JPS636979B2 - - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/24—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J61/26—Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering; Means for preventing blackening of the envelope
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- Discharge Lamp (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Lasers (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光源として有用で波長10〜1000nm
の光線を通過させかつ活性化陰極を有する気中放
電管の寿命を高めるための方法に関する。
の光線を通過させかつ活性化陰極を有する気中放
電管の寿命を高めるための方法に関する。
光源として使われる、水銀灯、ナトリウム灯又
は他種の金属灯、けい光管等のような気中放電管
は、一般にその点火特性及びその作動挙動を改良
する目的で所謂活性化陰極を具備している。陰極
表面上に施された活性化物質は、陰極からの電子
仕事関数の低下に有用である。多くの場合このた
めに周期律表の初めの3族(アルカリ金属、アル
カリ土類金属、土類金属)の元素の金属及び金属
化合物、有利には酸化物が使われる。文献からは
就中バリウム及びその化合物が知られている(例
えばスイス国特許第570040号明細書)。
は他種の金属灯、けい光管等のような気中放電管
は、一般にその点火特性及びその作動挙動を改良
する目的で所謂活性化陰極を具備している。陰極
表面上に施された活性化物質は、陰極からの電子
仕事関数の低下に有用である。多くの場合このた
めに周期律表の初めの3族(アルカリ金属、アル
カリ土類金属、土類金属)の元素の金属及び金属
化合物、有利には酸化物が使われる。文献からは
就中バリウム及びその化合物が知られている(例
えばスイス国特許第570040号明細書)。
気中放電管の寿命は、陰極表面上で起こる現象
により著しく決定される。作動の経過中に活性化
物質及び陰極物質は蒸発もしくは霧化する。その
際に多くの場合元素形で存在する物質は放電管の
内壁に沈積しかつ放出される光線に対するその透
過性を時間と共に低減する。しかし管の有用性に
関してはその透明性が決定的である。内壁に沈積
した粒子−特に比較的電気的陰性でありかつ高い
酸素親和性を有する、金属形で存在する活性化物
質からのもの−は管材料と反応しかつその化学的
物理的特性を不利に変化させる。主に石英分の多
いガラスから製造した放電管は短時間で褐色に、
ついには黒色に変化しかつ全く非透過性(“無効
(blind)”)になる。この不利な作業挙動は、管温
度、ガス装填、陰極作動等の適正化のような従来
の手段によつては本質的に改良することができな
い。
により著しく決定される。作動の経過中に活性化
物質及び陰極物質は蒸発もしくは霧化する。その
際に多くの場合元素形で存在する物質は放電管の
内壁に沈積しかつ放出される光線に対するその透
過性を時間と共に低減する。しかし管の有用性に
関してはその透明性が決定的である。内壁に沈積
した粒子−特に比較的電気的陰性でありかつ高い
酸素親和性を有する、金属形で存在する活性化物
質からのもの−は管材料と反応しかつその化学的
物理的特性を不利に変化させる。主に石英分の多
いガラスから製造した放電管は短時間で褐色に、
ついには黒色に変化しかつ全く非透過性(“無効
(blind)”)になる。この不利な作業挙動は、管温
度、ガス装填、陰極作動等の適正化のような従来
の手段によつては本質的に改良することができな
い。
本発明は、作動中の管壁の放射線透過性を妨害
する変化を有効に阻止して、気中放電管の寿命を
高める方法に関する。更に、高寿命の気中放電管
の構成を可能にする適当な構造上の手段を開示す
ることも本発明の課題である。
する変化を有効に阻止して、気中放電管の寿命を
高める方法に関する。更に、高寿命の気中放電管
の構成を可能にする適当な構造上の手段を開示す
ることも本発明の課題である。
本発明によればこれは、気中放電管の放電区域
中に、その自由エンタルピー△Gが管中の圧力−
及び温度条件下に管を構成している酸化物の自由
エンタルピーより大きくかつまた陰極上に施され
た活性化物質の構成元素の任意の酸化物又は亜酸
化物の自由エンタルピーよりも大きい金属酸化物
を装入し、その際金属酸化物は元素のモリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、銅
の1種又は数種の酸化物から選択することにより
達成される。
中に、その自由エンタルピー△Gが管中の圧力−
及び温度条件下に管を構成している酸化物の自由
エンタルピーより大きくかつまた陰極上に施され
た活性化物質の構成元素の任意の酸化物又は亜酸
化物の自由エンタルピーよりも大きい金属酸化物
を装入し、その際金属酸化物は元素のモリブデ
ン、タングステン、マンガン、鉄、コバルト、銅
の1種又は数種の酸化物から選択することにより
達成される。
本発明により、その放電管に、電極間の放電区
域において陰極の直接隣り合つている側に陰極と
管壁との間に金属酸化物を有する金属担体を導入
する。
域において陰極の直接隣り合つている側に陰極と
管壁との間に金属酸化物を有する金属担体を導入
する。
本発明方法にとつて重要な思想は、適当な金属
酸化物を加えることにより管壁を構成する酸化物
の還元を回避することである。
酸化物を加えることにより管壁を構成する酸化物
の還元を回避することである。
本発明は、管材料(例えばSiO2)が活性化物
質から生じる金属(本明細書ではMEと表わす)
により次式に応じて還元されるという認識に基い
ている: 〔式中0<k1、 及びW1はMEの原子価を表わす〕。
質から生じる金属(本明細書ではMEと表わす)
により次式に応じて還元されるという認識に基い
ている: 〔式中0<k1、 及びW1はMEの原子価を表わす〕。
活性化物質から2価の金属MEが生じる場合に
は、例えば次の簡略化した式が得られる: (1′) SiO2+k・2ME→SiO2(1-k)+k・2MEO 〔式中0<k1〕。
