JPS6367759A

JPS6367759A - 半導体装置

Info

Publication number: JPS6367759A
Application number: JP21296986A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Nishioka; 務西岡; Yoshinobu Nakamura; 吉伸中村
Original assignee: Nitto Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1986-09-09
Filing date: 1986-09-09
Publication date: 1988-03-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、信頼性の優れた半導体装置に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

トランジスタ、ｘｃ、Ｌｓｔ等の半導体素子は、通常セ
ラミックパッケージもしくはプラスチックパッケージ等
により封止され、半導体装置化されている。上記セラミ
ックパッケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く
、しかも中空パフケージのため機械的強度も高く信頼性
の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料が比
較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点がある
ため、最近では上記プラスチックパッケージを用いた樹
脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従
来からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成
績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新
によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化、配
線の微細化が進み、パッケージも小形化、薄形化する傾
向や、大容量トランジスタ、ＩＣ等高い放熱性を必要と
する電力用素子の汎用化等があり、これに伴って封止材
料に対してより以上の信頼性（得られる半導体装置の内
部応力、耐湿信頼性、耐熱信頼性、耐伝導性等）の向上
が要望されている。特に半導体封止に用いるエポキシ樹
脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤であるフェノール樹
脂およびこの両者の反応を促進させる硬化促進剤（主に
三級アミン類）、充填剤を主要成分とするものであるが
、三級アミン類である硬化促進剤は、エポキシ樹脂硬化
物内でフリーに存在し、高温になると移動しやすく、エ
ポキシ樹脂硬化物の電気特性（特に電気絶縁性）、耐湿
性を著しく低下させ、それによって半導体装置の電気特
性および耐湿信頼性が低下するため、その改善が望まれ
ている。また、上記のような半導体素子の高集積化、高
電圧化により素子動作時に素子の温度が上昇し、半導体
装置の信頼性を低下させるため封止樹脂の熱放散性の改
善が望まれている。しかし、従来から使用されている溶
融シリカではその含有量を高めても熱放散性に限界があ
り、しかも多量に使用するとエポキシ樹脂組成物の流動
性が著しく損なわれることから、使用量がおのずと規制
される。したがって、封止樹脂の熱放散性の向上につい
ては何ら改善されていないのが実情である。そのうえ、
上記エポキシ樹脂組成物は、硬化温度から室温に冷却す
る過程で収縮にもとづくかなりの内部応力を発生し、そ
れにより半導体素子に損傷が生じたり、断線が生じたり
する等の問題が生じる。この内部応力低減のためにゴム
粒子の添加、液状エラストマーによる変性等が行われて
いるが、エポキシ樹脂マトリックス中にかかるゴム粒子
のドメインが多量に存在することによりエポキシ樹脂組
成物の流動性が減じる等の欠点を生じている。このよう
に従来の対土用エポキシ樹脂組成物は、緒特性が、最近
の技術革新の内容に対していまひとつ満足しうるちので
はなく、それを用いた半導体装置の信頼性にも限界があ
り、上記技術革新による素子サイズの大形化１発熱量の
増大化等に対応できるようにより以上の特性向上が強く
望まれている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような要請に応える目的で、封止用エポキシ樹脂組
成物中に多量に含有されるシリカを合成ゴムで被覆しこ
の合成ゴム被覆シリカを充填剤として使用する提案がな
された（特開昭６０−１８８４１８号）。この提案法に
よれば、合成ゴム使用による流動性の低下を抑制しなが
ら、シリカとマトリックス樹脂との界面に存在する合成
ゴム層によって内部応力の低減効果を得ることができる
。しかし、この提案法は、単に内部応力の低減効果を奏
するのみであって、上記硬化促進剤に起因する電気特性
等の改善および封止樹脂の熱放散性の改善はなされてい
ず、しかも上記合成ゴム被覆シリカの製造上ならびに使
用上の制約等の問題を有している。すなわち、上記合成
ゴムはシランカップリング剤のバインダ作用によってシ
リカの外周に付着されており、このような構造のものを
つくるためには、上記シランカップリング剤としてシリ
カと合成ゴムの双方に反応する官能基を有するものを使
用し、また合成ゴムとしても上記シランカップリング剤
の官能基と反応する官能基を有するものを使用する必要
がある。ところが、上記のような原料は比較的特殊な部
類に属するものであって使用原料に制約を受けるうえ、
それを用いての合成ゴム被覆シリカの製造は煩雑である
。しかも得られる合成ゴム被覆シリカは上記バインダ成
分を構成要素としており、広い範囲のエポキシ樹脂組成
物に通用できないという難点を有している。

