JPS6363100B2 - - Google Patents

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JPS6363100B2
JPS6363100B2 JP57131085A JP13108582A JPS6363100B2 JP S6363100 B2 JPS6363100 B2 JP S6363100B2 JP 57131085 A JP57131085 A JP 57131085A JP 13108582 A JP13108582 A JP 13108582A JP S6363100 B2 JPS6363100 B2 JP S6363100B2
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JP
Japan
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getter
mask
screen
particles
barium
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JP57131085A
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JPS5828157A (ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/38Exhausting, degassing, filling, or cleaning vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は陰極線管のシヤドーマスクのような
孔あきマスク手段の帯電粒子による孔詰まりを防
ぐ方法に関し、特に製造工程中にビームをさえぎ
るシヤドーマスクの内面に付着する帯電粒子を導
電性にして電子ビームの通過部分をシヤドーマス
クの正規の開孔外に偏向しないようにしたカラー
映像管の製造法に関する。
カラー映像管の製造取扱中に導電性粒子や非導
性粒子が管内に捕束されたり発生したりすること
がある。この粒子による平均不良率は通常新管の
約0.5%、再生管の5〜10%に達する。導電粒子
は炭化繊維、煤塵、アルミニウム薄片、溶接飛片
等、非導電粒子すなわち絶縁粒子は一般にガラ
ス、ガラス繊維、蛍光体等である。ガラス粒子は
管球の再生中にネツク部の付け替えをするとき管
内に侵入したり、また例えばステムの破片で電子
銃挿入時のガラスとバルブスペーサの摩擦による
機械的損傷によつて新品再生品に関係なく内部に
発生したりすることがある。またガラス粒子は高
電圧処理やガラスの電子衝撃によるネツク部のガ
ラスやガラス支柱のひび割れによつて生じること
もある。
導電粒子がシヤドーマスクの開孔を物理的に塞
ぐとスクリーン上に黒点のような画像の欠陥を生
じる。この導電粒子によるシヤドーマスク開孔の
閉塞によりスクリーン上に生じた黒点または陰影
はそのマスク開孔を塞いでいる粒子とほぼ同じ大
きさになる。
一方、電子ビームによつて負に帯電した絶縁粒
子はクーロン反撥力によつてビームを偏向し、こ
のためマスクに付着したとき物理的にマスク開孔
を閉塞しなくてもスクリーンの黒点のような画像
の欠陥を生じることがある。さらに絶縁粒子が電
子ビームの色不整合を起すことも判つている。こ
の色不整合は電子ビームが偏向されて暗い領域の
周りの蛍光体に衝突して生ずるハロー効果を起
す。
カラー映像管のシヤドーマスクのような導電素
子から帯電粒子を除く装置は、米国特許3712699
号明細書に開示されているが、この装置は管球の
ネツク部を除去することによつて真空を破る必要
がある。前述のようにネツク部の付け替えすなわ
ち再生作業が粉塵発生の主な原因であり、この米
国特許明細書開示の装置はこの問題の部分的な解
決にしかならない。すなわち、排気、スポツトノ
ツキング、高電圧エージング等の再処理段階にお
いて、さらに粉塵が発生することがある。
従つて管球の真空を維持し、しかも最も面倒な
粒子すなわち製造工程中にビームを遮るシヤドー
マスクの内面に付着する非導電粒子の影響をなく
する手段が必要である。
この発明の方法は、内部に発光表示スクリーン