は、例えば次の簡略化した式が得られる: (1′) SiO2+k・2ME→SiO2(1-k)+k・2MEO 〔式中0<k1〕。
3価及び4価のMEの場合、同じ式が得られ
る。
る。
更に、MEが部分的に酸化されるに過ぎない反
応も起り得るのであり、その際に2価のMEでは
次式が得られる: (1*) SiO2+2ME→SiO2(1-k)+MEOk 〔式中0<k1〕。
応も起り得るのであり、その際に2価のMEでは
次式が得られる: (1*) SiO2+2ME→SiO2(1-k)+MEOk 〔式中0<k1〕。
いずれの場合にも式:SiO2(1-k)に相応して珪素
の亜酸化物もしくは元素の珪素が生じる。
の亜酸化物もしくは元素の珪素が生じる。
亜酸化物は、その酸素含量が低下する程度に応
じてその透明度が低減するという性質を有する。
従つて、出来る限り酸素含量の低下を逆反応によ
り回避しかつそれと同時に活性化物質から生じる
金属(ME)の管壁上への沈積を阻止することが
重要である。これは特定の易還元性金属酸化物
(本明細書中ではMOと表わす)の使用により達
成され、その際に次の反応が起る: MEから酸化物への酸化: 〔式中0<e1、 及びW1はMEの原子価を表わしかつW2はMの原
子価を表わす〕。
じてその透明度が低減するという性質を有する。
従つて、出来る限り酸素含量の低下を逆反応によ
り回避しかつそれと同時に活性化物質から生じる
金属(ME)の管壁上への沈積を阻止することが
重要である。これは特定の易還元性金属酸化物
(本明細書中ではMOと表わす)の使用により達
成され、その際に次の反応が起る: MEから酸化物への酸化: 〔式中0<e1、 及びW1はMEの原子価を表わしかつW2はMの原
子価を表わす〕。
各々2価の金属ME及びMに関しては式は次の
ようになる: (2′) ME+MO→MEOe+MO1-e 〔式中0<e1〕 eはできる限り1になるようにし、それによつ
てすべての存在する金属蒸気MEが少なくとも安
定な酸化物に変換されかつ還元力がSiO2に対し
て残存しない。
ようになる: (2′) ME+MO→MEOe+MO1-e 〔式中0<e1〕 eはできる限り1になるようにし、それによつ
てすべての存在する金属蒸気MEが少なくとも安
定な酸化物に変換されかつ還元力がSiO2に対し
て残存しない。
珪素の亜酸化物及び元素状珪素の再酸化:
〔式中0<k1、
及びW2はMの原子価を表わす〕。
2価の金属Mの場合、簡略化した式は次のよう
になる: (3′) SiO2(1-k)+k・2MO→SiO2+k・2M 〔式中0<k1〕 2価以外のMの場合、同じ式を立てることがで
きる。
になる: (3′) SiO2(1-k)+k・2MO→SiO2+k・2M 〔式中0<k1〕 2価以外のMの場合、同じ式を立てることがで
きる。
MOが金属Mに完全には還元されない反応も起
り得るのであり、その際に2価のMの場合には次
の式が得られる: (3*) SiO2(1-k)+2MO→SiO2+2MO1-k 〔式中0<k1〕。
り得るのであり、その際に2価のMの場合には次
の式が得られる: (3*) SiO2(1-k)+2MO→SiO2+2MO1-k 〔式中0<k1〕。
それ故、金属蒸気MEは管壁上に沈積する前に
MOによりMEOeに酸化されかつ必要な場合には
既にSiO2(1-k)に還元された珪素がMOによりSiO2
に再酸化される。これにより、目的とする光線の
透過は、反応(2)及び(3)或いは(3*)を進行させる
ための必要性に応じるMOの予備が存在する間は
保証される。
MOによりMEOeに酸化されかつ必要な場合には
既にSiO2(1-k)に還元された珪素がMOによりSiO2
に再酸化される。これにより、目的とする光線の
透過は、反応(2)及び(3)或いは(3*)を進行させる
ための必要性に応じるMOの予備が存在する間は
保証される。
反応(2)及び(3)が右方向に進行し得る条件は、適
用条件(圧力及び温度)下の該当する酸化物の自
由エンタルピー△Gの数値により決定される。
用条件(圧力及び温度)下の該当する酸化物の自
由エンタルピー△Gの数値により決定される。
従つて、次の事がらが重要である:
MOの△GはMEOkの△Gよりも大きくなけれ
ばならない、 MOの△GはSiO2の△Gよりも大きくなければ
ならない。
ばならない、 MOの△GはSiO2の△Gよりも大きくなければ
ならない。
それ故、温度目盛に対して一般に左から右へ上
昇する、MOの△G曲線(O21モルに対して)は
いずれの場合にも関連する全温度範囲にわたつて
MEOkの△G曲線かつまたSiO2の△G曲線の上方
に位置する。
昇する、MOの△G曲線(O21モルに対して)は
いずれの場合にも関連する全温度範囲にわたつて
MEOkの△G曲線かつまたSiO2の△G曲線の上方
に位置する。
勿論、前記の記載は管壁を構成している他のす
べての成分、殊に金属酸化物、特にすべての種類
のガラス、また硼素含有ガラス、鋼玉(Al2O3)
等にも該当する。いずれの場合にも相応する還元
式及び自由エンタルピー△Gに関する条件を挙げ
ることができる。材料選択に関する前提は、著し
く関与する反応成分、即ち金属酸化物MO、それ
から生じる亜酸化物もしくは金属MO1-k並びに
再形成された活性化物質の亜酸化物又は酸化物
MEOkが該当する光線範囲で透過性でありかつ生
じるガス及び蒸気に対して並びに管壁に対して不
活性であるということである。
べての成分、殊に金属酸化物、特にすべての種類
のガラス、また硼素含有ガラス、鋼玉(Al2O3)
等にも該当する。いずれの場合にも相応する還元
式及び自由エンタルピー△Gに関する条件を挙げ
ることができる。材料選択に関する前提は、著し
く関与する反応成分、即ち金属酸化物MO、それ
から生じる亜酸化物もしくは金属MO1-k並びに
再形成された活性化物質の亜酸化物又は酸化物
MEOkが該当する光線範囲で透過性でありかつ生
じるガス及び蒸気に対して並びに管壁に対して不
活性であるということである。
活性化物質の骨格元素としては、有利にはバリ
ウム、ストロンチウム、カルシウム、イツトリウ
ム、ランタン及びトリウムを使用する。
ウム、ストロンチウム、カルシウム、イツトリウ
ム、ランタン及びトリウムを使用する。
本発明の詳細は次に部分的に図面により詳説し
た実施例から明らかである。
た実施例から明らかである。
第1図では管は壁1により限定されておりかつ
従来のように電極2個、即ち陽極2と、活性化物
