JPS6374022A - 光偏向器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 光ヘッド等に用いる偏向器は高速性を要求されるが、ミ
ラーを回動せしめ角度を変える偏向器は応答速度が遅い
。そこで光の波長を制御して角度を変え応答速度の高速
化を図ったものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は光デイスクメモリ装置を構成する光ヘッドに係
り、特に小形軽量化が可能で応答速度の高速化を図った
光偏向器に関する。

情報処理装置を構成する記憶装置の大容量化を実現する
ための手段として、情報の書込み、読み出しに光を用い
る光デイスクメモリ装置の開発が盛んに行われている。

かかる光デイスクメモリ装置において情報を光ディスク
に書込むための光ヘッドは、装置全体の小形化とアクセ
ス時間の短縮を可能にするため、小形軽量であると共に
応答速度の速いことが要求される。

かかる光ヘッドにおいて光をトラック方向に走査する手
段として、光源からの光を任意の角度に偏向できる光偏
向器が用いられており、光ヘッドが上記の要求を充たす
ためには主要部である光偏向器が、小形軽量で且つ応答
速度の高速性を具えていなければならない。

〔従来の技術〕

第５図は従来の光偏向器を示す模式図である。

図において従来の光偏向器は装置に固定された半導体レ
ーザ装置等の光源１と、駆動機構２によって光ディスク
３のトラック方向に移動自在なガルバノミラ−４からな
り、光源１から出射した光はレンズ１１によって平行光
１２に変換されてガルバノミラ−４に入射し、ガルバノ
ミラ−４で反射された反射光１３はレンズ５によって光
デイスク３上に集束する。

ガルバノミラ−４は一辺を支点として回動するミラー４
１、ミラー４１を吸引する電磁石４２、およびミラー４
１を電磁石４２から離す方向に付勢するばね４３で構成
されており、電磁石４２を駆動するとミラー４１が吸引
さればね４３の力に抗して回動する。ミラー４１に入射
する平行光１２とその反射光１３のなす角度、即ち偏向
角度はミラー４１が回動すると変化し、その変化量は電
磁石４２に印加する電流を変えることにより制御される
。

〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしガルバノミラ−を用いた従来の光偏向器は、ガル
バノミラ−自体の応答速度が遅＜２ＫＩＩＺ程度が限度
である。しかも電磁石を具えたガルバノミラ−は光ヘッ
ドの形状を大形化させるのみならず、ガルバノミラ−を
光ディスクのトラック方向に移動させる際にも、高速度
で移動させることができないという問題があった。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明になる光偏向器の原理を示す図である。

なお企図を通し同じ対象物は同一記号で表している。

上記問題点は電磁石を駆動してミラーを回動させるガル
バノミラ−を用いたため生じたもので、出射光の波長を
自在に変えられる波長可変型レーザ６と回折格子７とで
構成され、波長可変型レーザ６から出射する光の波長を
制御することによって、回折格子７における回折角度を
変化せしめる本発明になる光偏向器によって解決される
。

〔作用〕

第１図において本発明になる光偏向器は装置に固定され
た波長可変型レーザ６と、駆動機構２によって光ディス
ク３のトラック方向に移動自在な回折格子７からなり、
波長可変型レーザ６がら出射された平行光１２は回折格
子７によって回折され、回折光１４はレンズ５によって
光デイスク３上に集束する。

回折格子の溝間隔をｄ、回折格子のブレーズ角をθとし
、回折光の次数をｍ、波長の変化量をΔλ、回折角の変
化量をΔθとすると、回折角の変化量Δθは次式により
算出される。

ｃｏｓθ　°　ｄ 即ち回折格子における回折角は波長依存性があり回折角
の変化量は波長の変化量に比例する。

例えば回折格子７の溝間隔ｄを１／１２００ｍｍ、ブレ
ーズ角θを２７度とした場合、波長可変型レーザ６から
出射される光の波長がｌｎｍ変化する毎に、回折格子７
における２次回折光の回折角は０．１５度変化する。し
たがって光の波長を１０ｎｍ変化させると２次回折光の
回折角は１．５度変化することになり、光ヘツド用の偏
向装置として十分な角度の変化量を具えている。

