JPS6372037A - 撮像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は戻シ電子ビームのターゲットへの再入射によっ
て生ずる擬似信号の発生を抑制したｊｋ像管に関するも
のである。

〔従来の技術〕

一般に光導成形撮像管は、ターゲット各部にその部分の
入射光量に応じて蓄積でれた電荷を電子ビームで走査し
、充放電させることにより、映像信号電流として外部に
取シ出てれる。通常、電子ビーム電流は、極めて強い光
が入射した部分でも蓄積電荷の取シ残しが生じないよう
に通常の蓄４ノ１電荷量に対して十分なビーム電流値よ
りも２〜３倍程度多くのビーム電流を流すため、通常の
光による動作状態では過大な電子ビームは、ターゲット
上の蓄積電荷を中和してなお余り、この残余分は電子銃
側に戻って来る。通常、これを戻り今に子ビームと称す
るが、この戻シ電子ビームは′＋４子銃の電極壁で反射
し、再度ターゲットの走査領域内外に入射する。この結
果、この戻り電子ビームの再走査と通常の走査とがほぼ
同時に信号電流として取り出でれるため、戻り電子ビー
ムの再走査分だけ余分な信号として取シ出され、撮像画
面上に例えば電子銃電極形状の影が投影でれるというい
わゆる疑似信号が発生し、撮像画像の画質を低下させる
という問題があった。特に近年では高感度で使用可能な
高性能カメラが主流になるのに伴なってこの疑似信号は
コントラストを増大式せ、画質を著しく低下きせること
になる。また、カメラのＳ／Ｎは信号電流出力部から見
た撮像管の電極の対接地容量に左右てれ、この容量を極
力ホブくすることがＳ／Ｎ改善のために望ましい。

このような問題を改善したものとしては、この種の疑似
信号の発生がターゲットおよびインジウムリングと各゛
送臘（主にメツシュ電極→との間に生じる静電容量の大
きさに比例することから、フェースプレー１・に出力信
号ビンを設け、この信号ビンに接続する透明導電膜を必
要最小限の太きてとするとともに、この７二−スプレー
トを真空封止するインジウムリングを約１０にΩ以上の
高抵抗を介してアース電位もしくは正電位に接続して出
力容量の低減を図った撮像管が提案てれている（ナショ
ナルテクニカルレポート（Ｎａｔｌｏｎａｌ　Ｔｓｃｈ
ｎｉｃａｌＲｅｐｏｒｔ　Ｖｏｌ、２８．Ｎｏ２．Ａｐ
ｒ、１９８２乃。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、近年のカメラ技術の進歩にともなって特
にハイビジョンの応用分野ではビデオ信号の帯域を拡大
式せかつＳ／Ｎ比の高い出力信号を得る要求が高くなっ
ておシ、この要請に供する撮像管としては、信号出力容
量を極限まで低減し、熱雑音成分の増大を抑制する会衆
がある。

本発明は、ターゲットを形成するフェースプレート部の
構造を改良することにより、信号出力容量を大幅に低減
させ、Ｓへ比の高い出力信号が得られるとともに戻りビ
ームの再走査による疑似信号の発生を防止する撮像管を
提供することを目的としている。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明による撮像管は、フェースプレート上に形成する
透明導電膜を、電子ビームで走査する有効走査領域と、
この有効走査領域を囲む非走査領域とに分けて形成する
とともに、有効走査領域の透明導電膜は出力信号ビンに
接続し、非走査領域の透明導電膜はターゲットリングに
接続するものでちる。

〔作用〕

本発明においては、有効走査領域の透明導電膜と対向す
るメツシュ電極との対向間の静電容量が非走査領域の透
明導電膜により高周波的にシールドされて低減きれる。

また、非走査領域に到達した戻りビームの反射ビームの
電流は接地側に流れ疑似信号を形成することはない。

〔実施例〕

以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明による撮像管の一実施例を示す要部断面
図でらシ、第２図は第１図の撮像管ターゲットを電子銃
りｉｊから見た平面図である。これらの図において、１
は透光性ガラス板からなるフェースプレート、２はフェ
ースプレート１の背面で電子ビームの有効走査領域に被
着形成でれた第１の透明導電膜、３は同様にフェースプ
レート１の背面で第１の透明導電膜２の周辺部を囲む非
走査領域に被層形成でれた第２の透明導電膜でａシ、第
１の透明導電膜２と第２の透明導電膜３との間には０．
１〜１．０ｇ程度の隙間ｄが設けられている。