質4(ME−酸化物)で被覆されている、温度安
定性担持金属(例えばタングステン又はモリブデ
ン)から成る陰極3を有する。陽極2と陰極3と
の間の幾何学的な配置により形成される放電区域
の約半分のところに表面酸化された金属(M/
MO)例えばタングステン上の三酸化タングステ
ン、を有するコイル形金属担体8が存在する。こ
の配置により金属酸化物(MO)の作用を明らか
にすることができる。一定の作動時間後に、管壁
の陰極3の側7は化学的な変化の結果変色しかつ
益す益す光線に対して不透過性になる。これに対
し、コイル8の後方に存在する管壁の陰極3に遠
い側6はその光線透過性を維持する。
従来のように電極2個、即ち陽極2と、活性化物
質4(ME−酸化物)で被覆されている、温度安
定性担持金属(例えばタングステン又はモリブデ
ン)から成る陰極3を有する。陽極2と陰極3と
の間の幾何学的な配置により形成される放電区域
の約半分のところに表面酸化された金属(M/
MO)例えばタングステン上の三酸化タングステ
ン、を有するコイル形金属担体8が存在する。こ
の配置により金属酸化物(MO)の作用を明らか
にすることができる。一定の作動時間後に、管壁
の陰極3の側7は化学的な変化の結果変色しかつ
益す益す光線に対して不透過性になる。これに対
し、コイル8の後方に存在する管壁の陰極3に遠
い側6はその光線透過性を維持する。
第2図には、管状部中の放電区域の開始部に挿
入された、表面が酸化されている(酸化物MO、
例えば酸化タングステン、酸化モリブデン)コイ
ル形金属担体8を具備する気中放電管の陰極部が
示されている。そのコイルは活性化物質4が施さ
れている陰極3に直接面して存在し、それ故放電
管の壁1は全長にわたつて化学的変化から保護さ
れかつ完全に放射線放出を行なうことができる。
入された、表面が酸化されている(酸化物MO、
例えば酸化タングステン、酸化モリブデン)コイ
ル形金属担体8を具備する気中放電管の陰極部が
示されている。そのコイルは活性化物質4が施さ
れている陰極3に直接面して存在し、それ故放電
管の壁1は全長にわたつて化学的変化から保護さ
れかつ完全に放射線放出を行なうことができる。
第3図では気中放電管中に設けたコイル8は他
の形状を有する。この場合、コイルは陰極3から
絶縁されている陰極フラスコ状体9の円筒部の内
面上に固定されている。この場合にもコイル8に
活性化物質4から発生する金属蒸気(例えばバリ
ウム、イツトリウム又はランタン)が放電区域の
途中で完全に浸透し、従つて前記の反応は完全に
かつ定量的に進行する。他の関連番号は第1図に
相当する。
の形状を有する。この場合、コイルは陰極3から
絶縁されている陰極フラスコ状体9の円筒部の内
面上に固定されている。この場合にもコイル8に
活性化物質4から発生する金属蒸気(例えばバリ
ウム、イツトリウム又はランタン)が放電区域の
途中で完全に浸透し、従つて前記の反応は完全に
かつ定量的に進行する。他の関連番号は第1図に
相当する。
第4図では陰極3及び放電区域5の開始部が円
錐形金属担体10により包囲されており、この金
属担体10は金属酸化物MOを担持する。金属担
体10は管壁1において絶縁固定されておりかつ
陰極と導電結合を有していない。それは浮動電位
上に存在する。この場合にも陰極から発生する金
属蒸気はある程度“集束(fokussiert)”されて
酸化物MOと反応する。勿論、金属担体10は円
錐形以外の形状を有していてもよく、例えば“ド
ーム”、“煙突”、双曲面等として構成することが
できる。形状は方法の有効性及び放電管の機能優
秀性に対しては殆んど重要ではない。重要なの
は、十分に酸化物MOが存在していることであり
かつその表面積が陰極3の活性化物質4の蒸発率
に対して一定の比にあることだけである。
錐形金属担体10により包囲されており、この金
属担体10は金属酸化物MOを担持する。金属担
体10は管壁1において絶縁固定されておりかつ
陰極と導電結合を有していない。それは浮動電位
上に存在する。この場合にも陰極から発生する金
属蒸気はある程度“集束(fokussiert)”されて
酸化物MOと反応する。勿論、金属担体10は円
錐形以外の形状を有していてもよく、例えば“ド
ーム”、“煙突”、双曲面等として構成することが
できる。形状は方法の有効性及び放電管の機能優
秀性に対しては殆んど重要ではない。重要なの
は、十分に酸化物MOが存在していることであり
かつその表面積が陰極3の活性化物質4の蒸発率
に対して一定の比にあることだけである。
第5図では、気中放電管は同様に陰極から絶縁
されて固定されている、金属酸化物MOを担持す
る円板状担体11を備えている。金属担体11の
円板状の構成及びその配置により活性化物質4か
ら発生する金属粒子は大部分が捕集されかつそれ
が管壁1に沈積するのを回避する。更に、粒子は
迂回することになり、それ故前記の反応が終結す
るように十分に時間と空間が得られる。この円板
状担体11も他の形状に構成されていてよい。こ
の円板材は孔又はスリツトを有するか或いは網材
又は格子材に代えられていてよい。その境界面も
平面形に構成されている必要はない。
されて固定されている、金属酸化物MOを担持す
る円板状担体11を備えている。金属担体11の
円板状の構成及びその配置により活性化物質4か
ら発生する金属粒子は大部分が捕集されかつそれ
が管壁1に沈積するのを回避する。更に、粒子は
迂回することになり、それ故前記の反応が終結す
るように十分に時間と空間が得られる。この円板
状担体11も他の形状に構成されていてよい。こ
の円板材は孔又はスリツトを有するか或いは網材
又は格子材に代えられていてよい。その境界面も
平面形に構成されている必要はない。
第6図では気中放電管は管壁1上に施された金
属酸化物MO含有ペースト12を有する。その場
合には例えば次のように行なうことができる:粉
末形で存在する金属酸化物MO、例えばWO3又は
MoO2を有機溶剤、例えば酢酸アミル中に懸濁さ
せかつ撹拌してペースト12にする。これを薄層
で陰極3に相対する管壁1の部分の内面上に施し
かつ乾燥させる。ペースト12が管壁1に固着し
ているように注意すべきである。このように調製
した管壁1は前記の例に挙げた手段と同じ作用を
有しかつ放電管で構造上の変更を行なう必要が全
くないことにより優れている。
属酸化物MO含有ペースト12を有する。その場
合には例えば次のように行なうことができる:粉
