JPS63503024A - ウエファの浮遊移送と処理のための改良装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ウェファの浮遊移送と処理のための改 この発明は、ウェファの浮遊移送と処理だめの処理装置に関するものである。

出願人の米国特許第４，４９５，０２４．４，５２１，２６３．４．５６０５９ ０号においては、装置が記載され、そこでは、トンネル通路におけるウェファの 移送と処理が二重浮遊状態で行なわれている。

そのようなインライン装置においては、該通路の多数の処理セクションで処理が 行なわれるので、制限された時間という理由により、これらの処理が同時に行な われるようになっている。

これらの処理の間、該トンネル内の圧力の変動を防ぐことが不可能であるため、 該装置の制御手段は、ウェファの処理位置からウェファが移動しないようにする ための動作が速やかに行なわれない。

この発明による装置は、これらの欠点をなくすもので、ウェファの処理と取扱い 個々のほとんどシールされたモジュールにおいて行ない、これらのモジュールを トンネル通路でインターフェースすることを主たる特徴とする。

この目的のため、これらのモジュールには、円形の分離壁が使用され、該壁は、 該トンネル通路の一部とじてツブを構成するカバーが設けられている。

さらに、該キャップの好ましくは円形の底部エツジが下位トンネルブロックの好 ましくは円形のリムに対応する。

これらのモジュールには、該キャップを該トンネルブロックリムへ移動し、また 該ブロックから移動させる手段が含まれる。

該キャップの最下位置におけるモジュールの大部分では、その下端が該トンネル ブロック・リムからごくわずか除かれ、両者の機械的接触を防いでいる。この位 置は、処理の間処理チャンバの充分なシーリングオフを与える。

各モジュールでは、下位トンネルブロックは、リムの内側に凹部が設けられ、円 形の放出通路を構成し、キャップが開放位置のとき、ガス状媒体が加圧された隣 接のトンネル通路からキャップとリムの間のギャップを介して放出通路へ、前記 ギャップにおいて発生した微小粒子を伴なって送られる。

さらに、モジュールは、下位チャンバブロックと上位チャンバブロックを含む。

これらのチャンバブロックは、好ましい二重浮遊状態で、前記モジュールの中心 へウェファを直線的に移送し、また、該中心からウェファを直線的に移送するこ とを助け、さらに、ウェファの搬送位置においては、上下トンネルブロックの延 長部とみなすことができる。

円形の下位チャンバブロックが凹んだ下位トンネルブロック内に、それを囲むシ リンドリカルな放出通路と共に位置する。

上位チャンバブロックは、凹んだキャップ内にある。

キャップ下に到着した処理されるべきウェファは、このキャップのつぎの下降移 動の間は、該キャップと下位トンネルブロックとの間の円形ギャップ内に部分的 に残らない。したがって、該キャップに対し、ウェファの中心位置を最も速やか に得ることが必須となる。

この条件に合うには、装置の一例においては、該キャップは、ウェファ移動のス トッパとして機能し、傾斜できるようになっている。ステッパモータによるウェ ファの到着の間、この凹んだキャップの入口側は、上へ傾斜し、出口側は、下位 トンネルブロックに接近するよう残り、ウェファのストッパとなる。

該キャップに一連のオリフィスを設けることによって、到着するウェファの端部 へのガス状媒体の多数の微小な流れを形成し、これによって友好的なウェファの ストッパを構成し、該キャップに対するウェファの中心法めが確立される。

他の実施例においては、一連のオルフィスは、モジュールのシリンドリカルな放 出通路を囲む下位トンネルブロックに配置され、これらのオリフィスから多数の ガス状媒体の流れがキャップと下位トンネルブロックを通りウェファのエツジに 向かい、到着するウェファの緩衝ストッパを構成し、処理の間、浮遊ウェファは 、無接触の中心位置をとる。

他の例においては、上位のチャンバブロックは、キャップの一部であり、この組 合わされたものは、少なくとも一つのステッパモータにより上下方向に移動され る。

また、下位チャンバブロックには、上下方向への移動手段が設けられている。

該モジュールにおける処理の間、ウェファ端部の側方から該ウェファの横の上位 処理ギャップへ向は伸びている円形の放出通路は、また、処理媒体の放出チャン ネルとして機能する。

キャップならびに／または下位トンネルブロックのオリフィスからのガス状媒体 の多数の微小な流れは、ウェファ端部に向かい、その後、放出通路を介して下方 へ排除され、該ウェファの非接触状態を維持する。

トンネル通路の幅は、ウェファの直径よりも僅かに大きく、該通路の垂直の側壁 においては、一連の媒体供給チャンネルのオリフィスが位置して、ガス状媒体の 流れをウェファ端部へ送り、ウェファの非接触移送を行ない、レシービングモジ ュールにおけるウェファの中心位置決め操作を速やかに行なうようにする。

例えば、ウェファへのプライマーまたはコーティング付着のような、ある種の処 理のため、該下位チャンバブロックは、減圧作用でウェファを吸引するチャック と・しての機能を一時的に行なう。このチャックは、スピンモーターにより駆動 され、処理の間、ウェファを連続的に回転させる。

モジュールの下位と上位のチャンバブロックの両者には、少なくとも一つの中央 供給チャンネルが設けられ、これらチャンバブロックの間に形成されたトンネル 部にウェファを直線的に移送するガス状媒体を供給すると共に、処理ギャップへ ウェファの処理媒体を供給し、ウェファの処理を行なう。

