−　［（０−ＣＦ−ＣＦ２　）Ｎ−（０
−ＣＦ２　）　　］　−０ＣＦ２　Ｃ００ＲＩ上記式（
Ｉ−１）および（Ｉ−２）において、２およびＲ１は式
（１）におけるものと同義である。
２およびＲ１の好ましいものとしては、−Ｈｌ−ＣＨ３
，などが挙げられる。
ＮおよびＭの和は、上記の０と同一であり、これらはそ
れぞれ５〜５０であり、好ましくは５〜２０である。
式（Ｉ−３） 式（Ｉ−４） ＣｏＯＲ１ 上記式（Ｉ−３）および（１−４）において、Ｒ１およ
びｎは（Ｉ）におけるものと同義である。
Ｒ１の好ましいものとしては、−Ｒ２ −ＣＲ５、−Ｃ２Ｒ５等があげられる。
ｎとしては１０〜１００であり、好ましくは３０〜７０
である。
このような化合物は、分子量１０００〜１００００程度
である。
これらの化合物は公知の方法に従い合成すればよいか、
市販のものを用いることもできる。
具体的に、商品名を挙げると、デュポン社製ＫＲＹＴＯ
Ｘ　１５７　ＦＳ、モンテフルオス社製ＦｏｍｂＬｉｎ
　　　Ｚ　　　ＤＩＡＣｌＦｏｍｂｌｉｎ　　Ｚ　　Ｄ
ＥＡＬなどがある。
ＫＲＹＴＯＸＩ　５７ＦＳは式（Ｉ−３）で示される化
合物のなかのＲ１”Ｈ，ｎ＝１１〜４９の場合のもので
ある。　また、 Ｆｏｍｂｌｉｎ　　Ｚ　　ＤＩＡＣは式（Ｉ−２）で示
される化合物である。
Ｆｏｍｂｌｉｎ　　Ｚ　　ＤＥＡＬは式（ニー１）で示
される化合物のなかのＮおよびＭがそれぞれ１１〜４９
、Ｚ＝Ｒ１＝ＣＨ３１７）場合のものである。
（Ｂ）パーフルオロポリエーテル このような化合物としては下記式（ＩＩ）で示されるも
のが挙げられる。
式（ＩＩ） Ｒ２ｆ（−Ｒｚ　ｆ’　Ｏ＋−Ｒ２ｆ’上記式（ＩＩ）
において、Ｒ２ｆはフッ素原子またはパーフルオロアル
キル基を表わす。
Ｒ２ｆ’　はパーフルオロアルキレン基を表わす。
Ｒ２ｆ”はパーフルオロアルキル基を表わす。
Ｒ２ｆがパーフルオロアルキル基を表わす場合、Ｒ２ｆ
とＲ２ｆ”とは同一でも異なっていてもよい。　ｎは正
の整数を表わし、ｎが２以上の場合、Ｒ２ｆ’　はそれ
ぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｆで表わされるパーフルオロアルキル基としては一
〇Ｆ３、−Ｃ２Ｆ５等が挙げられる。
Ｒ２ｆの好ましいものとしては、−Ｆ、−ＣＦ３である
。
Ｒ２ｆ’の好ましいものとしては、−ＣＦ２等が挙げら
れる。
Ｒ２ｆ”としては、−ＣＦ３、−Ｃ２Ｆ５等が挙げられ
る。
ｎは１０〜１００であり、特に１０〜５０が好ましい。
式（［１）で表わされる化合物のなかでも、下記式（Ｉ
Ｉ−１）、（ＩＩ−２）で表わされるものが好ましい。
式（ＩＩ−１） ＣＦ３−（（−０−ＣＦ２−ＣＦ　２　）　　−（０−
ＣＦ　２　）Ｍ］−０ＣＦ：＋式（ＩＩ−２） 上記式（ＩＩ−１）、（ＩＩ−２）において、ＮとＭの
和は１０〜１００程度である。
Ｎとしては５〜５０であり、好ましくは５〜３０である
。　またＭとしては５〜５０であり、好ましくは５〜３
０である。
また、下記式（ＩＩ−３）で表わされるものも好ましい
。
式（ＩＩ−３） 上記式（ＩＩ−３）において、ｎは式（ＩＴ）における
ものと同義である。
ｎは１０〜１００であり、好ましくは３０〜７０である
。
このような化合物は、平均分子量１０００〜１００００
程度である。
これら化合物は、公知の方法に従い合成できる。
また、市販のものを用いてもよい。
具体的に商品名を挙げると、モンテフルオス社製ＦＯＭ
ＢＬＩＮ　　Ｙ　Ｏ４、Ｙ　Ｏ６。
Ｙ２５．Ｙ４５．ＹＲ；ＦＯＭＢＬＩＮＹ−ＬＶＡＣｏ
６１６，Ｙ−Ｌ−ＶＡＣ１４／６．Ｙ−Ｌ−ＶＡＣ１６
／６．Ｙ−Ｌ−ＶＡＣ２５／６；ＦＯＭＢＬＩＮ　　Ｙ
−Ｈ−ＶＡＣ１８／８．Ｙ−Ｈ−ＶＡＣ２５／９゜Ｙ−
Ｈ−ＶＡＣ４０／１　１．　　Ｙ−Ｈ−ＶＡＣＩ４０／
１３；ＦＯＭＢＬＩＮ　　ｚ：デュポン社製ＫＲＹＴＯ
ＸＩ　４３ＣＺ、１４３ＡＺ、１４３ＡＡ、　　　１４
３ＡＹ　　、　　１４３ＡＢ　　、１４３ＡＣ，１４３
ＡＤ；ＫＲＹＴＯＸｌ　５０２　、１５０４　、１５０
６　、１５０９．１５１４　、１５１６　、１５２５　
、１６１８．１６２５．１６４５．１６８０．１６１４
などである。
コノなかで、ＫＲＹＴＯＸ１４３ＣＺは、式（ＩＩ−３
）で示される化合物でｎ＝１１〜４９のものである。
また、ＦＯＭＢＬＩＮ　　Ｙは式（ＩＩ−２）。
ＦＯＭＢＬＩＮ　　Ｚは式（［−１）で示されるもので
ある。
（Ｃ）テトラフＪレオロエチレンポリマーこのような化
合物の分子量は１０００〜１００００であることが好ま
しい。
なおポリマー軟化点（ＡＳＴＭ　　Ｅ−２８−５８Ｔ）
は２００〜３００℃程度、融点は２００〜３５０℃程度
であることが好ましい。
これらの化合物は、公知の方法に従い合成できる。　ま
た、市販のものを用いてもよい。
このようなテトラフルオロエチレンポリマーとしては、
市販のものとして、デュポン社製Ｖｙｄａｘ　　Ａ　１
２．５１００．５５０．５２５、旭硝子社製ＡＧ−ＬＵ
Ｂ等がある。
（Ｄ）その他、本発明で用いられるフッ素樹脂としては
、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶｄＦ）、ポリビニ
ルフルオライド（ＰＶＦ）、テトラフルオロエチレン−
ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラ
フルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、テ
トラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエ
ーテル共重合体（ＰＦＡ）、クロロトリフルオロエチレ
ン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）などが挙げられる
。　　この中でも特に、テトラフルオロエチレン−ヘキ
サフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフル
オロエチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）が通常よ
く用いられる。
そして、これらのフッ素樹脂の平均重合度は７００〜３
０００程度であることが好ましい。
上述してきたような（Ａ）〜（Ｄ）に示される化合物は
、トップコート膜７中に、二種以上含有されていてもよ
い。
このような化合物の総合有量は、トップコート膜７を重
量に換算した場合、全体の５０〜１００重量％、好まし
くは７０〜１００重量％である。
５０重量％未満では十分な潤滑効果が得られない。
さらに、トップコート膜７には他に脂肪酸、脂肪酸エス
テル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が含まれていて
もよい。
このようなトップコート膜７は、下記に詳述する塗布方
法や気相成膜方法によって設層される。
塗布方法としては、例えばスピンコード、ディッピング
、スプレーコート等が挙げられる。
この場合、塗布溶液としては、通常フロン等のフッ素系
溶媒に、前記化合物（Ａ）〜（Ｄ）、特に（Ａ）〜（Ｂ
）中に示される化合物の少なくとも１種以上を０．０１
〜１．０重量％、より好ましくは０．０５〜０．１重量
％混合させたものを用いる。
塗布条件は、スピンコードによる場合、その回転数は５
００〜３００　Ｏｒｐｍ　、回転時間５〜２０秒程度と
し、また、ディッピングによる場合は、例えばまず最初
にフロン等の溶媒に１５〜３０秒間程度浸して洗浄した
後、前記塗布溶液に１０〜３０秒間浸し、５〜２０　ｍ
ｍ／ｓｅｃのスピードで引き上げて行えばよい。
気相成膜法としては、蒸着法、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法等がある。
この場合、上記化合物（Ａ）〜（Ｄ）の固形成分を気相
成膜用の材料として利用できる。
上述してきたような（Ａ）〜（Ｄ）に示される化合物は
、トップコート膜７中に、二種以上含有されていてもよ
い。
トップコート膜７を気相成膜法によって形成した場合に
は、膜厚をうすく、均一に設層でき、しかも膜中に有機
溶媒が残存しない等の特徴を有する。
従って、実用に際して、ヘッドが吸着しにくく摩擦が低
くなる等、種々の特性が向上する。
真空蒸着法は蒸発源を１０　’　Ｔｏｒｒ以下程度の高
真空中で、エレクトロンビーム法、抵抗加熱法等により
蒸発源を加熱して融解、蒸発させて、その蒸気を例えば
基板表面に薄膜として蒸着させる方法である。　この蒸
発時に蒸発粒子が得る運動エネルギーは０．１ｅＶ〜１
ｅＶ程度である。
スパッタ法は作業を行う領域によりて、さらにプラズマ
法とイオンビーム法の２つに大別することができる。
プラズマ法によるスパッタ法では、Ａｒ等の不活性ガス
雰囲気中で異常グロー放電を発生させ、Ａｒイオンによ
ってターゲット（蒸着物質）のスパッタを行い基板に蒸
着させる。
ターゲットに数ＫＶの直流電圧を印加する直流スパッタ
リング、数百〜数ＫＶの高周波数電力を印加する高周波
スパッタリングのいずれであってもよい。
また、２極から３極、４極スパツタ装置と多極化したほ
か、直行電磁界を加えてプラズマ中の電子にマグネトロ
ンと同様サイクロイド運動を与え、高密度プラズマを作
るとともに、印加電圧を低くし、スパッタを高能率化し
たマグネトロン系スパッタリングを用いてもよい。
また、必要に応じ、Ａｒなど純粋な不活性ガスのみを用
いる代りに０２、Ｎ２等を用いた反応性ないし化学スパ
ッタリングを用いても良い。
イオンビーム法では、適当なイオン源を用いてＡｒなど
をイオン化し、引出し、電極に印加した負高電圧によっ
て高真空側にイオンビームとして引き出し、ターゲット
表面に照射してスパッタしたターゲット物質を基板に蒸
着させる。　動作圧はいずれの場合も１０１〜１Ｏ−３
Ｔｏｒｒ程度とする。
また、スパッタ法における被着粒子の運動エネルギーは
約数ｅＶ〜１００ｅＶであり、例えば蒸着法のそれ（約
０．１ｅＶ〜１ｅＶ）と比べてきわめて大きい。
イオンプレーティング法は、被膜形成の前および被膜形
成中、十分な運動エネルギーをもって基板表面に蒸着物
質を射突させる原子論的被膜形成法である。
その基本機能には、射突イオンによる基板のスパッタ、
加熱、イオン注入などの効果があり、これらが付着力、
蒸着膜の核形成、膜成長に影晋を及ぼす。　このイオン
プレーティング法は、作業を行う領域から、さらにプラ
ズマ法とイオンビーム法の２つに大別される。
プラズマ法では１、直流グロー放電によって基板（負電
位）をＡｒ＋の衝累で洗浄化した後、蒸発源を加熱し蒸
着物質を蒸気化させると、プラズマ中でイオン化し、基
板を取り巻くグロー放電の陰極暗部の強い電解により加
速され、高いエネルギーをもって基板に射突し蒸着する
。
直流印加方式、高周波励起方式およびその併用形と蒸発
源の各種加熱方式との組み合せなど多くの形式はいずれ
も使用でき、中空陰極プラズマ電子銃を用いるプラズマ
電子ビーム法を用いてもよい。
イオンビーム法では、スパッタ形、電子衝箪形あるいは
デュオプラズマトロンの改良形などの、イオン源で生成
した蒸着物質イオンを高真空領域に引き出し、加速電圧