と、このスクリーンを励起して発光させる少なく
とも1本の電子ビームを生成手段と、上記スクリ
ーンに接近して配置され上記電子ビームの一部を
選択的に遮断しおよび通過させる開孔マスクと、
このマスクの内面にガス吸着ゲツタ材料膜を被着
させるゲツタ手段とを含む真空外囲器を有する陰
極線管を処理するためのもので、他の処理段階の
前にゲツタ飛散段階を含み、このゲツタ飛散段階
をそのゲツタ手段が利用し得るゲツタ材料の全量
よりも少い量(たとえば約50〜75%)よりなるが
所望のゲツタ作用を得るに充分な1次被膜を生成
するように制御し、好ましくはゲツタ手段を上記
他の処理段階の1つの後でしかも最終処理段階の
前に再賦活再飛散処理して上記マスクの内面にゲ
ツタ材料の2次被膜を生成する。
以下、この発明を図面を参照しながら詳細に明
する。
第1図に示す陰極線管は有孔マスク型カラーテ
レビジヨン映像管で、フアンネル部15の小径端
部から延びる円筒状ネツク部13を有する真空外
囲器11を含む。このフアンネル部15の大径端
部はフエースプレートパネル17によつて閉じら
れ、そのパネル17の内面には、アルミニウムの
反射金属層21によつて裏打ちされた3色モザイ
ク発光スクリーン19が支持されている。このス
クリーンはそれぞれ緑色発光素子、赤色発光素子
および青色発光素子を1組とする多数の素子群を
有する。シヤドーマスク23はこのスクリーンに
接近して外囲器内に支持されて選色作用を行う。
このマスク23はスクリーン19上の3個組素子
群に規則正しく対応する開孔配列を有する金属板
である。ネツク部13内には3本の電子ビームを
発生する3本の同様な電子銃の配列を含む電子銃
マウント構体25が取付けられている。この構体
25はスクリーン19に最も近い素子として集中
カツプ電極を有する。ネツク部13の端部は端子
ピンすなわち導入線33を有するステム31によ
つて閉じられ、導入線33上にはマウント構体2
5が支持されてその導入線33を介して構体25
の各素子に電気接続がなされるようになつてい
る。
フアンネル15の内面の黒鉛、酸化鉄および珪
酸塩結着材を含む不透明導電被覆35はフアンネ
ル15内で高電圧端子すなわち陽極ボタン(図示
せず)に電気的に接続されている。集中カツプ電
極27はこれに溶接された複数のバルブスペーサ
37によりフアンネル被覆層35に接続されてい
る。このバルブスペーサ37はバネ鋼製が望まし
く、マウント構体25の先端を管球の長軸と同心
的に保持する働らきをする。
ゲツタ構体はマウント構体25の集中カツプ電
極27の一端に取付けられてフアンネル15上に
片持梁型に突出した細長いバネ39を有する。こ
のバネ39の他端に金属ゲツタ容器41が取付け
られ、この容器41の底には彎曲した2つの金具
43を含む滑りが取付けられている。容器はフア
ンネル15の内壁側を底にして内部にゲツター材
料45を収容した環状の溝を有する。バネ39は
金属リボンから成り、容器43の底を外方フアン
ネル壁面に圧迫して金具43を被覆35に接触さ
せている。このバネ39はフアンネル15内にお
いて、ゲツタ材料が適度の広さに飛散(蒸着)
し、しかも容器41と共にマウント構体25から
出る電子ビームの通路の外側にあつて管球の動作
を妨げないような長さを持つ。
第1図に示すように管球は組立て後外囲器を排
気して気密封止するが、これは公知の任意の製造
工程によつて行うことができる。この実施例では
ゲツタ容器41がバリウム・アルミニウム合金と
ニツケルとの混合物を収容し、この混合物は加熱
すると発熱反応してバリウム金属を気化し、容器
41内にアルミニウム・ニツケル合金とバリウム
金属の残渣を残す。
ゲツタを「飛散さす」すなわち発熱反応を起さ
せるには誘導加熱コイル(図示せず)が用いられ
る。誘導コイルはゲツタ容器41とその内容物4
5を電気誘導作用によつて加熱し、その内容物を
飛散させてバリウム蒸気を放出する。このバリウ
ム蒸気はガス吸収吸着性バリウム金属層として主
にマスク23の内面とフアンネル被覆35の一部
分に被着する。内部磁気遮蔽体を有する映像管で
はその遮蔽体の一部にもバリウム金属層53が被
着する。上記ゲツタ容器41に収容されているバ
リウム金属の全利用可能量は、約265mgであるが、
発熱反応は平均約180mgのバリウムしか放出しな