この発明は、このような事情に塔みなされたもので、樹
脂封止に用いるエポキシ樹脂組成物において、内部応力
を低減させるようにすると同時に、硬化促進剤の量を大
幅に低減あるいは皆無にし、さらに高い熱放散性を備え
させるようにし優れた信頼性を有する半導体装置を提供
することをその目的とする。

ｃ問題点を解決するための手段〕上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置は、
下記の（Ａ）、　　（Ｂ）および（Ｃ）成分を含有して
いるエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する
という構成をとる。

（Ａ）エポキシ樹脂。

（Ｂ）フェノール樹脂。

（Ｃ）分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の第
二級アミノ基を有する複素環式化合物残基で構成され、上記分子鎖の鎖式部分が上記末端残基のいずれかの第二級アミノ基の窒素と結合しているポリジメチルシロキサンオリゴマー主体の被覆層により粒子表面が被覆されているアルミナ粉末を含有する充填剤。

すなわち、この発明は、上記特殊なポリジメチルシロキ
サンオリゴマー主体の被覆層により粒子表面が被覆され
ている特殊なアルミナ粉末を充填剤（Ｃ成分）の一部ま
たは全部として使用するものであり、上記被覆アルミナ
粉末は、前記合成ゴム被覆シリカのようにバインダを用
いて被覆層をシリカ表面に結合する必要がなく、したが
って、原料の選択の自由度が広く製造が容易であり、ま
たバインダ成分等を含んでいず広範囲のエポキシ樹脂組
成物に適用可能である。その結果、この発明によれば、
半導体装置製造に際して工程の複雑化を招くことがなく
、しかも、上記被覆アルミナ粉末の使用により内部応力
の低減効果だけでな（、硬化促進剤の大幅低減ないしは
皆無化を実現できると同時に高度な熱放散性を実現でき
、それによって半導体装置の信頼性の大幅な向上を達成
しうるようになる。

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、分子鎖の
両末端が分子内に少なくとも２個の第二級アミノ基を有
する複素環式化合物残基で構成され上記分子鎖の鎖式部
分が上記末端残基のいずれかの第二級アミノ基の窒素と
結合しているポリジメチルシロキサンオリゴマー主体の
被覆層により粒子表面が被覆されているアルミナ粉末を
含有する充填剤（Ｃ成分）等を用いて得られるものであ
って、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレット
状になっている。なお、上記「オリゴマー」とは、二量
体も含む意味で用いている。

上記Ａ成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもので
はな（、タレゾールノボラック型、フェノールノボラッ
ク型やビスフェノールＡ型等、従来から半導体装置の封
止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があげ
られる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超えて
おり、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈す
るものを用いることが好結果をもたらす。ノボラック型
エポキシ樹脂としては、通常エポキシ当量１６０〜２５
０．軟化点５０〜１３０°Ｃのものが用いられ、タレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量
１８０〜２１０．軟化点６０〜１１０℃のものが一般に
用いられる。

上記エポキシ樹脂とともに用いられるＢ成分のフェノー
ル樹脂は、上記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フェノールノボラック。

クレゾールノボラック等が好適に用いられる。これらの
ノボラック樹脂は、軟化点が５０〜１１０℃、水酸基当
量が７０〜１５０のものを用いることが好ましい。特に
上記ノボラック樹脂のなかでもタレゾールノボラックを
用いることが好結果をもたらす。上記エポキシ樹脂（Ａ
成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の相互の割合は、エ
ポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対してフェノール樹
脂中の水酸基が０．８〜１．２当量になるように設定す
ることが好ましい。

上記Ｃ成分は分子鎖の両末端が分子内に少なくとも２個
の第二級アミノ基を有する複素環式化合物残基で構成さ
れ、上記分子鎖の鎖式部分が上記末端残基のいずれかの
第二級アミノ基の窒素と結合しているポリジメチルシロ
キサンオリゴマー主体の被覆層により粒子表面が被覆さ
れているアルミナ粉末を含有する充填剤である。ここで
主体とは、被覆層の全体が、主体となる上記特殊なポリ
ジメチルシロキサンオリゴマーで構成されている場合も
含める趣旨である。

