JPS6353273A - Ｃｖｄ方法および装置 - Google Patents
Ｃｖｄ方法および装置Info
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- JPS6353273A JPS6353273A JP19563586A JP19563586A JPS6353273A JP S6353273 A JPS6353273 A JP S6353273A JP 19563586 A JP19563586 A JP 19563586A JP 19563586 A JP19563586 A JP 19563586A JP S6353273 A JPS6353273 A JP S6353273A
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- laser beam
- casing
- beams
- raw gas
- laser
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は化学的薄膜形成方法および装置（以下ＣＶＤ方
法および装置と称する）の改良に関するものである。
法および装置と称する）の改良に関するものである。
第３図は従来のＣＶＤ装置を示すもので、（ａ）は正面
一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図である。
一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図である。
図中（１）はケーシング、（１ａ）は排気口、（２）は
レーザビーム、（３）はガスノズル、（４）は原料ガス
、（５）は基材、（６）は被膜、（７）は基材の移動方
向を示す矢印である。
レーザビーム、（３）はガスノズル、（４）は原料ガス
、（５）は基材、（６）は被膜、（７）は基材の移動方
向を示す矢印である。
図に示すように、排気口（１ａ）より内部の空気を排出
し、その圧力を０．１〜２５０ｍｂａｒに保ったケーシ
ング（１）内に、レーザビーム（２）を照射し、下方よ
りノズル（３）を介し所定の原料ガス（４）例えばＳｉ
ｌ［ａ（シラン）とＣ，Ｉｔ４（エチレン）を送給する
。その結果５ｉｌ１４とＣ２［＋、とは、レーザビーム
で励起、活性化され、次の反応 ＳｉＨ４＋ Ｃ２Ｈ４→ ２ＳｉＣ＋ ６Ｈ。
し、その圧力を０．１〜２５０ｍｂａｒに保ったケーシ
ング（１）内に、レーザビーム（２）を照射し、下方よ
りノズル（３）を介し所定の原料ガス（４）例えばＳｉ
ｌ［ａ（シラン）とＣ，Ｉｔ４（エチレン）を送給する
。その結果５ｉｌ１４とＣ２［＋、とは、レーザビーム
で励起、活性化され、次の反応 ＳｉＨ４＋ Ｃ２Ｈ４→ ２ＳｉＣ＋ ６Ｈ。
によりＳｉＣを生成し、該ＳｉＣは基材（５）の下面に
蒸着し被膜（６）を形成する。
蒸着し被膜（６）を形成する。
ところで上記１個のレーザビームによる従来のＣＶＤの
装置においては、ビーム径が細く、大きな面積を被覆す
る場合は多大の時間を要し生産性が低いことが問題とな
っていた。
装置においては、ビーム径が細く、大きな面積を被覆す
る場合は多大の時間を要し生産性が低いことが問題とな
っていた。
本発明は従来装置の上記問題点を解消するためになされ
たもので、高能率で生産性の高いＣＶＤ方法および装置
を提供しようとするものである。
たもので、高能率で生産性の高いＣＶＤ方法および装置
を提供しようとするものである。
上記目的を達成するなめ、本発明はＣＶＤ装置において
、複数個のレーザビームを照射しうるように構成した。
、複数個のレーザビームを照射しうるように構成した。
その結果原料ガスを活性化する能力が拡大され高品質被
膜を形成できると同時に、多量の原料ガスを処理できる
ので、成膜速度も増大し、ＣＶＤの生産性が向上した。
膜を形成できると同時に、多量の原料ガスを処理できる
ので、成膜速度も増大し、ＣＶＤの生産性が向上した。
第１図は本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の（ａ）は
正面一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図、第２図は複
数藺のレーザビームを得る機構の構成図である。図中（
１）〜（７）は従来装置と同−又は相当部分を示してお
り、（１１）は分割ミラー、（１２）は全反射Ｅラー、
（１３）は分割されたレーザビームである。
正面一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図、第２図は複
数藺のレーザビームを得る機構の構成図である。図中（
１）〜（７）は従来装置と同−又は相当部分を示してお
り、（１１）は分割ミラー、（１２）は全反射Ｅラー、
（１３）は分割されたレーザビームである。
第２図に示すように、レーザビーム（２）を、部分反射
を行う分割ミラー（１１）と全反射ミラー（１２）とを
使用して３分割し、３本の並列するレーザビーム（１３
）にしてケーシング（１）内に照射する。この結果レー
ザビームの照射範囲が幅広くなり、送給されるＪｉ’；
＋料ガス量を、格段に増加せしめうろ。
を行う分割ミラー（１１）と全反射ミラー（１２）とを
使用して３分割し、３本の並列するレーザビーム（１３
）にしてケーシング（１）内に照射する。この結果レー