を調節して基板表面の清浄化と蒸着を引き続いて行う。
　クラスタイオンビーム技術（蒸着と結晶成長）では、
るつぼの噴射ノズルから高真空中に蒸着物質を噴出させ
、断熱膨張による過冷却現象を利用して１０２〜１０３
個の原子が互いに緩く結合した塊状原子集団（クラスタ
）を作り、イオン化して用いる。
また、イオンプレーティングにおけるイオンの運動エネ
ルギーは、約数＋ｅＶ〜５ｋｅＶ程度で他の成膜方法、
例えば蒸着法（約０．１８■〜１ｅ■）、スパッタ法（
約数ｅＶ〜１００ｅＶ）などに比べて非常に大きい。　
そのため、この方法によって形成された付着膜は、付着
強度がきわめて高い。　また付着速度もきわめて大きい
ため、短時間で膜形成ができる。
また、近年、新技術として開発された熱電子によってイ
オン化を行うアーク放電イオンプレーティングを用いて
もよい。　アーク放電イオンプレーティング法は、蒸発
源を加熱し蒸発してえられた蒸気流に対し、蒸発源近傍
の蒸気流の密度が比較的高いところで、熱電子放出源か
ら放出した熱電子を衝突させて蒸気流のイオン化を生じ
させこのイオン化された蒸気流を電波や磁場により被着
体に垂直方向に集束させて成膜するものである。
これら気相成膜法における下地温度、被着距離等は通常
の条件でよい。
これら気相成膜法のうちでは、真空蒸着法またはスパッ
タリングを用いることが好ましい。
本発明のトップコート膜７は、上述したような塗布法や
気相成膜法のいずれの方法で形成したものであフてもよ
い。
トップコート膜７の厚さは３〜３００人、好ましくは５
〜１５０人とする。
３人未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久性
が劣り、３００人をこえると吸着が発生し、いわゆるヘ
ッドクラッシュを起こすからである。
ところで、前述した有機金属プラズマ重合膜６の下には
ＣｏまたはＮｉ、Ｃｒ、Ｐのうちの１種以上を主成分と
する金属薄膜磁性層５が設層される。
このものの組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−Ｚｎ
−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等がある。　これら
の中では特にＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ。
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ等が好ましく、これらの合金の好適組成
比は重量比で、Ｃｏ：Ｎ１＝１：１〜９：１、 （Ｃｏ　　Ｎ　ｉ　　）　　Ｃｒ　Ｂにおいてｘ：ｙ＝
１　　　ｙＡ ：１〜９：１．Ａ　　：Ｂ＝９９．９：０．１〜７５：
２５　、 Ｃｏ　　：　　Ｃｒ＝７　　：　　３〜９　　：　　１
　　、（Ｃｏ　　Ｎ　ｉｙ　）　Ａ　Ｐ　ｓにおいて、
ｘ：ｙ＝１：Ｏ〜１：９　、　Ａ　　：Ｂ　　＝９９．
　９　　：０．１〜８５：１５である。　これらの範囲
をはずれると記録特性が低下する。
このような金属薄膜磁性層５は気相もしくは液相の種々
のメツキ法で設層可能であるが、中でも特に気相法の１
種であるスパッタ法が好ましい。　スパッタ法を用いる
ことによって磁気特性の良好な磁性層が得られる。
スパッタ法は前記のトップコート膜７の形成方法の１つ
として述べたもとの同義である。
本発明において、ターゲットの材質としては、目的とす
る金属薄膜磁性層５の組成に対応する合金等を用いれば
よい。
ところで、金属薄膜磁性層５の組成をＣｏＰないしＣｏ
Ｎ１Ｐとする場合には、液相メツキ法、特に無電解メツ
キ法で設層してもよい。
そしてその磁性層は上記スパッタ法と同様に良好な磁気
特性を示す。
無電解メツキに用いるメツキ浴組成、メツキ条件等とし
ては公知の種々のものが適用可能であり、例えば、特公
昭第５４−９１３６号公報、特公昭第５５−１４８６５
号公報等に記載のものはいずれも使用可能である。
上述してきたような金属薄膜磁性層５の膜厚は２００〜
５０００人、特に５００〜１０００人が好ましい。
本発明で使用される非磁性基体２は、例えば、アルミニ
ウム、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミック
ス、エンジニアリングプラスチックス等が挙げられる。
　そして、これらの中でも、機械的剛性、加工性等が良
好でしかも後述する下地層が容易に設層できるアルミニ
ウム、アルミニウム合金等を用いるのが好ましい。
このような非磁性基体２の厚さは１，２〜１．９ｍｍ程
度であり、その形状は通常、ディスク状、ドラム状等特
に制限はない。
このような非磁性基体２の材質として、特にＡ２等の金
属基体を用いるときには、この基体上に下地層３を設け
ることが好ましい。　この下地層３は、Ｎ　ｉ−Ｐ、　
Ｎ　１−Ｃｕ−Ｐ、Ｎ１−Ｗ−Ｐ％Ｎ１−Ｂ等のいずれ
かの組成を含有して形成される。　このものは、液相メ
ツキ法、特に無電解メツキ法で成膜させることが好まし
い。　無電解メツキ法によれば、きわめて緻密な膜が形
成でき、機械的剛性、硬度、加工性を上げることができ
る。
なお、上記の組成からなる下地層の組成比（ｗｔ）は、
以下のとおりである。
すなわち、（ＮｉｘＣｕｙ）ＡＰ　　Ｂ、（ＮｉｘＷｙ
）　ＡＰ　Ｂ これらの場合においては、 ｘ：ｙ＝１００：Ｏ〜１０：９０、 Ａ：Ｂ＝９７：３〜８５：１５である。
Ｎ　ｉ　ＸＢｙの場合にはｘ　：　ｙ＝９７　：　３〜
９０：３である。
この無電解メツキ法のプロセスの一例を簡単にのべると
、まず、アルカリ性脱脂および酸性脱脂を行った後、数