上記被覆層の主体となるポリジメチルシロキサンオリゴ
マーの具体例としては、上記複素環式化合物残基が例え
ばピペラジン残基の場合、模式的に下記（イ）式のよう
に表される。

上記のような第二級アミノ基を有する複素環式化合物残
基としては、上記ピペラジン残基以外にピラゾリジン残
基やイミダゾリジン残基等があげられる。

上記のようなポリジメチルシロキサンオリゴマーは、公
知の方法で得ることができる。例えば、■カルボキシプ
ロピル末端ジシロキサンとアミノエチルピペラジンとの
反応生成物（その化学構造は後記の式（１）の通り）を
予め作製し、このピペラジン末端ジメチルシロキサンニ
量体（後記の式（１）参照）への環状テトラジメチルシ
ロキサンの平衡化重合により、ピペラジン末端ポリジメ
チルシロキサンオリゴマー（その化学構造は後記の弐（
２）の通り）を得ることができる。また、他の方法とし
て、■まず、アリルグリシジルエーテルとメタクロロシ
ランの反応生成物であるエポキシ末端ジメチルシロキサ
ン二量体（その化学構造は後記の式（３）の通り）への
環状テトラジメチルシロキサンの平衡化重合により、エ
ポキシ末端ポリジメチルシロキサンオリゴマー（その化
学構造は後記の式（４）の通り）を合成する。つぎに、
このオリゴマーに大過剰のピペラジンを反応させること
により、ピペラジン末端ポリジメチルシロキサンオリゴ
マー（その化学構造は後記の式（５）の通り）を得るこ
とができる。当然のことながら、■の方法とは逆に、上
記エポキシ末端ジメチルシロキサン二量体（式（３））
に、まず大過剰のピペラジンを反応させることにより、
ピペラジン末端ジメチルシロキサンニ量体を合成し、つ
ぎに、■の方法と同様、環状テトラジメチルシロキサン
の平衡化重合によりオリゴマーを得ることも可能である
。

（以下余白）これらのポリジメチルシロキサンオリゴマーの合成方法
については多くの文献に述べであるが、代表的なものと
して、Ｒ，Ｓ、バウアー（Ｒ，Ｓ、Ｂａｕｅｒ）ｔｑエ
ポキシレジンケミストリー■、へＣＳシンポジウムシリ
ーズ、　ＡＣＳ（１９８３）　Ｐ２１＝　Ｐ５４　（Ｅ
ｐｏｘｙ　Ｒｅ５ｉｎ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｒｌ　、
　ＡＣＳ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ−５ｅｒｉｅｓ）があり
、詳細に解説されている。

上記のような、分子鎖の両末端が分子内に少なくとも２
個の第二級アミノ基を有する複素環式化合物残基で構成
され上記分子鎖の鎖式部分が上記末端残基のいずれかの
第二級アミノ基の窒素と結合している特殊なポリジメチ
ルシロキサンオリゴマーは、数平均分子量が３００００
以下であることが望ましく、より望ましいのは２０００
０以下であり、最も好適なのは１５０００以下である。

ここで、上記数平均分子量はつぎのようにして単位重量
当たりの末端二級アミノ基を定量することにより求める
ことができる。まず、検体５ｇを精秤し、イソプロピル
アルコール３０ｇに溶解させる。指示薬としてブロモフ
ェノールブルー水／エタノール溶液２〜３滴を加え、０
．　Ｉ　Ｎ塩酸にて滴定する。系が青紫から黄色に変化
する点を終点とする。

上記のような特殊なポリジメチルシロキサンオリゴマー
によって粒子表面が被覆されたアルミナ粉末は平均粒径
が２〜８μｍであり、１００μｍ以上の大粒径粒子を含
まないことが好適である。

そして、このような被覆アルミナ粉末は、充填剤中に２
０重量％（以下「％」と略す）以上含有されていること
が好ましい。上記被覆アルミナ粉末の含有量が２０％未
満になると得られる半導体装置における封止樹脂の熱放
散性が低くなり所望の信顧性が得られにくくなるからで
ある。最も好ましいのは３０％以上の含有量である。特
に充填剤としては、上記被覆アルミナ粉末とシリカ粉末
とが共存しているものを用いることが最も優れた効果を
もたらす。この場合、上記シリカ粉末を上記特殊なポリ
ジメチルシロキサンでアルミナ粉末と同様被覆してもよ
い。また、上記シリカ粉末以外のその他の充填剤を用い
、これを上記被覆アルミナ粉末と併用しても差し支えは
ない。