い。ゲツタ目的に充分量のバリウムを確保するに
は、ゲツタ飛散で利用可能な265mgのガラスのた
とえば約50〜75%を放出すればよい。この充分量
は管の種類その他によつて変り得るものである。
この放出されるバリウムの全量は発熱反応発生後
の誘導加熱時間を変えることによつて制御するこ
とができる。すなわち加熱時間を増すほど放出さ
れるバリウム金属量が増加する。この最初の飛散
後に放出されるバリウム金属は容器41から吸熱
的に出て行く。
第2図に略示するように陰極放電ボールギヤツ
プ(CDBG)、陰極変換、ホツトシヨツト、第1
低電圧エージング、初期試験、防爆、外部被覆、
フリツト耐圧試験、高周波スポツトノツキング
(RFSK)、最終低電圧エージング、最終試験を含
む後続の処理および試験段階中に、管球は広範囲
に取扱われ、シヤドーマスク23に電気的または
機械的に粒子を運ぶことのある高電圧にさらされ
る。導電性粒子は機械的振動、交流磁界によるマ
スクの加熱、マスク内面の自由磁性体の外部磁界
による機械的移動等のような外部制御手段によつ
てマスクから除去し得ることも多いが、この方法
はガラスのような絶縁性粒子の除去には使用でき
ない。ガラス粒子はマスクとの間の静電荷相互作
用すなわち陽極結合によりマスクに強固に結合し
ている。陽極結合は印加電界の結果としてガラス
と金属との界面の原子の相互拡散により生じるも
のと思われる。陽極結合とこれによるガラスと金
属の接着力は部品の表面処理に影響されることが
あり、従つて、ゲツタ飛散後マスク23を覆つた
バリウム金属被膜53は、接着を促進する平滑で
清潔な導電金属面を提供することによつてガラス
粒子の接着に寄与する。
上述のようにシヤドーマスク23に接着した絶
縁粒子は電子ビームによつて負に帯電され、正し
いマスク開孔からビームの通過部分を偏向させて
シヤドーマスクに見かけの孔詰まりを作り、スク
リーンに光輪で囲まれた黒点(以後ハロー型孔詰
まりと呼ぶ)を生じる。経験的にガラス粒子「漬
け」の映像管は文字通り無数のハロー型孔詰まり
を呈することが判つている。ガラス粒子その他の
絶縁粒子を外囲器の真空を破らずに除去すること
は不可能のため、この発明ではシヤドーマスク上
の絶縁粒子を導電性にして負に帯電した粒子が電
子ビームの通過部分を偏向しないようにする処理
を行う。新規製造管球の1%以下しかハロー型孔
詰まりを呈しないが、以下の処理は製造工程中に
全管球に経済的に適用することができる。
製造工程中最後に粒子が発生する段階で全管球
のゲツタを再賦活すなわち再飛散させることによ
つてハロー型孔詰まりがなくなる。最初の発熱型
ゲツタ飛散後バリウム金属残渣がゲツタ容器41
に残るために、このバリウム金属をさらに蒸発さ
せるに足る時間容器41を誘導加熱すると、その
バリウム金属は容器から吸熱的に放出されてマス
ク23の内面およびフアンネル被覆35の一部並
びにマスク23上の帯電粒子上に2次ゲツタ被膜
55として被着する。マスク23上の層53に接
着した絶縁粒子を導電性にするには少量のバリウ
ムで充分である。最初の制御ゲツタ飛散後バリウ
ム金属のたとえば約20〜50%が再飛散用として容
器に残ることが判つている。2段発熱型ゲツタは
現在ないが、これが入手できるようになればそれ
にこの工程を適用することもできる。
ゲツタの再賦活は高周波スポツトノツキングの
直後最終低電圧エージングの前に行なうのが好ま
しいが、フリツト耐圧試験後スポツトノツキング
前でも管球歩留に危険なく行なえると信じられ
る。ゲツタの再賦活を処理工程のどこで行なうか
に関係なく、ゲツタ容器は30〜60秒間上述のよう
に誘導加熱する。この間にバリウム金属はマスク
23の内面とフアンネル被覆35の一部に既に被
着されている1次ゲツタ被膜53上に2次ゲツタ
被膜55として吸熱的に被着される。このときシ
ヤドーマスクの内面のゲツタ被膜53に接着して
いるすべての絶縁粒子に2次ゲツタ被膜55が被
着されてこれを導電性にする。2次ゲツタ被膜5
5は60mgものバリウムから成ることもある。再飛
散ゲツタの全バリウム量は管球ごとに異なり、誘
導コイルと容器との結合度、ゲツタ再飛散に利用
し得る容器内の残留バリウム量および再飛散時の
加熱時間等の要因に依存する。
以上推奨実施例をシヤドーマスク型有孔マスク