個々のチャンバブロックは、脱水ベークオーブンまたは近ベークオープンとして 機能するに適した種々の構造をとることができる。

該モジュールにおいては、これらのチャンバブロックから隣接のトンネルブロッ クへの熱伝尋は、許容値にとどまる。

さらに、ウェファの処理の間、処理モジュールにおいては、例えば、脱水ベーク または加熱されたウェファにベーパ相または気相の温かいコーティングを付着さ せるための減圧処理のため、減圧作用が行なわれる。

装置外部の極く僅かに汚染された周囲空気は、ウェファの主な処理が行なわれる 処理モジュールへ侵入しない。

この目的のため、連続した個々の処理モジュールのグループが装置の入口と出口 の両方に位置するバーチジョンシステムと共働する。この装置のトンネル通路に おいては、周囲空気の大気圧よりも高い媒体のオーバープレッシャが維持される 。

さらに、トンネル入口においては、クリーニングモジュールが供給されたウェフ ァと共にトンネルへ入る、すべての汚染された媒体を捕捉するバッファとして機 能する。

装置のトンネルの出口がハイバキューム処理モジュールに接続されていると、こ の装置のウェファ移送モジュールのキャップは、該バキュームモジュールの・一 時的シールとして機能し、トンネル通路と開放キャップを介して処理モジュール から移送モジュールへ供給されるウェファは、移送モジュールの下位トンネルブ ロックの放出口を介してバキュームモジュールへ向は連続的に送られる。

モジュールの間の下位トンネルブロックには、他のシール可能な放出チャンネル が設けられる。

ウェファをセンダーモジュールからレシービングモジュールへ移送するに当り、 レシービングモジュールの前面の放出チャンネルが開き、他の放出チャンネルと 通路は、閉止し、該センダーモジュールから移送媒体の最大の流れが該放出チャ ンネルへ向は流れ、ウェファを浮遊状態で最高速で移動させるもので、レシービ ングモジュールにおいても同様である。

ウェファの大部分の直線移動が終了すると、ウェファは、レシービングモジュー ルの開放されたキャップの下側に位置し、センサが放出チャンネルのバルブに信 号を送り、これを閉止する。さらに、センサは、レシービングモジュールの放出 チャンネルのゲートに信号を送り、該通路を開いて該モシュル内でウェファを最 終的に中央位置にする。

チャンバブロックの中央供給チャンネルの両者は、放射方向に配置され、横方向 へ伸びて少なくとも該ブロックの外側に接近する一連の分岐したチャンネルと接 続する。

これらのチャンネルを吹き抜ける媒体は、ウェファの移送、処理の間、ウェファ の二重浮遊状態を助ける。

処理モジュールにおける連続的な処理の間、供給チャンネルと分岐チャンネルを 介して送られる後続の処理液体が先行の処理液体をウェファ横の微小処理ギャッ プから排除する。

処理の終期においては、処理液体は、前記チャンネルを介して送られる後続のガ ス状媒体、好ましくは、不活性ガスの流れにより、ウェファ表面から除去され、 これらは、処理ギャップのチャンネルからシリンドリカルな放出通路へ向は横方 向へ移動され、処理チャンバのメインの放出口へ下降する。

クリーニングモジュールにおいては、ウェファエツジは、上位処理ギャップから 放出され、該エツジまで下降する処理媒体により効果的にクリーニングされる。

これは、キャップと下位トンネルブロックとの間のシリンドリカルな微小なギャ ップからと、おそらくキャップの内側壁からとの多数の媒体の流れの助けで行な われる。そして、該流れは、ウェファエツジにそい下方向へ流れ、処理チャンバ のメインな放出部へ至る。

装置の他の例においては、到着ウェファの主たるバッファリングは、凹んだ下位 トンネルブロックの側壁のトップセクションに位置する一連のミニオリフィスか ら媒体の多数のミニ流れによって、下位トンネルブロック・リムの下側で行なわ れる。

該キャップは、好ましくは上位チャンバブロック部分と共にただ一つのステッパ モータに接続され、上下移動し、下位チャンバブロックは、少なくとも二つのス テッパモータに接続され、必要な傾斜をする。モジュールにウェファが到着する 間、該チャンバブロックの放出側は、下方位置にあって、ウェファを緩衝停止さ せる。

この緩衝のため、下位トンネルブロックの内壁の上部に一時的なウェット壁が構 成され、該壁の孔からの液体の流れが到着するウェファの緩衝停止に協力する。

この実施例においては、キャップの外径は、凹んだ下位トンネルブロックの内径 よりも僅かに小さく、ステッパモータによって、その下部は、該凹部を出入する 。

精密製造部材がある程度協力し、これにより、微小なシリンドリカルなギャップ がキャップ下部に形成され、処理チャンバの密閉が可能となる。

さらに、トンネルブロックの内側壁の下部には、一連のミニオリフィスが放射方 向に形成される。

処理の間、これらのオリフィスからの流れがウェファのエツジへ流れ、下位チャ ンバブロックを下位の処理位置へ移動し、ウェファの非接触処理を行なう。

処理の間、キャップと下位トンネルブロックとの間の微小なギャップを通り処理 チャンバから扱は出る処理媒体は、このギャップへ向は放射状に自由に流れ、処 理チャンバへ入る媒体のミニの流れにより阻止され、これによって、処理媒体の 該ギャップにおける媒体ロックが構成される。

