JPS6366832A - 陰極線管 - Google Patents
陰極線管Info
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- JPS6366832A JPS6366832A JP20953586A JP20953586A JPS6366832A JP S6366832 A JPS6366832 A JP S6366832A JP 20953586 A JP20953586 A JP 20953586A JP 20953586 A JP20953586 A JP 20953586A JP S6366832 A JPS6366832 A JP S6366832A
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Links
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Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は渦電流損による偏向装置の温度上昇を軽減させ
た陰極線管に関する。
た陰極線管に関する。
(従来の技術)
一般に、陰極線管、例えばカラー受像管の水平偏向周波
数は15.75KHzであるが、高解像度性及び視認性
の高度化が要求されるディスプレイ管等では、25KH
z及び31KHz等からなり水平偏向周波数の高い使用
条件が増えている。特にコンピューターによる技術設計
或いは生産制御いわゆるCAD(Computer A
ided Design)及びCAM (Comput
erAided Manufacturing) 用
途に用いられるディスプレイ管では64KHzの水平偏
向周波数で動作することもある。
数は15.75KHzであるが、高解像度性及び視認性
の高度化が要求されるディスプレイ管等では、25KH
z及び31KHz等からなり水平偏向周波数の高い使用
条件が増えている。特にコンピューターによる技術設計
或いは生産制御いわゆるCAD(Computer A
ided Design)及びCAM (Comput
erAided Manufacturing) 用
途に用いられるディスプレイ管では64KHzの水平偏
向周波数で動作することもある。
(発明が解決しようとする問題点)
前述したような高い水平偏向周波数で前記偏向装置を動
作させた場合1次のような問題点を生ずる。
作させた場合1次のような問題点を生ずる。
すなわち、水平磁界により、前記偏向装置を構成するコ
ア及び水平偏向コイルに渦電流が発生し発熱することで
ある。
ア及び水平偏向コイルに渦電流が発生し発熱することで
ある。
14吋90°偏向型デイスプレイ管用の前記偏向装置の
従来の水平偏向周波数で動作させた場合の前記偏向装置
の水平コイルの温度上昇ΔTは、第3図の特性Cに示す
ように約20℃である。しかし、64 Ki(zで動作
させた場合、前記6丁は約70℃となる。通常、偏向装
置は、ファンネル部に対向して密着装着されるため、偏
向装置の昇温が助長される。
従来の水平偏向周波数で動作させた場合の前記偏向装置
の水平コイルの温度上昇ΔTは、第3図の特性Cに示す
ように約20℃である。しかし、64 Ki(zで動作
させた場合、前記6丁は約70℃となる。通常、偏向装
置は、ファンネル部に対向して密着装着されるため、偏
向装置の昇温が助長される。
ところで、偏向装置に用いられるモールドは、一般にポ
リプロピレン製であり、その耐熱温度(熱変形が生じる
と云われている温度)は約105℃である。そこで、外
気温度が50℃の場所で、14吋90°偏向型デイスプ
レイ管用偏向装置を水平偏向周波数を64KHzで動作
させると、第3図の特性Cに示す如く偏向装置が約70
°Cも上昇するため、その近傍の温度は120°近くと
なり、ポリプロピレン裂モールドが熱変形し、特性上及
び信頼性上重大な間顕となる。
リプロピレン製であり、その耐熱温度(熱変形が生じる
と云われている温度)は約105℃である。そこで、外
気温度が50℃の場所で、14吋90°偏向型デイスプ
レイ管用偏向装置を水平偏向周波数を64KHzで動作
させると、第3図の特性Cに示す如く偏向装置が約70
°Cも上昇するため、その近傍の温度は120°近くと
なり、ポリプロピレン裂モールドが熱変形し、特性上及
び信頼性上重大な間顕となる。
本発明は前述した陰極線管の欠点に鑑みなされたもので
、高い水平偏向周波数による動作においても発熱が少な
く安定した偏向装置を有した陰極線管を提供することを
目的とする。
、高い水平偏向周波数による動作においても発熱が少な
く安定した偏向装置を有した陰極線管を提供することを