ザビームの照射範囲が幅広くなり、送給されるＪｉ’；
＋料ガス量を、格段に増加せしめうろ。
なお分割されたレーザビームは３個に限定するものでな
く、２個あるいは３包理上でもよい。
く、２個あるいは３包理上でもよい。
又複数個のレーザビームを得る方法は、ミラーに依らず
独立した複数のビームを利用してもよい。
独立した複数のビームを利用してもよい。
以下、実施例について述べる。
■ＳｉＣの被膜形成
原料ガス（４）としてＳｉＨ，（シラン）とＣ２Ｈ４（
エチレン）を使用し、このガスに出力１．５ｋｗのＣ０
２レーザを照射して次の反応 ２Ｓｉｌ（ａ ＋ Ｃ２１１４→ ２ＳＩＣ
＋ ６Ｈｚを生起せしめ、生成したＳｉＣ膜”ｇ ５
ＵＳ３０４！ＩＪの基材（３５ｎ＋ｍ ＷＸ１００＋Ｉ
ＩＩＩＩＬＸ５ｍｍ Ｔ） 表面に蒸着すｔ） でＳ
ｉ ＣＯ’）ｆｉ４膜を形成する。
エチレン）を使用し、このガスに出力１．５ｋｗのＣ０
２レーザを照射して次の反応 ２Ｓｉｌ（ａ ＋ Ｃ２１１４→ ２ＳＩＣ
＋ ６Ｈｚを生起せしめ、生成したＳｉＣ膜”ｇ ５
ＵＳ３０４！ＩＪの基材（３５ｎ＋ｍ ＷＸ１００＋Ｉ
ＩＩＩＩＬＸ５ｍｍ Ｔ） 表面に蒸着すｔ） でＳ
ｉ ＣＯ’）ｆｉ４膜を形成する。
このときＣ０２レーザは、前記のように２枚の分割ミラ
ー（１１）と、１枚の全反射ミラー（１２）とを利用し
て、１．５Ｋｌ） Ｌ、−ザーを５ｏｏｗル−ザー３本
に分割して照射する。使用される２枚の分割ミラー （
１１）は、Ｚｎ５ｅ製の部分透過型で、その透過率は上
段は６７％、中段は５０％、又下段の全反射ミラー（１
２）は鋼製である。
ー（１１）と、１枚の全反射ミラー（１２）とを利用し
て、１．５Ｋｌ） Ｌ、−ザーを５ｏｏｗル−ザー３本
に分割して照射する。使用される２枚の分割ミラー （
１１）は、Ｚｎ５ｅ製の部分透過型で、その透過率は上
段は６７％、中段は５０％、又下段の全反射ミラー（１
２）は鋼製である。
上記分割された夫々１２ａｎφの３本のレーザービーム
（１３）を並列にし、基材（５）に対し平行に照射する
。なおケーシング内の圧力は０．５Ｔｏｒｒである。
（１３）を並列にし、基材（５）に対し平行に照射する
。なおケーシング内の圧力は０．５Ｔｏｒｒである。
原料ガス（４）はガスノズル（３）（吹出口２圓Ｘ３０
＋ｎｍ）から、レーザビーム（１３）に対し垂直に送給
される。
＋ｎｍ）から、レーザビーム（１３）に対し垂直に送給
される。
基材（５）は温度３００℃でレーザビームと平行に移動
せしめた。この時の成膜速度は０．８μｍ／ ｍｉｎで
ある。形成された被膜（６）はＳｉＣ膜と同定され、基
材−被膜密着力は７ｋｇｆ ／ １１１１１２以上を示
した。
せしめた。この時の成膜速度は０．８μｍ／ ｍｉｎで
ある。形成された被膜（６）はＳｉＣ膜と同定され、基
材−被膜密着力は７ｋｇｆ ／ １１１１１２以上を示
した。
上記３本のビームに対し、５００Ｗ１ビームｆｆ１ｆｌ
ｔの場合は、基材（５）を縦横に移動せしめろ必要があ
り、ガスノズル（３）も吹出口が２１１Ｉｆｆ＋×１２
ｆｆｌｆｆＩであるから、基材全体に被膜を形成するに
は、３ビーム照射の場合に比し３倍の時間を要する。又
形成された被膜（６）の一部にはＳｉが混在している。
ｔの場合は、基材（５）を縦横に移動せしめろ必要があ
り、ガスノズル（３）も吹出口が２１１Ｉｆｆ＋×１２
ｆｆｌｆｆＩであるから、基材全体に被膜を形成するに
は、３ビーム照射の場合に比し３倍の時間を要する。又
形成された被膜（６）の一部にはＳｉが混在している。
なお５００７１１ビーム照射の代わりに１．５ＫＷ １
ビーム照射の場合は、成膜速度は上昇するものの、時と
して被膜でなく微粉末が形成されていることもあり、被
膜を安定して形成することは困難であった。
ビーム照射の場合は、成膜速度は上昇するものの、時と
して被膜でなく微粉末が形成されていることもあり、被
膜を安定して形成することは困難であった。
■Ｓｉ、Ｎ４の被膜形成
原料ガス（４）として５ｉＨ−（シラン）とＮｉ１．（
アンモニヤガス）とを使用し、次の反応により生成する
Ｓｉ３Ｎ４を基材（５）表面に蒸着せしめる。
アンモニヤガス）とを使用し、次の反応により生成する
Ｓｉ３Ｎ４を基材（５）表面に蒸着せしめる。
３Ｓ ｉ ［Ｉａ ＋ ４Ｎｌ１３ → Ｓｉｓ
［［ａ ＋ １２［ｒｉ使用す７レーザヒーム（１
３） （１，Ｉ ＫＷ（７） ＣＯ２しｆを３個の分割
ミラー（１１）と１個の全反射ミラー（１２）とを利用
して、４個の２５０Ｗのレーザビームに分割して照射す
る。基材（１５）は５ＵＳ３０４ （１００ｍｍ／ Ｘ
４５ｍｎ ｗＸ５＋ｎｍ ｔ） ’ＪＪで、基材温度は
３００℃、又ケーシング内圧力は０．５Ｔｏｒｒである
。
［［ａ ＋ １２［ｒｉ使用す７レーザヒーム（１
３） （１，Ｉ ＫＷ（７） ＣＯ２しｆを３個の分割
ミラー（１１）と１個の全反射ミラー（１２）とを利用
して、４個の２５０Ｗのレーザビームに分割して照射す
る。基材（１５）は５ＵＳ３０４ （１００ｍｍ／ Ｘ
４５ｍｎ ｗＸ５＋ｎｍ ｔ） ’ＪＪで、基材温度は
３００℃、又ケーシング内圧力は０．５Ｔｏｒｒである
。
上記！２ｎ＋ｎφの４本のレーザビーム（１３）を並列
にし、基材に平行に照射した。ガスノズル（３）は２Ｍ
Ｘ４７＋ｎｎ＋の吹出口を有し、ガスは基材に垂直に送
給されろ。４ｐｍ厚の５ｉＪ４の膜がＯ，Ｓμｓ／ ｗ
ｉｎの速度で得られた。