ウェファのウェット処理の間、該媒体は、液相の処理媒体であってもよく、この モジュールにおける次の乾燥サイクルにおいては、該液体は、不活性ガスに置換 される。

この発明の範囲においては、ウェファの各種の処理が処理チャンバのたの構造に より可能である。

この装置の付加的な特徴は、つぎの図面の記載に従う。

第１図は、単純化された長さ方向の断面図において、多数のプロセスモジュール を含む、この発明による装置を示す。

第２図は、第１図による装置のトンネル通路全体の水平長さ方向断面図である。

第３図は、クリーニングモジュールの断面図である。

第４図は、エツチングモジュールの断面図である。

第５図は、ウェファに気相のコーティングを行なうモジュールの断面図である。

第６図は、ウェファに液相のコーティングを行なうモジュールの断面図である。

第１＾、　Ｂ、　Ｃ，０図は、ウェファの連続の二次処理位置における第６図に よるモジュールを示す。

第８図は、最低の熱トランスフ？のため最低位置におけるウェファの近接ベーク モジュールの処理室の詳細を示す。

第９図は、第８図による詳細であり、これによって、ウェファは、上位チャンバ ブロックへ上昇され、最高の熱トランスファが行なわれる。

第１０図は、近ベーク／脱水ベークモジュールの他の形状であり、これによって 、下位チャンバブロックと浮遊ウェファのコンビネーションがウェファへのコン トロールされた熱トランスファのために上位チャンバブロックに向は上方向へ移 動される。

第１１図は、到着するウェファを入れるためのキャップの傾斜したインレット側 をもつレシーバモジュールのトンネル通路の断面図である。

第１２図は、第１１図のビューであり、これによって、下位チャンバブロックが 到着ウェファのための緩衝ストップ位置に向は傾斜する。

第１３図は、確立されたウェファ・ストップをもつ第１２図のビューである。

第１４図は、第１３図のビューであり、これによって、キャップと下位チャンバ ブロックとが浮遊ウェファと共に最下位の処理位置へ移動される。

第１５図は、浮遊ウェファをセンダーモジュールからレシーバモジューレヘ向は 移送する装置のトンネル通路の一部の略図的長さ方向断面図である。

第１６図は、第１５図によるトンネル部分であり、これによって、ウェファは、 直線移動の最終端にある。

第１１図は、第１６図によるトンネル部分であり、ウェファの確立された緩衝ス トアを備える。

エファの処理が行なわれる。

第１９図は、媒体の流れをウェファに向け、かつ、ウェファのエツジにそい、促 進させることを示す第１８図の拡大詳細である。

第２０図は、第１９図の詳細の線２０−２０にわたる断面図である。

第２１図は、第１８図によるビューで、これにより下位チャンバブロックは、ウ ェフアとともにウェファ移送位置へ上昇される。

第２２図は、センダーモジュールとしての、このモジュールから浮遊ウェファを 移動させるキャップの傾斜した出口をもつ第２１図による部分である。

第２３図は、下位トンネルブロックにおけるｌｆｉ衝ストストップつ、モジュー ルの他の構成の断面図である。

第２４図は、到着ウェファをもつ、第２３図によるモジュールの緩衝ストップ・ セクションの拡大詳細である。

第２５図は、ウェファの完成されたＩｌ！ストップを示す第２４図によるセクシ ョンである。

第２６図は、ウェファのウェット処理の間の第２３図によるモジュールの処理セ クションの拡大詳細である。

第２７図は、後続の乾燥サイクルの間の第２６図による詳細である。

第２８図は、一つの媒体供給ブロックにおけるオリフィスの変形例をもつ第２３ 図によるモジュールである。

第２９図は、到着ウェファの緩衝ストップを示す第２６図によるモジュールの拡 大詳細である。

第３０図は、第２９図による詳細の線３０−３０にわたる断面図である。

第３１図は、第２９図による詳細の線３１−３１にわたる断面図である。

第３２図は、下位チャンバブロックと処理位置へ下降された浮遊ウェファとをも つ第２９図による詳細である。

第３３．３４．３５図は、徐々に最下処理位置へ下降する上位チャンバブロック としても機能するキャップをもつ、第３２図の詳細を示す。

第３６．３７．３８図は、第３５図の詳細を示し、これによって、処理後、下位 チャンバブロックと浮遊ウェファとのコンビネーションが上位チャンバブロック と共にウェファ移送位置の近くへ上昇する。

第３９図は、この発明による、主の処理モジュールに接続したセンダーとレシー バ装置を示す。

第４０図は、第３９図による装置の線４０−４０にわたる断面図である。

第４１図は、第３９図によるｉ置に組込まれた、ウェファ移送のため、モジュー ルの内側を移動するバキュームチャックをもつウェファ移送モジュールを示す。

第４２図は、第４１図によるモジュールであり、これによって、このモジュール からウェファと共に、このバキュームチャックが除去される。

第１図において、ウエフ？１２を連続的に処理するための装置１０が示され、第 ２図も参照されたい。

この装置は、供給モジュール１４、ウェファへ気相のプライマーを付着するモジ ュール２２、ウェファへ液相のコーティングを付着するモヂュール２４、近ベー キングのモジュール２６、ゲートモジュール２８及び放出モジュール３０からな る。

第３図は、長さ方向断面のクリーニング・モジュール１８を示す。

このモジュールは、主に下位トンネルブロック３２、上位トンネルブロック３４ 、これらのブロックの間のトンネル通路３６、下位トンネルブロックの凹部３８ 、支持部４４に装着された駆動部４２と一緒のチャックとしての下位チャンバブ ロック４０、ブロック４０の上下移動ならびに傾斜していると否とに拘らない移 動のための下位ブロック延長部５０に装着された移動機構４６．４Ｂ、上位トン ネルブロック３４の凹部に位置するキャップ５２、上位チャンバブロック５４、 ならびに、このキャップ５２の傾斜されているか否かに拘らず上下移動するため の該ブロックにマウントされた移動機構５６．５８からなる。