目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発゛明は、陰極線管を構成するファンネルの外表面に
ファンネルよりも熱輻射率の大きい波膜を有するもので
ある。
ファンネルよりも熱輻射率の大きい波膜を有するもので
ある。
(作 用)
熱吸収性が良いため、偏向装置の温度上昇を抑制する。
(実施例)
以下1図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。すなわち、第1図に示すように、代表的陰極線
管であるカラー受像管は実質的に矩形状のパネル(1)
と漏斗状のファンネル(2)及びネック■から真空外l
7II器が構成されている。そしてパネル■の内面には
赤、緑及び青に夫々発光するストライプ状の蛍光体層か
らなる蛍光体スクリーンする3本の電子ビーム(図示せ
ず)を射出するいわゆるインライン型電子銃(へ)が配
設されている。
明する。すなわち、第1図に示すように、代表的陰極線
管であるカラー受像管は実質的に矩形状のパネル(1)
と漏斗状のファンネル(2)及びネック■から真空外l
7II器が構成されている。そしてパネル■の内面には
赤、緑及び青に夫々発光するストライプ状の蛍光体層か
らなる蛍光体スクリーンする3本の電子ビーム(図示せ
ず)を射出するいわゆるインライン型電子銃(へ)が配
設されている。
また、蛍光体スクリーン(イ)に近接対向した位置には
、鉄材よりなるマスクフレーム■にその周辺部を支持さ
れ、多像のスリット状の開孔が垂直方向に配列され、か
つ配列が水平方向に多数配列されたシャドウマスク■が
弾性部材(8)を介して支持されている。
、鉄材よりなるマスクフレーム■にその周辺部を支持さ
れ、多像のスリット状の開孔が垂直方向に配列され、か
つ配列が水平方向に多数配列されたシャドウマスク■が
弾性部材(8)を介して支持されている。
3本のインライン配列の電子ビームは、ファンネル■の
外部の偏向装置 (10)によって偏向され、矩形状の
パネル0)に対応する矩形の範囲を走査し、かつシャド
ウマスク■の開孔を介して色選別されてストライプ状の
蛍光体層にランディングし、カラー映像を再現させるよ
うになっている。なお偏向装置(10)は、第4図に示
すように内側に水平偏向コイル(21)を儒えた合成樹
脂製例えばポリプロピレンの円錐形状のモールド(22
)と、トロイダル形状のコア(23)と、このコアに巻
回された垂直偏向コイル(24)とから少なくとも構成
される。また、電子ビームは地磁気等の外部磁界の影e
を受け、ストライプ状蛍光体層に正確にランディングし
ない場合があり、再現映像の色純度が劣化するのを防止
するためファンネル■内部に強磁性金属板よりなる磁気
遮蔽体(9)がフレームωを介して係IFされている。
外部の偏向装置 (10)によって偏向され、矩形状の
パネル0)に対応する矩形の範囲を走査し、かつシャド
ウマスク■の開孔を介して色選別されてストライプ状の
蛍光体層にランディングし、カラー映像を再現させるよ
うになっている。なお偏向装置(10)は、第4図に示
すように内側に水平偏向コイル(21)を儒えた合成樹
脂製例えばポリプロピレンの円錐形状のモールド(22
)と、トロイダル形状のコア(23)と、このコアに巻
回された垂直偏向コイル(24)とから少なくとも構成
される。また、電子ビームは地磁気等の外部磁界の影e
を受け、ストライプ状蛍光体層に正確にランディングし
ない場合があり、再現映像の色純度が劣化するのを防止
するためファンネル■内部に強磁性金属板よりなる磁気
遮蔽体(9)がフレームωを介して係IFされている。
この陰極線管のファンネル■の偏向装置(10)と対向
する外表面には、ケイ素とジルコニウムの金属酸化物を
含むセラミック層(11)が形成されている。このセラ
ミック層(11)は、次のような方法で形成することか
できる。すなわち、フィラーとしてジルコン(ZrSi
O,)を含んだケイ素と、ジルコニアのアルコキシド化
合物、例えばZr5i(OCJi)4の悲濁液をスプレ
ー法で塗布約20μsの膜厚を形成した。
する外表面には、ケイ素とジルコニウムの金属酸化物を
含むセラミック層(11)が形成されている。このセラ
ミック層(11)は、次のような方法で形成することか
できる。すなわち、フィラーとしてジルコン(ZrSi
O,)を含んだケイ素と、ジルコニアのアルコキシド化
合物、例えばZr5i(OCJi)4の悲濁液をスプレ
ー法で塗布約20μsの膜厚を形成した。
実施例
ジルコン 50
0 Hrケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物
100 grイソプロピルアルコール
400 grこの]濁液を2θ口乃至30■のWm
