JPH05275034A - Ｘ線イメージ管 - Google Patents
Ｘ線イメージ管Info
- Publication number
- JPH05275034A JPH05275034A JP4071403A JP7140392A JPH05275034A JP H05275034 A JPH05275034 A JP H05275034A JP 4071403 A JP4071403 A JP 4071403A JP 7140392 A JP7140392 A JP 7140392A JP H05275034 A JPH05275034 A JP H05275034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- focusing electrode
- electrons
- ray
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力像は安定な輝度を保ちつつ、良好な光出
力像を得られる解像度を向上したＸ線イメージ管を提供
する。 【構成】 入力面から入力したＸ線を可視光に変換し、
光電面によって電子に変換させる。電子を集束電極７お
よび陽極５の静電電子レンズ系によって加速集束し、出
力蛍光面３の蛍光体を発光させ、輝度増強した光出力像
を得る。陽極５に高電圧を印加すると、電界強度の変化
が著しいＣ点およびＤ点付近で絶縁破壊による発光が起
りやすい。発光が起こっても、陽極５に段部5aを形成し
て表面積を増加させ、陽極５および集束電極７に黒化膜
および光吸収膜を形成したため、光子は陽極５および集
束電極７の表面にて反射、吸収され入力面に到達できな
い。陽極５付近に生じた発光がＸ線入力窓２側に到達せ
ず、不必要な電子を出さず良好な光出力像を得られ、解
像度が向上する。
力像を得られる解像度を向上したＸ線イメージ管を提供
する。 【構成】 入力面から入力したＸ線を可視光に変換し、
光電面によって電子に変換させる。電子を集束電極７お
よび陽極５の静電電子レンズ系によって加速集束し、出
力蛍光面３の蛍光体を発光させ、輝度増強した光出力像
を得る。陽極５に高電圧を印加すると、電界強度の変化
が著しいＣ点およびＤ点付近で絶縁破壊による発光が起
りやすい。発光が起こっても、陽極５に段部5aを形成し
て表面積を増加させ、陽極５および集束電極７に黒化膜
および光吸収膜を形成したため、光子は陽極５および集
束電極７の表面にて反射、吸収され入力面に到達できな
い。陽極５付近に生じた発光がＸ線入力窓２側に到達せ
ず、不必要な電子を出さず良好な光出力像を得られ、解
像度が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、解像度を向上したＸ線
イメージ管に関する。
イメージ管に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線イメージ管は医療用、工業用に用い
られて、診断や非破壊検査等に広く普及している。
られて、診断や非破壊検査等に広く普及している。
【０００３】従来のＸ線イメージ管を、図２および図３
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００４】たとえばガラス容器からなる真空外囲器１
は、一端面にＸ線入力窓２が形成され、他端面に出力蛍
光面３が形成されている。また、真空外囲器１のＸ線入
力窓２側の内側には、陰極となる蛍光体およびアルカリ
ーアンチモンなどで作られる光電面が形成されている金
属薄板の入力面４が形成され、出力蛍光面３側には陽極
５が配設されている。さらに、入力面４と、陽極５との
間の真空外囲器１の内面側には、静電電子レンズ系を構
成する集束電極６が真空外囲器１の壁面に沿って配設さ
れるとともに、この集束電極６と出力蛍光面３との間に
は、半断面Ｌ字型の集束電極７が配設されている。
は、一端面にＸ線入力窓２が形成され、他端面に出力蛍
光面３が形成されている。また、真空外囲器１のＸ線入
力窓２側の内側には、陰極となる蛍光体およびアルカリ
ーアンチモンなどで作られる光電面が形成されている金
属薄板の入力面４が形成され、出力蛍光面３側には陽極
５が配設されている。さらに、入力面４と、陽極５との
間の真空外囲器１の内面側には、静電電子レンズ系を構
成する集束電極６が真空外囲器１の壁面に沿って配設さ
れるとともに、この集束電極６と出力蛍光面３との間に
は、半断面Ｌ字型の集束電極７が配設されている。
【０００５】そして、使用時には図示しないＸ線発生器
から放射されたＸ線が被写体を透過してＸ線入力窓２に
達し、Ｘ線入力窓２の内側の入力面４の蛍光体によって
Ｘ線を可視光に変換し、さらに、この可視光を光電面に
よって電子に変換させる。さらに、この電子は、集束電
極６，７および陽極５によって作られる静電電子レンズ
系によって加速集束され、出力蛍光面３の蛍光体を発光
させ、輝度増強された光出力像を得る。
から放射されたＸ線が被写体を透過してＸ線入力窓２に
達し、Ｘ線入力窓２の内側の入力面４の蛍光体によって
Ｘ線を可視光に変換し、さらに、この可視光を光電面に
よって電子に変換させる。さらに、この電子は、集束電