ウェファ１２の直線移動は、トンネル通路３６におけるオリフィス６２　、６４ 、下位チャンバブロック４０におけるオリフィス６６ならびに上位チャンバブロ ック５４におけるオリフィス６８からのガス媒体１００の流れにより可能とされ る浮遊状態下で行なわれる。

ウェファ移送の間、一時的か否かに拘らず搬送媒体の放出は、トンネル通路３６ の中央に位置する中央放出部７０と下位チャンバブロック４０まわりのシリンド リカルな放出通路７２を介して、下位トンネルブロック３２の延長部５０の下端 に位置するチャンネル７４．７６の少なくとも一つを介する放出と共に行なわれ る。

装置１０のウェファ搬送システムは、第１１図から第１７図に示されている。

第１１図において、ウェファ１２は、トンネル通路３６からレシーバモジュール １２２へ移される。これによって、キャップ５２の入口サイド８０は、上方へ移 動されて、ウェファが該モジュールへ入ることが可能となる。

センサ８２がウェファの到着をレジスターし、インパルスを移動機構４８へ送り 、下位チャンバブロック４０の出口サイド８４を下方へ移動させる。

さらに、該ブロックの出口サイドの高さのロスを補償するため、該ブロック４０ の入口サイド８６の上方への移動は、第１２図に示すように、移動機構４６によ り達成される。

これに基づき、ウェファ１２は、中心の端部位置へ移動され、該端部位相におい て、このウェファの端部は、バッファ９０に当接する。このバッフ？は、トンネ ル通路３６に伸びている供給チャンネル９２により供給され、キャップ５２と下 位トンネルブロック３２のリム９６の間の微小ギャップ９４を介してウェファ端 部８８へ送られ、シリンドリカルな放出通路１２を介して放出部１４に向は下方 へ放出されるガス状媒体１００により送られる。

この発明の範囲においては、バッファ９０は、このトンネル通路に伸びているか 否かに拘らず、他の供給チャンネルにより供給されることもできる。

ウェファの付加的な緩衝は、このモジュールの入口サイドにおける上流通路から のガス状媒体１００の流れにより行なわれる。これらの緩衝スラストは、下位チ ャンバブロック４０の傾斜位置の結果によるウェス？の重力と共働する。

センサ９８がウェファ１２の端部位置の決定的な到着をレジスターし、移動機構 ４６へインパルスを送り、この下位チャンバブロック４０のインレットサイド８ ６を下方へ出口サイド８４とほぼ同じレベルまで移動する。第１３図参照。

さらに、このインパルスにより、このモジュールの放出部７６が開く。

その後、センサ９８からの遅延インパルスか否かに拘らないインパルスによりキ ャップ５２のインレットサイド８０は、下位トンネルブロックのリム９６の少な くとも近くの最下位位置へ下降される。

その結果、ウェファ１２は、モジュールに包まれ、これに基づき、その処理が行 なわれる。

第１５図においては、ウェファは、給送モジュール１２０から、その出口部１０ ８を介して放出され、レシーバモジュール１２２へ移送される。これにより、こ の浮遊ウェファは、モジュール１２０からの放出の間、供給チャンネル１０２か らのガス状媒体１００の流れにより放出され、ウェファ端部８８に向け、立ち上 がる側壁１０４．１０６における両者の多数のボートを介して送られる。

レシーバモジュール１２２の前面に位置する放出チャンネル１０が開き、放出部 ７０まわりの領域における、少なくとも可能な限り他の放出部が閉止しているの で、より低い圧力が作られ、一時的に維持され、これによって、下位チャンバブ ロック４０のチャンネル１０２とチャンネル６６からのガス状媒体１００が放出 領域へ吸引される。

ウェファは、これらのガス流れと共に移動するが、これは、ウェファが、少なく ともトンネル通路３６において、移動する圧力壁として機能するからである。

このウェファの移送の間、このトンネル通路におけるウェファの二重浮遊状態が 下位トンネルブロック３２のボート６２と上位トンネルブロック３４のボート６ ４からのガス状媒体１００の供給により維持される。

その結果として、ウェファは、レシーバモジトル・るが、これは、これら側壁の ボートからの媒体の流れによる効果的な案内作用によるからである。

第１６図において、ウェファ１２の大部分は、レシーバモジュール１２２へ入る 。第１７図に示し、第１３．１４図に記載したように、センサ８２がこの到着を レジスターし、その後、バッファーストップをレジスターする。

このレシーバモジュール１２２においては、また、ウェファ１２の案内が側壁１ ０４，１０６に位置するチャンネル１０２からのウェファ端部８８へ向けてのガ ス状媒体１００の流れによって行なわれる。

第１８図においては、処理チャンバ１１０において、ウェファ１２の二面処理が 下位チャンバブロック４０と上位チャンバブロック５４のチャンネル６８を介し ての液状媒体の供給で行なわれる。

ガス状バッファ９０により、浮遊ウェファの無接触回転が維持される。

ガス状バッファ媒体１００と処理媒体の両者が放出路７２を介して下方方向へ放 出される。

はぼ閉止されているキャップ５２に充分なバッファ・キャパシティを保つために 、下位壁１１２に凹部１１４が配置され、これによって、ガス状媒体の多量な流 れが第１９゜２０図に示すように、ウェファ端部８８へ流れる。

