JPS6358385B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6358385B2 JPS6358385B2 JP56045030A JP4503081A JPS6358385B2 JP S6358385 B2 JPS6358385 B2 JP S6358385B2 JP 56045030 A JP56045030 A JP 56045030A JP 4503081 A JP4503081 A JP 4503081A JP S6358385 B2 JPS6358385 B2 JP S6358385B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- heating
- cell
- heating tank
- transistor
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 52
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 5
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
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- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S1/00—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
- H01S1/06—Gaseous, i.e. beam masers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光ポンピングを利用したルビジウムガ
スセル型原子発振器の改良に関するものである。
スセル型原子発振器の改良に関するものである。
ルビジウムガスセル型原子発振器は、ルビジウ
ム原子の共鳴周波数を基準として水晶発信器を自
動制御する方式の高安定発振器で、特に長期周波
数安定度が優れているため、各種装置の周波数標
準器として利用されている。
ム原子の共鳴周波数を基準として水晶発信器を自
動制御する方式の高安定発振器で、特に長期周波
数安定度が優れているため、各種装置の周波数標
準器として利用されている。
この様な従来の一般的なガスセル型原子発振器
を第1図に示す。図中、1は光マイクロ波共鳴
部、2は電圧制御水晶発振器、3は周波数合成器
である。光マイクロ波共鳴部1は、ランプセル
4、ランプ励振コイル5、加熱槽6、ランプ励振
器7、フイルタセル8、空胴共振器9、共鳴セル
10、光検出器11、てい倍器12等より構成さ
れている。ルビジウム(Rb)には2種類のアイ
ソトウプRb87とRb85があり、ランプセル4には
Rb87が、フイルタセル8にはRb85が、共鳴セル
10にはRb87がそれぞれ封入されている。ラン
プセル4は数十MHzのランプ励振器7によりラン
プ励振コイル5を介し励振されて高周波放電発光
するが、発光する光のうち、不要な波長の光はフ
イルタセル8により吸収され、所望の波長成分の
みが共鳴セル10に入射する。また、電圧制御水
晶発振器2の出力は、周波数合成器3およびてい
倍器12によりRb87の共鳴周波数6834.68……M
Hzまであげられ、空胴共振器9に入力される。空
胴共振器9に入力されたマイクロ波の周波数が共
鳴セル10内のRb87の共鳴周波数と完全に一致
すると、光マイクロ波二重共鳴が起こり、共鳴セ
ル10を通る光が吸収されて光検出器11の検出
出力が減少する。この信号により電圧制御水晶発
振器2の制御が行われ、該電圧制御水晶発振器2
の出力周波数はRb87の極めて安定な共鳴周波数
を基準として制御されるため高安定なものとな
る。なお、13はサーボアンプである。この様な
構成のルビジウムガスセル型原子発振器において
は、光マイクロ波共鳴部1内のランプセル4、フ
イルタセル8、共鳴セル10はそれぞれヒータ巻
線14,15,16により加熱されるが、これら
は最適動作温度が互いに異なるため、一般に温度
制御器17,18,19によりそれぞれ独立に温
度制御されている。しかも周囲温度の変化等によ
つて各セルの温度がわずかに変化しても共鳴信号
のS/Nおよび原子発振器出力周波数が変化する
ため、高安定な温度制御が要求される。この中で
ランプセル4の加熱装置の構成および問題点は次
の通りである。ランプセル4の加熱装置は、図示