からスプレー圧約3 kg/a#でファンネル■の偏向
装置と対向する外表面にスプレー塗布すると、前記のよ
うな約20/ffiの膜が約10秒で形成させることが
できる。このように、ファンネル■の外表面にケイ素と
ジルコニアのアルコキシド化合物を含む懸濁液を塗布し
たファンネル■を70℃以上の雰囲気中で加熱すること
により、第1図に示すようなセラミック層(11)を得
た。すなわち、ファンネル■の外表面に塗布されたケイ
素とジルコニアのアルコキシド化合物は、70℃以上の
雰囲気中で大気中の水分により加水分解を起こし、その
結果、アルコキシド同志の重縮合反応により造膜し、ケ
イ素とジルコニアを含む金属酸化物の形成すなわちセラ
ミックス化をする。なお、上述の例では蓼濁液を塗布後
加熱したが、製造時間短縮のために70℃以上で加熱し
なから悲濁液を塗布すれば後の加熱処理工程を省略する
ことができる。また、このケイ素とジルコニアのアルコ
キシド化合物は、赤外線領域の電磁線の吸収特性がよい
ため、加水分解をさせる場合、70℃以上の雰囲気中で
はなく、ケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物が塗
布されるファンネル■の表面を例えば、赤外線により照
射しなか分解が行なわれることも確認できた。さらに塗
布後、赤外線を照射することも可能である。
0 Hrケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物
100 grイソプロピルアルコール
400 grこの]濁液を2θ口乃至30■のWm
からスプレー圧約3 kg/a#でファンネル■の偏向
装置と対向する外表面にスプレー塗布すると、前記のよ
うな約20/ffiの膜が約10秒で形成させることが
できる。このように、ファンネル■の外表面にケイ素と
ジルコニアのアルコキシド化合物を含む懸濁液を塗布し
たファンネル■を70℃以上の雰囲気中で加熱すること
により、第1図に示すようなセラミック層(11)を得
た。すなわち、ファンネル■の外表面に塗布されたケイ
素とジルコニアのアルコキシド化合物は、70℃以上の
雰囲気中で大気中の水分により加水分解を起こし、その
結果、アルコキシド同志の重縮合反応により造膜し、ケ
イ素とジルコニアを含む金属酸化物の形成すなわちセラ
ミックス化をする。なお、上述の例では蓼濁液を塗布後
加熱したが、製造時間短縮のために70℃以上で加熱し
なから悲濁液を塗布すれば後の加熱処理工程を省略する
ことができる。また、このケイ素とジルコニアのアルコ
キシド化合物は、赤外線領域の電磁線の吸収特性がよい
ため、加水分解をさせる場合、70℃以上の雰囲気中で
はなく、ケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物が塗
布されるファンネル■の表面を例えば、赤外線により照
射しなか分解が行なわれることも確認できた。さらに塗
布後、赤外線を照射することも可能である。
以上のようにして完成したファンネル■はパネル■とフ
リットガラスにより接合され排気封止後防爆バンド(1
4)の装着などの所定の工程を経てカラー受像管が得ら
れる。尚、通常パネルとファンネルをフリットガラスに
より接合する場合、400°C以上の加熱処理を行なう
が、この時にケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物
を加熱処理することも可能である。
リットガラスにより接合され排気封止後防爆バンド(1
4)の装着などの所定の工程を経てカラー受像管が得ら
れる。尚、通常パネルとファンネルをフリットガラスに
より接合する場合、400°C以上の加熱処理を行なう
が、この時にケイ素とジルコニアのアルコキシド化合物
を加熱処理することも可能である。
ここで本発明者等は、本発明を適用した14吋90″偏
向型デイスプレイ管を動作させた場合の偏向装置の温度
上昇を詳しく実験検討した6第2図は、その結果を示す
もので、横軸はケイ素とジルコニウムの金属酸化物を含
むセラミック層(11)の厚さを示し、縦軸は、前記偏
向装置(1o)の動作時の温度上昇をファンネル■にセ
ラミック層を形成しない場合を基準として、相対値で示
している。この第2図より、前記ファンネルの表面に第
1図に示すようにセラミック層を形成することにより、
偏向装置の温度上昇が特性曲線Aのように抑制されるこ
とが判明した。これは、ファンネルの表面に形成された
セラミック層の比表面積がガラス製のファンネルの比表
面積のおよそ50倍以上もあり、言い換えれば、セラミ
ック層の表面積がファンネルの表面積の50倍以上とな
つ友rカ熱放散性が大幅に向上したためである。尚、前