を有する管球について説明したが、この発明が集
束マスクや集束グリルのような異形有孔マスクを
有する管球にも適用し得ること、また上述の各種
管球処理段階が大きく改変され得ることおよび説
明しなかつた他の段階を含み得ることを理解すべ
きである。
【図面の簡単な説明】
第1図は陰極線管の一部破断拡大部分断面図、
第2図は第1図の陰極線管の処理に用いるこの発
明の各段階を略示する工程図である。 11……外囲器、19……スクリーン、23…
…有孔マスク、25……ビーム生成手段、41,
45……ゲツタ手段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 内部に発光表示スクリーンと、このスクリー
    ンを励起して発光させる少なくとも1本の電子ビ
    ームを生成する手段と、上記スクリーンに接近し
    て配置した有孔マスクと、このマスクの内面にガ
    ス吸着ゲツタ材料膜を被着するゲツタ手段とを含
    む真空外囲器を有する陰極線管の処理方法であつ
    て、他の処理段階の前にゲツタ飛散段階を含み、
    この飛散段階が所望のゲツタ作用を得るに充分で
    かつ上記ゲツタ手段の利用し得るゲツタ材料の全
    量よりも少ない量よりなる1次被膜を生成するよ
    うに制御され、そのゲツタ手段が上記他の処理段
    階の少なくとも1つの後でしかも最終の処理段階
    の前に再賦活されて上記マスクの上記内面にゲツ
    タ材料の2次被膜を生成することを特徴とする方
    法。
JP57131085A 1981-07-28 1982-07-27 陰極線管の処理方法 Granted JPS5828157A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/287,569 US4398897A (en) 1981-07-28 1981-07-28 Method of processing a cathode-ray tube for eliminating blocked apertures caused by charged particles
US287569 1981-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5828157A JPS5828157A (ja) 1983-02-19
JPS6363100B2 true JPS6363100B2 (ja) 1988-12-06

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ID=23103482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57131085A Granted JPS5828157A (ja) 1981-07-28 1982-07-27 陰極線管の処理方法

Country Status (10)

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US (1) US4398897A (ja)
JP (1) JPS5828157A (ja)
KR (1) KR910002135B1 (ja)
CA (1) CA1188358A (ja)
DE (1) DE3228024A1 (ja)
FR (1) FR2510812B1 (ja)
GB (1) GB2104282B (ja)
IT (1) IT1152052B (ja)
PL (1) PL138544B1 (ja)
SU (1) SU1443820A3 (ja)

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IT8222442A1 (it) 1984-01-16
IT1152052B (it) 1986-12-24
PL138544B1 (en) 1986-10-31
FR2510812A1 (fr) 1983-02-04
GB2104282B (en) 1985-07-24
IT8222442A0 (it) 1982-07-16
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