のように、反射鏡を兼ねた加熱槽6の中心部にラ
ンプセル4を配設し、加熱槽6の外周にヒータ巻
線16を設けるとともに加熱槽6の開放端にガラ
ス板20を取り付けてなり、ヒータ巻線16は温
度制御器19に接続されている。ランプセル4は
前述のようにランプ励振器7により高周波放電発
光せしめられ、その光は厚さ1mm程度のガラス板
20を通して放射される。
を第1図に示す。図中、1は光マイクロ波共鳴
部、2は電圧制御水晶発振器、3は周波数合成器
である。光マイクロ波共鳴部1は、ランプセル
4、ランプ励振コイル5、加熱槽6、ランプ励振
器7、フイルタセル8、空胴共振器9、共鳴セル
10、光検出器11、てい倍器12等より構成さ
れている。ルビジウム(Rb)には2種類のアイ
ソトウプRb87とRb85があり、ランプセル4には
Rb87が、フイルタセル8にはRb85が、共鳴セル
10にはRb87がそれぞれ封入されている。ラン
プセル4は数十MHzのランプ励振器7によりラン
プ励振コイル5を介し励振されて高周波放電発光
するが、発光する光のうち、不要な波長の光はフ
イルタセル8により吸収され、所望の波長成分の
みが共鳴セル10に入射する。また、電圧制御水
晶発振器2の出力は、周波数合成器3およびてい
倍器12によりRb87の共鳴周波数6834.68……M
Hzまであげられ、空胴共振器9に入力される。空
胴共振器9に入力されたマイクロ波の周波数が共
鳴セル10内のRb87の共鳴周波数と完全に一致
すると、光マイクロ波二重共鳴が起こり、共鳴セ
ル10を通る光が吸収されて光検出器11の検出
出力が減少する。この信号により電圧制御水晶発
振器2の制御が行われ、該電圧制御水晶発振器2
の出力周波数はRb87の極めて安定な共鳴周波数
を基準として制御されるため高安定なものとな
る。なお、13はサーボアンプである。この様な
構成のルビジウムガスセル型原子発振器において
は、光マイクロ波共鳴部1内のランプセル4、フ
イルタセル8、共鳴セル10はそれぞれヒータ巻
線14,15,16により加熱されるが、これら
は最適動作温度が互いに異なるため、一般に温度
制御器17,18,19によりそれぞれ独立に温
度制御されている。しかも周囲温度の変化等によ
つて各セルの温度がわずかに変化しても共鳴信号
のS/Nおよび原子発振器出力周波数が変化する
ため、高安定な温度制御が要求される。この中で
ランプセル4の加熱装置の構成および問題点は次
の通りである。ランプセル4の加熱装置は、図示
のように、反射鏡を兼ねた加熱槽6の中心部にラ
ンプセル4を配設し、加熱槽6の外周にヒータ巻
線16を設けるとともに加熱槽6の開放端にガラ
ス板20を取り付けてなり、ヒータ巻線16は温
度制御器19に接続されている。ランプセル4は
前述のようにランプ励振器7により高周波放電発
光せしめられ、その光は厚さ1mm程度のガラス板
20を通して放射される。
このように、従来のランプセルの加熱装置は、
加熱槽の外周にヒータ巻線を施すとともに該ヒー
タ巻線を加熱槽と別個に設けられた温度制御器に
接続して構成され、構造が複雑でかつ組立も面倒
であつた。またヒータ巻線による加熱槽外部から
の加熱は、形状が大きく熱容量も大きい加熱槽に
は適しているがランプセル加熱槽のような形状の
小さなものを加熱する場合は温度制御上得策でな
い。
加熱槽の外周にヒータ巻線を施すとともに該ヒー
タ巻線を加熱槽と別個に設けられた温度制御器に
接続して構成され、構造が複雑でかつ組立も面倒
であつた。またヒータ巻線による加熱槽外部から
の加熱は、形状が大きく熱容量も大きい加熱槽に
は適しているがランプセル加熱槽のような形状の
小さなものを加熱する場合は温度制御上得策でな
い。
本発明は上述の各種の欠点を解決するためのも
ので、構造が簡単でかつ組立が容易で、しかも加
熱効率が優れ温度制御が容易なランプセル加熱装
置を備えたガスセル型原子発振器を提供すること
を目的としている。
ので、構造が簡単でかつ組立が容易で、しかも加
熱効率が優れ温度制御が容易なランプセル加熱装
置を備えたガスセル型原子発振器を提供すること
を目的としている。
次に第2図および第3図に関連して本発明の実
施例を説明する。
施例を説明する。
第2図は本発明に係るガスセル型原子発振器に
適用されるガスセル加熱装置の実施例を示す正面
図、第2図は同分解斜視図で、加熱装置31は、
プリント板32と、ラン励振コイル5を巻装した
ランプセル4を内蔵する加熱槽33と、ガラス板
34と、カバー35とよりなる。
適用されるガスセル加熱装置の実施例を示す正面
図、第2図は同分解斜視図で、加熱装置31は、