回のジンケート処理をくり返して行い、さらに重炭酸ナ
トリウム等で表面調整したのちｐＨ４，０〜６．０のニ
ッケル・メツキ浴中で約８０〜９５℃、約０．５〜３時
間メツキ処理すればよい。
これらメツキ処理は、例えば特公昭第４８−１８８４２
号公報、特公昭第５０−１４３８号公報等に記載されて
いる。
このような下地層３の膜厚は３〜５０μｍ、特に５〜２
０μｍが好ましい。
さらに下地層３の表面には凹凸部を設けることが好まし
い。
凹凸部をつくるには、例えば、下地層３が設層された円
板状基体２を回転させながら、研磨剤等を作用させ、下
地層３の表面に同心円状に不規則な溝を設ける。
なお凹凸部は、下地層３上にランダムに設けてもよい。
このような凹凸部を設けることによって、吸着特性およ
び耐久性が向上する。
なお、下地層３を基体２上に設けない場合には、直接基
体２上に上記の凹凸を設ければよい。
さらにこのような下地層３を有することのある基体上に
は前述した金属薄膜磁性層５が設層される。
このような金属薄膜磁性層５を前述したようなスパッタ
法で設層する場合には、下地層３と磁性層５との間にＣ
ｒを含む非磁性金属中間層４を設けることが好ましい。
　この非磁性金属中間層４を設けることによって、媒体
の磁気特性が向上し、記録特性の信頼性の向上をも図る
ことかできる。
そしてこの非磁性金属中間層４は通常Ｃｒから形成され
るのが最も好ましいが、Ｃｒ含有量は９９ｗし％以上で
あればよい。
そしてこの中間層４は、種々の公知の気相成膜性で形成
可能であるが、通常、上述した金属薄膜磁性層５と同様
にスパッタ法で成膜することが好ましい。　このような
非磁性金属中間層４の膜厚は用いる金属薄膜磁性層５の
種類によって適宜決定すべきであるが、通常５００〜４
０００人程度である。
本発明の磁気記録媒体１は前述した金属薄膜磁性層５と
有機金属プラズマ重合膜６との間にＣｒなとの非磁性金
属保護膜を設層してもよい。
この非磁性金属保護膜６の成膜方法は上記の非磁性金属
中間層４の場合と同様にすればよい。
さらに、カーボン保護膜を有機金属プラズマ重合膜６の
上に直接設層することが好ましい。
カーボン保護膜を設けることによって耐久性、耐候性は
さらに優れたものになる。
カーボン保護膜は、その組成としてＣ単独からなるが、
他の元素を５ｗｔ％未満含有するものであってよい。
カーボン保護膜は、スパッタ法、イオンプレーティング
法、蒸着法、ＣＶＤ等の各種気相成膜法で形成可能であ
るが、中でも特にスパッタ法によるのが好ましい。　こ
の場合には、形成された膜がきわめて緻密となり、−段
と耐久性、耐候性に優れた効果を有する。
このようにより好ましい態様として形成されるカーボン
保護膜の膜厚は１０〜８００人、特に１００〜４００人
が好ましし）。
さらに、上記有機プラズマ重合膜の設層に際しては、予
めプラズマ処理を施すこともできる。
すなわち、磁性層５表面や非磁性金属保護膜６やカーボ
ン保護膜７の表面をプラズマ処理しておくことが好まし
い。　このような処理は、媒体の耐久性を向上させるた
めに有効な手段である。　プラズマ処理ガスとしては、
特に制限はない。
すなわち、Ｈ，、Ａｒ、Ｈｅ、０２．Ｎ２゜空気、ＮＨ
３，０３、Ｎ２０．Ｎｏ、Ｎ２０゜ＮＯ２などのＮＯ８
等の中から適宜選定し、これらの単独ないし混合したも
のいずれであってもよい。
さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであってもよ
い。
上述してきたような磁気記録媒体１は、第１図に示され
るように片面記録の媒体としてもよいが、基体２の両面
側に磁性層等を第１図と同様に設けた、いわゆる両面記
録の媒体としてもよい。
■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、金属薄膜磁性層上に有機金属プラズマ
重合膜を介して有機フッ素化合物を含有するトップコー
ト膜を有する。
そのため得られた媒体は、耐久性、耐摩耗性、耐候性、
耐食性等に優れ、実用に際してきわめて高い信頼性を有
する。
■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
（実施例１） φＬ３ｃｍ、厚さ１．９ｍｍのディスク状のＡｆＬ基体
２上に、厚さ２０μＩのＮｉＰの下地層３を無電解メツ
キ法で設けた。　なお、無電解メツキ法は下記のプロセ
スおよび製造条件で行った。
（ＮｉＰ無電解メツキ） プロセス　　　　　　　製　造　条　件１．アルカリ性
　アルブレツブ２ｏ４（実計製薬社脱脂　　　　　製）
　２５０　ｉｆ　／　ｆｌ、６５℃、５分２、酸性脱脂
　　アルブレツブ２３０（奥野製薬社製）１５０ｒ１！
ｉ／ｆ、６５℃、 ５分 ３、ジンケート　アープ３０２（奥野製薬社製）２５０
　ｍｌ　／　ＪＺ、２５℃、３０秒４、ジンケート　６
２　ｖｏ１％濃硝酸、剥Ｍ６００社／Ｌ、２５℃、３０
秒 ５、ジンケート　アープ３０２（奥野製薬社製）２５０
社／２．２５℃、２０秒 ６、表面調整　　重炭酸ナトリウム３０ｇ／Ｒ１２０℃
、３０秒 ７、ニッケルメ　ナイフラッド７１９Ａ（実計製薬ツキ
　　　　社製）８０社／２ ナイフラッド７１９Ｂ（実計製薬 社製）１５０ｎ磨／１ ｐ）１４．５．９０℃、２時間 なお、下地層３の組成はＮｉ：Ｐ＝８５：１５（重量比
）、厚さは２０μｍとした。
次いで、上記の各種基体２表面（基体表面上に下地層３
を有するものは、その下地層の表面）を下記の条件にて
研磨処理した。
〈表面研磨処理〉 磁気ディスク用ラッピングマシンを用い、上記基体を回
転させながら、不二見研磨■の研磨液、メディポールＮ
