JPS6350710A - 光測定装置 - Google Patents
光測定装置Info
- Publication number
- JPS6350710A JPS6350710A JP19390686A JP19390686A JPS6350710A JP S6350710 A JPS6350710 A JP S6350710A JP 19390686 A JP19390686 A JP 19390686A JP 19390686 A JP19390686 A JP 19390686A JP S6350710 A JPS6350710 A JP S6350710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitter
- inspected
- emitter
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、所定のビームを被検査物に照射して、この被
検査物表面の凹凸を測定する光測定装置に関するもので
ある。
検査物表面の凹凸を測定する光測定装置に関するもので
ある。
「従来の技術」
従来、所定の被検査物の表面の凹凸を測定する手段とし
ては、接触型のものと非接触型のものとがあり、前者に
ついては測定精度の点、応答性の点等に於いて種々の不
満の残るものであったため。
ては、接触型のものと非接触型のものとがあり、前者に
ついては測定精度の点、応答性の点等に於いて種々の不
満の残るものであったため。
光の反射を利用した後者の非接触型の測定器が広く採用
されるようになっている。
されるようになっている。
即ちこの非接触型の測定器は、レーザー・ダイオード等
の所定のビームを斜めから被検査物に照射し、この被検
査物の表面を反射した上記ビームを例えばシリコン・フ
ォト・ダイオードを応用した受光体たるセンサーで受け
る構成であり、被検査物の表面の凹凸によってビームの
反射角度が異なり、光路長が異なることになるため、セ
ンサーへの照射位置がずれることになり、このずれから
演算して被検査物表面の凹凸状況及びその数値を読み取
るのである。
の所定のビームを斜めから被検査物に照射し、この被検
査物の表面を反射した上記ビームを例えばシリコン・フ
ォト・ダイオードを応用した受光体たるセンサーで受け
る構成であり、被検査物の表面の凹凸によってビームの
反射角度が異なり、光路長が異なることになるため、セ
ンサーへの照射位置がずれることになり、このずれから
演算して被検査物表面の凹凸状況及びその数値を読み取
るのである。
この場合の演算は、例えば第3図に示すように、受光体
2の一部として接続されたアナログ割算器4を用いて行
っている。即ち、反射及び散乱ビームがスポット状に照
射する位置を、受光体2全体に於いて占める何れの位置
であるか判断して、被検査物表面の凹凸状況を測定し、
その数値を読み取ろうとするものである。
2の一部として接続されたアナログ割算器4を用いて行
っている。即ち、反射及び散乱ビームがスポット状に照
射する位置を、受光体2全体に於いて占める何れの位置
であるか判断して、被検査物表面の凹凸状況を測定し、
その数値を読み取ろうとするものである。
つまり、受光体2にあって、反射及び散乱ビームがスポ
ット状に入射した部分には、光エネルギーに比例した電
荷が発生し、この電荷は光電流として抵抗層を通過して
両端の電極より出力され、光電流は電極までの距離(抵
抗値)に逆比例して分割され、取り出されるのである。
ット状に入射した部分には、光エネルギーに比例した電
荷が発生し、この電荷は光電流として抵抗層を通過して
両端の電極より出力され、光電流は電極までの距離(抵
抗値)に逆比例して分割され、取り出されるのである。
即ち、夫々の電極からの信号量をA、Bとすると、受光
体2に接続された加算器5の信号はA十B、また、受光
体2に接続された減算器6の信号はA−Bとなり、アナ
ログ割算器4を通過して出力される距離信号Sは、A−
Bとなり、これが入A+B 射スポット位置を示すことになる。
体2に接続された加算器5の信号はA十B、また、受光
体2に接続された減算器6の信号はA−Bとなり、アナ
ログ割算器4を通過して出力される距離信号Sは、A−
Bとなり、これが入A+B 射スポット位置を示すことになる。
「発明が解決しようとする問題点」
処で、上記演算は光エネルギーを応用するものであるか
ら、反射及び散乱ビームには成る程度の光量を必要とす
る。
ら、反射及び散乱ビームには成る程度の光量を必要とす
る。
処が、受光体2に接続されて距離を演算するために使用
される従来のアナログ割算器4は、条件が一定でないと
充分な機能を果さず1例えば光量が極端に少なくなると
精度が落ちるといった問題点があった。即ち、受光体2
の同一位置に反射及び散乱ビームがスポット状に入射し
たとしても、その入射光量の多寡によって誤差が生じて
しまい。
される従来のアナログ割算器4は、条件が一定でないと
充分な機能を果さず1例えば光量が極端に少なくなると
精度が落ちるといった問題点があった。即ち、受光体2
の同一位置に反射及び散乱ビームがスポット状に入射し
たとしても、その入射光量の多寡によって誤差が生じて
しまい。
再現性が極めて悪くなる欠点があったのである。
また、入射光の一部は受光体2から反射して迷光となり
、一般には誤差の原因ともなる。
、一般には誤差の原因ともなる。
この入射光量の多寡は、発光体1の発射光量が均一であ
ったとしても、例えば、被検査物の物性に伴う反射量や
散乱係数が異なれば発生するじ、或いは、測定時に凹凸
による光路長の変動によっても生じ得るものである。
ったとしても、例えば、被検査物の物性に伴う反射量や
