JPH0315294B2 - - Google Patents
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- JPH0315294B2 JPH0315294B2 JP58071126A JP7112683A JPH0315294B2 JP H0315294 B2 JPH0315294 B2 JP H0315294B2 JP 58071126 A JP58071126 A JP 58071126A JP 7112683 A JP7112683 A JP 7112683A JP H0315294 B2 JPH0315294 B2 JP H0315294B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/505—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output flat tubes, e.g. proximity focusing tubes
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は光電面と螢光面を近接対向させて構成
した像増強管に関する。
した像増強管に関する。
(従来技術の説明)
前記の近接型像増強管は、光電面から飛び出た
電子を光電面に垂直に飛行させ、螢光面に衝突さ
せることによつて、光電面に投影した光像と同一
の像を螢光面に形成させる像増強管である。
電子を光電面に垂直に飛行させ、螢光面に衝突さ
せることによつて、光電面に投影した光像と同一
の像を螢光面に形成させる像増強管である。
前記光電面と螢光面は例えば1.3mmのように極
めて近接させて対向させられており、電子を光電
面に垂直に飛行させるために、それらの間に8000
ボルト程度の高電圧を加える必要がある。なお、
前記高電圧は、螢光面で高い輝度を得るためにも
役立つている。
めて近接させて対向させられており、電子を光電
面に垂直に飛行させるために、それらの間に8000
ボルト程度の高電圧を加える必要がある。なお、
前記高電圧は、螢光面で高い輝度を得るためにも
役立つている。
通常光電面は、真空中で、アンチモンを均一に
蒸着し、前記アンチモンの蒸着装置にセシウム、
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属を吸着し
て形成する。
蒸着し、前記アンチモンの蒸着装置にセシウム、
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属を吸着し
て形成する。
このため光電面(基板)の前に、アンチモンを
蒸着し、アルカリ金属の蒸気を導入する空間が必
要である。この問題は、真空容器の一部に蛇腹を
用いることによつて解決されている(米国特許明
細書第2975015号)。すなわち、全体として円筒状
の蛇腹の1底面に螢光面を形成したガラス円板を
気密に封着し、他の底面に光電面を形成するガラ
ス円板を気密に封着し、蛇腹を引き延ばした状態
で光電面を形成し、その後、蛇腹を縮めて光電面
と螢光面を近接させる。
蒸着し、アルカリ金属の蒸気を導入する空間が必
要である。この問題は、真空容器の一部に蛇腹を
用いることによつて解決されている(米国特許明
細書第2975015号)。すなわち、全体として円筒状
の蛇腹の1底面に螢光面を形成したガラス円板を
気密に封着し、他の底面に光電面を形成するガラ
ス円板を気密に封着し、蛇腹を引き延ばした状態
で光電面を形成し、その後、蛇腹を縮めて光電面
と螢光面を近接させる。
前記米国特許明細書第2975015号記載の発明は、
光電面の支持体が光電面から螢光面の方向へ延び
ているので、光電面と螢光面の間に高電圧を加え
ると支持体と螢光面の間で放電が生じるおそれが
ある。
光電面の支持体が光電面から螢光面の方向へ延び
ているので、光電面と螢光面の間に高電圧を加え
ると支持体と螢光面の間で放電が生じるおそれが
ある。
(発明の目的の説明)
本発明の目的は前述した不本意の放電の発生を
防止することができる像増強管を提供することに
ある。
防止することができる像増強管を提供することに
ある。
(発明の構成の説明)
前記目的を達成するために、本発明による像増
強管は、真空容器内で光電面基板支持体に支持さ
れた光電面基板に形成された光電面と螢光面基板
支持体に支持された螢光面基板に形成された螢光
面とを近接対向して配置し、光電面から出射した