ｏ、８（５０％希釈液）を用い、１００ｇの加重をかけ
ながら１０分間研磨を行った。
その後、ディスク基板洗浄装置を用いて洗浄した。　工
程は以下に示すとおりである。
〈洗浄工程〉 １、中性洗剤溶液、浸漬、超音波 ２、超純水、スクラブ ３、超純水、スクラブ ４、超純水、浸漬、超音波 ５、超純水、浸漬 ６、フロン／エタノール混合液、浸漬、超音波７、フロ
ン／エタノール混合液、浸漬 ８、フロン／エタノール、蒸気（→乾燥）このような洗
浄工程後、下地層３の表面に凹凸部を下記のようにして
設けた（以下、テクスチャリング工程という）。　すな
わち、テープポリッシングマシンを用い、基体を回転さ
せなから、基体表面に同心円状の不規則な溝を設けた。
　工程条件は、ポリッシングチーブ番手＃４０００、コ
ンタクト圧力１　、２　Ｋｇ／ｃｒｎ”、オシレーショ
ン５０回／分、ワーク回転数１５０回／分とした。
その後、さらに前記と同様な洗浄を行った後、Ｃｒから
成る非磁性磁性金属中間層４をスパッタで膜厚２０００
人に設層した。
設層条件は、Ａｒガス圧２．ＯＰａ、ＤＣ８ＫＷとした
。　なお、この中間層４形成前にＡｒガス圧０．２Ｐａ
、ＲＦ４００Ｗの条件でエツチング処理を行った。
その後、この上に連続して以下に示すような各種金属薄
膜磁性層５を設層した。　なお、無電解メツキ法で磁性
層を設層する場合には、上記のエツチング処理は行わず
、しかもＣｒからなる非磁性金属中間層４も設けなかっ
た。
く金属薄膜磁性層の形成〉 磁性層Ｎ０９Ｉ ＣｏＮ　ｉ［性層をスパッタ法を用いて形成した。　成
膜条件はＡｒガス圧２．ＯＰａ、ＤＣ８ＫＷとした。　
ＣｏＮ　ｉ組成重量比はＣｏ／Ｎ　ｉ　＝　８０　／　
２０、膜厚は６００人とした。
ｉ１豆」几ユ ＣｏＮｉＣｒ磁性層をスパッタ法を用いて形成した。　
成膜条件はＡｒガス圧２．０Ｐａ、ＤＣ８ＫＷとした。
ＣｏＮｉＣｒ組成重量比は６２．５：３０ニア、５とし
、膜厚は６００人とした。
ｉ１孟」ムユ ＣｏＣｒ磁性層をスパッタ法を用いて形成した。　成膜
条件はＡｒカス圧２．ＯＰａ、ＤＣ８に、Ｗとした。
ＣｏＣｒの組成重量比はＣｏ　／　Ｃｒ　＝　８７　／
１３、膜厚は１０００人とした。
１１亙コｌ」 ＣｏＮ　ｉ　Ｐ磁性層を無電解メツキ法を用いて形成し
た。　ＣｏＮ１Ｐの組成重量比はＣｏ：Ｎｉ　：Ｐ＝６
：４：　１．膜厚は１０００人とした。
無電解メツキプロセスおよび製造条件は以下のとおりと
した。
プロセス　　　　　　　製　造　条　件６、コバルトメ
　メツキ浴 ツキ　　　　　硫酸コバルト０．０６モル／１硫酸ニッ
ケル０．０４モル／１ 次亜リン酸ナトリウム ０．２５モル／２ ０ツセル塩　ｌ、００モルフｘ 硫安　　　　０．４０モル／１ ホウ酸　　　０，１０モル／１ ＮａＯＨを加えてＩ））１９．５　、７０”Ｃ１３分 このようにして設層された種々の金属薄膜磁性層上に第
２図と同じ装置を使用して下記に示されるようなプラズ
マ重合条件で有機金属プラズマ重合膜を設層した。
−、プラズマ重−′−１ 千　ノ　マ　−ガ　ス：テトラメチルスズモノマーガス
流量：１０ｍｆｆ１／分 キャリヤーガス：アルゴン キャリヤーガス流量：５０ｍ、Ｍ／分 真　　空　　度　　　　　　　：　　０．　５　　Ｔｏ
ｒｒ高　　周　　波　　電　　！：　　１　３．　５６
　　ＭＨｚ　　。
２００　Ｗ 生成薄膜は多重干渉法およびエリプソメーターで測定し
て１８０人の厚さを有する均一性のよいもので、フーリ
エ変換赤外分光光度計、ＥＳＣＡにより測定してスズを
含む重合薄膜であることを確認した。
金属／Ｃ（Ｍ／Ｃ）＝０．３５ 金　プラズマ重合「２ 重合膜１と同一条件にて、アセチルアセトンチタニウム
をモノマーとして重合膜を生成した。
膜厚は１５０人であった。
Ｍ／Ｃ＝０．２１ 金　プラズマ重Δ　３ 重合膜１と同一条件にて、ジメチルマグネシウムを千ツ
マ−として重合膜を生成した。
膜厚は１７０人であった。
Ｍ／Ｃ＝０．３１ 金属プラズマ重合「４〜８ 重合膜１の成膜条件において、モノマーガスをトリメチ
ルアルミニウムとし、さらに出力をＩＯＷ〜ＩＫＷ、モ
ノマーガス流量を１〜２５０ｍＭ／分、真空度０．０１
〜ＩＴｏｒｒの範囲内で操作条件を調整することにより
、種々のＭ／Ｃ値をもつ重合膜を形成した。
Ｍ／Ｃ値は表１に示されるとおりであり、また膜厚は１
５０人とした。
−金、プラズマ重合′″９ 重合膜１と同一条件にて、テトラエチルスズをモノマー
として重合膜を生成した。
＠厚は１５０人であった。
Ｍ／Ｃ＝０．１９ 機金属プラズマ重合　１０〜１２ 重合膜１と同一条件にて、重合膜を生成した。
なお膜厚は成膜時間をかえて、表１に示されるような種
々のものとした。
さらにこのようなプラズマ重合膜の上にカーボン保護膜
をスパッタ法で、厚さ２５０人に設けた。　なお、スパ
ッタ条件はＡｒガス圧０．２Ｐａ、ＤＣ８ＫＷとした。
たたし、金属薄膜磁性層５として前述した磁性層Ｎ００
１〜４のうち磁性層Ｎｏ、　４の材料を用いた場合に限
り、非磁性金属層を形成する直前に、金属薄膜磁性層表
面にＡｒガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ４００Ｗの条件でエツ
チング処理を施した。
さらにこのカーボン保護膜の表面をプラズマ処理した。
　プラズマ処理条件は、処理ガスＮ２．圧力０．０４Ｔ
ｏｒｒ、電源は１３．５６ＭＨｚの高周波とし、投入電
力は３ＫＷとした。
この上を不織布にてクリーニングした後下記に示すよう
な種々の有機フッ素化合物を含む；・ツブコート層をス
ピンコード法、蒸着法またはスパッタ法で設層した。　
膜厚はすべて５０人とした。