散乱係数が異なれば発生するじ、或いは、測定時に凹凸
による光路長の変動によっても生じ得るものである。
本発明は、上述した従来の欠点、不都合を解消し、要望
に応えるべ〈発明された光測定器であって、受光体が受
ける入射光量の多寡を直ちに把握し、その多寡を電気信
号に変換して発光体の発光量を制御し、もって常に一定
の基準光量を受光体に反射させることができるようにし
て、正確な測定が達成できるようにすることを目的とす
る。
に応えるべ〈発明された光測定器であって、受光体が受
ける入射光量の多寡を直ちに把握し、その多寡を電気信
号に変換して発光体の発光量を制御し、もって常に一定
の基準光量を受光体に反射させることができるようにし
て、正確な測定が達成できるようにすることを目的とす
る。
r問題点を解決するための手段及び作用」以下本発明の
構成を、本発明の実施例を示す図面に従って説明する。
構成を、本発明の実施例を示す図面に従って説明する。
本発明は、所定のビームを被検査物Aに照射して、この
被検査物Aの表面の凹凸を測定する光測定装置であって
、発光体1と受光体2とオペレーショナル・アンプ3と
から構成される。
被検査物Aの表面の凹凸を測定する光測定装置であって
、発光体1と受光体2とオペレーショナル・アンプ3と
から構成される。
発光体1は、前記した被検査物Aの表面に測定光B工を
照射するものであり、受光体2は、被検査物Aからの測
定光B1を反射光及び散乱光B2として受光して、この
反射光及び散乱光B2の入射位置に応じて両端の電極か
ら光電流を発生させるものであり、更にオペレーショナ
ル・アンプ3は、この受光体2が受けた反射光及び散乱
光B2の受光量に対応した電気信号をこの受光体2から
受けて、増幅信号を発光体1に送ることにより、この発
光体1の発光量を制御するものである。
照射するものであり、受光体2は、被検査物Aからの測
定光B1を反射光及び散乱光B2として受光して、この
反射光及び散乱光B2の入射位置に応じて両端の電極か
ら光電流を発生させるものであり、更にオペレーショナ
ル・アンプ3は、この受光体2が受けた反射光及び散乱
光B2の受光量に対応した電気信号をこの受光体2から
受けて、増幅信号を発光体1に送ることにより、この発
光体1の発光量を制御するものである。
即ち、発光体1と受光体2とオペレーショナル・アンプ
3とは相互にこの順に閉ループ関係にあって、受光体2
の受光量が、数値としてオペレーショナル・アンプ3を
介して発光体1にフィードバックするように構成されて
いるのである。
3とは相互にこの順に閉ループ関係にあって、受光体2
の受光量が、数値としてオペレーショナル・アンプ3を
介して発光体1にフィードバックするように構成されて
いるのである。
従って、例えば受光体2に照射された反射光及び散乱光
8□の光量が少ないと、それに対応した電気信号がオペ
レーショナル・アンプ3に送られ、増幅信号を発光体1
に送ることにより、この発光体1の発光量を多くするこ
とができる。
8□の光量が少ないと、それに対応した電気信号がオペ
レーショナル・アンプ3に送られ、増幅信号を発光体1
に送ることにより、この発光体1の発光量を多くするこ
とができる。
オペレーショナル・アンプ3による発光体1の発光量の
増幅制御は、受光体2に照射される反射光及び散乱光B
2の光量が常に所定の一定量となるようにするものであ
り、被検査物Aの物性に基づく反射率、或いはその表面
の凹凸状況等に応じて受光体2から送られた電気信号を
判読し、その数値に対応して発光体1の発光量を制御す
る。
増幅制御は、受光体2に照射される反射光及び散乱光B
2の光量が常に所定の一定量となるようにするものであ
り、被検査物Aの物性に基づく反射率、或いはその表面
の凹凸状況等に応じて受光体2から送られた電気信号を
判読し、その数値に対応して発光体1の発光量を制御す
る。
この制御は高速で行われ、極めて応答の早いものである
ので、円滑な測定が確実且つ正確に達成される。
ので、円滑な測定が確実且つ正確に達成される。
「実施例」
発光体1は、レーザー・ダイオード等が使用され、また
受光体2としては、一般にポジション・センシティブ・
ディテクターと称されるシリコン・フォト・ダイオード
が使用され、指向性が高く、ビーム直径ができる限り小
さい非可視光によって、精度の高い測定が行なわれる。
受光体2としては、一般にポジション・センシティブ・
ディテクターと称されるシリコン・フォト・ダイオード
が使用され、指向性が高く、ビーム直径ができる限り小
さい非可視光によって、精度の高い測定が行なわれる。
第2図の実施例にあって、受光体2には加算器5と減算
器6とが接続されており、更に加算器5にはオペレーシ
ョナル・アンプ3を介して発光体1に接続されることに
なる。
器6とが接続されており、更に加算器5にはオペレーシ
ョナル・アンプ3を介して発光体1に接続されることに
なる。
従って、受光体2の夫々の電極からの信号量をA、Bと
した場合、加算器5の信号はA+Bとして受光体2に入
る全光量を示してオペレーショナル・アンプ3に送られ
、また、減算器6の信号はA−Bとして受光体2の両端
の電極からの電気信号の差を示すものであって、距離信
号Sとなる。
した場合、加算器5の信号はA+Bとして受光体2に入
る全光量を示してオペレーショナル・アンプ3に送られ
、また、減算器6の信号はA−Bとして受光体2の両端
の電極からの電気信号の差を示すものであって、距離信
号Sとなる。
つまり、発光体1と受光体2と加算器5とオペレーショ
ナル・アンプ3とで先の閉ループを構成し、受光体2の
受光量がフィードバックする。
ナル・アンプ3とで先の閉ループを構成し、受光体2の
受光量がフィードバックする。
