JPS6351340B2 - - Google Patents
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- JPS6351340B2 JPS6351340B2 JP6116981A JP6116981A JPS6351340B2 JP S6351340 B2 JPS6351340 B2 JP S6351340B2 JP 6116981 A JP6116981 A JP 6116981A JP 6116981 A JP6116981 A JP 6116981A JP S6351340 B2 JPS6351340 B2 JP S6351340B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
- H01J9/26—Sealing together parts of vessels
- H01J9/263—Sealing together parts of vessels specially adapted for cathode-ray tubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、陰極線管の製造方法、特に、パネル
とフアンネルとをシール用フリツトガラスを用い
て封着する工程の改良に関するものである。
とフアンネルとをシール用フリツトガラスを用い
て封着する工程の改良に関するものである。
陰極線管、例えばカラー受像管は、一般に次の
ような方法で製造する。即ち、第1図を用いて説
明すれば、先ず、フエースプレートパネル1の内
面にシヤドウマスク2を介して写真感光法により
けい光体層3を形成し、その上に樹脂層4および
Al蒸着膜5を有するけい光膜6を形成する(同
図イ)。次に、このパネル1を加熱炉に入れてベ
ーキングし、けい光膜6の中の樹脂層4その他の
有機物を分解揮散させて除去する(同図ロ)。こ
れをパネルベーキングと称する。次いで、パネル
1とフアンネル7とを接着するため、フアンネル
7の接合面7aにシール用フリツトガラスペース
ト8を塗布乾燥し、この塗布面を介してパネル1
とフアンネル7とを組合せ、加熱炉に入れてベー
キングする。この工程をフリツトベーキングと称
し、この工程で、フリツトガラスの融着によりパ
ネル1とフアンネル7とを接着し、バルブ9を形
成する(同図ハ)。その後、フアンネル7のネツ
ク部に電子銃10を封着し、バルブ9の内部を排
気して完成する(同図ニ)。
ような方法で製造する。即ち、第1図を用いて説
明すれば、先ず、フエースプレートパネル1の内
面にシヤドウマスク2を介して写真感光法により
けい光体層3を形成し、その上に樹脂層4および
Al蒸着膜5を有するけい光膜6を形成する(同
図イ)。次に、このパネル1を加熱炉に入れてベ
ーキングし、けい光膜6の中の樹脂層4その他の
有機物を分解揮散させて除去する(同図ロ)。こ
れをパネルベーキングと称する。次いで、パネル
1とフアンネル7とを接着するため、フアンネル
7の接合面7aにシール用フリツトガラスペース
ト8を塗布乾燥し、この塗布面を介してパネル1
とフアンネル7とを組合せ、加熱炉に入れてベー
キングする。この工程をフリツトベーキングと称
し、この工程で、フリツトガラスの融着によりパ
ネル1とフアンネル7とを接着し、バルブ9を形
成する(同図ハ)。その後、フアンネル7のネツ
ク部に電子銃10を封着し、バルブ9の内部を排
気して完成する(同図ニ)。
上述した工程中、パネルベーキングとフリツト
ベーキングにおいては、第2図a,bに示すよう
に、それぞれ410℃で30分、430℃で1時間程度の
加熱を要する。しかしながら、パネル1およびフ
アンネル7は、いずれもガラスによつて構成され
ていることから、熱衝撃による損傷を防ぐため
に、急激な加温、降温を避ける必要がある。この
ため、全炉内時間は、第2図に示すようにそれぞ
れ3〜5時間必要となる。
ベーキングにおいては、第2図a,bに示すよう
に、それぞれ410℃で30分、430℃で1時間程度の
加熱を要する。しかしながら、パネル1およびフ
アンネル7は、いずれもガラスによつて構成され
ていることから、熱衝撃による損傷を防ぐため
に、急激な加温、降温を避ける必要がある。この
ため、全炉内時間は、第2図に示すようにそれぞ
れ3〜5時間必要となる。
そこで省エネルギ、工程短縮を目的として、上
記2つのベーキング工程を1つに合理化すること
が提案されているが、その場合、次のような不都
合を生じる。
記2つのベーキング工程を1つに合理化すること
が提案されているが、その場合、次のような不都
合を生じる。
即ち、カラー受像管は、20〜30KVの高電圧を
使用し、かつバルブ内を高真空度に保つ必要か
ら、高い耐電圧特性および接着強度を要するた
め、パネルとフアンネルとの融着にはシール用フ
リツトガラス粉末を使用している。このシール用