上記特殊なポリジメチルシロキサンオリゴマーによるア
ルミナ粉末等の被覆は上記ポリジメチルシロキサンオリ
ゴマーとシリカをトルエン等の有機溶媒を媒体として混
合し、これを濾過したのち、減圧乾燥することにより行
うことができる。この場合、上記ポリジメチルシロキサ
ンオリゴマーは、その分子鎖の両末端に複素環式化合物
残基が導入されており、それによってアルミナ粉末等の
表面に対する接着性が著しく向上している。したがって
、シランカップリング剤等のバインダ成分を何ら用いる
ことなくシリカに接着し、シリカ表面を好適に被覆する
のである。このような被覆アルミナ粉末を含む充填剤の
使用割合は、エポキシ樹脂組成物全体中に５０〜８０％
含有されるようにすることが好ましい。

この発明において、アルミナ粉末等が上記ポリジメチル
シロキサンオリゴマーに被覆されていることは、ベンゼ
ン−水系における生成物の偏在能（相互作用簡易判別法
）により明らかにすることができる。すなわち、この方
法において、被覆されていないアルミナ粉末等は通常水
相に偏在するが、この発明で用いる被覆アルミナ粉末等
はベンゼン相に偏在する。

このようにポリジメチルシロキサンオリゴマーの分子鎖
の両末端に複素環式化合物を導入すると、特にアルミナ
粉末等の表面に対する接着性が著しく向上するのである
。この現象は本発明者らが研究の過程で初めて見いだし
たものであって、それにより極めて広範囲のエポキシ樹
脂組成物に適用して応力低減効果、電気特性改善効果を
奏するポリジメチルシロキサンオリゴマー被覆アルミナ
粉末等が簡易に得られるようになったのであり、これが
この発明の最大の特徴である。

上記アルミナ粉末等の表面を被覆しているポリジメチル
シロキサンオリゴマー主体の被覆層は、ポリジメチルシ
ロキサンオリゴマーにおける分子鎖両末端の複素環式化
合物残基の作用により樹脂の硬化段階で硬化促進作用を
発揮するとともに、ポリジメチルシロキサン部分の作用
により硬化後の段階で内部応力の緩和作用を発揮するも
のであり、それによって信頼性の高い半導体装置の実現
をもたらすのである。そして、上記ポリジメチルシロキ
サンオリゴマーは、その分子鎖両末端の第二級アミノ基
がエポキシ基と反応しやすく、かつシリコーン化合物が
その構造上アルミナ粉末等と親和性が高いため、樹脂の
硬化後には、アルミナ粉末等とマトリックスのエポキシ
樹脂との界面に強固に固定されて存在する。したがって
、高温になっても移動せず、従来のような硬化促進剤の
移動によるエポキシ樹脂硬化物の電気特性の低下を招か
ず、半導体装置の信頼性を確保する。

なお、上記アルミナ粒子等の被覆層は上記ポリジメチル
シロキサンオリゴマーを主体とするものであり、場合に
よっては、上記ポリジメチルシロキサンオリゴマーとと
もに過酸化物を併用してもよい。

上記のようなポリジメチルシロキサンオリゴマーととも
に使用される過酸化物としては、ベンゾイルパーオキシ
ド、ｐ−クロロペンゾイルバーオキシド、２．４−ジク
ロロベンゾイルパーオキシド、オプリリルパーオキシド
、ラウロイルパーオキシド、アセチルパーオキシド、シ
クロヘキセンパーオキシド、ヒドロキシへブチルパーオ
キシド、ｔｅｒｔ−ブチルパーベンゾエート、ｔｅｒｔ
−ブチルパーアセテート、ｔｅｒ　ｔ−ブチルオクトエ
ート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ
ーｔｅｒ　ｔ−ブチルパーフタレート等をあげることが
できる。

上記のような過酸化物を上記ポリジメチルシロキサンオ
リゴマーと併用するときには、過酸化物の作用でアルミ
ナ粉末等の粒子表面に付着した上記ポリジメチルシロキ
サンオリゴマーが重合し、早期に粒子表面の被覆が完了
するという効果が得られるようになる。