末形で存在する金属酸化物MO、例えばWO3又は
MoO2を有機溶剤、例えば酢酸アミル中に懸濁さ
せかつ撹拌してペースト12にする。これを薄層
で陰極3に相対する管壁1の部分の内面上に施し
かつ乾燥させる。ペースト12が管壁1に固着し
ているように注意すべきである。このように調製
した管壁1は前記の例に挙げた手段と同じ作用を
有しかつ放電管で構造上の変更を行なう必要が全
くないことにより優れている。
第7図では、気中放電管は管壁1上に蒸着させ
た金属酸化物13(MO)を有する。この金属酸
化物の作用は第6図のペースト12と同様であ
る。ちなみに関連番号は第1図と同様である。
た金属酸化物13(MO)を有する。この金属酸
化物の作用は第6図のペースト12と同様であ
る。ちなみに関連番号は第1図と同様である。
第8図では、光収率hνを開始収量の百分率で
時間の関数でグラフにした。これは、内径10mm及
び全長320mmで、各端部に電極管を備えたU字形
石英管を用いて測定した。Hg−及び稀ガスを充
填し、ガラス/金属シーリングした高電流低圧放
電管を使つた。作動は周囲温度とは関係なく可能
であつた。本発明による黒化の防止(曲線“b”
により図示)は、陰極の直前にW/WO3コイル
を組み入れる(第2図の8)ことにより行なつ
た。陰極の活性化物質はBaOであつた。曲線
“a”は従来の放電管の放射線強度の経過を表わ
す。600時間より少ない作動時間後には収率は僅
か約50%でありかつ時間の経過と共に更に指数関
数的に低下する。これに対して曲線“b”は本発
明方法により改良された放電管の場合である。一
定の電流範囲ではその収率は1000時間を越える作
動時間後でも元来の数値のままである。従つて、
管の寿命は管壁の“無効化(Blind−werden)”
により制限されることはない。
時間の関数でグラフにした。これは、内径10mm及
び全長320mmで、各端部に電極管を備えたU字形
石英管を用いて測定した。Hg−及び稀ガスを充
填し、ガラス/金属シーリングした高電流低圧放
電管を使つた。作動は周囲温度とは関係なく可能
であつた。本発明による黒化の防止(曲線“b”
により図示)は、陰極の直前にW/WO3コイル
を組み入れる(第2図の8)ことにより行なつ
た。陰極の活性化物質はBaOであつた。曲線
“a”は従来の放電管の放射線強度の経過を表わ
す。600時間より少ない作動時間後には収率は僅
か約50%でありかつ時間の経過と共に更に指数関
数的に低下する。これに対して曲線“b”は本発
明方法により改良された放電管の場合である。一
定の電流範囲ではその収率は1000時間を越える作
動時間後でも元来の数値のままである。従つて、
管の寿命は管壁の“無効化(Blind−werden)”
により制限されることはない。
添付図面に示した構造の各々の組合せも同様に
明らかに実施可能である。
明らかに実施可能である。
参考例 1(第1図参照)
直径0.5mm及び長さ4mのバナジウム線材を平
均コイル直径12mmのコイルに巻き上げかつ引続い
て空気中で温度700℃で10分間強熱処理した。そ
の際に表面は酸化バナジウムに酸化された。酸化
バナジウムで被膜されているコイル形金属担体8
を高電流低圧水銀ランプ中に、担体が管壁1の放
電区域5のほぼ真中に位置するように挿入した。
石英から成る気中放電管は活性化物質4として酸
化バリウムが塗布されている加熱ニツケル陰極3
を有していた。就中、作動時に管中では次の反応
が起る: (2) 3Ba+V2O3→3BaO+2V (3) SiO+V2O3→SiO2+2VO (3′) 3SiO+V2O3→3SiO2+2V O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のようである: 温度 SiO2 BaO V2O5 500〓 ‐781 ‐1016 ‐748KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐836 ‐573KJ/モル V2O3(一般にはMO)の自由エンタルピー△G
の数値は関連する温度範囲500〜1500〓にわたつ
てSiO2のその数値及びBaO(一般にはMEOk)の
それを上廻つており、従つて全反応は右方向に進
行する。三二酸化バナジウムの作用は既に200時
間より少ない作動時間後に、陽極2の前方に位置
する管壁1の部分6がUV−C−光線に対して変
らずに透過性であるが、陰極3に相対する部分7
が二酸化珪素の亜酸化物への還元により褐色に変
色することで確認することができた。
均コイル直径12mmのコイルに巻き上げかつ引続い
て空気中で温度700℃で10分間強熱処理した。そ
の際に表面は酸化バナジウムに酸化された。酸化
バナジウムで被膜されているコイル形金属担体8
を高電流低圧水銀ランプ中に、担体が管壁1の放
電区域5のほぼ真中に位置するように挿入した。
石英から成る気中放電管は活性化物質4として酸
化バリウムが塗布されている加熱ニツケル陰極3
を有していた。就中、作動時に管中では次の反応
が起る: (2) 3Ba+V2O3→3BaO+2V (3) SiO+V2O3→SiO2+2VO (3′) 3SiO+V2O3→3SiO2+2V O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のようである: 温度 SiO2 BaO V2O5 500〓 ‐781 ‐1016 ‐748KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐836 ‐573KJ/モル V2O3(一般にはMO)の自由エンタルピー△G
の数値は関連する温度範囲500〜1500〓にわたつ
てSiO2のその数値及びBaO(一般にはMEOk)の
それを上廻つており、従つて全反応は右方向に進
行する。三二酸化バナジウムの作用は既に200時
間より少ない作動時間後に、陽極2の前方に位置
する管壁1の部分6がUV−C−光線に対して変
らずに透過性であるが、陰極3に相対する部分7
が二酸化珪素の亜酸化物への還元により褐色に変
色することで確認することができた。
例 2(第2図参照)
直径0.5mm及び長さ4mのタングステン線材を
直径12mmのコイルに巻き上げ、次に酸素流中で温
度1000℃で10分間その表面を酸化タングステンに
酸化した。このように被膜したコイルをニツケル
陰極3を備えている気中放電管中に設置した。陰
極3は活性化物質4として酸化バリウムを有して
