JPS6356703B2 - - Google Patents
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- JPS6356703B2 JPS6356703B2 JP58208078A JP20807883A JPS6356703B2 JP S6356703 B2 JPS6356703 B2 JP S6356703B2 JP 58208078 A JP58208078 A JP 58208078A JP 20807883 A JP20807883 A JP 20807883A JP S6356703 B2 JPS6356703 B2 JP S6356703B2
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- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 5
- 101100178723 Drosophila melanogaster Hsc70-5 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高精度に図形が描画される荷電粒子線
露光方法に関する。
露光方法に関する。
近時、電子線露光方法を代表とする荷電粒子線
露光方法がLSI素子及び超LSI素子の製作方法と
して注目されている。特に、電子線露光方法を例
に上げると、電子線通路上に２つのスリツトと、
該２つのスリツトの間にレンズと偏向器を配置
し、該偏向器に供給される偏向信号をコントロー
ルすることにより、下に配置されたスリツトから
所定の大きさの断面を有する電子線を取出し、該
電子線を材料上で走査した図形を描画する面積可
変型電子線露光方法が高速、高精度露光方法とし
て期待されている。
露光方法がLSI素子及び超LSI素子の製作方法と
して注目されている。特に、電子線露光方法を例
に上げると、電子線通路上に２つのスリツトと、
該２つのスリツトの間にレンズと偏向器を配置
し、該偏向器に供給される偏向信号をコントロー
ルすることにより、下に配置されたスリツトから
所定の大きさの断面を有する電子線を取出し、該
電子線を材料上で走査した図形を描画する面積可
変型電子線露光方法が高速、高精度露光方法とし
て期待されている。
斯くの如き露光方法では次の様にして図形が描
画されている。露光に必要なデータが格納されて
いる磁気的格納手段から材料上の或る領域（第１
図ａのＡ参照）に描かれる分の図形（第１図ａの
p1，p2，p3，p4，…参照）のデータを読出すと共
に該図形データを微小分（第１図ｂのa1，a2，
a3，a4，…ai…参照）に等区分して記憶手段に貯
蔵する。では、説明の便宜上微小領域a1とaiに連
続する図形p1を描く場合を例に取つて説明する。
先ず、該記憶手段から１微小分のデータ、即ち、
微小領域a1のデータを読出す。第２図ａは微小領
域a1とaiの部分を拡大したものである。そして、
先ず、第２図ｂに示す様に該パターンデータ（破
線に示す分）を空間電荷効果による脹らみ分を考
慮してその分縮小してやる（この処理をリサイズ
処理と称す）。該リサイズ処理を行なつた後、該
データを露光信号（シヨツト位置、シヨツト時間
及びシヨツトビームのサイズ信号のこと）に変換
して露光手段に導入し、該手段内に配置された材
料上の領域a1に対応した位置にパターンを描く様
にする。さて、その後、同様にして微小領域aiの
パターンp12についても材料上の微小領域aiに対
応した位置にパターンが描かれるのであるが、第
２図ｃに示す様にパターンp11をリサイズしたも
のとパターンp12をリサイズしたものに基づいて
シヨツトを行なうと、空間電荷効果により露光領
域は脹らみ、理想的には図形p1が出来る筈である
が、実際には第２図ｄに示す様にパターンp11と
パターンp12との境界部分に括れが発生する。
画されている。露光に必要なデータが格納されて
いる磁気的格納手段から材料上の或る領域（第１
図ａのＡ参照）に描かれる分の図形（第１図ａの
p1，p2，p3，p4，…参照）のデータを読出すと共
に該図形データを微小分（第１図ｂのa1，a2，
a3，a4，…ai…参照）に等区分して記憶手段に貯
蔵する。では、説明の便宜上微小領域a1とaiに連
続する図形p1を描く場合を例に取つて説明する。
先ず、該記憶手段から１微小分のデータ、即ち、
微小領域a1のデータを読出す。第２図ａは微小領
