JPS6358935A - 金属層または合金層の平坦化方法 - Google Patents
金属層または合金層の平坦化方法Info
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- JPS6358935A JPS6358935A JP20433986A JP20433986A JPS6358935A JP S6358935 A JPS6358935 A JP S6358935A JP 20433986 A JP20433986 A JP 20433986A JP 20433986 A JP20433986 A JP 20433986A JP S6358935 A JPS6358935 A JP S6358935A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon;$l^{2}-alumanylidenesilylidenealuminum Chemical compound [Si]#[Al].[Si]#[Al].[Al]=[Si]=[Al] LKTZODAHLMBGLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
アルミニウム等の金属層またはその合金層例えばアルミ
ニウムシリサイド層等の平坦化方法の改良である。
ニウムシリサイド層等の平坦化方法の改良である。
金属層または合金層の平坦化すべき凹凸領域を、他の領
域より、高光吸収状態に転換し、この高光吸収状態は溶
融するが、他の領域は溶融しない強度のエネルギー線を
照射する平坦化法である。
域より、高光吸収状態に転換し、この高光吸収状態は溶
融するが、他の領域は溶融しない強度のエネルギー線を
照射する平坦化法である。
本発明は金属層または合金層の平坦化方法の改良に関す
る。特に、下地の凹凸状態にそって均一な膜厚を保持し
て平坦化しうるようにする改良に関する。
る。特に、下地の凹凸状態にそって均一な膜厚を保持し
て平坦化しうるようにする改良に関する。
（従来の技術〕
半導体装置の製造方法等において凹凸を有する下地上に
アルミニウム９銅・ジルコニウム等の金属層を形成した
場合、第３図に示すように。
アルミニウム９銅・ジルコニウム等の金属層を形成した
場合、第３図に示すように。
段差部が庇状になりやすい０図において、１は半導体基
板等の下地であり、２がアルミニウム・８−ジルコニウ
ム等の金属層である。
板等の下地であり、２がアルミニウム・８−ジルコニウ
ム等の金属層である。
そこで、このような庇状の段差部を平坦化することが必
要となるが、紫外先番レーザ等のエネルギー線をスキャ
ン照射してアルミニウム等の金属層を部分的に溶融して
平坦化すると、第４図に示すように、金属層の厚さが不
均一になり、下地の凸部上では金属層の厚さがｊくなる
という欠点がある。
要となるが、紫外先番レーザ等のエネルギー線をスキャ
ン照射してアルミニウム等の金属層を部分的に溶融して
平坦化すると、第４図に示すように、金属層の厚さが不
均一になり、下地の凸部上では金属層の厚さがｊくなる
という欠点がある。
この欠点を解消するには、上記第３図に示す庇状の段差
部のみを極めて局部的にスポ−／ ト照射すればよいが
、この庇状の段差部の寸法は極めて小さいので、この極
めて小さい領域のみをスポット照射することは容易でな
く、また、スループットも低く、現実的に実用に耐えな
い。
部のみを極めて局部的にスポ−／ ト照射すればよいが
、この庇状の段差部の寸法は極めて小さいので、この極
めて小さい領域のみをスポット照射することは容易でな
く、また、スループットも低く、現実的に実用に耐えな
い。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、凹凸
を有する下地上に形成されたアルミニウム等の金属層ま
たはアルミニウムシリサイド等の合金層を、下地の凹凸
状態にそって膜厚を均一に保持して平坦化することを可
能にする金属層または合金層の平坦化方法を提供するこ
とにある。
を有する下地上に形成されたアルミニウム等の金属層ま
たはアルミニウムシリサイド等の合金層を、下地の凹凸
状態にそって膜厚を均一に保持して平坦化することを可
能にする金属層または合金層の平坦化方法を提供するこ
とにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は、凹
凸を有する下地上に形成された金属層または合金層を平
坦化するにあたり、金属層または合金層の平坦化すべき
凹凸領域を、他の領域より、高光吸収状態に転換し、こ
の高光吸収状態に転換された領域は溶融するが、他の領
域は溶融しない強度のエネルギー線を照射することにあ
る。
凸を有する下地上に形成された金属層または合金層を平
坦化するにあたり、金属層または合金層の平坦化すべき
凹凸領域を、他の領域より、高光吸収状態に転換し、こ
の高光吸収状態に転換された領域は溶融するが、他の領
域は溶融しない強度のエネルギー線を照射することにあ
る。
平坦化すべき領域を高光吸収状態に転換するには、下記
いづれの手法を使用してもよい。
いづれの手法を使用してもよい。