いた。殊に、作動中に起る反応は次の通りであ
る: (2) 3Ba+WO3→3BaO+W (3) SiO+WO3→SiO2+WO2 (3′) 3SiO+WO3→3SiO2+W 酸素1モルに対する主要反応成分の自由エンタ
ルピー△Gは次の通りである: 温度 SiO2 BaO O3 500〓 ‐781 ‐1016 ‐482KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐836 ‐327KJ/モル 収率は2000時間後でも不変であつた。
直径12mmのコイルに巻き上げ、次に酸素流中で温
度1000℃で10分間その表面を酸化タングステンに
酸化した。このように被膜したコイルをニツケル
陰極3を備えている気中放電管中に設置した。陰
極3は活性化物質4として酸化バリウムを有して
いた。殊に、作動中に起る反応は次の通りであ
る: (2) 3Ba+WO3→3BaO+W (3) SiO+WO3→SiO2+WO2 (3′) 3SiO+WO3→3SiO2+W 酸素1モルに対する主要反応成分の自由エンタ
ルピー△Gは次の通りである: 温度 SiO2 BaO O3 500〓 ‐781 ‐1016 ‐482KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐836 ‐327KJ/モル 収率は2000時間後でも不変であつた。
例 3(第4図参照)
厚さ0.2mmのモリブデン板を円錐台10に成形
し、引続いて空中で10時間、温度500℃で強熱処
理した。この際にその表面は酸化モリブデンに酸
化された。MoO2で被膜された円錐形金属担体1
0を陰極3のすぐ上に絶縁して気中放電中に設け
た。この気中放電管はモリブデン製の陰極3を有
し、陰極は活性物質としてLa2O3で被覆されてい
る。就中、作動時には次の反応が起る: (2) 4La+3MoO2→2La2O3+3Mo (3) SiO+MoO2→SiO2+MoO (3′) SiO+2MoO2→SiO2+Mo2O3 (3″) 2SiO+MoO2→2SiO2+Mo O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次の通りである: 温度 SiO2 La2O3 MoO2 500〓 ‐781 ‐1110 ‐461KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐925 ‐318KJ/モル 1500時間の作動後に光収率は初めの98.5%であ
つた。
し、引続いて空中で10時間、温度500℃で強熱処
理した。この際にその表面は酸化モリブデンに酸
化された。MoO2で被膜された円錐形金属担体1
0を陰極3のすぐ上に絶縁して気中放電中に設け
た。この気中放電管はモリブデン製の陰極3を有
し、陰極は活性物質としてLa2O3で被覆されてい
る。就中、作動時には次の反応が起る: (2) 4La+3MoO2→2La2O3+3Mo (3) SiO+MoO2→SiO2+MoO (3′) SiO+2MoO2→SiO2+Mo2O3 (3″) 2SiO+MoO2→2SiO2+Mo O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次の通りである: 温度 SiO2 La2O3 MoO2 500〓 ‐781 ‐1110 ‐461KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐925 ‐318KJ/モル 1500時間の作動後に光収率は初めの98.5%であ
つた。
例 4(第5図参照)
銅2%及びニツケル1%を含有するマンガン合
金より成る厚さ0.5mmの板材を直径20mmの円板に
切断し、次に空中で10分間温度600℃で強熱処理
した。このように酸化マンガンで被覆した円板形
金属担体11をモリブデン陰極3を備えている気
中放電管中に挿入した。活性化物質4としては酸
化ランタンを使用した。就中、作動時に次の反応
が起こつた: (2) 2La+3MnO→La2O3+3Mn (3) SiO+MnO→SiO2+Mn O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のようである: 温度 SiO2 La2O3 MoO 500〓 ‐781 ‐1110 ‐695KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐925 ‐548KJ/モル 900時間の作動後、放射線強度は最初の数値の
1%以下の低下が認められるに過ぎなかつた。
金より成る厚さ0.5mmの板材を直径20mmの円板に
切断し、次に空中で10分間温度600℃で強熱処理
した。このように酸化マンガンで被覆した円板形
金属担体11をモリブデン陰極3を備えている気
中放電管中に挿入した。活性化物質4としては酸
化ランタンを使用した。就中、作動時に次の反応
が起こつた: (2) 2La+3MnO→La2O3+3Mn (3) SiO+MnO→SiO2+Mn O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のようである: 温度 SiO2 La2O3 MoO 500〓 ‐781 ‐1110 ‐695KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐925 ‐548KJ/モル 900時間の作動後、放射線強度は最初の数値の
1%以下の低下が認められるに過ぎなかつた。
例 5(第5図参照)
厚さ0.5mmの電解鉄製板材から直径20mmの円板
を切断しかつこの円板に直径2mmの多数の孔を打
抜いた。次いで、円板を空中で10分間温度700℃
で強熱処理すると、その表面は酸化された。この
ように酸化鉄で被覆されている金属担体11を、
陰極3がタングステンより成りかつ酸化トリウム
で被覆されている水銀灯中に挿入した。作動時に
起こつた主要な反応は次の通りである: (2) 2Th+Fe3O4→2ThO2+3Fe (3) SiO+Fe3O4→SiO2+3FeO (3′) 4SiO+Fe3O4→4SiO2+3Fe O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のようである: 温度 SiO2 ThO2 Fe2O3 500〓 ‐781 ‐1307 ‐477KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐1090 ‐335KJ/モル 放電管を1800時間作動させた後で光収率は最初