プリント板32と、ラン励振コイル5を巻装した
ランプセル4を内蔵する加熱槽33と、ガラス板
34と、カバー35とよりなる。
プリント板32には、加熱用トランジスタ3
6、温度制御回路、ランプ励振回路が搭載されて
いる。
6、温度制御回路、ランプ励振回路が搭載されて
いる。
加熱槽33は、Al、Cu等の熱伝導率の大きい
材料よりなり、加熱用トランジスタ36に密着さ
せてプリント板32に取り付けられており、該加
熱槽33に収納されるランプセル4のランプ励振
コイル5は加熱槽33を通りプリント板32の回
路に接続されている。
材料よりなり、加熱用トランジスタ36に密着さ
せてプリント板32に取り付けられており、該加
熱槽33に収納されるランプセル4のランプ励振
コイル5は加熱槽33を通りプリント板32の回
路に接続されている。
カバー35は、光透過用の多数の小孔37を備
え、加熱槽33の開放端(光出力側)にガラス板
34を介し取り付けられている。このカバー35
はCu、Al等の熱伝導率の大きい材料より形成さ
れている。
え、加熱槽33の開放端(光出力側)にガラス板
34を介し取り付けられている。このカバー35
はCu、Al等の熱伝導率の大きい材料より形成さ
れている。
このように、ランプ励振回路、温度制御回路、
および従来のヒータ巻線16に代る加熱用トラン
ジスタ36が一括してプリント板32に搭載され
るため、従来に比し構造が簡単化されかつ組立も
容易化される。加熱槽33の加熱は、加熱用トラ
ンジスタ36のコレクタ損失を有効に利用し、こ
の熱を該トランジスタ36に密着し熱伝導率の大
きい材料からなる加熱槽33に効率よく伝達して
行われ、ヒータ巻線なしでも充分な加熱効率と温
度均一性が得られる。また、加熱用トランジスタ
36と同様に励振用トランジスタを加熱槽33に
密着させることも可能で、この場合、励振用トラ
ンジスタの消費電力も加熱用として有効に利用で
きるため、本加熱装置を適用する原子発振器の消
費電力が減少する。さらに、本例のように加熱槽
33の開放端にはガラス板34と併せて光透過用
の多数の小孔37を設けた熱伝導率の大きい材料
からなるカバー35を取り付けると、加熱槽33
は熱伝導の大きい材料により等温ポテンシヤル面
でとり囲まれるため、槽内温度分布の均一性が一
層向上し、外気の影響による局部的な温度変化が
減少し、原子発振器の特性が向上する。
および従来のヒータ巻線16に代る加熱用トラン
ジスタ36が一括してプリント板32に搭載され
るため、従来に比し構造が簡単化されかつ組立も
容易化される。加熱槽33の加熱は、加熱用トラ
ンジスタ36のコレクタ損失を有効に利用し、こ
の熱を該トランジスタ36に密着し熱伝導率の大
きい材料からなる加熱槽33に効率よく伝達して
行われ、ヒータ巻線なしでも充分な加熱効率と温
度均一性が得られる。また、加熱用トランジスタ
36と同様に励振用トランジスタを加熱槽33に
密着させることも可能で、この場合、励振用トラ
ンジスタの消費電力も加熱用として有効に利用で
きるため、本加熱装置を適用する原子発振器の消
費電力が減少する。さらに、本例のように加熱槽
33の開放端にはガラス板34と併せて光透過用
の多数の小孔37を設けた熱伝導率の大きい材料
からなるカバー35を取り付けると、加熱槽33
は熱伝導の大きい材料により等温ポテンシヤル面
でとり囲まれるため、槽内温度分布の均一性が一
層向上し、外気の影響による局部的な温度変化が
減少し、原子発振器の特性が向上する。
以上述べたように、本発明によれば、ランプセ
ル加熱用トランジスタ、温度制御回路、ランプ励
振回路は一括してプリント板に搭載され、熱伝導
率の大きい材料よりなるランプセル加熱槽がこの
プリント板にランプセル加熱用トランジスタに密
着させて取り付けられているため、構造の簡単
化、組立の容易化をはかることが可能で、しかも
加熱槽は加熱用トランジスタにより直接加熱され
るため、充分な加熱効率と温度均一性が得られ
る。また本例のように燃伝導率の大きい材料から
なり多数の光通過用小孔を有するカバーを加熱槽
開口端に取り付ければ槽内温度分布の均一性は一
層向上する。
ル加熱用トランジスタ、温度制御回路、ランプ励
振回路は一括してプリント板に搭載され、熱伝導
率の大きい材料よりなるランプセル加熱槽がこの
プリント板にランプセル加熱用トランジスタに密
着させて取り付けられているため、構造の簡単
化、組立の容易化をはかることが可能で、しかも
加熱槽は加熱用トランジスタにより直接加熱され
るため、充分な加熱効率と温度均一性が得られ
る。また本例のように燃伝導率の大きい材料から