トンネル通路３６における、この処理の間、このモジュール１２２の圧力に関し 、オーバープレッシャーが維持さへ−切流れない。

凹部１１４においては、供給チャンネルは、より広い直径を有し、これにより、 ガス状媒体の結果として増加した流れがこれらの凹部を介しての処理媒体の逃散 を防ぐ。

他の構成においては、一つ、または−以上のチャンネル９２°が、これらのボー トとトンネル通路の間の微小ギャップ９４をもつ凹部下側のリム９６へ伸びる。

第１９図参照。

チャンネル６８を介してのガス状処理媒体１００の供給と浮遊ウェファの回転と によるウェット処理の後、このウェファの上側１１６と上位チャンバブロック５ ４から液体処理媒体の除去が行なわれる。

その後、液体処理媒体は、ウェファの底部側１１８とチャンバブロック４０とか ら、チャンネル６６を介して供給されるガス状媒体により除去される。

許容される温度ならびに圧力での処理には、この処理の間、一つの処理媒体から 他の処理媒体へスイッチできる、どのようなタイプの処理媒体でも使用できる。

これに基づき、下位チャンバブロック４０とキャップ５２の出口サイド１２６の 両者は、上方へ移動され、モジュール１２２から他のモジュールへのウェファの 移送を可能とする。これにより、このモジュールは、移送モジュールとして機能 する。第２２図参照。

これにより、好ましくは、下位チャンバブロック４０のトップサイド１２８は、 トンネル通路の下位壁１３０の直上にあって浮遊ウェファの妨害なしの除去が可 能となる。

膜状体１３２が支持体４４に固定される一方の側と下位トンネルブロック３２の 延長部７８に固定された他方の側とに固定され、下位チャンバブロック４０の０ ．６ＩｌｌＩＩｌのわずかな傾斜移動が可能となる。

さらに、移動軸１３６の取付１３４がこのような傾斜移動を容認する。

第４図において、処理モジュール１３８の下位チャンバブロック４０は、モータ により回転されない。これにより、移動機構４６．４８は、カバー１４０に固定 され、該カバーは、下位トンネルブロック３２の下位側にリークなしに取付けら れる。膜状体１３２は、下位チャンバブロック４０をリークなしにカバー１４０ に結合する。

このモジュールは、クリーニング、リンシング、ストリッピング、デベロツピン グならびにエツチングに適している。

適合された形態において、このモジュールは、脱水ベータ、近ベークならびにコ ーティングが気相であろうとなかろうと関係なしのウェファへのコーティングの 付着に使用できる。

さらに、適合された形態において、このモジュールは、ウェファ移送モジュール としての機能に適している。

チャンバブロック４０．５４は、チャンネル１４２，１４４からの温かい液体に より加熱される。これらのブロックの温度は、最終処理液体の沸点が圧力ならび に減圧度の高低に関係ないので、より高く維持できる。

したがって、ガス状媒体による後続処理の間、残留液体の蒸発が促進される。

これら液体の放出の放出部７４．７６Ｌｔ、別個の放出システムに接続できる。

このモジュールが配置されている処理装置には、各種の媒体を分離するセパレー タと、分離された媒体の供給システムとが設けられる。

下位チャンバブロック４０においては、傾斜したチャンネル６６から浮遊ウェフ ァへの処理媒体による処理の間、このウェファの回転が維持される。

これによって、分離供給部１４６がこれらチャンネルのいくつかに接続され、浮 遊状態にｅＧブるウェファの直線移動を与える。

第５図には、例えば、ＨＨＤＳプライマーのような、気相のプライマー１５８を 高温、減圧下ウェファへ付着するモジュール２２が示されている。

このモジュールの加熱は、上位チャンバブロックに配置された要素１６０と、該 モジュールの下位部分に配置された加熱ブロック１６２とにより上位チャンバブ ロック５４において行なわれる。

下位チャンバブロック４０にも加熱要素を設けることができる。

この媒体の供給のための加熱されたスイベルアーム・１６４は、第６図に示すよ うなコーティングモジュールに対すると同様に、このモジュールのほかに装置に 配置される。

このモジュールにおいては、ウェットな壁１５０が使用され、ウェファの直線移 動の終端期または処理の一部の間においてのみ、液体媒体が該壁に送られる。

さらに、このウェットな壁のサイズは、リム９６の直下にリング形状のバッファ ・プロフィールのみをもたせて最小のちにすることができる。

処理の間にもまた、ウェット壁としての機能と共に、比較的高い沸点の液体媒体 を蒸発を制限しながら使用することもできる。

処理は、チャンバ１６６の中央において起り、一方、プライマーの付着の間、上 位チャンバブロック５４からの温かなガス状媒体１００のｉｌ！！Ｆれがウェフ ァにそいチャンバの下位部分の放出部へ向は下方へ流れる。

したがって、例えば、１００〜１５０℃のウェファの充分高い温度が維持される 。

プライマー付着の間、高いバキュームでの脱水ベーキングが先行モジュールで行 なわれるので、高いバキュームは、必要でない。

プライマーの均一な付着のため、ウェファを低いｒｐｇｌで回転させる駆動機構 ４２が使用される。この駆動機構は、プレート４４にマウントされる。この発明 の範囲においては、この駆動ｍ構は、省略できる。

該プレートの下位側に固定された軸１７６をもつ移動機構１７４は、支持体１８ ０に取付けられたハウジング１７８を有する。この支持体は、移動機＠　４６． ４８の移動軸に結合され、一方、ハウジング１８２は、カバー１８６の底部１８ ４に固定される。

膜状体１８８は、一端が支持体１８０に固定され、他端が底部１８４に固定され 、支持体１８０の要求されたわずかな傾斜を可能にする。

シリンドリカルな分離壁１９０は、支持体１８０に固定されている。これは、加 熱ブロック１６２として、ならびにウェット壁１９２の内壁として機能する。こ れによって、媒体１９４は、シリンドリカルな通路１９６を介してウェット壁の トップへ向けられる。