極６，７および陽極５によって作られる静電電子レンズ
系によって加速集束され、出力蛍光面３の蛍光体を発光
させ、輝度増強された光出力像を得る。
【０００６】ところで、陽極５に電子を加速するため
に、たとえば２５〜３０ｋＶの高電圧を印加するが、集
束電極７には陽極５に比べて低い電圧を印加する。ま
た、陽極５と集束電極７との距離が近いため、この付近
で絶縁破壊を生じやすい。そして、この絶縁破壊に伴い
発光が生じ、その発光が実線Ａに示すように、Ｘ線入力
窓２に到達し、Ｘ線入力窓２の光電面で電子に変換さ
れ、出力蛍光面３にて得られる光出力像に悪影響をおよ
ぼす。
に、たとえば２５〜３０ｋＶの高電圧を印加するが、集
束電極７には陽極５に比べて低い電圧を印加する。ま
た、陽極５と集束電極７との距離が近いため、この付近
で絶縁破壊を生じやすい。そして、この絶縁破壊に伴い
発光が生じ、その発光が実線Ａに示すように、Ｘ線入力
窓２に到達し、Ｘ線入力窓２の光電面で電子に変換さ
れ、出力蛍光面３にて得られる光出力像に悪影響をおよ
ぼす。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、Ｘ線イ
メージ管は、Ｘ線入力窓２でＸ線から電子に変換され、
集束電極６，７および陽極５によって作られる静電電子
レンズ系で加速集束させ、出力蛍光面３の蛍光体を発光
させて光出力像を得るものであるが、図２および図３に
示すように、集束電極７と陽極５との間に大きな電位差
を生じ、耐電圧特性劣化により絶縁破壊を生じやすく、
絶縁破壊に伴って生じた発光が出力蛍光面３の光電面に
到達し、この光が電子に変換された結果出力像に現われ
る。
メージ管は、Ｘ線入力窓２でＸ線から電子に変換され、
集束電極６，７および陽極５によって作られる静電電子
レンズ系で加速集束させ、出力蛍光面３の蛍光体を発光
させて光出力像を得るものであるが、図２および図３に
示すように、集束電極７と陽極５との間に大きな電位差
を生じ、耐電圧特性劣化により絶縁破壊を生じやすく、
絶縁破壊に伴って生じた発光が出力蛍光面３の光電面に
到達し、この光が電子に変換された結果出力像に現われ
る。
【０００８】そして、出力蛍光面３に現れる出力像には
耐電圧不良による輝度が時間的に変化する現象となり解
像度が低下する問題を有している。
耐電圧不良による輝度が時間的に変化する現象となり解
像度が低下する問題を有している。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、出力像は安定な輝度を保ちつつ、良好な光出力像を
得られる解像度を向上したＸ線イメージ管を提供するこ
とを目的とする。
で、出力像は安定な輝度を保ちつつ、良好な光出力像を
得られる解像度を向上したＸ線イメージ管を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、真空外囲器の
入力側に入力蛍光面および陰極が配設され、前記入力側
と反対側の出力側に出力面および陽極が配設されるとと
もに、前記真空外囲器内の側壁に沿って集束電極が配設
されているＸ線イメージ管において、前記陽極は、前記
真空外囲器の入力側から出力側にかけて階段状に縮径し
たものである。
入力側に入力蛍光面および陰極が配設され、前記入力側
と反対側の出力側に出力面および陽極が配設されるとと
もに、前記真空外囲器内の側壁に沿って集束電極が配設
されているＸ線イメージ管において、前記陽極は、前記
真空外囲器の入力側から出力側にかけて階段状に縮径し
たものである。
【００１１】
【作用】本発明は、陽極付近で生じた発光は必ず陽極と
集束電極の間を通ることから、陽極の表面積を増加さ
せ、陽極周辺で生じた発光の光子を陽極に接触させて減
衰させ、耐電圧不良による輝度が時間的に変化すること
を防止して、光出力像の向上を図るとともに、解像度を
向上させる。
集束電極の間を通ることから、陽極の表面積を増加さ
せ、陽極周辺で生じた発光の光子を陽極に接触させて減
衰させ、耐電圧不良による輝度が時間的に変化すること
を防止して、光出力像の向上を図るとともに、解像度を
向上させる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のＸ線イメージ管の一実施例を
図１および図２を参照して説明する。なお、図２および
図３に示す従来例に対応する部分には、同一符号を付し
て説明する。
図１および図２を参照して説明する。なお、図２および
図３に示す従来例に対応する部分には、同一符号を付し
て説明する。
【００１３】本実施例も従来例と同様に、図２に示すよ
うに、たとえばガラス容器からなる真空外囲器１の一端
面にＸ線入力窓２が形成され、他端面に出力蛍光面３が
形成されている。また、真空外囲器１のＸ線入力窓２の
内側には、陰極となる蛍光体およびアルカリーアンチモ
ンなどで作られる光電面が形成されている入力面４が形
成され、出力面としての出力蛍光面３側には陽極５が配
設されている。さらに、入力面４と、陽極５との間の真
空外囲器１の内面側には、静電電子レンズ系を構成する
集束電極６が、真空外囲器１の壁面に沿って配設される