なり多数の光通過用小孔を有するカバーを加熱槽
開口端に取り付ければ槽内温度分布の均一性は一
層向上する。
第1図は従来のガスセル型原子発振器の全体概
要図、第2図は本発明に係るガスセル型原子発振
器の要部の実施例を示す正面図、第3図は同分解
斜視図で、図中、1は光マイクロ波共鳴部、2は
電圧制御水晶発振器、3は周波数合成器、4はラ
ンプセル、5はランプ励振コイル、31はランプ
セル加熱装置、32はプリント板、33は加熱
槽、34はガラス板、35はカバー、36は加熱
用トランジスタ、37は小孔である。
要図、第2図は本発明に係るガスセル型原子発振
器の要部の実施例を示す正面図、第3図は同分解
斜視図で、図中、1は光マイクロ波共鳴部、2は
電圧制御水晶発振器、3は周波数合成器、4はラ
ンプセル、5はランプ励振コイル、31はランプ
セル加熱装置、32はプリント板、33は加熱
槽、34はガラス板、35はカバー、36は加熱
用トランジスタ、37は小孔である。
Claims (1)
- 1 プリント板に加熱用トランジスタ、ランプ励
振回路、および前記加熱用トランジスタの発熱量
を制御する温度制御回路を搭載するとともに、該
プリント板に、熱伝導率の大きい材料より構成さ
れた有底円筒型加熱槽からなり、該加熱槽の上部
凹陥部にランプセルを収容するとともに、該加熱
槽の底部に設けた凹部に加熱用トランジスタを嵌
入して密着させるとともに、前記ランプセルに巻
装したランプ励振コイルを前記ランプ励振回路に
接続して取り付けてなるランプセル加熱装置を有
することを特徴とするガスセル型原子発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4503081A JPS57160184A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Gas cell type atomic oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4503081A JPS57160184A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Gas cell type atomic oscillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57160184A JPS57160184A (en) | 1982-10-02 |
JPS6358385B2 true JPS6358385B2 (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=12707932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4503081A Granted JPS57160184A (en) | 1981-03-27 | 1981-03-27 | Gas cell type atomic oscillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57160184A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4725429B2 (ja) * | 2006-06-12 | 2011-07-13 | エプソントヨコム株式会社 | 原子発振器及び原子発振器の温度制御方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5164895A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-06-04 | Furiikuenshii Ando Taimu Shisu |
-
1981
- 1981-03-27 JP JP4503081A patent/JPS57160184A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5164895A (ja) * | 1974-10-09 | 1976-06-04 | Furiikuenshii Ando Taimu Shisu |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57160184A (en) | 1982-10-02 |
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