フリツトガラスの主成分は酸化鉛(pb0)であ
り、これにニトロセルロース等のバインダを酢酸
イソアミル、酢酸ブチル等の溶剤に溶かした溶液
を混合してペースト状にする。このため、上述し
たように工程を合理化し、パネル内面にけい光膜
を形成した後、パネルベーキングを省略してフア
ンネルと組合せてベーキングを行なうと、パネル
内面の有機物の分解に酸素が消費される結果、バ
ルブ内の酸素が減少する。このため、フリツトガ
ラス中のPb0が容易に還元されて金属鉛を析出
し、融着したフリツトガラスの電導度が上昇する
(耐電圧が低下する)と共に、溶融フリツトガラ
スの流動性が低下するために接合部の形状が悪く
なり、接着強度が低下する。また、バインダとし
て使用したニトロセルロースが、通常180℃前後
で分解するのに対し、低酸素濃度雰囲気中ではこ
の分解温度が、フリツトガラスの溶融する400℃
程度に上昇するため、分解ガスがフリツトガラス
中に泡状に残り、ガラスの破壊強度が低下する。
更に、接合面にけい光膜形成に使用する樹脂や製
造工程で混入した繊維等が付着していると、上述
したと同様の理由で破壊強度および耐電圧が低下
する。
使用し、かつバルブ内を高真空度に保つ必要か
ら、高い耐電圧特性および接着強度を要するた
め、パネルとフアンネルとの融着にはシール用フ
リツトガラス粉末を使用している。このシール用
フリツトガラスの主成分は酸化鉛(pb0)であ
り、これにニトロセルロース等のバインダを酢酸
イソアミル、酢酸ブチル等の溶剤に溶かした溶液
を混合してペースト状にする。このため、上述し
たように工程を合理化し、パネル内面にけい光膜
を形成した後、パネルベーキングを省略してフア
ンネルと組合せてベーキングを行なうと、パネル
内面の有機物の分解に酸素が消費される結果、バ
ルブ内の酸素が減少する。このため、フリツトガ
ラス中のPb0が容易に還元されて金属鉛を析出
し、融着したフリツトガラスの電導度が上昇する
(耐電圧が低下する)と共に、溶融フリツトガラ
スの流動性が低下するために接合部の形状が悪く
なり、接着強度が低下する。また、バインダとし
て使用したニトロセルロースが、通常180℃前後
で分解するのに対し、低酸素濃度雰囲気中ではこ
の分解温度が、フリツトガラスの溶融する400℃
程度に上昇するため、分解ガスがフリツトガラス
中に泡状に残り、ガラスの破壊強度が低下する。
更に、接合面にけい光膜形成に使用する樹脂や製
造工程で混入した繊維等が付着していると、上述
したと同様の理由で破壊強度および耐電圧が低下
する。
これらの対策としてシール用フリツトガラス中
にBaO2、Pb3O4等の過酸化物を添加することが
提案されているが、これらの過酸化物は400℃以
上で酸素を放出するため、低酸素雰囲気中でのニ
トロセルロースの分解による泡の解消には効果が
ない。
にBaO2、Pb3O4等の過酸化物を添加することが
提案されているが、これらの過酸化物は400℃以
上で酸素を放出するため、低酸素雰囲気中でのニ
トロセルロースの分解による泡の解消には効果が
ない。
本発明は以上のような状況に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、パネルベーキングを省略
してパネルとフアンネルとを接着する場合に、酸
素濃度の低下に伴つて生じるPb0の還元による耐
電圧および接着強度の低下の不都合を解消すると
共に、フリツトガラス中の気泡発生に伴う破壊強
度の低下を防止することにある。
のであり、その目的は、パネルベーキングを省略
してパネルとフアンネルとを接着する場合に、酸
素濃度の低下に伴つて生じるPb0の還元による耐
電圧および接着強度の低下の不都合を解消すると
共に、フリツトガラス中の気泡発生に伴う破壊強
度の低下を防止することにある。
このような目的を達成するために、本発明によ
る陰極線管の製造方法は、フリツトガラスペース
ト中に100〜380℃で分解して酸素を放出する酸素
放出物質を添加するものである。
る陰極線管の製造方法は、フリツトガラスペース
ト中に100〜380℃で分解して酸素を放出する酸素
放出物質を添加するものである。
即ち、フリツトガラス中に酸素放出物質を添加
することによつてフリツトベーキング中における
バルブ内の酸素濃度を補い、これによりPb0の還
元を防止すると共に、フリツトガラス中のニトロ
セルロースをフリツトガラスの軟化点(380℃)
以下で分解除去し、フリツトガラス中に気泡が残
ることを防ぐものである。
することによつてフリツトベーキング中における
バルブ内の酸素濃度を補い、これによりPb0の還
元を防止すると共に、フリツトガラス中のニトロ
セルロースをフリツトガラスの軟化点(380℃)
以下で分解除去し、フリツトガラス中に気泡が残
ることを防ぐものである。
以下、実施例を用いて本発明による陰極線管の
製造方法を詳細に説明する。
製造方法を詳細に説明する。
