JPS59196540A

JPS59196540A - 像増強管

Info

Publication number: JPS59196540A
Application number: JP7112683A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Watase; 渡瀬　泰志; Hideki Suzuki; 英樹鈴木
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1983-04-22
Filing date: 1983-04-22
Publication date: 1984-11-07
Also published as: JPH0315294B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（技術分野）本発明は光電面と螢光面を近接対向させて構成した像増
強管に関する。

（従来技術の説明）前記の近接型像増強管は、光電面から飛び出た電子を光
電面に垂直に飛行させ、螢光面に衝突させることによっ
て、光電面に投影した光像と同一の像を螢光面に形成さ
せる像増強管である。

前記光電面と螢光面は例えば１．３　ｍ　ｍのように極
めて近接させて対向させられており、電子を光電面に垂
直に飛行させるために、それらの間に８０００ボルト程
度の高電圧を加える必要がある。なお、前記高電圧は、
螢光面で高い輝度を得るためにも役立っている。

通常光電面は、真空中で、アンチモンを均一に蒸着し、
前記アンチモンの蒸着装置にセシウム、ナトリウム、カ
リウム等のアルカリ金属を吸着して（２）形成する。

このため光電面（基板）の前に、アンチモンを蒸着し、
アルカリ金属の蒸気を導入する空間が必要である。この
問題は、真空容器の一部に蛇腹を用いることによって解
決されている（米国特許明細書第２９７５０１５号）。

すなわち、全体として円筒状の蛇腹の１底面に螢光面を
形成したガラス円板を気密に封着し、他の底面に光電面
を形成するガラス円板を気密に封着し、蛇腹を引き延ば
した状態で光電面を形成し、その後、蛇腹を縮めて光電
面と螢光面を近接させる。

前記米国特許明細書第２９７５０１５号記載の発明は、
光電面の支持体が光電面から螢光面の方向へ延びている
ので、光電面と螢光面の間に高電圧を加えると支持体と
螢光面の間で放電が生しるおそれがある。

（発明の詳細な説明）本発明の目的は前述した不本意の放電の発生を防止する
ことができる像増強管を提供することにある。

（３）螢光面は対向する螢光面または光電面と反対側から延び
る筒状の支持体の下端に保持すると共に前記支持体と螢
光面または光電面との間に絶縁性の隔壁を設けて構成さ
れている。

前記絶縁性の隔壁は金属の表面にガラス等絶縁物を被覆
したものである。

（実施例の説明）第１図は、本発明による近接型像増強管の実施例を示す
縦断面図である。円板状のガラスから成る光電面基板１
はつばを有する円筒状の金属から光電面基板支持体２の
底面を形成するように気密に封着されている。光電面３
は基板１の内壁に形成され周縁で光電面基板支持体２と
電気的に接続されている。円板状のガラスからなる螢光
開基板４はつばを有する円筒状の金属から成る螢光面基
板支持体５の底面を形成するように気密に封着されてい
る。螢光面６は基板４の内壁に形成され周縁で螢光面基
板支持体５と電気的に接続されてい（４）る。

光電面の基板１および螢光面の基板４は中央部分内側に
向かって台状に突出させられている。

光電面３と螢光面６は間隔１．３ｍｍで平行に対向する
ように、前記光電面支持体２．螢光面基板支持体５およ
び円筒状の金属から成る側管７１円筒状のガラスから成
る側管８によって保持されている。

絶縁性の隔壁９は略円筒状で、一端につばをもち他端（
図中下端）を内側へ折り返すようにまるめられている。

前記つばの部分で金属製の側管７に固定されている。そ
して側壁は、光電面基板支持体２に沿って光電面まで延
びている。絶縁性の隔壁９の拡大した断面図を第２図に
示す。絶縁性の隔壁９は、金属からなる円筒９１の外側
面にガラスの被ｆｆ１９’２を形成したものである。

ここで、前述の実施例における光電面３の形成方法を簡
単に述べる。第１図において１０は金属製の蛇腹であっ
て縮めた状態である。光電面形成前は、蛇腹１０を延ば
しておく。このとき光電面（５）基板１と螢光面４の間に３０ｍｍの空間ができる。