回折格子は応答速度を低下させる可動部が無く小形軽量
化が可能なため、第１図に示す如く光偏向器を波長可変
型の光源と回折格子とで構成することによって、かかる
光偏向器を主要部とする光ヘッドの、高速性を十分満足
せしめ小形軽量化を実現させることができる。

〔実施例〕

以下添付図により本発明の実施例について詳細に説明す
る。第２１２Ｉは本発明の一実施例を示す模式図、第３
図は本発明の別の実施例を示す模式図、第４図は本発明
の更に別の実施例を示す模式図である。

第２図に示す本発明の一実施例において波長可変型レー
ザ６として用いられたレーザ装置は、半導体レーザや色
素レーザ等のレーザ装置８４と外部共振器を具えており
、レーザ装置８４の一端に形成された反射膜８５、レン
ズ８６、および出力ミラー８７からなる外部共振器の内
部に、電気光学結晶からなる変調素子８１と偏光子８２
で構成された波長制御装置８３が組込まれている。

また第３図に示す本発明の別の実施例において波長可変
型レーザ６として用いられたレーザ装置は、半導体レー
ザや色素レーザ等のレーザ装置８４と外部共振器を具え
ており、レーザ装置８４の一端に形成された反射膜８５
、光導波路８８、および光導波路８８の一端に形成され
た反射膜８９からなる外部共振器の内部に、ＴＥ　−７
Ｍモードコンバータ等からなる変調素子８１と偏光子８
２で構成された波長制御装置８３、および光カプラ９１
、導波路９２等が組込まれている。

半導体レーザや色素レーザ等から出射される光の波長特
性は、比較的緩やかで±５ｎｍ程度の高利得範囲を十分
具えており、波長制御装置８３を外部共振器の中間に組
込むことによって、この高利得範囲に含まれる波長の光
の中から特定の波長を有する光を取り出すことが可能で
、変調素子８１に印加する電圧を制御することによって
その波長を変化させることができる。

更に第４図に示す本発明の実施例において波長可変型レ
ーザ６として用いられたレーザ装置は、発振用電極６１
の他に波長制御用電極６２を設けた分布反射型レーザ（
ＤＢＲレーザ）６３で、分布反射型レーザの波長特性は
幅の広い高利得範囲を具えており、波長制御用電極６２
に印加する電圧を制御して半導体の屈折率を変化させる
ことにより、分布反射型レーザから出射する光の波長を
変化させることができる。

このように回折格子と波長可変型シープとで構成された
光偏向器は小形軽量化が可能で、回折格子に可動部が無
いため応答速度が数百Ｍ　ｌｌｚ程度まで高速化される
。その結果かかる光偏向器を主要部とする光ヘッドの、
高速性を十分満足せしめ小形軽量化を実現させることが
できる。

〔発明の効果〕

上述の如く本発明によれば小形軽量化が可能で高速度化
された光偏向器を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる光偏向器の原理を示す図、第２図
は本発明の一実施例を示す模式図、第３図は本発明の別
の実施例を示す模式図、第４図は本発明の更に別の実施
例を示す模式図、第５図は従来の光偏向器を示す模式図
、である。図において ２は駆動機構、　　　　３は光ディスク、５はレンズ、
　　　　　６は波長可変型レーザ、７は回折格子、　　
　１２は平行光、 １４は回折光、　　　　６１は発振用電極、６２は波長
制御用電極、６３は分布反射型レーザ、８１は変調素子
、　　　８２は偏光子、８３は波長制御装置、　８４は
レーザ装置、８５．８９は反射膜、　　８６はレンズ、
８７は出力ミラー、　　８８．９２は先導波路、９１は
光カプラ、 をそれぞれ表す。 、＄−≧Ｑ字ン−トン−）の−戸ｊε４づ５づ’ｃ　ヂ
１とｊフ三二ヴテ；号「模ジきＣＪｉン）第　２　図 す 本発明の珍ｊの美カし倚・広示刹慎弐図本発明の更に利
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Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）出射光の波長を自在に変えられる波長可変型レーザ
   （６）と回折格子（７）とで構成され、該波長可変型レ
   ーザ（６）から出射する光の波長を制御することによっ
   て、該回折格子（７）における回折角度を変化せしめる
   ことを特徴とする光偏向器。 ２）共振器内に電気的に波長を制御できる波長制御装置
   （８３）を具えたレーザ装置を、波長可変型レーザ（６
   ）とする特許請求の範囲第１項記載の光偏向器。