域a1とaiの部分を拡大したものである。そして、
先ず、第２図ｂに示す様に該パターンデータ（破
線に示す分）を空間電荷効果による脹らみ分を考
慮してその分縮小してやる（この処理をリサイズ
処理と称す）。該リサイズ処理を行なつた後、該
データを露光信号（シヨツト位置、シヨツト時間
及びシヨツトビームのサイズ信号のこと）に変換
して露光手段に導入し、該手段内に配置された材
料上の領域a1に対応した位置にパターンを描く様
にする。さて、その後、同様にして微小領域aiの
パターンp12についても材料上の微小領域aiに対
応した位置にパターンが描かれるのであるが、第
２図ｃに示す様にパターンp11をリサイズしたも
のとパターンp12をリサイズしたものに基づいて
シヨツトを行なうと、空間電荷効果により露光領
域は脹らみ、理想的には図形p1が出来る筈である
が、実際には第２図ｄに示す様にパターンp11と
パターンp12との境界部分に括れが発生する。
本発明はこの様な問題を解決することを目的と
したものである。
したものである。
本発明は露光に必要なデータを微小領域毎に区
分して記憶手段に記憶させ、該微小領域分のデー
タを該記憶手段から読出して露光手段に導入する
ことにより荷電粒子線の断面の大きさを所定の大
きさにし、該荷電粒子線を材料上の所定の位置に
照射させて所定の図形を描画する様にした荷電粒
子線露光方法において、前記露光に必要なデータ
を微小領域毎に区分する際、隣りの微小領域との
境界から該隣りの微小領域へ適宜分余分に見込ん
で区分して記憶手段に記憶させ、該記憶手段から
この様に区分した微小領域のデータを読出し、該
データを空間電荷効果による脹らみ分に対応した
分縮小した後、前記余分なデータ分を取除いて露
光手段に導入した新規な荷電粒子線露光方法を提
供するものである。
分して記憶手段に記憶させ、該微小領域分のデー
タを該記憶手段から読出して露光手段に導入する
ことにより荷電粒子線の断面の大きさを所定の大
きさにし、該荷電粒子線を材料上の所定の位置に
照射させて所定の図形を描画する様にした荷電粒
子線露光方法において、前記露光に必要なデータ
を微小領域毎に区分する際、隣りの微小領域との
境界から該隣りの微小領域へ適宜分余分に見込ん
で区分して記憶手段に記憶させ、該記憶手段から
この様に区分した微小領域のデータを読出し、該
データを空間電荷効果による脹らみ分に対応した
分縮小した後、前記余分なデータ分を取除いて露
光手段に導入した新規な荷電粒子線露光方法を提
供するものである。
先ず、本発明の原理について説明する。尚、説
明の微宜上前記第２図に示す様に図形p1を描く場
合について説明する。始めに、露光に必要なデー
タが格納されている磁気的格納手段から材料上の
或る領域（第１図ａのＡ参照）に描かれる分の図
形（第１図ａのp1，p2，p3，p4，…参照）のデー
タを読出すと共に該図形データを微小分（第１図
ｂのa1，a2，a3，a4，…ai…参照）に等区分する
場合、第３図ａの微小領域a1，aiの拡大図におい
て破線で示す様に、適宜大きさの耳分（領域a1に
ついてはe1，e2，e3，e4、領域aiについてはe5，
e6，e7，e8）を付けて区分し、記憶装置に記憶さ
せる。そして、微小領域a1のデータを読出してき
て、先ず、第３図ｂに示す様に耳領域と微小領域
a1内のパターン（パターンp11＋耳領域のパター
ンp11′）データ（破線に示す分）を空間電荷効果
による脹らみ分を考慮してその分縮小してやる。
次に、該リサイズしたデータから微小領域a1外の
分（第３図ｂのe0）のデータを取り除き（耳取り
処理と称す）、該耳取り処理を行なつた領域（第
３図ｃ参照）のデータを露光信号（シヨツト位
置、シヨツト時間及びシヨツトビームのサイズ信
号のこと）に変換して露光手段に導入し、該手段
内に配置された材料上の領域a1に対応した位置に
パターンを描く様にする。その後、同様にして微
小領域aiのデータを読出してきて、耳領域と微小
領域ai内のパターン（パターンp12＋耳領域のパ
ターンp12′）データを空間電荷効果による脹らみ
分を考慮してその分縮小してやり、該リサイズ処
理を行なつたデータを耳取り処理し、該耳取り処
理した領域（第３図ｃの一点鎖線参照）のデータ
を露光信号（シヨツト位置、シヨツト時間及びシ
ヨツトビームのサイズ信号のこと）に変換して露
光手段に導入し、該手段内に配置された材料上の
領域aiに対応した位置にパターンを描く様にす
