JPS6358818A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS6358818A JPS6358818A JP20172086A JP20172086A JPS6358818A JP S6358818 A JPS6358818 A JP S6358818A JP 20172086 A JP20172086 A JP 20172086A JP 20172086 A JP20172086 A JP 20172086A JP S6358818 A JPS6358818 A JP S6358818A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は気相成長装置に関し、特にシリンダ型装置で、
かつシリコン単結晶をＮ ｏｒ Ｐ型不純物層で５ｉＨ
４（シラン）、５ｉＨ１Ｃ／、（ジクロルシラン）、５
ｉＨＣＪ３（トリクロルシラン）、５ｉＣ７ｓ４（テト
ラクロルシラン）等のフィルミングガスを使用して任意
に成長させるものである。
かつシリコン単結晶をＮ ｏｒ Ｐ型不純物層で５ｉＨ
４（シラン）、５ｉＨ１Ｃ／、（ジクロルシラン）、５
ｉＨＣＪ３（トリクロルシラン）、５ｉＣ７ｓ４（テト
ラクロルシラン）等のフィルミングガスを使用して任意
に成長させるものである。
（従来の技術）
従来、シリンダ型の気相成長装置としては、例えば第３
図に示すものが知られている。図中の１は石英ベルジャ
ーである。この石英ベルジャー１の中尺は、円錐台状の
サセプタ２が配設されている。このサセプタ２の周側壁
には複数の座くつ３・・・が設けられ、これらの座くつ
３・・・にウエノ・４・・・が載置されている。前記サ
セプタ２内の上下方向には、後記ハロゲンランプから発
した遠赤外線５を検知するフォトセンサー（赤外線セン
サー）６・・・を支持したホルダー７が設けられている
。前記石英ベルジャー１の外側には、ノ・ロゲンランプ
８・・・からなるヒータ９が設けられている。なお、図
中の１０は、サセプタ２を浸透し再び赤外として放散す
る熱量である。
図に示すものが知られている。図中の１は石英ベルジャ
ーである。この石英ベルジャー１の中尺は、円錐台状の
サセプタ２が配設されている。このサセプタ２の周側壁
には複数の座くつ３・・・が設けられ、これらの座くつ
３・・・にウエノ・４・・・が載置されている。前記サ
セプタ２内の上下方向には、後記ハロゲンランプから発
した遠赤外線５を検知するフォトセンサー（赤外線セン
サー）６・・・を支持したホルダー７が設けられている
。前記石英ベルジャー１の外側には、ノ・ロゲンランプ
８・・・からなるヒータ９が設けられている。なお、図
中の１０は、サセプタ２を浸透し再び赤外として放散す
る熱量である。
しかしながら、従来装置によれば、以下の問題点を有す
る。
る。
■ 本装置では、ランプヒーター加熱方式を用いるため
、ウェハの表面の方が裏面に対して３０〜８０℃位温度
が高い。従って、５ｉＣｚ４等のフイルミングガスがＨ
１還元反応した際に生ずるＨ（Ｊが温度の低いウェハ裏
面側Ｋｍ！？込んでシリコンをガスエツチングする。こ
の時、シリコンと同時に予め抽入されている半導体不純
物（ボロン、リン、アンチモン、砒素）も蒸発するので
表面に堆積しているンリコ゛ン層中へ抽入される。その
結果、成長シリコン層中の不純物濃度分布が不均一とな
る。また、裏面のシリコンがＨＣ！エツチングされるの
で、ウェハ全体の平坦度が狂ってしまう。
、ウェハの表面の方が裏面に対して３０〜８０℃位温度
が高い。従って、５ｉＣｚ４等のフイルミングガスがＨ
１還元反応した際に生ずるＨ（Ｊが温度の低いウェハ裏
面側Ｋｍ！？込んでシリコンをガスエツチングする。こ
の時、シリコンと同時に予め抽入されている半導体不純
物（ボロン、リン、アンチモン、砒素）も蒸発するので
表面に堆積しているンリコ゛ン層中へ抽入される。その
結果、成長シリコン層中の不純物濃度分布が不均一とな
る。また、裏面のシリコンがＨＣ！エツチングされるの
で、ウェハ全体の平坦度が狂ってしまう。
■ 反応温度を間接的に検知する目的としてサセプタ２
の内部に赤外線センサー６を配置しているが、リアクタ
ー内の温度が１１００〜１２３０℃と非常に高い為、セ
ンサー５の冷却不足が生じるとともに、光量入射部は裸
体で有るから直接的な熱影響をハロゲンランｆ８から発
した熱線４から受け、受光部の損傷を招いてアンプ出力
の変動を起たす。その結果、受光量の変化、出力アンプ
値の変化に依る温度制御不足が生じ、反応温度のコント
ロールができない。
の内部に赤外線センサー６を配置しているが、リアクタ