電子を前記光電面に垂直に加速して螢光面に入射
させ、光電面に投影した像を波長変換または輝度
増強する像増強管において、 前記螢光面基板支持体にガラス側管を介して金
属側管を結合し前記金属側管と前記光電面基板支
持体を蛇腹で気密に結合し、 前記金属側管に前記光電面の周囲を囲い前記螢
光面に対向する面が絶縁体で被覆された電極から
なる隔壁を設けて構成されている。
強管は、真空容器内で光電面基板支持体に支持さ
れた光電面基板に形成された光電面と螢光面基板
支持体に支持された螢光面基板に形成された螢光
面とを近接対向して配置し、光電面から出射した
電子を前記光電面に垂直に加速して螢光面に入射
させ、光電面に投影した像を波長変換または輝度
増強する像増強管において、 前記螢光面基板支持体にガラス側管を介して金
属側管を結合し前記金属側管と前記光電面基板支
持体を蛇腹で気密に結合し、 前記金属側管に前記光電面の周囲を囲い前記螢
光面に対向する面が絶縁体で被覆された電極から
なる隔壁を設けて構成されている。
(実施例の説明)
第1図は、本発明による近接型像増強管の実施
例を示す縦断面図である。円板状のガラスから成
る光電面基板1はつばを有する円筒状の金属から
光電面基板支持体2の底面を形成するように気密
に封着されている。光電面3は基板1の内壁に形
成され周縁で光電面基板支持体2と電気的に接続
されている。円板状のガラスからなる螢光面基板
4はつばを有する円筒状の金属から成る螢光面基
板支持体5の底面を形成するように気密に封着さ
れている。螢光面6は基板4の内壁に形成され周
縁で螢光面基板支持体5と電気的に接続されてい
る。
例を示す縦断面図である。円板状のガラスから成
る光電面基板1はつばを有する円筒状の金属から
光電面基板支持体2の底面を形成するように気密
に封着されている。光電面3は基板1の内壁に形
成され周縁で光電面基板支持体2と電気的に接続
されている。円板状のガラスからなる螢光面基板
4はつばを有する円筒状の金属から成る螢光面基
板支持体5の底面を形成するように気密に封着さ
れている。螢光面6は基板4の内壁に形成され周
縁で螢光面基板支持体5と電気的に接続されてい
る。
光電面の基板1および螢光面の基板4は中央部
分内側に向かつて台状に突出させられている。
分内側に向かつて台状に突出させられている。
光電面3と螢光面6は間隔1.3mmで平行に対向
するように、前記光電面支持体2、螢光面基板支
持体5および円筒状の金属から成る側管7、円筒
状のガラスから成る側管8によつて保持されてい
る。
するように、前記光電面支持体2、螢光面基板支
持体5および円筒状の金属から成る側管7、円筒
状のガラスから成る側管8によつて保持されてい
る。
絶縁性の隔壁9は略円筒状で、一端につばをも
ち他端(図中下端)を内側へ折り返すようにまる
められている。前記つばの部分で金属製の側管7
に固定されている。そして側壁は、光電面基板支
持体2に沿つて光電面まで延びている。絶縁性の
隔壁9の拡大した断面図を第2図に示す。絶縁性
の隔壁9は、金属からなる円筒91の外側面にガ
ラスの被覆92を形成したものである。
ち他端(図中下端)を内側へ折り返すようにまる
められている。前記つばの部分で金属製の側管7
に固定されている。そして側壁は、光電面基板支
持体2に沿つて光電面まで延びている。絶縁性の
隔壁9の拡大した断面図を第2図に示す。絶縁性
の隔壁9は、金属からなる円筒91の外側面にガ
ラスの被覆92を形成したものである。
ここで、前述の実施例における光電面3の形成
方法を簡単に述べる。第1図において10は金属
製の蛇腹であつて縮めた状態である。光電面形成
前は、蛇腹10を延ばしておく。このとき光電面
基板1と螢光面4の間に30mmの空間ができる。こ
の状態で図示してない側管8に設けたチツプ管か
ら隔壁9に設けた孔を通してアンチモン蒸着源、
アルカリ金属源を光電面に対向するように挿入
し、通電加熱または高周波誘導加熱する。このよ
うにして光電面基板1の表面に光電面3が形成で
きる。光電面3形成後は、アンチモン蒸着源およ
びアルカリ金属源をチツプ管に戻し、チツプ管を
側管8の取付部分で封じ切る。
方法を簡単に述べる。第1図において10は金属
製の蛇腹であつて縮めた状態である。光電面形成
前は、蛇腹10を延ばしておく。このとき光電面
基板1と螢光面4の間に30mmの空間ができる。こ
の状態で図示してない側管8に設けたチツプ管か
ら隔壁9に設けた孔を通してアンチモン蒸着源、