そして、この場合の加算器5からの信号はA+−B
Bで一定であるので、A+Bをアナログ割算器4を使用
して計算する必要がなく、減算器6の信号が正確に受光
体2の入射スポットを示し、そ汎故に従来の如き誤差が
生ずる虞れはないのである。
して計算する必要がなく、減算器6の信号が正確に受光
体2の入射スポットを示し、そ汎故に従来の如き誤差が
生ずる虞れはないのである。
即ち、受光体2の一部として接続されている減算器6が
、受光体2に入射するスポットの位置を精度良く検出す
る。
、受光体2に入射するスポットの位置を精度良く検出す
る。
「効果」
以上説明したように5本発明の光測定器によれば、受光
体に測定光の反射及び散乱ビームがスポット状に入射し
た場合、その入射光量の多寡によって発光体の出射光量
の制御が迅速且つ正確に達成でき、受光光量条件を常に
一定にさせることができるので、高精度な再現性機能を
果させることができ、被検査物の物性に伴う反射量の相
違、或いは測定時の被検査物の凹凸による光路長の変動
等によって左右されることなく、保証された精度を維持
しながら所期の測定を正確に行うことが可能となり構成
が簡単であって、廉価に製作できる等、多くの優れた作
用効果を奏するものである。
体に測定光の反射及び散乱ビームがスポット状に入射し
た場合、その入射光量の多寡によって発光体の出射光量
の制御が迅速且つ正確に達成でき、受光光量条件を常に
一定にさせることができるので、高精度な再現性機能を
果させることができ、被検査物の物性に伴う反射量の相
違、或いは測定時の被検査物の凹凸による光路長の変動
等によって左右されることなく、保証された精度を維持
しながら所期の測定を正確に行うことが可能となり構成
が簡単であって、廉価に製作できる等、多くの優れた作
用効果を奏するものである。
@1図は、本発明の構成を示す光路図である。
第2図は、本発明の回路図である。
第3図は、従来例の回路図である。
出願人 株式会社 コブティック
日本オプテル株式会社
Claims (1)
- 所定のビームを被検査物に照射して、該被検査物表面の
凹凸を測定する光測定装置であって、前記被検査物の表
面に測定光を照射する発光体と、前記被検査物からの測
定光を反射光及び散乱光として受光して、該反射光及び
散乱光を電気信号に変換する受光体と、該受光体が受け
た前記反射光及び散乱光の受光量に対応した電気信号を
前記受光体から受け、増幅信号を前記発光体に送って該
発光体の発光量を制御するオペレーショナル・アンプと
から成る光測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19390686A JPS6350710A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 光測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19390686A JPS6350710A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 光測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6350710A true JPS6350710A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16315705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19390686A Pending JPS6350710A (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 光測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6350710A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02176411A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-09 | Fujitsu Ltd | 表面うねり検査装置及びその光量補正方法 |
US7579170B2 (en) | 2000-04-12 | 2009-08-25 | Laboratoire Francais Du Fractionnement Et Des Biotechnologies | Method for preparing monoclonal antibodies capable of activating effector cells expressing FCγRIII |
-
1986
- 1986-08-21 JP JP19390686A patent/JPS6350710A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02176411A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-09 | Fujitsu Ltd | 表面うねり検査装置及びその光量補正方法 |
US7579170B2 (en) | 2000-04-12 | 2009-08-25 | Laboratoire Francais Du Fractionnement Et Des Biotechnologies | Method for preparing monoclonal antibodies capable of activating effector cells expressing FCγRIII |
