JPS6350476A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS6350476A JPS6350476A JP19422986A JP19422986A JPS6350476A JP S6350476 A JPS6350476 A JP S6350476A JP 19422986 A JP19422986 A JP 19422986A JP 19422986 A JP19422986 A JP 19422986A JP S6350476 A JPS6350476 A JP S6350476A
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- Japan
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- light
- film
- light source
- partition
- reaction chamber
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置に関す
るものである。
るものである。
第3図は従来装置の構成を示す模式図である。
この装置は、たとえば特開昭60−167317号公報
に記載されている。第3図において、1は反応性気体を
光化学反応により分離する光源、2は反応室3と光源1
とを分離する仕切ガラス板、4はくもり防止用の保護膜
である。保護膜4は、仕切ガラス板2に反応性気体の分
解生成物が付着して光源2からの光をしゃ断することの
ないように、仕切ガラス板2の表面を走行するもので、
それ自身は光を透過する。5は保護膜4を駆動する駆動
機構、6.7はそれぞれ反応性気体の供給あるいは排気
を行なうガスヘッダ、8は基板、9は基板8を光源1に
対向して保持する基板保持材、10は基板8を成膜温度
に加熱するヒータ、11は各構成1〜10を内蔵する真
空容器、12は真空容器11に設けられた基板8の人出
口のための開閉板、13は真空排気路に設けた弁、14
は真空ポンプ、15は真空容器11内を真空から大気圧
にするり−ク弁である。
に記載されている。第3図において、1は反応性気体を
光化学反応により分離する光源、2は反応室3と光源1
とを分離する仕切ガラス板、4はくもり防止用の保護膜
である。保護膜4は、仕切ガラス板2に反応性気体の分
解生成物が付着して光源2からの光をしゃ断することの
ないように、仕切ガラス板2の表面を走行するもので、
それ自身は光を透過する。5は保護膜4を駆動する駆動
機構、6.7はそれぞれ反応性気体の供給あるいは排気
を行なうガスヘッダ、8は基板、9は基板8を光源1に
対向して保持する基板保持材、10は基板8を成膜温度
に加熱するヒータ、11は各構成1〜10を内蔵する真
空容器、12は真空容器11に設けられた基板8の人出
口のための開閉板、13は真空排気路に設けた弁、14
は真空ポンプ、15は真空容器11内を真空から大気圧
にするり−ク弁である。
次に第3図の装置の動作について説明する。まず、開閉
板12を開いて基板8を保持材9上に載せてから開閉板
12を閉じる0次にリーク弁15を閉じて弁13を開き
、真空ポンプ14により真空容器11内を成膜圧力(例
えばI Torr)に真空排気する。その後、ヒータ1
0により基板8を成膜温度(例えば280℃)に加熱す
るとともに、光源1を点灯して反応性気体(例えばSi
gHiとNH。
板12を開いて基板8を保持材9上に載せてから開閉板
12を閉じる0次にリーク弁15を閉じて弁13を開き
、真空ポンプ14により真空容器11内を成膜圧力(例
えばI Torr)に真空排気する。その後、ヒータ1
0により基板8を成膜温度(例えば280℃)に加熱す
るとともに、光源1を点灯して反応性気体(例えばSi
gHiとNH。
の混合ガス)をガスヘッダ6から供給し、そしてこの気
体が反応室3に流れてガスヘッダ7より排気される。そ
の結果、基板8の光源1に対応する面に薄膜(例えばシ
リコン窒化膜)が光化学反応により形成される。このと
き、保護膜4の基板8面に到達する光を遮ることになる
ので、保護膜4を矢印Aの方向に走行させて新しい保護
膜を供給し、もって基viS面に到達する光の強度が低
下しないようにする。
体が反応室3に流れてガスヘッダ7より排気される。そ
の結果、基板8の光源1に対応する面に薄膜(例えばシ
リコン窒化膜)が光化学反応により形成される。このと
き、保護膜4の基板8面に到達する光を遮ることになる
ので、保護膜4を矢印Aの方向に走行させて新しい保護
膜を供給し、もって基viS面に到達する光の強度が低
下しないようにする。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の薄膜形成装置は以上のように構成されているので
、仕切ガラス板2と保護膜4を近づけると、両者が吸引