記比表面積の測定は、低圧での窒素ガスの吸収量より算
出するBET法により行な・った。
向型デイスプレイ管を動作させた場合の偏向装置の温度
上昇を詳しく実験検討した6第2図は、その結果を示す
もので、横軸はケイ素とジルコニウムの金属酸化物を含
むセラミック層(11)の厚さを示し、縦軸は、前記偏
向装置(1o)の動作時の温度上昇をファンネル■にセ
ラミック層を形成しない場合を基準として、相対値で示
している。この第2図より、前記ファンネルの表面に第
1図に示すようにセラミック層を形成することにより、
偏向装置の温度上昇が特性曲線Aのように抑制されるこ
とが判明した。これは、ファンネルの表面に形成された
セラミック層の比表面積がガラス製のファンネルの比表
面積のおよそ50倍以上もあり、言い換えれば、セラミ
ック層の表面積がファンネルの表面積の50倍以上とな
つ友rカ熱放散性が大幅に向上したためである。尚、前
記比表面積の測定は、低圧での窒素ガスの吸収量より算
出するBET法により行な・った。
一方、第2図においてセラミック層の厚さがおよそ20
μm以上となると、温度抑制効果が飽和するが、これは
、セラミック層の厚さが厚くなるとファンネル表面に近
いセラミック層、言い換えればセラミック層の下層にお
いてはあまり熱放散性の向上には寄与せず、セラミック
λりの表層領域のみが熱放散性に大きく寄与するためと
考えられる。
μm以上となると、温度抑制効果が飽和するが、これは
、セラミック層の厚さが厚くなるとファンネル表面に近
いセラミック層、言い換えればセラミック層の下層にお
いてはあまり熱放散性の向上には寄与せず、セラミック
λりの表層領域のみが熱放散性に大きく寄与するためと
考えられる。
また、第3図の特性Aは前述の本発明によるカラー受像
管を水平偏向周波数を変化させて動作させた時の偏向装
置(10)、例えば、水平偏向コイル(21)の温度上
昇を示すものである。これによると水平偏向周波数を6
4 KHzにしても偏向装置(10)の温度上昇は、5
6°と約20%抑制され、もし外気温度が50°の場所
で動作させてもモールドの耐;’!! ::;21度を
大幅に越える温度−とはならないことが確認できた。
管を水平偏向周波数を変化させて動作させた時の偏向装
置(10)、例えば、水平偏向コイル(21)の温度上
昇を示すものである。これによると水平偏向周波数を6
4 KHzにしても偏向装置(10)の温度上昇は、5
6°と約20%抑制され、もし外気温度が50°の場所
で動作させてもモールドの耐;’!! ::;21度を
大幅に越える温度−とはならないことが確認できた。
ところで、前記発明の実施例では多孔質’S (11)
をファンネル外表面■の偏向装置(10)と対向する面
のみに形成したが、この多孔質層を第5図に示すように
、偏向装置(10)の対向面を含むファンネル外表面(
但し、高電圧を供給するアノードボタン(15)及びそ
の周辺の一部を除く)に、多孔質層(11)を設けるこ
とが可能である。このような、実施例による偏向装置(
10)の温度抑制効果は、第2図及び第3図の特性曲線
Bに示すように、約30%の温度抑制が確認された。な
お、従来ファンネル外表面は、黒鉛を主体する導電性成
h’=Oz)が形成され、同じくファンネル内表面に形
成された導電性被[(13)との間でコンデンサを形成
して受vA機回路の一素子としての約割も果している。
をファンネル外表面■の偏向装置(10)と対向する面
のみに形成したが、この多孔質層を第5図に示すように
、偏向装置(10)の対向面を含むファンネル外表面(
但し、高電圧を供給するアノードボタン(15)及びそ
の周辺の一部を除く)に、多孔質層(11)を設けるこ
とが可能である。このような、実施例による偏向装置(
10)の温度抑制効果は、第2図及び第3図の特性曲線
Bに示すように、約30%の温度抑制が確認された。な
お、従来ファンネル外表面は、黒鉛を主体する導電性成
h’=Oz)が形成され、同じくファンネル内表面に形
成された導電性被[(13)との間でコンデンサを形成
して受vA機回路の一素子としての約割も果している。
しかし、本発明のように、従来の外部導電性被膜(12
)を多孔質層(11)に置き換えても本質的に従来の効
果が失われることはない。もし、仮に多孔質ff (1
1)の電気抵抗が異常に高く、導電性被膜として不適当
な場合があっても、適当な導電物質(本発明者らの実験
では、黒鉛又は、SnO□が奈適である)を添加するこ
とにより、所望の電気的性質は、簡単に得られる。
)を多孔質層(11)に置き換えても本質的に従来の効
果が失われることはない。もし、仮に多孔質ff (1
1)の電気抵抗が異常に高く、導電性被膜として不適当