ー内の温度が１１００〜１２３０℃と非常に高い為、セ
ンサー５の冷却不足が生じるとともに、光量入射部は裸
体で有るから直接的な熱影響をハロゲンランｆ８から発
した熱線４から受け、受光部の損傷を招いてアンプ出力
の変動を起たす。その結果、受光量の変化、出力アンプ
値の変化に依る温度制御不足が生じ、反応温度のコント
ロールができない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウェハ表面
の成長層の不純物１度分布を均一にするとともに１反応
温度の制御性を向上する等ｆｆｆｉ々の効果を有する気
相成長装置を提供することを目的とする。
の成長層の不純物１度分布を均一にするとともに１反応
温度の制御性を向上する等ｆｆｆｉ々の効果を有する気
相成長装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は、ベル
ジャーと、このベルジャー内に設けられ側壁にウェハ載
置用の座ぐりを有したサセプターと、このす七ブター内
忙設けられ光検知器を支持したホルダーと、前記サセプ
ターとホルダー間に設けられた熱線反射用リフレクタ−
と、前記ベルジャーの外側に配置されたヒーターとを具
備することを特徴とする気相成長装置である。
ジャーと、このベルジャー内に設けられ側壁にウェハ載
置用の座ぐりを有したサセプターと、このす七ブター内
忙設けられ光検知器を支持したホルダーと、前記サセプ
ターとホルダー間に設けられた熱線反射用リフレクタ−
と、前記ベルジャーの外側に配置されたヒーターとを具
備することを特徴とする気相成長装置である。
本発明によれば、前記リフレクタ−の存在によりウェハ
表面の成長層の不純物Ｉ３度分布のバラツキを従来と比
べ低減できる。また、反応温度の制御性を向上できる。
表面の成長層の不純物Ｉ３度分布のバラツキを従来と比
べ低減できる。また、反応温度の制御性を向上できる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
但し、本発明に係る気相成長装置は従来（第３図）とは
ぼ同様なため、同部材は同符号を付して説明を省略する
。
ぼ同様なため、同部材は同符号を付して説明を省略する
。
図中の２１は、サセプター２とホルダー７間に設けられ
た熱線反射用リフレクタ−であシ、その上端は前記ホル
ダー７の突起部７ａに釣支されている。また、前記リフ
レクタ−２１の所定の位置には、ハロゲンランプ７から
の遠赤外線５が前記センサー６に達するように約３０〜
４０φの窓２１ａ・・・が設けられている。更に、前記
リフレクタ−２１のサセゾター側の表面は厚さ１μｍ以
上の金メッキのアルミ材からなシ、ボトムに向って波状
となって居シ、サセプター２との距離を補う反射広角が
得られるようＫなつている。
た熱線反射用リフレクタ−であシ、その上端は前記ホル
ダー７の突起部７ａに釣支されている。また、前記リフ
レクタ−２１の所定の位置には、ハロゲンランプ７から
の遠赤外線５が前記センサー６に達するように約３０〜
４０φの窓２１ａ・・・が設けられている。更に、前記
リフレクタ−２１のサセゾター側の表面は厚さ１μｍ以
上の金メッキのアルミ材からなシ、ボトムに向って波状
となって居シ、サセプター２との距離を補う反射広角が
得られるようＫなつている。
上記実施例によれば、以下に述べる効果を有する。
■ サセプタ−２とホルダー６間に窓２１ａを有したり
フレフタ−２１を設ける事によって、ハロゲンランｆ８
から発した遠赤外線５が石英ベルジャー１を通過しウェ
ハ４に照射するが、サセプター２を浸透し再び赤外とし
て放射する熱ｆ２２をサセプター背面に反射させて放熱
量を抑制できる。従って、実質釣人ウェハ表裏の温度差
を低減できる。具体的には、従来ウェハ表裏の氾腿差は
３０〜８０℃であったが、本発明によれば３０℃以下に
低減できた。また、結果的には、裏面シリコンエツチン
グ量を０．１μｍ／分から０．０４μｍ／分以下に抑え
られる為、表面ＶＧ層へ逆汚染する不純物量が少くなシ
、７０層の濃度分布が３俤以内のバラツキ内となる。
フレフタ−２１を設ける事によって、ハロゲンランｆ８
から発した遠赤外線５が石英ベルジャー１を通過しウェ
ハ４に照射するが、サセプター２を浸透し再び赤外とし
て放射する熱ｆ２２をサセプター背面に反射させて放熱
量を抑制できる。従って、実質釣人ウェハ表裏の温度差
を低減できる。具体的には、従来ウェハ表裏の氾腿差は
３０〜８０℃であったが、本発明によれば３０℃以下に
低減できた。また、結果的には、裏面シリコンエツチン
グ量を０．１μｍ／分から０．０４μｍ／分以下に抑え