、密着して保護膜4の走行が困難になる。また、成膜時
間の経過と共に反応生成物が保護膜4に付着して光をし
ゃ断することとなり、そのため薄膜の形成性能が低下す
るという問題があった。これに対して保護膜4を仕切ガ
ラス板2に吸引、密着しない程度に離すと、反応生成物
が仕切ガラス板2面にまわりこんで付着する。そのため
前述と同じような問題があった。
、仕切ガラス板2と保護膜4を近づけると、両者が吸引
、密着して保護膜4の走行が困難になる。また、成膜時
間の経過と共に反応生成物が保護膜4に付着して光をし
ゃ断することとなり、そのため薄膜の形成性能が低下す
るという問題があった。これに対して保護膜4を仕切ガ
ラス板2に吸引、密着しない程度に離すと、反応生成物
が仕切ガラス板2面にまわりこんで付着する。そのため
前述と同じような問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、保護膜が仕切ガラス板へ密着す
るために起こる走行不能や、仕切ガラス板面への反応生
成物のまわりこみ付着といった原因による成膜不能を防
止するとともに、長時間安定した成膜を可能にする薄膜
形成装置を得ることにある。
の目的とするところは、保護膜が仕切ガラス板へ密着す
るために起こる走行不能や、仕切ガラス板面への反応生
成物のまわりこみ付着といった原因による成膜不能を防
止するとともに、長時間安定した成膜を可能にする薄膜
形成装置を得ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、反応室にお
ける反応性気体を光化学反応で分解する光源と、反応室
と光源を分離する仕切部と、反応性気体を供給し又排気
するガスヘッダと、基板を保持する基板保持材と、基板
を成膜温度に加熱するヒータと、上記各構成を内蔵する
真空容器とから成る薄膜形成装置において、仕切部を、
光を透過できる網目状の板材と、この網目状の板材の表
面を摺動走行し光を透過し反応室と光源を分離する仕切
フィルムと、この仕切フィルムを走行させる駆動機構と
から構成するようにしたものである。
ける反応性気体を光化学反応で分解する光源と、反応室
と光源を分離する仕切部と、反応性気体を供給し又排気
するガスヘッダと、基板を保持する基板保持材と、基板
を成膜温度に加熱するヒータと、上記各構成を内蔵する
真空容器とから成る薄膜形成装置において、仕切部を、
光を透過できる網目状の板材と、この網目状の板材の表
面を摺動走行し光を透過し反応室と光源を分離する仕切
フィルムと、この仕切フィルムを走行させる駆動機構と
から構成するようにしたものである。
本発明においては、光源よりの光の損失が少なく、また
、保護膜としての仕切フィルムの走行抵抗が小さい。
、保護膜としての仕切フィルムの走行抵抗が小さい。
本発明に係わる薄膜形成装置の一実施例を第1図に示す
。第1図において、16は光源1と反応室3を分離し光
を透過する薄い膜である仕切フィルム、17は第2図に
示すような開口率の大きい(この開口率はエツチング法
で約95%のものが実現できる)形状を有し仕切フィル
ム16が表面を摺動走行するのを保持する網目状の板材
、18は仕切フィルム16を駆動する駆動機構である。
。第1図において、16は光源1と反応室3を分離し光
を透過する薄い膜である仕切フィルム、17は第2図に
示すような開口率の大きい(この開口率はエツチング法
で約95%のものが実現できる)形状を有し仕切フィル
ム16が表面を摺動走行するのを保持する網目状の板材
、18は仕切フィルム16を駆動する駆動機構である。
このように本装置は、光源lと反応室3とを分離し光を
導入する仕切ガラス板2 (第3図参照)をなくし、仕
切ガラス板2のくもり防止をしていた保護膜すなわち仕
切フィルム16に仕切の働きをさせ、仕切フィルム16
を、真空中で走行が容易で光を通しやすいように、網目
状の板材17で保持したものである。
導入する仕切ガラス板2 (第3図参照)をなくし、仕
切ガラス板2のくもり防止をしていた保護膜すなわち仕
切フィルム16に仕切の働きをさせ、仕切フィルム16
を、真空中で走行が容易で光を通しやすいように、網目
状の板材17で保持したものである。
網目状の板材17はその開口率が大きいので、光源1よ
りの光の損失が少なく、効率よく反応性気体を分解でき
る。また、仕切フィルム16と網目状の板材17との接
触面積が小さいので、仕切フィルム16の走行抵抗が小
さくなり、その走行を容易なものとする。さらに本装置
においては、仕切ガラス+ffE 2がな(なるので、
仕切ガラス板2が成膜中にくもり、光を遮るということ
もなくなる。
りの光の損失が少なく、効率よく反応性気体を分解でき
る。また、仕切フィルム16と網目状の板材17との接
触面積が小さいので、仕切フィルム16の走行抵抗が小
さくなり、その走行を容易なものとする。さらに本装置
においては、仕切ガラス+ffE 2がな(なるので、
仕切ガラス板2が成膜中にくもり、光を遮るということ