このように過酸化物と上記ポリジメチルシロキサンオリ
ゴマーとを併用する場合には、過酸化物の使用量は上記
ポリジメチルシロキサンオリゴマーに対して０．０２〜
１重量部の割合になるように設定することが好結果をも
たらす。

そして、上記特殊なポリジメチルシロキサンオリゴマー
単独ないしはこれとｉＭＭ化物の混合物はアルミナ粉末
表面の少な（とも８０％を’ｔｌＮするようにすること
が好ましい。

なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成物には必要に
応じて上記入成分ないしＣ成分以外に硬化促進剤が用い
られるが、その使用量を大幅削減ないしは皆無にするこ
とができる。すなわら、この発明に用いるエポキシ樹脂
組成物は、上記のような特定のポリジメチルシロキサン
オリゴマーを用いることにより、上記硬化促進剤の使用
量をエポキシ樹脂とフェノール樹脂の合計量に対してＯ
〜０．５％の範囲内に抑制できるのであり、それによっ
て耐湿性、電気特性等を大幅に向上させうるようになる
のである。

上記硬化促進剤としては、下記の三級アミン。

四級アンモニウム塩、イミダゾール類およびホウ素化合
物を好適な例としてあげることができ、これらを単独で
もしくは併せて用いることができる。

三級アミントリエタノールアミン、テトラメチルへキサンジアミン
、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、ジメチル
アミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、２，４
．６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ
、Ｎｏ−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、１
，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
、ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノ）メ
チルフェノール四級アンモニウム塩ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルト
リメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチルテ
トラデシルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメ
チルアンモニウムクロライドイミダゾール類２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール
、２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミ
ダゾールホウ素化合物テトラフェニルボロン塩類、例えばトリエチレンアミン
テトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラ
フェニルボレートまた、必要に応じて、上記の原料以外
に、三酸化アンチモン、リン系化合物等の離燃剤や顔料
。

シランカップリング剤等のカップリング剤を用いること
ができる。また、上記被覆アルミナ粉末に代えて窒化ケ
イ素粉末、窒化アルミニウム粉末等を上記特殊なポリジ
メチルシロキサンオリゴマー主体の被覆層で被覆しこれ
を単独で、もしくはそれらを混合し、あるいは上記被覆
アルミナ粉末等と併用することもできる。

この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えばつ
ぎのようにして製造することができる。

すなわち、前記（Ａ）、　　（Ｂ）および（Ｃ）成分を
、また場合により顔料、カップリング剤等その他の添加
量を適宜配合し、この混合物をミキシングロール機等の
混練機にかけて加熱状態で混練して溶融混合し、これを
室温に冷却したのち公知の手段によって粉砕し、必要に
応じて打錠するという一連の工程により目的とするエポ
キシ樹脂組成物を得ることができる。

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の
封止は特に限定するものではなく、通常のトランスファ
ー成形等の公知のモールド方法により行うことができる
。

このようにして得られる半導体装置は、充填剤／エポキ
シマトリックス界面に発生する内部応力を緩和する物質
を含み、かつ樹脂封止の電気特性、耐湿性を著しく低下
させる原因となる硬化促進剤が入っていないかまたは極
微量に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて封止
されているため、極めて電気特性および低応力性に優れ
ている。しかも熱放散性に富む被覆アルミナ粉末含有充
填剤が封止樹脂中に含有されているため、熱放散性にも
冨んでいる。

（発明の効果〕この発明の半導体装置は、上記特定のポリジメチルシロ
キサンオリゴマー主体の被覆層により粒子表面が被覆さ
れているアルミナ粉末を含有する充填剤を含む特殊なエ
ポキシ樹脂組成物であって、上記被覆層における上記ポ
リジメチルシロキサンオリゴマーの硬化促進作用により
硬化促進剤が皆無かあるいは著しく低減されているもの
を用いて封止されている。しかも封止樹脂中における上
記ポリジメチルシロキサンオリゴマーの内部応力緩和作
用により封止プラスチックパッケージが従来のエポキシ
樹脂組成物製のものと異なり極めて内部応力が低くなっ
ているうえ、上記被覆アルミナ粉末の作用により放熱性
に富むようになっている。その結果、半導体装置が、耐
湿信頼性、電気特性、耐熱信頬性が高いうえに内部応力
が小さく、信軌性の極めて高いものとなっている。特に
、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止により、パ
ワートランジスタ、パワーＩＣ等の電力素子を用いた半
導体装置において上記のような高信転度が得られるよう
になるのであり、これが大きな特徴である。そのうえ、
上記被覆アルミナ粉末には特殊なバインダ等の特殊成分
が用いられていず、広い範囲のエポキシ樹脂に適用可能
であり、また製造も筒車であるため、半導体装置の製造
に特別な工程を加える必要がなく、半導体装置の製造の
複雑化を招くこともない。