の数値の98%であつた。
を切断しかつこの円板に直径2mmの多数の孔を打
抜いた。次いで、円板を空中で10分間温度700℃
で強熱処理すると、その表面は酸化された。この
ように酸化鉄で被覆されている金属担体11を、
陰極3がタングステンより成りかつ酸化トリウム
で被覆されている水銀灯中に挿入した。作動時に
起こつた主要な反応は次の通りである: (2) 2Th+Fe3O4→2ThO2+3Fe (3) SiO+Fe3O4→SiO2+3FeO (3′) 4SiO+Fe3O4→4SiO2+3Fe O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のようである: 温度 SiO2 ThO2 Fe2O3 500〓 ‐781 ‐1307 ‐477KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐1090 ‐335KJ/モル 放電管を1800時間作動させた後で光収率は最初
の数値の98%であつた。
例 6(第5図参照)
直径0.5mm及びメツシユ幅3mmのコバルト線材
製のネツトから直径20mmの円形板を切断しかつ引
続いて空中で10分間温度800℃で強熱処理した。
このようにCoOで被覆された金属担体11を、陰
極3がニツケルより成りかつ活性化物質4として
酸化バリウム層を包含する気中放電管中に挿入し
た。作動時に次の反応が起る: (2) Ba+CoO→BaO+Co (3) SiO+CoO→SiO2+Co O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のように表わされる: 温度 SiO2 BaO CoO 500〓 ‐781 ‐1016 ‐398KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐836 ‐238KJ/モル 1400時間の点灯後に放射線強度の低下は確認さ
れなかつた。
製のネツトから直径20mmの円形板を切断しかつ引
続いて空中で10分間温度800℃で強熱処理した。
このようにCoOで被覆された金属担体11を、陰
極3がニツケルより成りかつ活性化物質4として
酸化バリウム層を包含する気中放電管中に挿入し
た。作動時に次の反応が起る: (2) Ba+CoO→BaO+Co (3) SiO+CoO→SiO2+Co O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のように表わされる: 温度 SiO2 BaO CoO 500〓 ‐781 ‐1016 ‐398KJ/モル 1500〓 ‐593 ‐836 ‐238KJ/モル 1400時間の点灯後に放射線強度の低下は確認さ
れなかつた。
例 7(第6図参照)
平均粒径5〜10μの亜酸化銅末3gを酢酸アミ
ル0.5ml中で撹拌して硬質ペースト12にしかつ
これを陰極3に相対する水銀灯の壁1の内面に薄
層で施した。その後、管を乾燥しかつこれに温度
400℃及び圧力<10-4mmHgで10分間熱処理を施し
た。調製したCu2O−層は平均厚さ0.2mmを有して
いた。気中放電管はトリウムタングステン陰極を
備えていた。就中、行なわれる反応は次の通りで
ある: (2) Th+2Cu2O→ThO2+4Cu (3) SiO+Cu2O→SiO2+2Cu O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のように表わされる。
ル0.5ml中で撹拌して硬質ペースト12にしかつ
これを陰極3に相対する水銀灯の壁1の内面に薄
層で施した。その後、管を乾燥しかつこれに温度
400℃及び圧力<10-4mmHgで10分間熱処理を施し
た。調製したCu2O−層は平均厚さ0.2mmを有して
いた。気中放電管はトリウムタングステン陰極を
備えていた。就中、行なわれる反応は次の通りで
ある: (2) Th+2Cu2O→ThO2+4Cu (3) SiO+Cu2O→SiO2+2Cu O21モルに対する主要反応成分の自由エンタル
ピー△Gは次のように表わされる。
温度 SiO2 ThO2 Cu2O
500〓 ‐781 ‐1307 ‐264KJ/モル
1500〓 ‐593 ‐1090 ‐138KJ/モル
光収率は200時間の作動後も実験の初めに測定
した数値の99%であつた。
した数値の99%であつた。
前記の実施例中で挙げた強熱処理温度及び強熱
処理時間は平均値でありかつ適用形に応じて比較
的広い範囲で変動し得る。ところで、これらの作
動規模はそのものとしては本発明には重要ではな
い。基本的には、どのように金属酸化物を生成し
かつ管中に導入するかは重要ではない。
処理時間は平均値でありかつ適用形に応じて比較
的広い範囲で変動し得る。ところで、これらの作
動規模はそのものとしては本発明には重要ではな
い。基本的には、どのように金属酸化物を生成し
かつ管中に導入するかは重要ではない。
本方法は前記実施例及び図面に記載又は図示し
た適用例に限定されるものではない。特に、ハロ
ゲンを充填した任意の他の種類の金属灯又は気中
放電管に転用することができる。一般に、金属酸
化物から構成されていてかつ物理的装置又は容器
の閉鎖空間を形成する壁の内面を、活性化物質か
ら発生しかつ固体、液体又は蒸気状で存在する金
属粒子の還元作用から保護することが必要である
場合にはいつでも適用することができる。
た適用例に限定されるものではない。特に、ハロ
ゲンを充填した任意の他の種類の金属灯又は気中
放電管に転用することができる。一般に、金属酸
化物から構成されていてかつ物理的装置又は容器
の閉鎖空間を形成する壁の内面を、活性化物質か
ら発生しかつ固体、液体又は蒸気状で存在する金
属粒子の還元作用から保護することが必要である
場合にはいつでも適用することができる。
この新規方法により、従来のような気中放電管
を作動する際に惹起された、管壁の物理特性、特
にその光透過性を早く不良にしたその化学的変化
が有効に阻止される。これは、機能性の改良、光
線収率の上昇及び管の寿命の上昇に現れる。この
方法は全般的な利用可能性により優れておりかつ
管並びに使用する管材料の構造及び種類に左右さ
れない。
を作動する際に惹起された、管壁の物理特性、特
にその光透過性を早く不良にしたその化学的変化
が有効に阻止される。これは、機能性の改良、光