〈トップコート層組成〉 延盈」 トップコート層組成として以下に示される構造式からな
ルＫＲＹＴＯＸ　　１　５　７　　Ｆ　　Ｓ（デュポン
社製） （ここでｎ＝１１〜４９） をフロン１１３くダイキン工業社製、ダイフロン５−３
）の溶媒中に混合し、有機フッ素化合物含有塗布液濃度
を０．０５重量％に調整した。　そして、このものをス
ピンコード法で設層した。　スピンコード条件は回転数
１１００Ｏｒｐ、１０秒間とした。
糺底ニ トップコート層組成として、以下に示される構造式から
なるＫＲＹＴＯＸ　　１　４　３　　Ａ　　Ｚ（デュポ
ン社製、分子量２０００） をフロン１１３（ダイキン工業社製、ダイフロン５−３
）の溶媒中に混合し、この有機フッ素化合物含有塗布液
濃度を０．０５重量％に調整した。
そして、このものを上記組成１の場合と同様の方法で設
層した。
肚基ニ トップコート層組成として、ＦｏｍｂｌｉｎＹ２５（モ
ンテフルオス社製、分子量 ３０００）をフロン１１３（ダイキン工業社製、ダイフ
ロン５−３）の溶媒中に混合し、この有機フッ素化合物
含有塗′Ｉ５液濃度を０．０５重量％に調整した。
そして、このものを上記組成１の場合と同様の方法で設
層した。
１広Ａ トップコート層組成として、以下に示される構造式から
なるＦｏｍｂｌｉｎ　　Ｚ　　ＤＥＡＬ（：Ｈ３ｏＣｏ
ｃｐ２−ｃ（ｏ−ｃＦ２−ｃｔ’２）Ｎ−（０−ＣＦ２
）Ｍ］　−０ＣＦ２Ｃ０ＯＧＨ３（ここでＮ、Ｍはそれ
ぞれ１１〜４９）をフロン１１３（ダイキン工業社製、
ダイフロン５−３）の溶媒中に混合し、この有機フッ素
化合物含仔塗布液濃度を０．０５重量％に調整した。
そして、このものを上記組成１の場合と同様の方法で設
層した。
１玖１ トップコート層組成として、上記組成１で用いたＫＲＹ
ＴＯＸ　　１５７ＦＳ（デュポン社製）の固形成分を蒸
発源とし、蒸着法によってトップコート層を設層した。
なお、蒸着に際して雰囲気圧力Ｐは１×１０−”　Ｐ　
ａ、蒸発源−被着体距離は５ｃｍとした。
組」し旦 トップコート層組成として、上記組成３で用いたＦｏｍ
ｂｌｉｎ　　Ｙ２５（モンテフルオス社製、分子量３０
００）の固形成分を蒸発源とし、蒸着法によってトップ
コート層を設層した。
なお、蒸着に際して雰囲気圧力Ｐはトップコート層５の
場合と同様にした。
１皮ニ トップコート層組成として、ＫＲＹＴＯＸ１５７ＦＳを
プレート上に塗布し、溶剤を蒸発させた固形成分の板状
物をターゲットとし、スパッタ法によってトップコート
層を設層した。
スパッタ条件は、スパッタ電力３ＫＷ、動作圧力ＩＰａ
、ターゲット−被着体距離１０ｃｍの範囲で行なった。
なお、スパッタのターゲットとして用いた樹脂の大きさ
は約１５Ｘ３０ｃｍ程度のものである。
スパッタにおける不活性ガスはアルゴンを用いた。
鮭遁−とユＪコたエ トップコート層組成として、シリコーンオイル（東芝シ
リコーン　ＴＳＦ４５１、粘度１０００ＣＰＳ）を上記
組成１で用いた溶媒中に混合し、潤滑剤含有塗布液濃度
を０．０５ｗｔ％に調整した。　そして、このものをト
ップコート層として上記組成１の場合に準じて塗設した
。
このようにして、下記表１に示される種々の磁気ディス
クサンプルを作製し、下記に示すような特性を測定した
。
なおサンプルＮｏ、１０については、有機金属プラズマ
重合膜とトップコート膜との間にカーボン保護膜を設け
ず、さらにプラズマ処理もしなかった。
サンプルＮｏ、　１１についてはカーボン保護膜を設け
たが、プラズマ処理はしなかった。
（１）舷旦Σ盈芳上 磁気ディスクサンプルの作製直後およびＣ５５（コンタ
クト・スタート・アンド・ストップ）４万回後のディス
ク記録面当りのエラー数を測定し、Ｃ３Ｓ前後でのエラ
ー数（ミッシングパルス数）の増加を表示した［単位二
ビット／面コ　。
なお、ディスク記録面当りのエラー数は、磁気ディスク
用サーディファイヤーにて測定し、設定条件は、ミッシ
ングパルスのスライスレベルを６０％とした。
（２）摩擦係数 ＣＳＳ　＜コンタクト・スタート・アンド・ストップ）
４万回後、ヘッドを接触させたままの状態で２０℃、６
０％ＲＨの環境下に３日間放置した後、磁気ディスクサ
ンプル表面の摩擦係数を測定した。
なお、ヘッドは、Ｍｎ−Ｚｎフェライトヘッドを使用し
た。
表１の結果より本発明の効果があきらかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の磁気記録媒体の断面図を示す。 第２図は、プラズマ処理装置の概略図である。 符号の簡単な説明 １・・・磁気記録媒体、　　２・・・非磁性基体、３・
・・下地層、　　　　４・・・非磁性金属中間層、５・
・・金属薄膜磁性層、 ６・・・有機金属プラズマ重合膜、 ７・・・トップコート膜、 ５３・・・混合器、 ５４・・・直流、交流および周波数可変型電源、５６・
・・油回転ポンプ、 ５７−・・液体窒素トラップ、 ５８・−曲拡散ポンプ、 ５９・・・真空コントローラ、 ｉ　ｔ　ｔ　−−・被処理体、 ５１１．５１２−・・処理ガス源、 ５２１．５２２−＝マスフローコントローラ、５５１．
５５２−・・電極

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）非磁性基体上に、金属薄膜磁性層を有し、この上
    に有機金属プラズマ重合膜を有し、さらにこの上に有機
    フッ素化合物を含有するトップコート膜を有することを
    特徴とする磁気記録媒体。
  2. （２）金属薄膜磁性層がＣｏまたはＣｏと Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐのうちの１種以上とを主成分とする特許