イ、アモルファコアリコン膜令カーボン膜等それ自身高
光吸収性物質の膜を平坦化すべき領域に形成する。
光吸収性物質の膜を平坦化すべき領域に形成する。
ロ、無反射コート膜を平坦化すべき領域に形成して、そ
の領域での反射を防止し平坦化すべき領域の輻射線吸収
量を増大する。
の領域での反射を防止し平坦化すべき領域の輻射線吸収
量を増大する。
ハ、シリコン・銅等を、イオン注入法等を使用して、平
坦化すべき領域に導入し、その領域において金属層をな
す金属原子間の化学的結合力を切断し、平坦化すべき領
域の光吸収性を増大する。
坦化すべき領域に導入し、その領域において金属層をな
す金属原子間の化学的結合力を切断し、平坦化すべき領
域の光吸収性を増大する。
二、平坦化すべき領域に窓明けをなして、平坦化すべき
領域をプラズマ等にさらし、平坦化すべき領域の表面に
ダメージを与えて、この領域の光吸収性を増大する。
領域をプラズマ等にさらし、平坦化すべき領域の表面に
ダメージを与えて、この領域の光吸収性を増大する。
本発明は、上記の欠点を解消するため、平坦化すべき段
差部のみを局部的に溶融し、下地の凸部上では金属層を
溶融しないこととしたものであり、その結果、金属層の
膜厚は段差部においても、第５図に示すように、下地の
凹凸状態にそって、膜厚が均一に保持される。
差部のみを局部的に溶融し、下地の凸部上では金属層を
溶融しないこととしたものであり、その結果、金属層の
膜厚は段差部においても、第５図に示すように、下地の
凹凸状態にそって、膜厚が均一に保持される。
平坦化すべき領域を高光吸収状態に転換するために有効
な手段のそれぞれの作用について付言する。
な手段のそれぞれの作用について付言する。
イ、アモルファコアリコン膜争カーボン膜等は、輻射線
を吸収しやすいので、それ自身の温度が上昇するから、
その厚さを適度に薄くしておけば、その下部領域を局部
的に昇温することができる。
を吸収しやすいので、それ自身の温度が上昇するから、
その厚さを適度に薄くしておけば、その下部領域を局部
的に昇温することができる。
ロ、半導体上に形成された無反射コート膜はその表面に
おいても裏面においても、無反射であるから、！＃、友
射コート膜が形成されている領域においては照射された
輻射線のすべてが、その下部領域に透過する。一方、無
反射コート膜が形成されていない領域においては、反射
が発生するから照射された輻射線の一部のみが吸収され
、無反射コート膜が形成された領域の吸収熱量が増加す
る。
おいても裏面においても、無反射であるから、！＃、友
射コート膜が形成されている領域においては照射された
輻射線のすべてが、その下部領域に透過する。一方、無
反射コート膜が形成されていない領域においては、反射
が発生するから照射された輻射線の一部のみが吸収され
、無反射コート膜が形成された領域の吸収熱量が増加す
る。
ハ、一般に如何なる原子でも、これを金属中にイオン注
入等すると、金属原子間の化学結合が切断されるから輻
射線の吸収性は増加する０本発明においては配線等とし
て使用するアルミニウム層等の金属層を対象としている
ので、イオン注入される物質としてはシリコン・銅等が
望ましい。
入等すると、金属原子間の化学結合が切断されるから輻
射線の吸収性は増加する０本発明においては配線等とし
て使用するアルミニウム層等の金属層を対象としている
ので、イオン注入される物質としてはシリコン・銅等が
望ましい。
二、プラズマ等にさらされて表面にダーメージを受けた
金属が輻射線を吸収しやすいことは周知である。
金属が輻射線を吸収しやすいことは周知である。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る金属
層または合金層の平坦化方法についてさらに説明する。
層または合金層の平坦化方法についてさらに説明する。
第１図参照
ｐ型シリコン基板３上にＰ＋チャンネルガツト層４を形
成し、ＬＯＣＯ３法を使用してフィールド絶縁膜５を形
成し、フィールド絶縁膜５が形成されていない領域にｎ
“領域６を形成する。アルミニウム等よりなる第１層配
線７を形成した後、ＰＳＧ暦８を形成し、上記のｎ＋領
域６上から除去し、厚さ約ＩＢ鳳のアルミニウム等より
なる第２層配線９を形成する。
成し、ＬＯＣＯ３法を使用してフィールド絶縁膜５を形
成し、フィールド絶縁膜５が形成されていない領域にｎ
“領域６を形成する。アルミニウム等よりなる第１層配
線７を形成した後、ＰＳＧ暦８を形成し、上記のｎ＋領
域６上から除去し、厚さ約ＩＢ鳳のアルミニウム等より
なる第２層配線９を形成する。
つＣいて、 約０．ＩＪＬｍのアモルファスシリコン層
ｌＯを形成し、これをパターニングして上記ｎ＋領域６
上の凹部上のみに残留する。
ｌＯを形成し、これをパターニングして上記ｎ＋領域６
上の凹部上のみに残留する。
超高圧水銀灯の近紫外線を１０Ｗｃｍ−２の強度で１
■／秒の速度をもってスキャンしながら全面を照射する
。
■／秒の速度をもってスキャンしながら全面を照射する
。
第２図参照
その結果、ｎゝ領域６上の凹部上のみで、第２層配線を
なすアルミニウム層等が溶融して平坦化され、図示する
ように、ｎ＋領域６上の凹部の段差部でアルミニウム層