な場合があっても、適当な導電物質(本発明者らの実験
では、黒鉛又は、SnO□が奈適である)を添加するこ
とにより、所望の電気的性質は、簡単に得られる。
以上は、代表的な陰極線管であるカラー受像管にて説明
したが、本発明は真空外囲器及び偏向装置を有するすべ
ての陰極線管に適用できることは云うまでもない。
したが、本発明は真空外囲器及び偏向装置を有するすべ
ての陰極線管に適用できることは云うまでもない。
以上のように本発明によれば、高い水平偏向周波数にお
いても偏向装置の完熟が少なく、信頼性の高い陰極線管
を得ることができる。
いても偏向装置の完熟が少なく、信頼性の高い陰極線管
を得ることができる。
第1図は本発明による一実施例を示すカラー受像管の一
部断面図、第2図は本発明によるカラー受像管に装着さ
れた偏向装置11の動作中の温度上昇を示す特性図、第
3図は従来のカラー受像管と本発明によるカラー受像管
にそれぞれ装着された偏向装置の動作中の温度上昇を示
す特性図、第4図はカラー受像管用偏向装置の断面図、
第5図は本発明の他の実施例によるカラー受像管の一部
断面図である。 ■・・°パネル ■・・・ファンネル■・・・
ネック 0)・・・蛍光体スクリーン0・・・
電子銃 (10)・・・偏向装置(11)・・
・多孔質層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第1図 (’J 1 − 0.6ト でラミー、7月の茸1擾(2m。 第2図 〕隣イクl、#I 肩ミ;1;)一致(にHzン第3図
部断面図、第2図は本発明によるカラー受像管に装着さ
れた偏向装置11の動作中の温度上昇を示す特性図、第
3図は従来のカラー受像管と本発明によるカラー受像管
にそれぞれ装着された偏向装置の動作中の温度上昇を示
す特性図、第4図はカラー受像管用偏向装置の断面図、
第5図は本発明の他の実施例によるカラー受像管の一部
断面図である。 ■・・°パネル ■・・・ファンネル■・・・
ネック 0)・・・蛍光体スクリーン0・・・
電子銃 (10)・・・偏向装置(11)・・
・多孔質層 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫 第1図 (’J 1 − 0.6ト でラミー、7月の茸1擾(2m。 第2図 〕隣イクl、#I 肩ミ;1;)一致(にHzン第3図
Claims (2)
- (1)実質的に矩形状のパネルと漏斗状のフアンネル及
びネックが連接された真空外囲器と、前記パネル内面に
形成された蛍光体スクリーンと、前記ネックに内装され
、前記蛍光体スクリーンを励起発光させる複数の電子ビ
ームを射出する電子銃と、前記フアンネルに装着され、
前記電子ビームを偏向走査させる偏向装置とを備えた陰
極線管において、少なくとも前記偏向装置と対向する前
記フアンネルの外表面に多孔質層を有することを特徴と
する陰極線管。 - (2)前記多孔質層が、ケイ素とジルコニウムの金属酸
化物を含むセラミック層を有することを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20953586A JPS6366832A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 陰極線管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20953586A JPS6366832A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 陰極線管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366832A true JPS6366832A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16574407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20953586A Pending JPS6366832A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 陰極線管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366832A (ja) |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP20953586A patent/JPS6366832A/ja active Pending
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