とともに、この集束電極６と出力蛍光面３との間には、
半断面Ｌ字型の集束電極７が配設されている。
うに、たとえばガラス容器からなる真空外囲器１の一端
面にＸ線入力窓２が形成され、他端面に出力蛍光面３が
形成されている。また、真空外囲器１のＸ線入力窓２の
内側には、陰極となる蛍光体およびアルカリーアンチモ
ンなどで作られる光電面が形成されている入力面４が形
成され、出力面としての出力蛍光面３側には陽極５が配
設されている。さらに、入力面４と、陽極５との間の真
空外囲器１の内面側には、静電電子レンズ系を構成する
集束電極６が、真空外囲器１の壁面に沿って配設される
とともに、この集束電極６と出力蛍光面３との間には、
半断面Ｌ字型の集束電極７が配設されている。
【００１４】そして、図１に示すように、陽極５の外径
は、Ｘ線入力窓２側から出力蛍光面３側に向けて、順次
階段状に縮径するように段部5aが加工形成されている。
また、この陽極５およびこの陽極５に対向した集束電極
７、さらに、これら陽極５および集束電極７近傍の真空
外囲器１の表面に、図示しないアルミニウムの酸化物な
どの導電体による黒化膜および光吸収体膜を被膜する。
は、Ｘ線入力窓２側から出力蛍光面３側に向けて、順次
階段状に縮径するように段部5aが加工形成されている。
また、この陽極５およびこの陽極５に対向した集束電極
７、さらに、これら陽極５および集束電極７近傍の真空
外囲器１の表面に、図示しないアルミニウムの酸化物な
どの導電体による黒化膜および光吸収体膜を被膜する。
【００１５】また、集束電極７は陽極５の外周の段部5a
に合わせて縮径させ、陽極５の外周とほぼ平行に設定す
る。
に合わせて縮径させ、陽極５の外周とほぼ平行に設定す
る。
【００１６】次に、上記実施例の動作について説明す
る。
る。
【００１７】まず、使用時には、図示しないＸ線発生器
から放射されたＸ線が被写体を透過してＸ線入力窓２に
達し、Ｘ線入力窓２の内側の入力面４の蛍光体によって
Ｘ線を可視光に変換し、さらにこの可視光を光電面によ
って電子に変換させる。さらに、この電子は、集束電極
６，７および陽極５によって作られる静電電子レンズ系
によって加速集束され、出力蛍光面３の蛍光体を発光さ
せ、輝度増強された光出力像を得る。
から放射されたＸ線が被写体を透過してＸ線入力窓２に
達し、Ｘ線入力窓２の内側の入力面４の蛍光体によって
Ｘ線を可視光に変換し、さらにこの可視光を光電面によ
って電子に変換させる。さらに、この電子は、集束電極
６，７および陽極５によって作られる静電電子レンズ系
によって加速集束され、出力蛍光面３の蛍光体を発光さ
せ、輝度増強された光出力像を得る。
【００１８】また、陽極５には２５〜３０ｋＶの高電圧
を印加すると、電界強度の変化が著しいＣ点およびＤ点
付近で絶縁破壊による発光が起りやすい。しかし、この
ようにＣ点およびＤ点で発光が起こったとしても、陽極
５の外周を出力蛍光面３方向に縮径し階段状にして段部
5aを形成して表面積を増加させるとともに、陽極５およ
び集束電極７に黒化膜および光吸収膜を形成したため、
光子は、陽極５および集束電極７の表面にて出力側に反
射および吸収され入力面に到達できない。したがって、
陽極５付近にて生じた発光がＸ線入力窓２側に到達せ
ず、Ｘ線入力窓２の表面から不必要な電子を出すことは
なくなり良好な光出力像を得ることができ、解像度を向
上させることができる。
を印加すると、電界強度の変化が著しいＣ点およびＤ点
付近で絶縁破壊による発光が起りやすい。しかし、この
ようにＣ点およびＤ点で発光が起こったとしても、陽極
５の外周を出力蛍光面３方向に縮径し階段状にして段部
5aを形成して表面積を増加させるとともに、陽極５およ
び集束電極７に黒化膜および光吸収膜を形成したため、
光子は、陽極５および集束電極７の表面にて出力側に反
射および吸収され入力面に到達できない。したがって、
陽極５付近にて生じた発光がＸ線入力窓２側に到達せ
ず、Ｘ線入力窓２の表面から不必要な電子を出すことは
なくなり良好な光出力像を得ることができ、解像度を向
上させることができる。
【００１９】すなわち、耐電圧不良などで陽極５付近で
発光しても、陽極５および集束電極７の間において出力
方向に反射もしくは減衰させることができ、Ｘ線入力窓
２に到達することなく、良好な光出力像が得られ、Ｘ線
イメージ管の解像度などの性能を格段に向上させること
ができる。
発光しても、陽極５および集束電極７の間において出力
方向に反射もしくは減衰させることができ、Ｘ線入力窓
２に到達することなく、良好な光出力像が得られ、Ｘ線
イメージ管の解像度などの性能を格段に向上させること
ができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明のＸ線イメージ管によれば、陽極
付近で生じた発光は必ず陽極と集束電極の間を通ること
から、陽極の表面積を増加させ、陽極周辺で生じた発光
の光子を陽極に接触させて減衰させ、耐電圧不良による
輝度が時間的に変化することを防止して、光出力像の向
上を図るとともに、解像度を向上させることができる。
付近で生じた発光は必ず陽極と集束電極の間を通ること
から、陽極の表面積を増加させ、陽極周辺で生じた発光