EP2341078A2 (fr) | 2000-04-12 | 2011-07-06 | LFB Biotechnologies | Anticorps monoclonaux anti-rhesus D |
US8124078B2 (en) | 2000-04-12 | 2012-02-28 | Lfb Biotechnologies | Method for treating idiopathic thrombocytopenic purpura using monoclonal antibodies |
US8153124B2 (en) | 2000-04-12 | 2012-04-10 | Lfb Biotechnologies | Method for treating cancer using monoclonal antibodies |
US8178093B2 (en) | 2000-04-12 | 2012-05-15 | Lfb Biotechnologies | Method for treating infectious disease using monoclonal antibodies |
US8357370B2 (en) | 2000-04-12 | 2013-01-22 | Lfb Biotechnologies | Anti-D monoclonal antibodies |
US8409572B2 (en) | 2000-04-12 | 2013-04-02 | Laboratoire Francais Du Fractionnement Et Des Biotechnologies | Monoclonal antibodies with enhanced ADCC function |
US8685725B2 (en) | 2000-04-12 | 2014-04-01 | Labortoire Francais du Fractionnement et des Biotechnologies | Monoclonal antibodies with enhanced ADCC function |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4218144A (en) | Measuring instruments | |
US6697206B2 (en) | Tape edge monitoring | |
US4040740A (en) | Opto-electronic sensor | |
EP0119353B1 (en) | Apparatus and method for determining the consistency of a suspension | |
US4767934A (en) | Active ranging system | |
JPH0726806B2 (ja) | 距離測定装置 | |
US4011459A (en) | Method and apparatus for determining valid sample volume | |
US4812043A (en) | Method for measuring a physical quantity providing digital data using analog-value measuring devices, and measuring apparatus for applying this method | |
GB2147697A (en) | Level measurement method and apparatus | |
JPS6350710A (ja) | 光測定装置 | |
CA2399642C (en) | Electromagnetic detection apparatus | |
US4838692A (en) | Temperature-compensated apparatus and method for determining pulp stock consistency | |
US4827120A (en) | Radiation sensor whereby radiation is diffused through the material | |
JPH02184706A (ja) | 寸法測定装置 | |
JPH02114146A (ja) | 構造部品や試験片における亀裂長さやひずみを測定する方法とその装置 | |
JPS5948324B2 (ja) | 光反射による傾角検出あらさ測定方法 | |
JP2743038B2 (ja) | レーザー光による水中測距装置 | |
FR2753533A1 (fr) | Procede et dispositif de caracterisation d'une modification au cours du temps de l'etat de condensation de gouttelettes sur une cible | |
JPH0219753A (ja) | 放射線応用測定装置 | |
JPH02206430A (ja) | 血流計 | |
JPS589373B2 (ja) | 光電エ−ロゾル分析器の目盛特性の測定および較正装置 | |
JPS5752807A (en) | Device for measuring film thickness | |
JPH03113308A (ja) | パスライン位置の測定方法及びその装置 | |
JPH11339158A (ja) | 煙センサの煙感度調整装置 | |
JPH063135A (ja) | 反射光強度補正方法 |