この状態で図示してない側管８に設けたチップ管から隔
壁９に設けた孔を通してアンチモン蒸着源。

アルカリ金属源を光電面に対向するように挿入し、通電
加熱または高周波誘導加熱する。このようにして光電面
基板１の表面に光電面３が形成できる。

光電面３形成後は、アンチモン蒸着源およびアルカリ金
属源をチップ管に戻し、チップ管を側管８の取付部分で
封じ切る。

その後、蛇腹１０を縮め、光電面３と螢光面６を近接し
た状態に保つ。

前述の近接型像増強管を暗中に置き、光電面３と螢光面
６間に光電面基板支持体２と、螢光面支持体５とを介し
て、９キロボルトの電圧を加えた。

その結果、電界に原因する不本意な放電は生じなかった
。

また前記近接型像増強管の光電面をマルチアルカリ光電
用（ｓ−２０）を、螢光面を（Ｚｎ、Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ　　（Ｐ　　２０＞を用いて形
成し、９キロボルトの電圧を加え、光電面に（６）２０．４１２Ｘの光を入射したところ螢光面に４．５４
Ｘ１０２ｎｉｔの（象力（現れた。

また螢光面上の像の解像度は４０ｊ！Ｐ／ｍｍであった
。

比較のために前記像増強管と、絶縁性の隔壁９を取り除
いた点以外では、全く同一の近接型像増強管を作成し、
暗中において、試験を行った。

光電面と螢光面の間の電圧を徐々に高くしていくと、約
４キロボルトで電圧による放電が発生した。

前記電圧より高くすると急激に放電の流れが増し、光電
面に投影した像に関係なく螢光面が発光するので使用で
きない。４キロボルトの電圧を加え光電面に２０．４β
Ｘの光を入射したところ、螢光面に３．８５ｘｌＯ’ｎ
ｉｔの像が現れた。またこのとき螢光面上の像の解像度
は２１ｊ！Ｐ／ｍｍであった。

このような差が発生ずる原因はおおむね、次のとおりで
あると思われる。光電面３と同じ電位の光電面基板支持
体２を最大の注意を払って放電が発生しにくいように清
らかな表面とした場合であ（７）っても、光電面を形成する過程で光電面形成物質が付着
し、これが放電の誘因となる。あるいは表面が酸化され
るなどして電界による電子放出が生じやすい状態が形成
される。

（発明の詳細な説明）本発明による像増強管は前述のように放電の原因となり
やすい状態にある光電面基板支持体２の表面に強い電界
を生じないように光電面基板支持体２と螢光面６の間に
光電面基板支持体２と等しい電位の電極を設け、前記電
極の少なくとも螢光面６に対向する部分の表面に絶縁性
の物質を被覆して前記電極からの電子の放出も生じない
ようにしているから、不本意な放電を防止でき、良好な
像増強管が可能となった。

なお、光電面基板支持体２と隔壁９の間の電圧は支持体
２と螢光面６の間の電圧に比べて小さければ、同様な効
果が得られるから必ず同電位である必要はない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による至近型像増強管の実施例（８）を示す縦断面図である。第２図は、隔壁の一部を拡大して示した断面図である。１・・・光電面基板　　　　　２・・・光電面基板支持
体３・・・光電面　　　　　　　４・・・螢光面基板５
・・・螢光面基板支持体　　６・・・螢光面７・・・金
属側管　　　　　　８・・・ガラス側管９・・・隔壁９１・・・電極を形成する円筒９２・・・円筒表面のガラス被覆特許出願人　浜松ホトニクス株式会社代理人　弁理士　　井　ノ　ロ　　壽（９）第１図第２図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　　真空容器内で、光電面と螢光面とを近接して
対向せしめるように配置し、光電面から出射した電子を
前記光電面に垂直に加速して、螢光面に入射せしめ、光
電面に投影した像を波長変換または、輝度増強する像増
強管において、光電面または螢光面は、螢光面または光
電面と反対側から延びた筒状金属の光電面または螢光面
支持体の下端面開口部に保持され、前記支持体の下端面
と螢光面または光電面との間に螢光面または光電面に対
向する面が絶縁体で被覆された電極からなる隔壁を設け
て構成したことを特徴とする像増強管。
（２）前記光電面は螢光面と反対側から延びた光電面支
持体の下端面開口部に保持され、前記支持体の下端面と
螢光面の間に螢光面に対向する面が絶縁体で被覆された
電極からなる隔壁を設けた特許請求の範囲第１項記載の
像増強管。
（３）前記隔壁の電位と光電面基板支持体の電位は（１
）同電位である特許請求の範囲第１項記載の像増強管。