もなくなる。
なお、本装置において成膜を行なう動作は従来装置にお
ける動作と同様であるので、その説明を省略する。
ける動作と同様であるので、その説明を省略する。
以上説明したように本発明は、網目状の板材で仕切フィ
ルムを保持することにより、仕切フィルムの走行抵抗を
少なくすることができるので、仕切フィルムの滑らかな
走行が可能になり、また、従来必要であった仕切ガラス
板をなくしたので、反応生成物の仕切ガラス板への付着
により基板上に到達する光量が減少するということがな
くなり、長時間の安定した成膜が可能な薄膜形成装置を
得ることができる効果がある。
ルムを保持することにより、仕切フィルムの走行抵抗を
少なくすることができるので、仕切フィルムの滑らかな
走行が可能になり、また、従来必要であった仕切ガラス
板をなくしたので、反応生成物の仕切ガラス板への付着
により基板上に到達する光量が減少するということがな
くなり、長時間の安定した成膜が可能な薄膜形成装置を
得ることができる効果がある。
第1図は本発明に係わる薄膜形成装置の一実施例を示す
模式図、第2図は第1図の装置を構成する網目状の板材
を示す斜視図、第3図は従来の薄膜形成装置を示す模式
図である。 1・・・光源、3・・・反応室、8・・・基板、9・・
・保持材、10・・・ヒータ、11・・・真空容器、1
2・・・開閉板、13・・・弁、14・・・真空ポンプ
、15・・・リーク弁、16・・・仕切フィルム、17
・・・網目状の板材、18・・・駆動機構。
模式図、第2図は第1図の装置を構成する網目状の板材
を示す斜視図、第3図は従来の薄膜形成装置を示す模式
図である。 1・・・光源、3・・・反応室、8・・・基板、9・・
・保持材、10・・・ヒータ、11・・・真空容器、1
2・・・開閉板、13・・・弁、14・・・真空ポンプ
、15・・・リーク弁、16・・・仕切フィルム、17
・・・網目状の板材、18・・・駆動機構。
Claims (1)
- 反応室における反応性気体を光化学反応で分解する光源
と、前記反応室と光源を分離する仕切部と、前記反応性
気体を供給し又排気するガスヘッダと、基板を保持する
基板保持材と、前記基板を成膜温度に加熱するヒータと
、前記各構成を内蔵する真空容器とから成る薄膜形成装
置において、前記仕切部は、光を透過できる網目状の板
材と、この網目状の板材の表面を摺動走行し光を透過し
前記反応室と前記光源を分離する仕切フィルムと、この
仕切フィルムを走行させる駆動機構とから成ることを特
徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19422986A JPS6350476A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19422986A JPS6350476A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6350476A true JPS6350476A (ja) | 1988-03-03 |
Family
ID=16321108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19422986A Pending JPS6350476A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6350476A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06168897A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 光励起化学蒸着式薄膜形成装置 |
WO2001082349A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system and thermal processing method |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19422986A patent/JPS6350476A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06168897A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 光励起化学蒸着式薄膜形成装置 |
WO2001082349A1 (en) * | 2000-04-20 | 2001-11-01 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing system and thermal processing method |
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