JPH0668789A

JPH0668789A - カラー陰極線管の製造法

Info

Publication number: JPH0668789A
Application number: JP21926392A
Authority: JP
Inventors: Morio Yamamoto; 盛男山本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1992-08-18
Filing date: 1992-08-18
Publication date: 1994-03-11

Abstract

(57)【要約】【目的】高精細、フラットおよび大型シャドウマスク
を用いている陰極線管を容易に製造できる陰極線管の製
造方法を得る。【構成】シャドウマスク３の面上に重金属化合物Ｐｔ
Ｐｂの粉末と水ガラスの混合物を吹き付け法で、膜厚１
〜５μｍの電子ビーム反射被膜７を被膜したものであ
る。【効果】電子ビームの照射によるシャドウマスクの熱
変形を抑制して、色ずれをなくし、高精細、フラット、
かつ大型シャドウマスクを用いた陰極線管を容易に製造
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、シャドウマスクのド
ーミング量をさらに大きく低減するためにシャドウマス
クの電子ビーム照射面側に熱変形を抑制する物質を吹き
付け法で被膜形成したカラー陰極線管の製造法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】通常のシャドウマスク式カラー陰極線管
の構成を図３に示す。図３において、１は内部を高真空
に保つための外囲器、２は３本の電子ビームを放出する
ための電子銃、３は色選択電極を構成するシャドウマス
クであり、たとえば多数のスリットあるいはドットを有
する薄い鉄板からなる。

【０００３】また、４は外囲器１の一部を構成する透光
性のガラスパネル、５は蛍光面で赤、緑、青に発光する
蛍光体のストライプあるいはドットがガラスパネル４の
内面に順次塗布されており、これらストライプ群あるい
はドット群が各々に電子工学的に正確に対応するような
位置関係に設けられている。なお、６は内部磁気シール
ド板、７ａは電子ビームの反射膜、８は偏向装置であ
る。

【０００４】次に、前記カラー陰極線管の動作について
説明する。電子銃２から放出された３本の電子ビームは
偏向装置８により蛍光面５の全面を走査するように偏向
されて、シャドウマスク３に到達する。このシャドウマ
スク３は３本の電子ビームが各々に対応する色の蛍光体
ストライプあるいはドットだけに衝突するようにさせる
色選択機能を有する。そして、上記のごとく、これらの
位置関係は本来正確な対応が出来るように設定されてい
る。

【０００５】しかしながら、前記陰極線管を動作させる
場合、電子銃２から放出された電子ビームのうち約８０
％がシャドウマスク３に衝突して遮られ、シャドウマス
ク３に全く無意味な熱エネルギを与え、シャドウマスク
３を昇温させる。その結果、シャドウマスク３は熱膨張
により変形し、正確に対応していたシャドウマスク３と
蛍光体ストライプあるいはドットの位置関係がずれて色
ずれの大きな要因となる。

【０００６】これらの問題点を解決する方法として、特
開昭５５−７６５５３号公報では、シャドウマスク３の
電子ビーム照射面にシャドウマスク３を構成する物質よ
りも電子ビームの反射率の大きな物質からなる被膜を設
けることや、また特公昭６０−１４４５９号公報では、
７０をこえた原子番号を有する重金属の材料を含む溶液
を吹き付け塗布して、前記電子ビーム反射被膜７ａを設
けることが提案されており、前記重金属酸化物として酸
化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）が用いられている。

【０００７】すなわち、酸化ビスマス粉末に水ガラスお
よび適量の純水を加え、ボールミルを行って、酸化ビス
マス粉末（Ｂｉ₂Ｏ₃）の平均粒径を１μｍ以下に粉砕
したのち、シャドウマスク３上に吹き付け塗布し、自然
乾燥後通常のカラー陰極線管の製造工程に投入して得ら
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の重金属酸化物と
して酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）が用いられているため
に、色ずれの防止効果（以後、ドーミング抑制効果とい
う）が約３０％と低い。そのために、高精細、フラット
および大型シャドウマスク３を用いている陰極線管にお
いては、色ずれ量がより大きくなり、前記陰極線管の画
質特性が悪くなる問題点が生じる。

【０００９】ここで、ドーミング抑制効果（Ｄ）とは次
の（１）式で表される。Ｄ＝｛１−（電子ビーム反射被膜付き陰極線管のドーミング量）／（電子ビーム反射被膜なし陰極線管のドーミング量）｝＊１００（％） ……（１）