該処理の間、このウェット壁は、付着されないプライマーを回収する。さらに、 供給チャンネル１９８を介して、ガス状媒体２００が分離壁１９０の内側のチャ ンバ２０２へ供給される。

必要に応じ、処理の間、媒体２００の流れ２０４は、ウェファ１２の底部側にそ って維持される。

ウェット壁１５０を介しての液体媒体２０６の周期的な拡大された供給は、プラ イマー粒子の下方方向への放出を与え、カバー１８６の内壁２０８に付着させる 。

この発明の範囲においては、この内壁もまたウェット壁とすることができる。

ウェット壁は、また、別に凹部セグメントをもつ媒体供給壁７４°とすることが できる。第２０図参照。これによって、これらの媒体供給壁を介しての媒体の供 給がつエフ？の直線移動の端部におけるバッフ７ストツプとなる。

第６図において、ウェファへのコーティング２１２の付着のためのモジュール２ ４が示されている。

このコーティング供給のスイベルアーム２１４が、モジュールのほかに装置１０ の部分２１６に設【ブられている。これによって、処理しない間、オリフィス２ １８は、この部分に位置していることが好ましい。

ウェファ１２へコーティングを付着させるため、このアチャンバ２２２において 、コーティングの付着が行なりれ、これによって、ウエフ？の回転の間、余分な コーチインクがウェファからとばされ、カバー２２６の内壁２２４に付着される 。

ウェット壁１５０を介して供給され、この壁にそいモジュールの下位部分に向は 流れる媒体、好ましくはシンナー２２８は、この壁面で層状をなし、余分なコー ティングを回収し、それを放出する。

これにより、この媒体の拡大された供給が定期的に可能となり、コーティング粒 子の放出を増加させる。

スピン処理の間、少なくともテンポラリ−にシンナーは、供給チャンネル１９６ を介してウェット壁１９２のトラ　−ブへ送られ、そこでシンナーは、ウェファ １２の底部側に付着され、とばされる。

そのような目的のため、移動礪構４６．４８によりターンテーブル４０が下方へ 移動され、これによりヒヤツブ２３０の高さがある程度低くされ、このギャップ から放出されるシンナーは、ウェファの底部側２３２に接触する。

処理の後、ターンテーブルは、その上に吸引されたウェファと共に上昇する。

処理の間、第７Ａ図に示すように、ウェファ１２は、テーブルのチャンネル６６ を介して供給されるシンナーによって、テーブル４０の上で浮遊状態にされる。

さらに、この最狭の部分において、ウェファ端部８８、底部側２３２ならびにウ ェファのトップ側の外面部２３Ｇからのコーティングの除去が行なわれる。

その目的のため、ウェット壁１５０を介してシンナー２２８が増加の有無に関係 なく供給され、これによって、ウェファが回転している間、ウェファ端部８８は 、ウェット壁１５０に集められたシンナ一層と接触する。

同時に、シンナーは、ウェファの底部側２３２とテーブル４０との間のギャップ ２３８を介して送られ、下方方向へ放出され、これによって、微細な汚染物とコ ーティング粒子とが除去され、排出される。

この処理段階終了後、ウェファは、セクション２４０１さらには、セクション２ ４２へ上昇される。第７Ｂ、　７Ｃ図参照。これによって、このシンナー２２２ は、ガス状媒体１００により除去される。

位＠２４４においてのコンビネーションの継続された乾燥の後、第７Ｄ図参照の こと、ウェファは、後続のモジュール２６へ送られ、そこで施されたコーティン グの近べ一りが行なわれる。第８図参照。

モジュール２６にウェファ１２が到着した後、該ブロックに位置する供給チャン ネル２５４を介しての媒体１００の最低量の供給の結果として、最小のギャップ ２５０が下位チャンバブロック２５２と該ウェファとの間に維持される。

これによって、ギャップ２５６の最高の高さが上位チャンバブロック２５８と該 ウェファとの間において維持される。

図示された構成において、チャンバプロッタ２５２，２５８の両者は、加熱され る。これによって、下位チャンバブロック２５２の温度は、残りのトンネル通路 の温度よりも若干高くなるのみであり、他方、上位チャンバブロック２５８にお いては、たとえば、２００℃の温度が維持される。

このウェファの位置においてのみ、ウェファの極めて徐々な中庸の加熱が行なわ れる。

下位ギャップ２５０への媒体１００の供給が増加すれば、ウェファは、このブロ ック２５２から上位チャンバブロック２５８の方向へ温度上昇を伴なって放出さ れる。

第９図に示すように、上位のウェファ位置へ到達した後、上位チャンバブロック ２５８から狭いギャップ２５６を介して該ウェファへの熱の伝達が最高になる。

これによって、このギャップに、セクション２５８で加熱された温かい媒体が送 られる。

媒体のこれらの流れは、狭いギャップで渦流となり、熱交換に多大に貢献する。

コーティングが充分な乾燥レベルになった後、例えば、１〜２分間の後、このウ ェファは、徐々に下位チャンバブロック２５２に向は下降される。これによって 、コーティング付きのウェファの温度は、徐々に下がり、セクション２５２の温 度を若干上回り、そして、該ウェファが移送される。

この発明の範囲においては、例えば、下位チャンバブロック２５２を加熱しない ブロック２５２．２５８の変形は可能である。。

さらに、このモジュールには、供給チャンネルのほかに放出チャンネルも配置す ることができる。

第１０区を参照して、他の実施例においては、上位チャンバブロック２５８°は 、ある間隔を越えてトンネル通路３６から離れている。これによって、下位チャ ンバプロッタ２５２゛は、移動機構２６２と結合される。