また、これらの透明導電膜２，３の背面には光導電膜４
が被層形成てれてターゲットカニ形成でれる。

そして、第１の透明導電膜２はフェースプレート１を貫
通し外部に突出して配置嘔れた信号ビン５に接続てれ、
この信号ビン５によシ信号ｉｉｆ流が外部に取り出てれ
る。このようにしてイみ！ｉ、キれたフェースプレート
組立体は、内部にメツシュ％ｌｉ＠５および円筒電極７
を対向配置したバルブ８に軟質性インジワム金属９を介
して封着てれ、このインジワム金属９の外周部には例え
ばステンレスからなるターゲットリング１０が密着配置
テれている。

この場合、フェースプレート１の背面に第１の透明導電
膜２を囲んで被ンｚ形成された第２の透明導！膜３の外
周部の少なくとも一部分がインジウム金属９に接続でれ
るように構成し、第２の透明導電膜３はターゲットリン
グ１０に電気的に接続てれることになる。

このように構成嘔れる撮像管を動作嘔せる場合、ターゲ
ットリング１０には、約１０にΩ以上の高抵抗値を有す
る抵抗１１と直流電源１２とがアース接地との間に直列
接続てれて非走査領域の第２の透明導電膜３には正の電
位が印加される。一方、電子ビームの通常の走査による
光電変換信号は第１の透明導電膜２を介して信号ピン５
により外部へ取シ出される。

このような構成によれば、第１の透明導電１＞　２およ
び第２の透明導電膜３と、対向配置されたメツシュ電極
６との間の対向容量は、第１の透明導電膜２と第２の透
明導Ｙ！ｒ、膜３との対向容量に分割てれるが、出力容
量となる第１の透明４を膜２とメツシュ電極６との容量
は、第２の透明導電膜３が接地抵抗１１および直流電源
１２を介して接地てれているので、高周波的にシールド
てれ、第２の透明導電膜３を設けない場合に地絞して出
力容量を３０％〜５０チ　の範囲で低減てせにとができ
た。また、フェースプレート１の非走査領域となる第２
の透明導電膜３には、直流電源１２により正電位が印加
でれているので、走査領域外（非走査領域）に再入射す
る戻り電子ビームは光導電、漠４の外周部分に吸収され
、アース接地に流入でれることとなり、疑似信号の発生
が抑制される。

なお、前述した実施例においては、接地抵抗１１の抵抗
値を約１ＯＫΩ以上としたが、出力容」はターゲットリ
ング１０とアース接地との間に接続テれる接地抵抗１１
に依存し、第３図に示すようにその抵抗値により出力容
量が異なる。したがって、接地抵抗１１を好ましくはＨ
ｖｉ以上とすることによシ出力容Ｈを大幅に低減させる
ことができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、フェースプレート
上に形成する透明４電膜を、有効走査“須域と非走査領
域とに分割して形成するとともに、有効走査領域の透明
導電膜を出カイ３号ビンに接（、−１＋し、非走査領域
の透明導電膜をターゲラ）　ＩＪングに接続して構成し
たことにより、透明導電膜とメツシュ電極との間の静電
容量が大幅に低減され、戻り電子ビームの再走査による
疑似信号の発生が抑制式れるので、信号帯域が広くかつ
い比の高い低出力容量形の撮像管が得られるという極め
て優れた効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による撮像管の一実施例を示す要部断面
図、第２図は第１図の撮像管ターゲットの電子銃側から
見た平面図、第３図は出力容量特性を示す図である。 １・・・・フェースプレート、２・・・・第１の透明導
電膜、３・・・・第２の透明導電膜、４・・・・光導電
膜、５・・・・信号ピン、６・・・・メツシュ電極、Ｔ
・・・・円筒電極、８・・・・バルブ、９・・・・イン
ジワム金ｆｉ、１０・・・・ターゲットリング、１１・
・・・接地抵抗、１２・・・・直流電源。　　　　　　
　　　　、＋＝　’−１゛Ｘ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、透光性フェースプレート上に被着形成された透明導
   電膜と、前記透明導電膜に一端が接続されかつ前記透光
   性フェースプレートを貫通して設けられた信号ピンと、
   前記透明導電膜上に被着形成された光導電膜と、前記透
   明導電膜、光導電膜に対向配置される金属メッシュ電極
   を少なくとも内部に保持したバルブと、前記透明導電膜
   の少なくとも一部に接続されかつ前記フェースプレート
   の外周部と前記バルブ開口端とを封着する軟質金属と、
   前記軟質金属の外周部に密着配置されたターゲットリン
   グとを少なくとも備えた撮像管において、前記透明導電
   膜を、フェースプレート上で有効走査領域の透明導電膜
   と非走査領域の透明導電膜とに分割して形成するととも
   に、前記有効走査領域の透明導電膜を前記信号ピンに接
   続し、前記非走査領域の透明導電膜を前記軟質金属に接
   続したことを特徴とする撮像管。