先ず、以下の組成の溶液を調合した。
溶液1 酢酸イソアミル 99g
ニトロセルロース 1g
溶液2 酢酸ブチル 99g
ニトロセルロース 1g
上記溶液1および2のそれぞれに対し、六硝酸
マンニツト(分解温度205℃)を0.5g溶解し、こ
れをシール用フリツトガラス粉130gに対して10
c.c.の割合で混合してペーストを作つた。このペー
ストを、それぞれフアンネルのシール面に塗布し
た後乾燥し、けい光膜を形成したパネルと組合せ
てフリツトベーキングを行なつた。フリツトベー
キング後、フリツトの外観はいずれも白灰色に変
色していたが、切断面に気泡の発生は認められ
ず、破壊強度もパネルベーキングを別個に行なつ
たものと同等であつた。また、耐電圧についても
差は認められなかつた。
マンニツト(分解温度205℃)を0.5g溶解し、こ
れをシール用フリツトガラス粉130gに対して10
c.c.の割合で混合してペーストを作つた。このペー
ストを、それぞれフアンネルのシール面に塗布し
た後乾燥し、けい光膜を形成したパネルと組合せ
てフリツトベーキングを行なつた。フリツトベー
キング後、フリツトの外観はいずれも白灰色に変
色していたが、切断面に気泡の発生は認められ
ず、破壊強度もパネルベーキングを別個に行なつ
たものと同等であつた。また、耐電圧についても
差は認められなかつた。
これに対し、上記溶液に硝酸マンニツトを加え
ずにフリツトガラス粉と混合して作つたペースト
を用いたものにおいては、フリツトベーキング
後、フリツトの外観色は黒く変色し、その切断面
には微小な泡が無数に発生し、破壊強度は約220
Kg/cm2で、パネルベーキングを行なつた場合の約
1/2であつた。
ずにフリツトガラス粉と混合して作つたペースト
を用いたものにおいては、フリツトベーキング
後、フリツトの外観色は黒く変色し、その切断面
には微小な泡が無数に発生し、破壊強度は約220
Kg/cm2で、パネルベーキングを行なつた場合の約
1/2であつた。
上述した六硝酸マンニツトの他にも、ニトロベ
ンジンアルコール(分解温度270℃)、ニトロフエ
ニルプロピルアルコール(同181℃)、ニトロアニ
ル(同170℃)等のニトロ化合物を前記溶液1ま
たは2に添加しても同様の効果が得られた。ま
た、過酸化トリフエニルメチル(分解温度185
℃)、クメンハイドロパーオキサイド(同165℃)
等の有機過酸化物で分子量500以下のものを使用
しても良好な結果が得られた。これらの添加量
は、バルブ内の酸素濃度の低下程度およびフリツ
トガラス中のニトロセルロース量によつて異なる
が、通常溶液に対して0.1〜5.0%程度が有効であ
つた。
ンジンアルコール(分解温度270℃)、ニトロフエ
ニルプロピルアルコール(同181℃)、ニトロアニ
ル(同170℃)等のニトロ化合物を前記溶液1ま
たは2に添加しても同様の効果が得られた。ま
た、過酸化トリフエニルメチル(分解温度185
℃)、クメンハイドロパーオキサイド(同165℃)
等の有機過酸化物で分子量500以下のものを使用
しても良好な結果が得られた。これらの添加量
は、バルブ内の酸素濃度の低下程度およびフリツ
トガラス中のニトロセルロース量によつて異なる
が、通常溶液に対して0.1〜5.0%程度が有効であ
つた。
また、硝酸アンモニウム(分解温度220℃)の
場合、前記溶剤1、2には不溶性であるため、他
の溶剤を使用する必要があるが、溶剤に溶かす代
りに該硝酸アンモニウムを微粉末にし、フリツト
ガラスに0.1%程度混合する方法によつても、ほ
ぼ同様の効果を得ることができた。
場合、前記溶剤1、2には不溶性であるため、他
の溶剤を使用する必要があるが、溶剤に溶かす代
りに該硝酸アンモニウムを微粉末にし、フリツト
ガラスに0.1%程度混合する方法によつても、ほ
ぼ同様の効果を得ることができた。
以上説明したように、本発明による陰極線管の
製造方法によれば、フリツトガラスペーストに
100〜380℃で分解して酸素を放出する酸素放出物
質を添加することにより、酸素濃度の不足によつ
てニトロセルロースの分解温度が上昇するのを防
ぐことができ、フリツトガラスに気泡が発生する
ことを防止できると共にPb0の還元を抑制するこ
とができる。このため、接合部の耐電圧および破
壊強度の低下を防ぐことが可能となる。特に、酸
素放出物質として有機過酸化物やニトロ化合物を
用いた場合、これらの化合物は分解後に酸渣を残
さないため、フリツトガラスの特性に他の悪影響
を及ぼすことがない。この結果、フアンネル部と
組合せる前に行なうパネルベーキングを省略する
ことが可能となり、省エネルギ、工程短縮等の合
理化が実現できるという優れた効果を有する。
製造方法によれば、フリツトガラスペーストに
100〜380℃で分解して酸素を放出する酸素放出物
質を添加することにより、酸素濃度の不足によつ
てニトロセルロースの分解温度が上昇するのを防