アルカリ金属源を光電面に対向するように挿入
し、通電加熱または高周波誘導加熱する。このよ
うにして光電面基板1の表面に光電面3が形成で
きる。光電面3形成後は、アンチモン蒸着源およ
びアルカリ金属源をチツプ管に戻し、チツプ管を
側管8の取付部分で封じ切る。
その後、蛇腹10を縮め、光電面3と螢光面6
を近接した状態に保つ。
を近接した状態に保つ。
前述の近接型像増強管を暗中に置き、光電面3
と螢光面6間に光電面基板支持体2と、螢光面支
持体5とを介して、9キロボルトの電圧を加え
た。その結果、電界に原因する不本意な放電は生
じなかつた。
と螢光面6間に光電面基板支持体2と、螢光面支
持体5とを介して、9キロボルトの電圧を加え
た。その結果、電界に原因する不本意な放電は生
じなかつた。
また前記近接型像増強管の光電面をマルチアル
カリ光電用(S−20)を、螢光面を(Zn、Cd)
S:Ag(P−20)を用いて形成し、9キロボルト
の電圧を加え、光電面に20.4lxの光を入射したと
ころ螢光面に4.54×102nitの像が現れた。
カリ光電用(S−20)を、螢光面を(Zn、Cd)
S:Ag(P−20)を用いて形成し、9キロボルト
の電圧を加え、光電面に20.4lxの光を入射したと
ころ螢光面に4.54×102nitの像が現れた。
また螢光面上の像の解像度は40lP/mmであつ
た。
た。
比較のために前記像増強管と、絶縁性の隔壁9
を取り除いた点以外では、全く同一の近接型像増
強管を作成し、暗中において、試験を行つた。
を取り除いた点以外では、全く同一の近接型像増
強管を作成し、暗中において、試験を行つた。
光電面と螢光面の間の電圧を徐々に高くしてい
くと、約4キロボルトで電圧により放電が発生し
た。前記電圧により高くすると急激に放電の流れ
が増し、光電面に投影した像に関係なく螢光面が
発生するので使用できない。4キロボルトの電圧
を加え光電面に20.4lxの光を入射したところ、螢
光面に3.85×101nitの像が現れた。またこのとき
螢光面上の像の解像度は21lP/mmであつた。
くと、約4キロボルトで電圧により放電が発生し
た。前記電圧により高くすると急激に放電の流れ
が増し、光電面に投影した像に関係なく螢光面が
発生するので使用できない。4キロボルトの電圧
を加え光電面に20.4lxの光を入射したところ、螢
光面に3.85×101nitの像が現れた。またこのとき
螢光面上の像の解像度は21lP/mmであつた。
このような差が発生する原因はおおむね、次の
とおりであると思われる。光電面3と同じ電位の
光電面基板支持体2を最大の注意を払つて放電が
発生しにくいように滑らかな表面とした場合であ
つても、光電面を形成する過程で光電面形成物質
が付着し、これが放電の誘因となる。あるいは表
面が酸化されるなどして電界による電子放出が生
じやすい状態が形成される。
とおりであると思われる。光電面3と同じ電位の
光電面基板支持体2を最大の注意を払つて放電が
発生しにくいように滑らかな表面とした場合であ
つても、光電面を形成する過程で光電面形成物質
が付着し、これが放電の誘因となる。あるいは表
面が酸化されるなどして電界による電子放出が生
じやすい状態が形成される。
(発明の効果の説明)
本発明による像増強管は前述のように放電の原
因となりやすい状態にある光電面基板支持体2の
表面に強い電界を生じないように光電面基板支持
体2と螢光面6の間に光電面基板支持体2と等し
い電位の電極を設け、前記電極の少なくとも螢光
面6に対向する部分の表面に絶縁性の物質を被覆
して前記電極からの電子の放出も生じないように
しているから、不本意な放電を防止でき、良好な
像増強管が可能となつた。
因となりやすい状態にある光電面基板支持体2の
表面に強い電界を生じないように光電面基板支持
体2と螢光面6の間に光電面基板支持体2と等し
い電位の電極を設け、前記電極の少なくとも螢光
面6に対向する部分の表面に絶縁性の物質を被覆
して前記電極からの電子の放出も生じないように
しているから、不本意な放電を防止でき、良好な
像増強管が可能となつた。
なお、光電面基板支持体2と隔壁9の間の電圧
は支持体2と螢光面6の間の電圧に比べて小さけ
れば、同様な効果が得られるから必ず同電位であ
る必要はない。
は支持体2と螢光面6の間の電圧に比べて小さけ
れば、同様な効果が得られるから必ず同電位であ
る必要はない。
第1図は本発明による至近型像増強管の実施例
を示す縦断面図である。第2図は、隔壁の一部を
