JPS6351469U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6351469U JPS6351469U JP14479486U JP14479486U JPS6351469U JP S6351469 U JPS6351469 U JP S6351469U JP 14479486 U JP14479486 U JP 14479486U JP 14479486 U JP14479486 U JP 14479486U JP S6351469 U JPS6351469 U JP S6351469U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive element
- transparent substrate
- element formed
- electrode
- transparent
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
第1図は本考案の実施例を示す模式的断面図、
第2図は温度補償用回路例を示すブロツク図、第
3図は本考案の他の実施例を示す模式的断面図、
第4図は従来品の模式的断面図、第5図は半導体
の温度と出力特性との関係を示すグラフである。 1……基板、2,9……透明電極、3,10…
…半導体膜、4,11……裏面電極。
第2図は温度補償用回路例を示すブロツク図、第
3図は本考案の他の実施例を示す模式的断面図、
第4図は従来品の模式的断面図、第5図は半導体
の温度と出力特性との関係を示すグラフである。 1……基板、2,9……透明電極、3,10…
…半導体膜、4,11……裏面電極。
Claims (1)
- 透光性基板上に透明電極、半導体膜及び裏面電
極を順次積層してなる感光素子と、前記透光性基
板上に遮光膜を介して形成され、前記感光素子と
同様の感温特性を有する感温素子とを具備するこ
とを特徴とする光センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14479486U JPS6351469U (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14479486U JPS6351469U (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6351469U true JPS6351469U (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=31055729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14479486U Pending JPS6351469U (ja) | 1986-09-20 | 1986-09-20 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6351469U (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007125873A1 (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | 赤外線センサ |
JP2009522801A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一体化された温度センサ機能をもつ照明センサ |
JP2010153915A (ja) * | 2006-05-30 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011095143A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ |
-
1986
- 1986-09-20 JP JP14479486U patent/JPS6351469U/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009522801A (ja) * | 2006-01-09 | 2009-06-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 一体化された温度センサ機能をもつ照明センサ |
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JP4802242B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-10-26 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線センサ |
US8304734B2 (en) | 2006-04-24 | 2012-11-06 | Asahi Kasei Emd Corporation | Infrared sensor |
JP2010153915A (ja) * | 2006-05-30 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011095143A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 赤外線センサ |