    請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。
  3. （３）有機金属プラズマ重合膜の金属原子ＭとＣとの原
    子比が０．０５〜１．０である特許請求の範囲第１項ま
    たは第２項に記載の磁気記録媒体。
  4. （４）有機金属プラズマ重合膜の厚さが３０〜３００Å
    である特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに
    記載の磁気記録媒体。
  5. （５）トップコート膜がカルボキシパーフルオロポリエ
    ーテルまたはその塩もしくはエステル、パーフルオロエ
    チレンポリマーのうちの１種以上を含有する特許請求の
    範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の磁気記録媒
    体。
  6. （６）トップコート膜が塗布膜または気相膜である特許
    請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載の磁気
    記録媒体。
  7. （７）気相膜が蒸着膜、スパッタ膜またはイオンプレー
    ティング膜である特許請求の範囲第６項に記載の磁気記
    録媒体。
  8. （８）基体と金属薄膜磁性層との間に下地層を有する特
    許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載の磁
    気記録媒体。
  9. （９）金属薄膜磁性層の基体側に磁性層に接して非磁性
    金属中間層を有する特許請求の範囲第１項ないし第８項
    のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  10. （１０）金属薄膜磁性層と有機金属プラズマ重合膜との
    間に非磁性金属保護膜を有する特許請求の範囲第１項な
    いし第９項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  11. （１１）非磁性金属保護膜表面がプラズマ処理されてい
    る特許請求の範囲第１０項に記載の磁気記録媒体。
  12. （１２）有機金属プラズマ重合膜とトップコート膜との
    間にカーボン保護膜を有する特許請求の範囲第１項ない
    し第１１項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  13. （１３）カーボン保護膜表面がプラズマ処理されている
    特許請求の範囲第１２項に記載の磁気記録媒体。
  14. （１４）下地層の表面に凹凸を有する特許請求の範囲第
    ８項ないし第１３項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  15. （１５）非磁性基体が剛性基体である特許請求の範囲第
    １項ないし第１４項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  16. （１６）ディスク状の形状をもつ特許請求の範囲第１項
    ないし第１５項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
JP61151175A 1986-04-23 1986-06-27 磁気記録媒体 Expired - Fee Related JPH0827931B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61151175A JPH0827931B2 (ja) 1986-06-27 1986-06-27 磁気記録媒体
US07/041,489 US4889767A (en) 1986-04-23 1987-04-23 Magnetic recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61151175A JPH0827931B2 (ja) 1986-06-27 1986-06-27 磁気記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS637514A true JPS637514A (ja) 1988-01-13
JPH0827931B2 JPH0827931B2 (ja) 1996-03-21

Family

ID=15512944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61151175A Expired - Fee Related JPH0827931B2 (ja) 1986-04-23 1986-06-27 磁気記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0827931B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027120A (ja) * 2007-06-18 2009-02-05 Seiko Epson Corp 接合方法、接合体および配線基板
WO2016111329A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 山陽特殊製鋼株式会社 Ｎｉ－Ｃｕ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体