拡大して示した断面図である。 1……光電面基板、2……光電面基板支持体、
3……光電面、4……螢光面基板、5……螢光面
基板支持体、6……螢光面、7……金属側管、8
……ガラス側管、9……隔壁、91……電極を形
成する円筒、92……円筒表面のガラス被覆。
を示す縦断面図である。第2図は、隔壁の一部を
拡大して示した断面図である。 1……光電面基板、2……光電面基板支持体、
3……光電面、4……螢光面基板、5……螢光面
基板支持体、6……螢光面、7……金属側管、8
……ガラス側管、9……隔壁、91……電極を形
成する円筒、92……円筒表面のガラス被覆。
Claims (1)
- 1 真空容器内で光電面基板支持体に支持された
光電面基板に形成された光電面と螢光面基板支持
体に支持された螢光面基板に形成された螢光面と
を近接対向して配置し、光電面から出射した電子
を前記光電面に垂直に加速して螢光面に入射さ
せ、光電面に投影した像を波長変換または輝度増
強する像増強管において、前記螢光面基板支持体
にガラス側管を介して金属側管を結合し前記金属
側管と前記光電面基板支持体を蛇腹で気密に結合
し、前記金属側管に前記光電面の周囲を囲い前記
螢光面に対向する面が絶縁体で被覆された電極か
らなる隔壁を設けて構成したことを特徴とする像
増強管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7112683A JPS59196540A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 像増強管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7112683A JPS59196540A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 像増強管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59196540A JPS59196540A (ja) | 1984-11-07 |
JPH0315294B2 true JPH0315294B2 (ja) | 1991-02-28 |
Family
ID=13451559
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7112683A Granted JPS59196540A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 像増強管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59196540A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3804516A1 (de) * | 1988-02-13 | 1989-08-24 | Proxitronic Funk Gmbh & Co Kg | Bildverstaerker |
JPH0316653U (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757053B2 (ja) * | 1975-01-30 | 1982-12-02 | Mishuran E Co Jeneraaru De Zetaburisuman Mishuran |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757053U (ja) * | 1980-09-19 | 1982-04-03 |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP7112683A patent/JPS59196540A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5757053B2 (ja) * | 1975-01-30 | 1982-12-02 | Mishuran E Co Jeneraaru De Zetaburisuman Mishuran |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59196540A (ja) | 1984-11-07 |
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