【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、前記ドーミング抑制効果を
約３０％より大きくして、高精細、フラットおよび大型
シャドウマスクを用いている陰極線管を容易に製造でき
る陰極線管の製造法を得ることを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この発明に係る陰極線管
の製造法は、等価原子番号や密度が従来の被膜酸化ビス
マスよりも大きい重金属化合物ＰｔＰｂの粉末と接着剤
水ガラスの混合物を吹き付け法でシャドウマスク３面上
に膜厚１〜５μｍ電子ビーム反射被膜を形成するように
したものである。

【００１２】

【作用】この発明の陰極線管の製造法においては、シャ
ドウマスク面上に高等価原子番号と高密度を有する前記
重金属化合物ＰｔＰｂの粉末と接着剤水ガラスの混合物
を吹き付け法で電子ビーム反射被膜を形成することによ
り、ドーミング抑制効果が酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）
のそれの約３０％よりも大きい値の約４５％であり、高
解像度、高フラットおよび超大型陰極線管の製造が容易
にするとともに、従来の酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）よ
りも前記条件、高密度および高等価原子番号がより大き
い材料として、重金属物ＰｔＰｂを用いてドーミング抑
制効果の増大を図り、かつ前記重金属物ＰｔＰｂの電子
ビーム反射被膜は等価原子番号が約８０、密度が約１
６．３であり、従来よりも大きいから、高電子ビーム反
射率を持ち、前記電子ビーム反射被膜のドーミング抑制
効果は従来の電子ビーム反射被膜より大きな値である約
４５％が得られ、電子ビーム反射被膜の膜厚は２０〜３
０KeV 電子ビームが透過しない程度に設定される。

【００１３】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図に基づいて説
明する。図１はこの発明によって得られる陰極線管の一
実施例を示し、図２は図１の主要部であるシャドウマス
ク３と吹き付け法で形成された重金属化合物ＰｔＰｂか
らなる電子ビーム反射被膜７との部分の拡大図である。
なお、図１において、１は外囲器、２は電子銃、６は内
部磁気シールド板、８は偏向ヨークであり、これらは図
３で示した従来のカラー陰極線管と同じ部分である。

【００１４】次に、シャドウマスク面３上に重金属物Ｐ
ｔＰｂの粉末、接着剤カリウム（Ｋ）系水ガラスと純水
の混合物を吹き付け法で形成されるこの発明の電子ビー
ム反射被膜７を製造する製造法について説明する。

【００１５】前記重金属物ＰｔＰｂの粉末３kgに、純水
１９００cc、分散剤としてアンモニア水（濃度０．２６
％）１５ccを加えて前記粉末の平均粒子径が１μｍ以下
になるまで粉砕した後、これに接着剤カリウム系水ガラ
ス（ＳｉＯ₂固形分２０重量％含有）０．７５kgを加え
て、均一に分散するように十分に攪拌する。

【００１６】このようにして作製された塗液を黒化処理
された２５インチカラー陰極線管用のシャドウマスク３
の電子照射面上にエアスプレー方式などの従来より用い
られている吹き付け法で塗膜の厚さが約２μｍになるま
で塗布する。

【００１７】その後、このシャドウマスク３を通常の陰
極線管製造工程に投入して、２５インチの電子ビーム反
射被膜７付き陰極線管を作製する。同様にして、前記電
子ビーム反射被膜７のドーミング抑制効果を上記（１）
式より求めるために、この被膜が形成されていない２５
インチ用シャドウマスク３を用いた陰極線管を通常の陰
極線管製造工程に投入して作製する。

【００１８】２５インチカラー陰極線管における局部ド
ーミング（色ずれ）量の測定法について下記する。その
測定条件は、単色（通常、緑色）無信号、電子ビーム電
流（１カソード）が０．１５mA、電子ビーム加速圧が２
９KV、ヒータ電圧が６．３Ｖ、ラスタは画面中心に左右
対称の２個所で、それらのサイズが同一で１２０＊１２
０（mm）、測定位置は前記ラスターサイズの中心で、そ
れぞれ（±１８０，０）の２個所である。その測定法は
通常のランディング測定器、パターンジェネレータおよ
び電磁ピューリティコイルなどを用いて行う方法であ
る。

