JPS635575A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
高耐圧半導体装置Info
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- JPS635575A JPS635575A JP14895286A JP14895286A JPS635575A JP S635575 A JPS635575 A JP S635575A JP 14895286 A JP14895286 A JP 14895286A JP 14895286 A JP14895286 A JP 14895286A JP S635575 A JPS635575 A JP S635575A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/408—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor with an insulating layer with a particular dielectric or electrostatic property, e.g. with static charges or for controlling trapped charges or moving ions, or with a plate acting on the insulator potential or the insulator charges, e.g. for controlling charges effect or potential distribution in the insulating layer, or with a semi-insulating layer contacting directly the semiconductor surface
-
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8611—Planar PN junction diodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオード、トランジスタ等のブレナー型半導
体装置の高耐圧高信頼性化に関するものである。プレナ
ー型半導体装置は半導体基体表面に露出する主Ｐ−Ｎ接
合をシリコン酸化膜Ｃ以下５ｉｆｔ）等で被覆され、安
定化がはかられているが係るＳ ｒ Ｏｔを保護膜とす
る高耐圧製品は、Ｓ ｉＳ ｉＯ＊界面での固定電荷や
膜中のイオンか正イオンをもつため、特にＰ型シリコン
ウーハ−では表面が反転し、高耐圧、高使傾度化が困難
であった。このため従来５ＩＰＯ８など負イオンをもっ
た膜を保護膜として製造されている。ところが５ＩＰＯ
８は高価な設備や工程が複雑となるため、高コストにな
る問題がある。本発明は係る欠点を解消し、経済的にし
て高耐圧高信頼性のブレナー型半導体装置を提供するも
ので、５ｉｎｓ膜を保護膜としている製品が共通にかか
えている膜中、界面１衛を正から負にすることによって
高耐圧高信頼性化を可能にしたものである。第１図は本
発明の一実施例を示す概略断面図で図中１は高抵抗Ｐ型
シリコン基体、２はＮ型領域で該基体１と共にＰ−Ｎ接
合Ｊ（ブレナー）ｉ−を形成する。３はＰ型領域（チャ
ンネルストッパ）、４は高濃度Ｐ型層（オーミック領域
）、５はＳｉｎ、膜（保護膜）、６．７は電極、８は空
乏１層である。
体装置の高耐圧高信頼性化に関するものである。プレナ
ー型半導体装置は半導体基体表面に露出する主Ｐ−Ｎ接
合をシリコン酸化膜Ｃ以下５ｉｆｔ）等で被覆され、安
定化がはかられているが係るＳ ｒ Ｏｔを保護膜とす
る高耐圧製品は、Ｓ ｉＳ ｉＯ＊界面での固定電荷や
膜中のイオンか正イオンをもつため、特にＰ型シリコン
ウーハ−では表面が反転し、高耐圧、高使傾度化が困難
であった。このため従来５ＩＰＯ８など負イオンをもっ
た膜を保護膜として製造されている。ところが５ＩＰＯ
８は高価な設備や工程が複雑となるため、高コストにな
る問題がある。本発明は係る欠点を解消し、経済的にし
て高耐圧高信頼性のブレナー型半導体装置を提供するも
ので、５ｉｎｓ膜を保護膜としている製品が共通にかか
えている膜中、界面１衛を正から負にすることによって
高耐圧高信頼性化を可能にしたものである。第１図は本
発明の一実施例を示す概略断面図で図中１は高抵抗Ｐ型
シリコン基体、２はＮ型領域で該基体１と共にＰ−Ｎ接
合Ｊ（ブレナー）ｉ−を形成する。３はＰ型領域（チャ
ンネルストッパ）、４は高濃度Ｐ型層（オーミック領域
）、５はＳｉｎ、膜（保護膜）、６．７は電極、８は空
乏１層である。
係る構造において、本発明は周知の白金（ｐｔ）をＰ型
層（４）側もしくは５１０３表面側から拡散せしめて該
Ｓ ｉ Ｏｔ （５）とシリコン基体２の境界面付近に
混入せしめることにより、該界面の電荷が正から負に変
化し、これにより大巾な高耐圧死が可能であることが確
認できた。即ち第２図は白金拡散温度Ｔ（”Ｃ）と界面
の電荷量（Ｑｓ ｓ ／ ｑ ）の関係を示す特性図で
該電荷量は白金拡散温度が高くなるに従いより負に変化
することを示している。−方、白金は温度によりシリコ
ン中への拡散速度が異り、温度が上昇する程速くなる。
層（４）側もしくは５１０３表面側から拡散せしめて該
Ｓ ｉ Ｏｔ （５）とシリコン基体２の境界面付近に
混入せしめることにより、該界面の電荷が正から負に変
化し、これにより大巾な高耐圧死が可能であることが確
認できた。即ち第２図は白金拡散温度Ｔ（”Ｃ）と界面