つぎに、実施例について説明する。

〔実施例〕

まず、第１表に示す３−ｇの７種類のポリジメチルシロ
キサンオリゴマーを用意した。そして、このポリジメチ
ルシロキサンオリゴマーの３０重量％トルエン溶液とア
ルミナ粉末とを重量比２：１で混合し、両成分を反応さ
せたのち濾過した。

さらに減圧乾燥して溶剤を飛散させたのち、１５０℃で
２時間加熱することにより粒子表面が上記ポリジメチル
シロキサンオリゴマーで被覆された被覆アルミナ粉末ａ
　−ｇを得た。また、シリカ粉末を上記アルミナ粉末の
被覆と同様に処理して被覆シリカ粉末をつくった。なお
、シリカ粒子表面の上記ポリジメチルシロキサンオリゴ
マーの被覆量は、秤量した被覆アルミナ粉末（加熱前）
を還流下でポリジメチルシロキサンオリゴマーをトルエ
ン抽出して残存したアルミナ粉末量から求めることがで
きる。

（以下余白）つぎに、上記のようにして得られた被覆アルミナ粉末等
を用い、これとつぎの第２表に示す原料を配合し、ミキ
シングロール機に掛けて１００℃で１０分間混練し、シ
ート状組成物を得た。ついで得られたシート状組成物を
粉砕し目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。

なお、参考例として、分子鎖両末端がカルボキシル基に
なっているブタジェン−アクリロニトリル共重合体（宇
部興産社製、ハイカー　ＣＴポリマー、ＣＴＢＮ　　１
３００Ｘ８．粘度：１２５０００ｃｐｓ（２７℃）２分
子ｌ：３５００．アクリロニトリル含量＝１７％、カル
ボキシル基含量：２．３７％）アルミナ粉末を用い実施
例１−１２と同様にして粉末状エポキシ樹脂組成物をつ
くった。また、従来例として下記の第２表に示す原料を
同表に示すような割合で用い、実施例１〜１２と同様に
して粉末状エポキシ樹脂組成物をつくった。

（以下余白）以上の実施例、参考例および従来例によって得られた粉
末状のエポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトラン
スファー成形でモールドすることにより半導体装置を得
た。

このようにして得られた半導体装置について、ピエゾ抵
抗による内部応力３曲げ弾性率、電圧印加状態における
プレッシャー釜による１０００時間の信頼性テスト（以
下ｒＰＣＢＴテスト」と略す）−５０°ｃ１５分〜１５
０°ｃ１５分の２０００回の温度サイクルテスト　（以
下ｒＴＣＴテスト」と略す）等の測定を行った。その結
果を下記の第３表に示した。なお、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）は、粘弾性性質のＴａｎδのピークを示す温度を示
した。

（以下余白）第３表の結果から、実施測高は、参考測高および従来測
高に比べてそのプラスチックパッケージの内部応力が小
さく、熱伝導性、電気絶縁性も良好であって耐湿性、耐
熱信顛性の高いことがわかる。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）下記の（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）成分を含有し
ているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止し
てなる半導体装置。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）分子鎖の両末端が、分子内に少なくとも２個の第
二級アミノ基を有する複素環式化合物残基で構成され、上記分子鎖の鎖式部分が上記末端残基のいずれかの第二級アミノ基の窒素と結合しているポリジメチルシロキサンオリゴマー主体の被覆層により粒子表面が被覆されているアルミナ粉末を含有する充填剤。
（２）エポキシ樹脂組成物中に、硬化促進剤が（Ａ）成
分と（Ｂ）成分の合計量に対して０．５重量％以下の割
合で含有されている特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置。