ブロック２５２′の上に到着した浮遊状態においては、ウェファは、このブロッ クと共に上位チャンバブロック２５８′へ向は移動され、これによって、該ウェ ファの温度が徐々に高くなる。

長い時間の間、このコンビネーションは、継続する熱交換のため、センサが決定 したある処理位置にとどまり、このコンビネーションは、再び徐々に下降する。

最高のウェファ浮遊移送のため、下位チャンバブロック２５２°には、供給と放 出チャンネル２６２，２６６の両者が設けられることが好ましい。

脱水焼成のため、モジュール２０においては、第１０図によるオーブン処理の間 、バキュームが維持され１．これにより、キャップ５２は、座としてのリム９６ に看座し、処理チャンバをシールする。

この処理の後、このキャップは、まず最初該リムから微小な間隔だけ離れ、トン ネル通路３６からのガス状媒体が発生した微小なギャブを介して処理チャンバ２ ６８へ送られ、シール部に発生の微小な汚染を該ギャップから除去し、これをガ ス状媒体と共にモジュールの放出口から排出する。

該キャップをさらに開いた後、ウェファは、後続のモジュールへ送られる。

第２３図は、処理モジュール２７０を示す。凹んだ下位トンネルブロック３２の 側壁２７２においては、媒体供給セグメント２７４，２７６が位置し、第２４． ２５図参照、これにより、該部分に位置する供給チャンネル２７８，２８０．２ ８２がこれらセグメントの内壁に伸びている。

リング形状の連絡チャンネル２８４，２８６，２８８を介してこれらのチャンネ ルは、それぞれの供給チャンネル２９０゜２９２．２９４と接続している。

０リング２９６．２９１１は、これらの媒体供給システムの間のシーリングする 。

キャップ５２の下位位置において、該キャップは、下位トンネルブロックの凹部 に嵌合し、円形の微小なギャップ３００が介在する。

さらに、キャップ５２の側壁３０２には、円形の凹部３０４が位置する。

ウェファの直線移送の間のモジュールの機能は、第１５．１６．１７図に示され ている。

第２４図において、ウェファ１２は、浮遊状態で下位チャンバブロック４０の上 を移動する。移動機構４８により、この下位チャンバブロックは、傾斜し、これ によって、このチャンバブロック４０のトップ壁３０６は、出口側においてトン ネル通路３６の下位壁３０８のレベルの下になる。

第１５図を参照して、センサ８２を通過することによって、これがインパルスを 移動機構４８へ送り、この結果として、チャンバブロック４０がさらに傾斜する 。

ウェファ移送の終局においては、ウェファは、上位供給チャンネル２８２からの ガス状媒体１００の流れにより緩衝される。

他のセンサ３１０がウェファ１２の到着をレジスターし、信号を移動機構４８へ 送り、さらに下位チャンバブロック４０を傾斜させる。これにより、ウェファの 前側３１２は、ガス状クッション３１４にそい、さらに、重力作用を受けて下降 し、これにより、ウェファは、第２５図を参照してのチャンネル２８０を介して 液体媒体３１８が送られた液体バッファ３１６に当接する。

移動機構４６へのインパルスにより、下位チャンパブ・ロック４０のインレット 側は、下降する。

その後、移動機構４６．４８両者による下位チャンバブロック４０の継続した下 降により、ウェファ１２は、処理位置３２４へ向け、液体媒体３２２の膜にそっ て、さらに下降する。

側壁１０４，１０６からのガス状媒体の流れによるウェファ１２の理想的な案内 により、第１５図参照、該ウェファは、下位チャンバブロック４０の連続する移 動に追随する。

同時に、ウェブ？の回転が下位チャンバブロック４０の傾斜したチャンンネル３ ２６からのガス状媒体の流れにより行なわれる。

移動機構４６へのインパルスによって、キャップ５４は、最下位置へ移動し、第 ２３．２６図参照、その後、該ウェファの連続した処理が行なわれる。

超狭いギャップ３００がモジュールの内部をトンネル通路３６から充分に分離し 、これにより、この微小ギャップの上部に満たし、チャンネル２８２、おそらく 該トンネル通路から供給されたガス状媒体１００が放射方向へ下降し、こ該ギャ ップを支障なく通る流れで処理媒体と共に放出部３２８を介して放出される。

モジュールの共動部品の超精密機械加工により、微小なギャップの間隔は、３０ マイクロメータよりも小さくすることができる。該ギャップを比較的長くすれば 、流れの抵抗は、大きくなり、トンネル通路と供給チャンネル２８２において、 処理チャンバよりも高い圧力をガス状媒体を余分に消費することなく維持するこ とができる。

供給処理媒体が増加するごとに、同時に放出も増加する。さらに、ウェファのほ かに、処理ギャップ３３０，３３２からの液体処理媒体３３４が広い放出部７２ とバッファ・コンパートメント３３６において回収される。

連続した液体処理媒体の手段による処理の後、最終液体媒体の除去がガス状媒体 １００と組合わせたウェファの回転により達成され、該媒体は、チャンネル２７ ８，２８０を含む、すべての供給チャンネルから供給される。第２７図参照。

ウェファの上昇位置においては、これらギャップ３３０３３２からの残査液体粒 子の除去とウェファの乾燥は、チャンネル２８０，２８２を介するガス状媒体の 供給と、チャンパブロック４０ならびにキャップ５２両者の加熱とにより行なわ れる。

第２８図において、処理モジュール２７０°には、変形された媒体供給ブロック ３４０が設けてあり、これによって、多数のマイクロ供給チャンネルが該ブロッ クの内壁３４２に伸びている。