線収率の上昇及び管の寿命の上昇に現れる。この
方法は全般的な利用可能性により優れておりかつ
管並びに使用する管材料の構造及び種類に左右さ
れない。
添付図面の第1図〜第7図は本発明方法を実施
するための種々の気中放電管を表わし、第1図は
気中放電管の略示縦断面図、第2図は挿入された
金属酸化物を担持するコイルを備えている気中放
電管の陰極部の略示縦断面図、第3図は陰極フラ
スコ状体及び挿入コイルを具備する気中放電管、
第4図は金属酸化物を担持する円錐形担体を有す
る気中放電管、第5図は金属酸化物を担持する円
板形担体を具備する気中放電管、第6図は管壁上
に施された金属酸化物含有ペーストを有する気中
放電管、第7図は管壁に蒸着させた金属酸化物を
有する気中放電管を示し、並びに第8図は金属酸
化物を含む水銀灯と含まないそれの寿命図表であ
る。 1……気中放電管の壁、2……陽極、3……陰
極、4……活性化物質、5……放電区域、8……
表面に金属酸化物を有するコイル形金属担体、9
……陰極フラスコ状体、10……表面が酸化され
た金属を有する円錐形金属担体、11……表面が
酸化された金属を有する円板形金属担体、12…
…金属酸化物より成るペースト、13……蒸着さ
れた金属酸化物。
するための種々の気中放電管を表わし、第1図は
気中放電管の略示縦断面図、第2図は挿入された
金属酸化物を担持するコイルを備えている気中放
電管の陰極部の略示縦断面図、第3図は陰極フラ
スコ状体及び挿入コイルを具備する気中放電管、
第4図は金属酸化物を担持する円錐形担体を有す
る気中放電管、第5図は金属酸化物を担持する円
板形担体を具備する気中放電管、第6図は管壁上
に施された金属酸化物含有ペーストを有する気中
放電管、第7図は管壁に蒸着させた金属酸化物を
有する気中放電管を示し、並びに第8図は金属酸
化物を含む水銀灯と含まないそれの寿命図表であ
る。 1……気中放電管の壁、2……陽極、3……陰
極、4……活性化物質、5……放電区域、8……
表面に金属酸化物を有するコイル形金属担体、9
……陰極フラスコ状体、10……表面が酸化され
た金属を有する円錐形金属担体、11……表面が
酸化された金属を有する円板形金属担体、12…
…金属酸化物より成るペースト、13……蒸着さ
れた金属酸化物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光源として有用であり、波長10〜1000nmの
放射線を透過させかつ活性化された陰極を有する
気中放電管の寿命を高めるに当たり、自由エンタ
ルピーΔGが管中の圧力−及び温度条件下に、管
を構成している酸化物の自由エンタルピーよりも
大きくかつまた陰極上に施された活性化物質の構
成元素の任意の酸化物又は亜酸化物の自由エンタ
ルピーよりも大きい金属酸化物を気中放電管の放
電区域中に導入し、その際金属酸化物は元素モリ
ブデン、タングステン、マンガン、鉄、コバル
ト、銅の1種又は数種の酸化物から選択すること
を特徴とする、光源として有用な気中放電管の寿
命を高める方法。 2 金属酸化物が酸化モリブデン、酸化タングス
テン又は酸化鉄である特許請求の範囲第1項記載
の方法。 3 金属酸化物が三酸化タングステンであり、陰
極の活性化物質が酸化バリウムを含有しかつ気中
放電管が主に石英から成る特許請求の範囲第2項
記載の方法。 4 金属性担体上の金属酸化物を気中放電管の放
電区域中に導入する特許請求の範囲第1項記載の
方法。 5 粉末形又はペースト形の金属酸化物を放電区
域の陰極部分の管壁の内側に施す特許請求の範囲
第1項記載の方法。 6 金属酸化物を放電区域の陰極部分の管壁の内
側に蒸着により施す特許請求の範囲第1項記載の
方法。 7 気中放電管において電極間の放電区域中に陰
極に直接隣り合つている側で陰極と管壁との間に
金属酸化物を有する金属性担体を導入する特許請
求の範囲第1項記載の方法。 8 金属性担体が円板形、円筒形、円錐形、螺旋
形又はコイル形を有しかつ担体が金属酸化物を構
成している同じ骨格元素より成る気中放電管を使
用する特許請求の範囲第7項記載の方法。 9 金属性担体が管の部分から絶縁されておりか
つ浮動電位にある気中放電管を使用する特許請求
の範囲第8項記載の方法。 10 金属性担体が陰極と結合しかつ陰極電位に
ある気中放電管を使用する特許請求の範囲第8項
記載の方法。 11 金属性担体がコイル形を有し、放電区域を
周壁状に包囲し、かつ担体がタングステンより成
り、かつ金属酸化物が三酸化タングステンである
気中放電管を使用する特許請求の範囲第8項記載
の方法。 12 金属酸化物を有する金属性担体を陰極フラ
スコ状体中に設ける特許請求の範囲第7項記載の
方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH462878A CH631575A5 (de) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Verfahren zur lebensdauererhoehung eines gasentladungsgefaesses. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54144078A JPS54144078A (en) | 1979-11-09 |
JPS636979B2 true JPS636979B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=4279681
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4610579A Granted JPS54144078A (en) | 1978-04-28 | 1979-04-17 | Method of enhancing life of gaseous discharge tube useful for light source |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4274029A (ja) |
JP (1) | JPS54144078A (ja) |
AT (1) | AT378446B (ja) |
BE (1) | BE875866A (ja) |
CA (1) | CA1128110A (ja) |
CH (1) | CH631575A5 (ja) |