る。この様にして微小領域a1，aiに夫々耳領域を
付けた領域のパターンをリサイズし更に耳取りデ
ータに基づいたシヨツトをすれば、第３図ｄに示
す様に、図形p1が描かれる。この時、前記２つの
パターンの境界部が他の部分に比べ露光量が少し
増えるが余り問題にならない。即ち、このシヨツ
トが重なる部分が大きくなると、境界部で少し脹
らむことがあるので、該脹らみが現われない程度
に前記耳を付けて微小領域を区分する時に、耳領
域の大きさを決める。
明の微宜上前記第２図に示す様に図形p1を描く場
合について説明する。始めに、露光に必要なデー
タが格納されている磁気的格納手段から材料上の
或る領域（第１図ａのＡ参照）に描かれる分の図
形（第１図ａのp1，p2，p3，p4，…参照）のデー
タを読出すと共に該図形データを微小分（第１図
ｂのa1，a2，a3，a4，…ai…参照）に等区分する
場合、第３図ａの微小領域a1，aiの拡大図におい
て破線で示す様に、適宜大きさの耳分（領域a1に
ついてはe1，e2，e3，e4、領域aiについてはe5，
e6，e7，e8）を付けて区分し、記憶装置に記憶さ
せる。そして、微小領域a1のデータを読出してき
て、先ず、第３図ｂに示す様に耳領域と微小領域
a1内のパターン（パターンp11＋耳領域のパター
ンp11′）データ（破線に示す分）を空間電荷効果
による脹らみ分を考慮してその分縮小してやる。
次に、該リサイズしたデータから微小領域a1外の
分（第３図ｂのe0）のデータを取り除き（耳取り
処理と称す）、該耳取り処理を行なつた領域（第
３図ｃ参照）のデータを露光信号（シヨツト位
置、シヨツト時間及びシヨツトビームのサイズ信
号のこと）に変換して露光手段に導入し、該手段
内に配置された材料上の領域a1に対応した位置に
パターンを描く様にする。その後、同様にして微
小領域aiのデータを読出してきて、耳領域と微小
領域ai内のパターン（パターンp12＋耳領域のパ
ターンp12′）データを空間電荷効果による脹らみ
分を考慮してその分縮小してやり、該リサイズ処
理を行なつたデータを耳取り処理し、該耳取り処
理した領域（第３図ｃの一点鎖線参照）のデータ
を露光信号（シヨツト位置、シヨツト時間及びシ
ヨツトビームのサイズ信号のこと）に変換して露
光手段に導入し、該手段内に配置された材料上の
領域aiに対応した位置にパターンを描く様にす
る。この様にして微小領域a1，aiに夫々耳領域を
付けた領域のパターンをリサイズし更に耳取りデ
ータに基づいたシヨツトをすれば、第３図ｄに示
す様に、図形p1が描かれる。この時、前記２つの
パターンの境界部が他の部分に比べ露光量が少し
増えるが余り問題にならない。即ち、このシヨツ
トが重なる部分が大きくなると、境界部で少し脹
らむことがあるので、該脹らみが現われない程度
に前記耳を付けて微小領域を区分する時に、耳領
域の大きさを決める。
第４図は前記原理に基づいて図形を微画する装
置の一応用例として示した電子線露光装置の概略
図である。
置の一応用例として示した電子線露光装置の概略
図である。
図中１は露光に必要なデータが格納されている
磁気的格納手段、２は該格納手段から材料上の或
る領域に描かれる分の図形データを読出すと共に
該データを前記原理で説明した様に耳分を付けて
微小領域に区分し、該区分したデータをデイスク
メモリ３に格納し、更に該データの内１微小領域
分のデータをメモリ４に記憶させる中央制御装置
（以後CPUと称す）である。５は前記CPU２の指
令に従い、露光操作の中枢制御機構の働きをする
高速データ伝送制御機構（以後HSCと称す）で、
前記メモリ４からデータ読出し、該データに基づ
いて該１微小分のデータのリサイズ処理及び耳取
り処理を順次行なつた後、露光信号、即ち、シヨ
ツト時間信号、ビームサイズ信号、及びシヨツト
位置信号を作成する。６は露光手段で、電子銃７
の下に順次、ブランキング用偏向器８、絞りの入
つた集束レンズ９、正方形又は矩形の孔を有する
スリツト１０、レンズ１１、ビームサイズ制御用
偏向器１２、前記スリツト１０と同様なスリツト
１３、投影レンズ１４、ビーム位置制御用偏向器
１５、材料１６が配置されている。そして、前記
HSC５はシヨツト時間信号をパルス発生器１７
を介してブランキング用偏向器８に供給し、ビー
ムサイズ用信号をDA変換器１８を介して前記ビ
ームサイズ制御用偏向器１２に、ビーム位置制御
信号をDA変換器１９を介して前記ビーム位置制
御用偏向器１５に夫々供給する。