られる為、表面ＶＧ層へ逆汚染する不純物量が少くなシ
、７０層の濃度分布が３俤以内のバラツキ内となる。
■ 前記リフレクタ−２１には、センサー５への赤外熱
量２２が逃げられない様に窓２１ａが設けられているた
め、反応実温誤差を最小限に止める事が出来るサセプタ
ー２の背面からの赤外線量を検知できる。但し、ホルダ
ー６の周囲はりフレフタ−６によシ覆われているので周
囲温度の上昇（影響）が抑えられるため、センサー５の
温度補償が可能となり、反応温度の制御粘度が著しく向
上する。
量２２が逃げられない様に窓２１ａが設けられているた
め、反応実温誤差を最小限に止める事が出来るサセプタ
ー２の背面からの赤外線量を検知できる。但し、ホルダ
ー６の周囲はりフレフタ−６によシ覆われているので周
囲温度の上昇（影響）が抑えられるため、センサー５の
温度補償が可能となり、反応温度の制御粘度が著しく向
上する。
以上詳述した如く本発明によれば、ウェハ表面の成長層
の不純物濃度を均一にするとともに１反応温度の制御性
を向上し得る等種々の効果を有する信頼性の高い気相成
長装置を提供できる。
の不純物濃度を均一にするとともに１反応温度の制御性
を向上し得る等種々の効果を有する信頼性の高い気相成
長装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係る気相成長装置の断面図
、第２図はウェハ表面の成長層のＣ度分布を示す特性図
、第３図は従来の気相成長装置の断面図、第４図は同装
置による問題点の説明図である。 １・・・石英ベルジャー、２・・・サセプタ、３・・・
座ぐシ、４・・・ウェハ、６・・・フォトセンサー、７
・・・ホルｆ＋、８・・・ハロゲンラング、９・・・ヒ
ー、（−１２１・・・熱線反射用リフレクタ−０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
、第２図はウェハ表面の成長層のＣ度分布を示す特性図
、第３図は従来の気相成長装置の断面図、第４図は同装
置による問題点の説明図である。 １・・・石英ベルジャー、２・・・サセプタ、３・・・
座ぐシ、４・・・ウェハ、６・・・フォトセンサー、７
・・・ホルｆ＋、８・・・ハロゲンラング、９・・・ヒ
ー、（−１２１・・・熱線反射用リフレクタ−０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図
Claims (1)
- ベルジャーと、このベルジャー内に設けられ側壁にウェ
ハ載置用の座ぐりを有したサセプターと、このサセプタ
ー内に設けられ光検知器を支持したホルダーと、前記サ
セプターとホルダー間に設けられた熱線反射用リフレク
ターと、前記ベルジャーの外側に配置されたヒーターと
を具備することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20172086A JPS6358818A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20172086A JPS6358818A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358818A true JPS6358818A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16445812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20172086A Pending JPS6358818A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795396A (en) * | 1989-03-31 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming crystalline film |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20172086A patent/JPS6358818A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5795396A (en) * | 1989-03-31 | 1998-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming crystalline film |
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