CS (1) | CS231965B2 (ja) |
DE (2) | DE7815195U1 (ja) |
DK (1) | DK166479A (ja) |
FI (1) | FI791310A (ja) |
FR (1) | FR2424627A1 (ja) |
GB (1) | GB2026764B (ja) |
HU (1) | HU182723B (ja) |
IT (1) | IT1112202B (ja) |
NL (1) | NL189057C (ja) |
RO (1) | RO77939A (ja) |
SE (1) | SE7903553L (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN1084929C (zh) * | 1995-01-09 | 2002-05-15 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 电路设备 |
US5917285A (en) * | 1996-07-24 | 1999-06-29 | Georgia Tech Research Corporation | Apparatus and method for reducing operating voltage in gas discharge devices |
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US6461562B1 (en) | 1999-02-17 | 2002-10-08 | American Scientific Materials Technologies, Lp | Methods of making sintered metal oxide articles |
US7733027B2 (en) * | 2004-01-15 | 2010-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | High-pressure mercury vapor lamp incorporating a predetermined germanium to oxygen molar ratio within its discharge fill |
KR100637070B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2006-10-23 | 삼성코닝 주식회사 | 면광원유닛 및 면광원유닛을 가지는 액정표시장치 |
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-
1978
- 1978-04-28 CH CH462878A patent/CH631575A5/de not_active IP Right Cessation
- 1978-05-20 DE DE19787815195U patent/DE7815195U1/de not_active Expired
- 1978-05-20 DE DE19782822045 patent/DE2822045A1/de active Granted
-
1979
- 1979-02-19 AT AT0126479A patent/AT378446B/de not_active IP Right Cessation
- 1979-04-06 US US06/027,734 patent/US4274029A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-11 CA CA325,330A patent/CA1128110A/en not_active Expired
- 1979-04-17 JP JP4610579A patent/JPS54144078A/ja active Granted
- 1979-04-19 IT IT21960/79A patent/IT1112202B/it active
- 1979-04-23 FI FI791310A patent/FI791310A/fi not_active Application Discontinuation
- 1979-04-23 DK DK166479A patent/DK166479A/da not_active IP Right Cessation
- 1979-04-23 SE SE7903553A patent/SE7903553L/xx unknown
- 1979-04-26 RO RO7997379A patent/RO77939A/ro unknown
- 1979-04-26 BE BE0/194844A patent/BE875866A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-04-26 NL NLAANVRAGE7903323,A patent/NL189057C/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-04-26 HU HU79BO1776A patent/HU182723B/hu unknown
- 1979-04-26 FR FR7910684A patent/FR2424627A1/fr active Granted
- 1979-04-26 GB GB7914561A patent/GB2026764B/en not_active Expired
- 1979-04-26 CS CS792901A patent/CS231965B2/cs unknown
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JPS508594A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-29 | ||
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SE7903553L (sv) | 1979-10-29 |
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DE2822045A1 (de) | 1979-11-08 |
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