磁気的格納手段、２は該格納手段から材料上の或
る領域に描かれる分の図形データを読出すと共に
該データを前記原理で説明した様に耳分を付けて
微小領域に区分し、該区分したデータをデイスク
メモリ３に格納し、更に該データの内１微小領域
分のデータをメモリ４に記憶させる中央制御装置
（以後CPUと称す）である。５は前記CPU２の指
令に従い、露光操作の中枢制御機構の働きをする
高速データ伝送制御機構（以後HSCと称す）で、
前記メモリ４からデータ読出し、該データに基づ
いて該１微小分のデータのリサイズ処理及び耳取
り処理を順次行なつた後、露光信号、即ち、シヨ
ツト時間信号、ビームサイズ信号、及びシヨツト
位置信号を作成する。６は露光手段で、電子銃７
の下に順次、ブランキング用偏向器８、絞りの入
つた集束レンズ９、正方形又は矩形の孔を有する
スリツト１０、レンズ１１、ビームサイズ制御用
偏向器１２、前記スリツト１０と同様なスリツト
１３、投影レンズ１４、ビーム位置制御用偏向器
１５、材料１６が配置されている。そして、前記
HSC５はシヨツト時間信号をパルス発生器１７
を介してブランキング用偏向器８に供給し、ビー
ムサイズ用信号をDA変換器１８を介して前記ビ
ームサイズ制御用偏向器１２に、ビーム位置制御
信号をDA変換器１９を介して前記ビーム位置制
御用偏向器１５に夫々供給する。
斯くの如き装置において、CPU２は磁気的格
納手段１から材料１６上の或る領域に描かれる分
の図形のデータを読出すと共に該図形データを耳
を付けて微小分に等区分してデイスクメモリ３に
記憶させる。更にCPUは、順次１微小領域分の
データを該デイスクメモリから読出し、メモリ４
に記憶させる。そして、HSC５は該小領域内の
パターンデータを空間電荷効果による脹らみ分を
考慮してその分縮小してやり、該リサイズしたデ
ータから耳分のデータを取り除き、該耳取り処理
を行なつた領域のデータを露光信号（シヨツト位
置、シヨツト時間及びシヨツトビームのサイズ信
号のこと）に変換して、シヨツト位置信号をビー
ム位置制御用偏向器１５に、シヨツト時間信号を
ブランキング用偏向器８に、ビームサイズ信号を
ビームサイズ制御用偏向器１２に夫々送り、該手
段内に配置された材料上の領域に対応した位置に
パターンを描く様にする。その後、同様にして前
記HSC５は微小領域のデータを前記メモリ４か
ら読出してきて、該データをリサイズ処理及び耳
取り処理を行なつた後、該データを露光信号に変
換してシヨツト位置信号をビーム位置制御用偏向
器１５に、シヨツト時間信号をブランキング用偏
向器８に、ビームサイズ信号をビームサイズ制御
用偏向器１２に夫々送り、該手段内に配置された
材料上の領域に対応した位置にパターンを描く様
にする。この様にして微小領域a1，aiに夫々耳領
域を付けた領域のパターンをリサイズし更に耳取
りしたデータに基づいたシヨツトをすれば、第３
図ｄに示す様に、図形p1が描かれる。この時、前
記２つのパターンの境界部が他の部分に比べ露光
量が少し増えるが余り問題にならない。又、この
シヨツトが重なる部分が大きくなると、境界部で
少し脹らむことがあるので、該脹らみが現われな
い程度に前記耳を付けて微小領域を区分する。
納手段１から材料１６上の或る領域に描かれる分
の図形のデータを読出すと共に該図形データを耳
を付けて微小分に等区分してデイスクメモリ３に
記憶させる。更にCPUは、順次１微小領域分の
データを該デイスクメモリから読出し、メモリ４
に記憶させる。そして、HSC５は該小領域内の
パターンデータを空間電荷効果による脹らみ分を
考慮してその分縮小してやり、該リサイズしたデ
ータから耳分のデータを取り除き、該耳取り処理
を行なつた領域のデータを露光信号（シヨツト位
置、シヨツト時間及びシヨツトビームのサイズ信
号のこと）に変換して、シヨツト位置信号をビー
ム位置制御用偏向器１５に、シヨツト時間信号を
ブランキング用偏向器８に、ビームサイズ信号を
ビームサイズ制御用偏向器１２に夫々送り、該手
段内に配置された材料上の領域に対応した位置に
パターンを描く様にする。その後、同様にして前
記HSC５は微小領域のデータを前記メモリ４か
ら読出してきて、該データをリサイズ処理及び耳
取り処理を行なつた後、該データを露光信号に変
換してシヨツト位置信号をビーム位置制御用偏向
器１５に、シヨツト時間信号をブランキング用偏
向器８に、ビームサイズ信号をビームサイズ制御
用偏向器１２に夫々送り、該手段内に配置された