の電荷量（Ｑｓ ｓ ／ ｑ ）の関係を示す特性図で
該電荷量は白金拡散温度が高くなるに従いより負に変化
することを示している。−方、白金は温度によりシリコ
ン中への拡散速度が異り、温度が上昇する程速くなる。
このことは第２図において、温度が高い程Ｓ ｉ Ｏｔ
とシリコン基体界面に到達する白金量が多いことを示す
。すなわち白金拡散温度（白金拡散ｆ）をコントロール
することにより、５ｉ−８ｉＯ，界面電荷をコントロー
ルできることを示している。第３図はコレクタ高抵抗層
がＰバルクのＰＮＰ トランジスタの信頼性（Ｂ、Ｔ）
結果を示す。即ちｐｔ拡散なしの製品では、１００時間
以内で１０μÅ以上のもれ’ＴＩ＠、に変化しているが
、Ｐｔ拡散（８００℃）した製品では、Ｂ、ＴｌｏｏＯ
時間でのもれ電流の変化がなかった。Ｐｔ拡散温度が７
００℃以下では信頼性はｐｔ拡散のない場合とほぼ同じ
で効果はあまり期待できない。このことば界面に殆んど
白金が存在しないことを示す。又、８４０℃ではもれ電
流（Ｉ’ −パ）が増加し、ＢＯ １００ｊ１人での耐圧は減少する。つまり界面での白金
の最は拡散温度でとらえると７００℃乃至８４０℃が好
適である。なお、本発明は下地が８ ｉ ０ ＊ 模で
あればその上に外部イオン防止や膜中イオンのゲッタリ
ング作用のあるＰＳＧ膜、Ｓｌ、Ｎ、膜などをもうけた
場合も同様な効果がある。以上の説明から明らかなよう
に本発明によれば従来出来なかった高抵抗Ｐ型つ。
とシリコン基体界面に到達する白金量が多いことを示す
。すなわち白金拡散温度（白金拡散ｆ）をコントロール
することにより、５ｉ−８ｉＯ，界面電荷をコントロー
ルできることを示している。第３図はコレクタ高抵抗層
がＰバルクのＰＮＰ トランジスタの信頼性（Ｂ、Ｔ）
結果を示す。即ちｐｔ拡散なしの製品では、１００時間
以内で１０μÅ以上のもれ’ＴＩ＠、に変化しているが
、Ｐｔ拡散（８００℃）した製品では、Ｂ、ＴｌｏｏＯ
時間でのもれ電流の変化がなかった。Ｐｔ拡散温度が７
００℃以下では信頼性はｐｔ拡散のない場合とほぼ同じ
で効果はあまり期待できない。このことば界面に殆んど
白金が存在しないことを示す。又、８４０℃ではもれ電
流（Ｉ’ −パ）が増加し、ＢＯ １００ｊ１人での耐圧は減少する。つまり界面での白金
の最は拡散温度でとらえると７００℃乃至８４０℃が好
適である。なお、本発明は下地が８ ｉ ０ ＊ 模で
あればその上に外部イオン防止や膜中イオンのゲッタリ
ング作用のあるＰＳＧ膜、Ｓｌ、Ｎ、膜などをもうけた
場合も同様な効果がある。以上の説明から明らかなよう
に本発明によれば従来出来なかった高抵抗Ｐ型つ。
バーを用いて高耐圧、高信頼性の製品が低コストで製造
出来る。このため本発明は、高抵抗Ｐ型層をもつ高耐圧
ダイオード、ＰＮＰやＰＮπＰトランジスダ、高耐圧Ｍ
Ｏ８ＦＥＴ、高耐圧サイリスタなどの製品に利用出来実
用上の効果は大きい。
出来る。このため本発明は、高抵抗Ｐ型層をもつ高耐圧
ダイオード、ＰＮＰやＰＮπＰトランジスダ、高耐圧Ｍ
Ｏ８ＦＥＴ、高耐圧サイリスタなどの製品に利用出来実
用上の効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例構造図、第２図、第３図、−
中骨は特性説明図、 である。図において１はＰ 型シリコン基体、２はＮ型領域、３はＰ型領域４はＰ型
層、５はシリコン酸化膜、６．７は電極、８は空乏層、
ＩはＰ−Ｎ接合である。 特許出願人 新電元工業株式会社 竿１０ Ｎ竺鵞４丘（Ｃ） 箪８
中骨は特性説明図、 である。図において１はＰ 型シリコン基体、２はＮ型領域、３はＰ型領域４はＰ型
層、５はシリコン酸化膜、６．７は電極、８は空乏層、
ＩはＰ−Ｎ接合である。 特許出願人 新電元工業株式会社 竿１０ Ｎ竺鵞４丘（Ｃ） 箪８
Claims (1)
- Ｐ型シリコン半導体基体表面に露出するＰ−Ｎ接合を二
酸化硅素膜で被覆した半導体装置において、少くとも前
記基体表面と二酸化硅素膜の界面近傍に白金を導入せし
めたことを特徴とする高耐圧半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14895286A JPS635575A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14895286A JPS635575A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 高耐圧半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS635575A true JPS635575A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15464323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14895286A Pending JPS635575A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 高耐圧半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS635575A (ja) |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14895286A patent/JPS635575A/ja active Pending
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