の光子を陽極に接触させて減衰させ、耐電圧不良による
輝度が時間的に変化することを防止して、光出力像の向
上を図るとともに、解像度を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示すＸ線イメージ管の出力
面近傍を示す断面図である。
面近傍を示す断面図である。
【図２】Ｘ線イメージ管を示す断面図である。
【図３】従来例のＸ線イメージ管の出力面近傍を示す断
面図である。
面図である。
１ 真空外囲器 ２ Ｘ線入力窓 ３ 出力面としての出力蛍光面 ５ 陽極 ７ 集束電極
Claims (1)
- 【請求項１】 真空外囲器の入力側に入力蛍光面および
陰極が配設され、前記入力側と反対側の出力側に出力面
および陽極が配設されるとともに、前記真空外囲器内の
側壁に沿って集束電極が配設されているＸ線イメージ管
において、 前記陽極は、前記真空外囲器の入力側から出力側にかけ
て階段状に縮径したことを特徴するＸ線イメージ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071403A JPH05275034A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Ｘ線イメージ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071403A JPH05275034A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Ｘ線イメージ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275034A true JPH05275034A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13459518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071403A Pending JPH05275034A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Ｘ線イメージ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160004472A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-13 | 한국전자통신연구원 | 광 캐소드가 결합된 엑스선 튜브 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197073U (ja) * | 1986-01-29 | 1987-12-15 | ||
| JPS63293934A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
| JPS63293845A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
| JPS6471141A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Inspection device for semiconductor element |
| JPH01101644A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Fujitsu Ltd | プローバの波形検出方法 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4071403A patent/JPH05275034A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197073U (ja) * | 1986-01-29 | 1987-12-15 | ||
| JPS63293934A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
| JPS63293845A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置 |
| JPS6471141A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Inspection device for semiconductor element |
| JPH01101644A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Fujitsu Ltd | プローバの波形検出方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160004472A (ko) * | 2014-07-02 | 2016-01-13 | 한국전자통신연구원 | 광 캐소드가 결합된 엑스선 튜브 |
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