にし、基材に平行に照射した。ガスノズル（３）は２Ｍ
Ｘ４７＋ｎｎ＋の吹出口を有し、ガスは基材に垂直に送
給されろ。４ｐｍ厚の５ｉＪ４の膜がＯ，Ｓμｓ／ ｗ
ｉｎの速度で得られた。
本発明はＣＶＤ装置に使用するレーザビームを複数個に
分割して照射したので、次に述べるような侵れた効果を
あげることができた。
分割して照射したので、次に述べるような侵れた効果を
あげることができた。
■被膜形成の能率が向上する。
■基材の移動が一方向ですむ。
■原料ガスの流れが安定する。
第１図は本発明の一実施例を示すＣＶＤ装置の（＆）は
正面一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図、第２図はレ
ーザビームを分割する装置の構成図、第３図は従来装置
の（ａ）は正面一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図で
ある。 図中（１）はケーシング、（２）はレーザビーム、（３
）は原料ガスノズル、（４）原料ガス、（５）は基材、
（６）は被膜、（１１）は分割ミラー、（１２）は全反
射ミラー、（１３）は分割されたレーザビームである。
正面一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図、第２図はレ
ーザビームを分割する装置の構成図、第３図は従来装置
の（ａ）は正面一部所面図、（ｂ）は側面一部所面図で
ある。 図中（１）はケーシング、（２）はレーザビーム、（３
）は原料ガスノズル、（４）原料ガス、（５）は基材、
（６）は被膜、（１１）は分割ミラー、（１２）は全反
射ミラー、（１３）は分割されたレーザビームである。
Claims (2)
- （１）減圧したケーシング内に供給された原料ガスにレ
ーザビームを照射し、ケーシング内の基材に被膜を形成
するＣＶＤ装置において、上記レーザビームが複数個で
あることを特徴とするＣＶＤ方法。 - （２）減圧したケーシング内に供給された原料ガスにレ
ーザビームを照射し、ケーシング内の基材に被膜を形成
するＣＶＤ装置において、複数個のレーザビーム照射装
置を備えたことを特徴とするＰＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19563586A JPS6353273A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | Ｃｖｄ方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19563586A JPS6353273A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | Ｃｖｄ方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353273A true JPS6353273A (ja) | 1988-03-07 |
Family
ID=16344443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19563586A Pending JPS6353273A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | Ｃｖｄ方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353273A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
| US9163308B2 (en) | 2000-10-17 | 2015-10-20 | Nanogram Corporation | Apparatus for coating formation by light reactive deposition |
| US9939579B2 (en) | 2000-10-26 | 2018-04-10 | Neophotonics Corporation | Multilayered optical structures |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19563586A patent/JPS6353273A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7575784B1 (en) | 2000-10-17 | 2009-08-18 | Nanogram Corporation | Coating formation by reactive deposition |
| US9163308B2 (en) | 2000-10-17 | 2015-10-20 | Nanogram Corporation | Apparatus for coating formation by light reactive deposition |
| US9939579B2 (en) | 2000-10-26 | 2018-04-10 | Neophotonics Corporation | Multilayered optical structures |
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