ぐことができ、フリツトガラスに気泡が発生する
ことを防止できると共にPb0の還元を抑制するこ
とができる。このため、接合部の耐電圧および破
壊強度の低下を防ぐことが可能となる。特に、酸
素放出物質として有機過酸化物やニトロ化合物を
用いた場合、これらの化合物は分解後に酸渣を残
さないため、フリツトガラスの特性に他の悪影響
を及ぼすことがない。この結果、フアンネル部と
組合せる前に行なうパネルベーキングを省略する
ことが可能となり、省エネルギ、工程短縮等の合
理化が実現できるという優れた効果を有する。
第1図は陰極線管の製造方法の各工程中におけ
るパネルおよびフアンネルを示す断面図、第2図
aおよびbはそれぞれ従来の陰極線管の製造方法
におけるパネルベーキングおよびフリツトベーキ
ングの温度スケジユール図である。 1……パネル、6……けい光膜、7……フアン
ネル、8……フリツトガラスペースト。
るパネルおよびフアンネルを示す断面図、第2図
aおよびbはそれぞれ従来の陰極線管の製造方法
におけるパネルベーキングおよびフリツトベーキ
ングの温度スケジユール図である。 1……パネル、6……けい光膜、7……フアン
ネル、8……フリツトガラスペースト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 パネル内面にけい光膜を形成した後、シール
用フリツトガラスを介してフアンネルと組合せて
ベーキングすることにより当該パネルとフアンネ
ルとを接合する陰極線管の製造方法において、有
機溶剤にバインダを溶解させた溶液に前記フリツ
トガラスを混合したフリツトガラスペーストを前
記フアンネルまたはパネルの接合面に塗布するに
際し、該フリツトガラスペーストに100〜380℃で
分解して酸素を放出する酸素放出物質を添加する
ことを特徴とする陰極線管の製造方法。 2 酸素放出物質は、有機過酸化物であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の陰極線管
の製造方法。 3 酸素放出物質は、ニトロ化合物であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の陰極線管
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6116981A JPS57176640A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Manufacture of cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6116981A JPS57176640A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Manufacture of cathode-ray tube |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57176640A JPS57176640A (en) | 1982-10-30 |
JPS6351340B2 true JPS6351340B2 (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13163367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6116981A Granted JPS57176640A (en) | 1981-04-24 | 1981-04-24 | Manufacture of cathode-ray tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS57176640A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05333645A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Mita Ind Co Ltd | 画像形成装置 |
-
1981
- 1981-04-24 JP JP6116981A patent/JPS57176640A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05333645A (ja) * | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Mita Ind Co Ltd | 画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57176640A (en) | 1982-10-30 |
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