が薄くなることはない。
なすアルミニウム層等が溶融して平坦化され、図示する
ように、ｎ＋領域６上の凹部の段差部でアルミニウム層
が薄くなることはない。
（発明の効果〕
以上説明せるとおり、本発明に係る金属層または合金層
の平坦化方法においては、凹凸を有する下地上に形成さ
れた金属層または合金層を平坦化するにあたり、金属層
または合金層の平坦化すべき凹凸領域を、他の領域より
、高光吸収状態に転換し、この高光吸収状態に転換され
た領域は溶融するが、他の領域は溶融しない強度のエネ
ルギー線を照射することとされているので、平坦化すべ
き段差部のみが局部的に溶融し、下地の凸部上では金属
層が溶融せず、金属層の膜厚は段差部においても、下地
の凹凸状態にそって、膜厚が均一に保持される。
の平坦化方法においては、凹凸を有する下地上に形成さ
れた金属層または合金層を平坦化するにあたり、金属層
または合金層の平坦化すべき凹凸領域を、他の領域より
、高光吸収状態に転換し、この高光吸収状態に転換され
た領域は溶融するが、他の領域は溶融しない強度のエネ
ルギー線を照射することとされているので、平坦化すべ
き段差部のみが局部的に溶融し、下地の凸部上では金属
層が溶融せず、金属層の膜厚は段差部においても、下地
の凹凸状態にそって、膜厚が均一に保持される。
第１図は、本発明の一実施例に係る金属層または合金層
の平坦化方法の主要工程を説明する断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係る金属層または合金層
の平坦化方法を実施して製造した半導体装置の断面図で
ある。 第３〜４図は、本発明の詳細な説明する断面図である。 第５図は、本発明の詳細な説明する断面図である。 ｌ争１１ａ半導体基板等の下地、 ２＠・壷アルミニウムφ銅嗜ジルコニウム等の金属層、 ３争・番シリコン基板、 ４・◆・チャンネルカット層、 ５・・・絶縁膜、 ６・・・ｎ＋領領域 ７・・番第１配線、 ８−−−Ｐ２Ｏ層、 ９目・第２配線、 １０−−・アモルファスシリコン層。 本発明 第１ 図 工程ご 第２図
の平坦化方法の主要工程を説明する断面図である。 第２図は、本発明の一実施例に係る金属層または合金層
の平坦化方法を実施して製造した半導体装置の断面図で
ある。 第３〜４図は、本発明の詳細な説明する断面図である。 第５図は、本発明の詳細な説明する断面図である。 ｌ争１１ａ半導体基板等の下地、 ２＠・壷アルミニウムφ銅嗜ジルコニウム等の金属層、 ３争・番シリコン基板、 ４・◆・チャンネルカット層、 ５・・・絶縁膜、 ６・・・ｎ＋領領域 ７・・番第１配線、 ８−−−Ｐ２Ｏ層、 ９目・第２配線、 １０−−・アモルファスシリコン層。 本発明 第１ 図 工程ご 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属層または合金層の平坦化すべき凹凸領域を、他の領
域より、高光吸収状態に転換し、該高光吸収状態に転換
された領域は溶融するが、前記他の領域は溶融しない強
度のエネルギー線を照射してなす ことを特徴とする金属層または合金層の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20433986A JPH0680649B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 金属層または合金層の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20433986A JPH0680649B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 金属層または合金層の平坦化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358935A true JPS6358935A (ja) | 1988-03-14 |
| JPH0680649B2 JPH0680649B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=16488863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20433986A Expired - Lifetime JPH0680649B2 (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 金属層または合金層の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680649B2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20433986A patent/JPH0680649B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0680649B2 (ja) | 1994-10-12 |
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