材料上の領域に対応した位置にパターンを描く様
にする。この様にして微小領域a1，aiに夫々耳領
域を付けた領域のパターンをリサイズし更に耳取
りしたデータに基づいたシヨツトをすれば、第３
図ｄに示す様に、図形p1が描かれる。この時、前
記２つのパターンの境界部が他の部分に比べ露光
量が少し増えるが余り問題にならない。又、この
シヨツトが重なる部分が大きくなると、境界部で
少し脹らむことがあるので、該脹らみが現われな
い程度に前記耳を付けて微小領域を区分する。
本発明によれば、微小領域に跨がる図形を精度
良く描くことが出来る。
良く描くことが出来る。
第１図は材料上の或る領域を表わしたもの、第
２図は従来の露光方法を説明する為に用いたも
の、第３図は本発明の原理を説明する為に用いた
もの、第４図は本発明の一応用例として示した電
子線露光装置の概略図である。 A1：材料上の或る領域、a1，a2，a3…，ai…：
微小領域、p1，p2，p3，…：図形、１：磁気的格
納手段、２：中央制御装置（CPU）、３：デイス
クメモリ、４：メモリ、５：高速データ伝送制御
機構（HSC）、６：露光手段、８：ブランキング
用偏向器、１２：ビームサイズ制御用偏向器、１
５：ビーム位置制御用偏向器、１６：材料。
２図は従来の露光方法を説明する為に用いたも
の、第３図は本発明の原理を説明する為に用いた
もの、第４図は本発明の一応用例として示した電
子線露光装置の概略図である。 A1：材料上の或る領域、a1，a2，a3…，ai…：
微小領域、p1，p2，p3，…：図形、１：磁気的格
納手段、２：中央制御装置（CPU）、３：デイス
クメモリ、４：メモリ、５：高速データ伝送制御
機構（HSC）、６：露光手段、８：ブランキング
用偏向器、１２：ビームサイズ制御用偏向器、１
５：ビーム位置制御用偏向器、１６：材料。
Claims (1)
- １ 露光に必要なデータを微小領域毎に区分して
記憶手段に記憶させ、該微小領域分のデータを該
記憶手段から読出して露光手段に導入することに
より荷電粒子線の断面の大きさを所定の大きさに
し、該荷電粒子線を材料上の所定の位置に照射さ
せて所定の図形を描画する様にした荷電粒子線露
光方法において、前記露光に必要なデータを微小
領域毎に区分する際、隣りの微小領域との境界か
ら該隣りの微小領域へ適宜分余分に見込んで区分
して記憶手段に記憶させ、該記憶手段からこの様
に区分した微小領域のデータを読出し、該データ
を空間電荷効果による脹らみ分に対応した分縮小
した後、前記余分なデータ分を取除いて露光手段
に導入した荷電粒子線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208078A JPS60100426A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 荷電粒子線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58208078A JPS60100426A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 荷電粒子線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100426A JPS60100426A (ja) | 1985-06-04 |
| JPS6356703B2 true JPS6356703B2 (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=16550274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58208078A Granted JPS60100426A (ja) | 1983-11-05 | 1983-11-05 | 荷電粒子線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100426A (ja) |
-
1983
- 1983-11-05 JP JP58208078A patent/JPS60100426A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60100426A (ja) | 1985-06-04 |
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