JP2018106777A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板およびハードディスクドライブ
JP2018106776A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板およびハードディスクドライブ
JP2018106775A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板およびハードディスクドライブ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5888829A (ja) * 1981-11-20 1983-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
JPS6168725A (ja) * 1984-09-10 1986-04-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5888829A (ja) * 1981-11-20 1983-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
JPS6168725A (ja) * 1984-09-10 1986-04-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009027120A (ja) * 2007-06-18 2009-02-05 Seiko Epson Corp 接合方法、接合体および配線基板
WO2016111329A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 山陽特殊製鋼株式会社 Ｎｉ－Ｃｕ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体
JP2016129080A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 山陽特殊製鋼株式会社 Ｎｉ−Ｃｕ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体
JP2018106777A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板およびハードディスクドライブ
JP2018106776A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板およびハードディスクドライブ
JP2018106775A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 昭和電工株式会社 磁気記録媒体用基板およびハードディスクドライブ

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0827931B2 (ja) 1996-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4889767A (en) Magnetic recording medium
US4816334A (en) Magnetic recording medium
US5069967A (en) Magnetic recording medium
US5741577A (en) Magnetic recording medium having a lubricant layer with a specified structure of a specified perfluoropolyether lubricant
US4548864A (en) Magnetic recording medium having an organic metal underlayer
JPS62183023A (ja) 磁気記録媒体
EP0206115A2 (en) Magnetic recording medium
JPS637514A (ja) 磁気記録媒体
JP2523278B2 (ja) 磁気記録媒体
JPS637513A (ja) 磁気記録媒体
JP2727504B2 (ja) 磁気記録媒体
JP2562320B2 (ja) 磁気記録媒体
JP4820783B2 (ja) 磁気記録媒体の製造方法および製造装置
JPS63113822A (ja) 磁気記録媒体
JPS63113924A (ja) 磁気記録媒体
JP2648910B2 (ja) 磁気記録媒体
JPS62146430A (ja) 磁気記録媒体
JPS62234228A (ja) 磁気記録媒体
JPS62150528A (ja) 磁気記録媒体
JPS62264424A (ja) 磁気記録媒体
WO2011111597A1 (ja) 炭素膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法
JPS62150527A (ja) 磁気記録媒体
JPS62150526A (ja) 磁気記録媒体
JPH03207020A (ja) 磁気記録媒体
JPS62150525A (ja) 磁気記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees
S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350