【００１９】前記の製造法で作製された２種類の２５イ
ンチ陰極線管、すなわち、電子ビーム反射被膜７付き、
なしの陰極線管のドーミング量を上記の条件に設定し
て、前記通常の測定法でそれぞれ測定して、上記（１）
式を用いて、前記電子ビーム反射被膜７のドーミング抑
制効果を求めると、従来の電子ビーム反射被膜７ａの約
３０％より大きな約４５％が得られた。したがって、ド
ーミング抑制効果を高めることができた。

【００２０】上述のように、色ずれの原因はシャドウマ
スク３が電子ビームエネルギを吸収することにより、シ
ャドウマスク３の温度が上昇し、シャドウマスク３が熱
変形するためであり、これを防止するために、上記実施
例１で述べたように、シャドウマスク３による電子エネ
ルギ吸収をできるだけ低減するために、シャドウマスク
３の電子ビーム反射率を高めるものである。

【００２１】この材料の電子ビーム反射率は前記材料の
密度や原子番号（化合物や混合物の場合は等価原子番
号）にそれぞれ比例することがわかっている（電子イオ
ンビームハンドブック、日刊工業、１９７３、Ｐ２５
３）。なお、等価原子番号の算出法はＪ．Ｊ．ＡＰＰ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２７、No．７（１９８８）、Ｐ
Ｐ１２１０〜１２１５に記載されている。

【００２２】前記シャドウマスク３の電子ビーム反射率
を高めるために、高密度および高原子番号を有する材
料、それは一般的に重金属物を用いてシャドウマスク３
の表面上に被膜を形成することであり、上記実施例１で
は、従来の酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）よりも、前記条
件、高密度および高等価原子番号がより大きい材料とし
て重金属ＰｔＰｂを用いて、ドーミング抑制効果の増大
を図り、かつ前記重金属物ＰｔＰｂの電子ビーム反射被
膜７は等価原子番号が約８０、密度が約１６．３であ
り、従来の重金属物酸化ビスマス被膜７ａの等価原子番
号約７５、密度約８．９よりも大きいから、高電子ビー
ム反射率をもち、電子ビーム反射被膜７のドーミング抑
制効果は従来の電子ビーム反射被膜７ａより大きな値で
ある約４５％が得られる。

【００２３】また、前記電子ビーム反射被膜７の膜厚は
２０〜３０KeV 電子ビームが透過しない程度に設定され
ている。すなわち、前記膜厚を１ミクロン未満にする
と、２０〜３０KeV 電子ビームが透過して、下地、すな
わち、シャドウマスク材３に到達して前記シャドウマス
ク３の温度を上昇させて、ドーミング抑制効果が非常に
小さくなる。

【００２４】一方、前記膜厚が５ミクロンを越えると、
ドーミング抑制効果が飽和しており、電子ビーム反射被
膜７の密着度が低下して、陰極線管の目詰りおよび耐電
圧特性が悪化する。

【００２５】

【発明の効果】この発明は以上説明したような製造方法
を採っているので、以下に記載するような効果を奏す
る。

【００２６】シャドウマスク面上に重金属化合物ＰｔＰ
ｂの粉末と水ガラスの混合物を吹き付け法で膜厚１〜５
μｍの電子ビーム反射被膜を被膜するようにした重金属
物ＰｔＰｂで形成されるシャドウマスクの面上の電子ビ
ーム反射被膜のドーミング（色ずれ）抑制効果は約４０
％と大きくなり、陰極線管の高解像度化、大型化、平面
化および高輝度化が容易に図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例による陰極線管の製造法によ
って得られる陰極線管の一部を破断して示す断面図であ
る。

【図２】図１の主要部であるシャドウマスクと電子ビー
ム反射被膜の一部拡大断面図である。

【図３】従来のカラー陰極線管を示す断面図である。

【符号の説明】

１外囲器２電子銃３シャドウマスク４ガラスパネル５蛍光スクリーン６内部磁気シールド板７電子ビーム反射被膜８偏向ヨーク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シャドウマスク面上に重金属化合物Ｐｔ
Ｐｂの粉末と水ガラスの混合物を吹き付け法で、膜厚１
〜５μｍの電子ビーム反射被膜を被覆したことを特徴と
するカラー陰極線管の製造法。