カバー３４４がブロック３４０をロックし、Ｏリング３４６がシールする。

溝３５０が供給ブロック３４０の上壁に位置し、それらのオリフィスが互いに結 合し、これらの溝を介して媒体を該ブロックの内壁３４２に向は放射方向に自由 に供給ブーる、第２９図、第３０図参照。

溝３５０は、マイクロチャンネルと共に狭いシリンドリカルな連通ギャップ３５ ６と接続している。第３１図参照。

マイクロチャンネル３５Ｇの間の間隔は、溝３５０の間隔よりも大きい。これら のチャンネルの機能は、マイクロ・ウェット壁３５８の確立と維持、ウェファ端 部８８への多数の微小な流れを内壁３４２にそって機械的接触なく自由にウェフ ァを移動させることの確立と維持にある。

溝３５０とチャンネル３５４とは、円形の連通溝３６０内へ伸び、該溝は、供給 ブロック３４０の内壁３４２に位置する。

厳重に濾過された気相媒体のための、少なくとも一つの供給チャンネル３６２と 、厳重に濾過された液相媒体のための、少なくとも一つの供給チャンネル３６４ が連通ギャップ３５６内へ伸びている。

さらに、下位側にチャンネル３６６が液体処理媒体のための少なくとも一つの供 給チャンネル３６８と接続している。

該モジュールの作用は、以下のとおりである：第２９図において、ウェファの無 接触バッフ７ストツプは、溝３５０とチャンネル３５４からの媒体３７０の流れ により達成される。

第３２図において、浮遊ウェファ１２は、下位チャンバブロック４０と共に最下 のバッファストップ位置へ移動し、液体媒体３７０の流れが浮遊ウェファの無接 触案内を提供する。

第３３図において、ウェファは、処理セクション３７２に到着し、チャンネル３ ６６からの処理媒体の流れが浮遊ウェファの内壁３４２に対する無接触中央位置 を維持する。

第３４図において、キャップ５２のシーリングセクション３γ６は、下降し、コ ニカルな壁セクション３１８と共に該セクションがウェット壁３５８のマイクロ 液体膜３８０にそって案内される。これは、溝３５０とチャンネル３５４とから の液体媒体の流れを放出通路７２を介して放出部７４方向へ流す手段により達成 できる。第２８図参照。

第３５図において、キャップ５２は、その最下位置にあり、処理セクション３７ ２においては、まず最初、ウェファの処理が液体処理媒体３８２により行なわれ る。

供給ブロック３４６とシーリング・オフ・セクション３７６の間の微小ギャップ ３８４においては、高い毛管媒体ロック３８６が確立、維持され、チャンネル３ ６４を介して供給される媒体３７０の供給圧が高く、処理の間、汚染物を含む少 なくともほとんど処理媒体が処理ギャップ３８８３９０から前記ギャップに入り 、処理媒体は、トンネル通路３６へ入ることができない。

第３６図において、ウェファの予備乾燥は、ガス状媒体１００により行なわれ、 該媒体は、チャンネル３６２を介して連通ギャップ３５６へ送られる。

これにより、ウェファ１２、下位チャンバブロック４０ならびにキャップ５２の コンビネーションは、ある距離を隔てて上方へ移動し、下位側のチャンネル３５ ４からガス状媒体を処理チャンバ３９２へ供給し、液体媒体ロック３８６を徐々 に減らす。

第３７図において、下位チャンバブロック、ウェファならびにキャップのコンビ ネーションは、さらに上方へ移動され、液体媒体ロック３８６は、溝３５０とチ ャンネル３５４とからのガス状媒体１００の流れにより溶解される。

さらに、よく濾過されたガス状媒体１００がトンネル通路から乾燥を維持するモ ジュールへ送られる。

第３８図は、ウェファの完全な乾燥を伴なう最高位置の処理位置における前記コ ンビネーションを示す。

ブロック４０、浮遊ウェファ１２ならびにキャップ５２のコンビネーションは、 ウェファ移送位置となり、該ウェファは、浮遊状態で後続のモジュールへ搬送さ れる。

この発明の範囲内においては、このモジュールの構造ならびに作用につき、多数 の変形が可能であり、このモジュールのタイプは、処理モジュールのどれにも実 施できる。

さらに、どのような他のタイプのインライン・ウェファ処理も可能であって、つ ぎのような処理を含むニド−バントストリッピング、ドーパントスピンオン：プ ラズマエツチング、反応イオンプラズマエツチング、マグネトロンイオンエツチ ング： イオンインプラント、イオン穿孔； レーザーなまし： 低圧、低温処理を含むケミカルベーパーデポジション、増速（エンハンスされた ）プラズマ： 物理的ペーパーデポジション：ならびに酸化。

さらに、これらの処理は、インライン・ｅビームダイレクトライティングモジュ ールならびにＸ線マイクロリトグラフィモジュールを含むリトグラフィモジコー ルと組合わせることができる。

さらに、つぎのようなシステムも： 試験、測定、検査ならびにウェファマーキング。

さらにウェファ製造システムも。

さらに、この発明による装置は、前記の処理が一部のウェファに対し行なわれる モジュールに接続できる。

第３９図において、高減圧度の処理が行なわれるメインの処理モジュール４００ は、ウェファの供給処理装置とウェファの放出処理装置１０パに接続される。

これによって、装ｆｉ１０°においては、つぎのような処理が行なわれる： モジュール１８では、ゲートモジュール１６を介しトンネル通路４０２から供給 されたウェファ１２の全面クリーニングが行なわれ、オーブンモジュール２０に おいては、ウェファからモイスチュア残査をバキュームで、例えば、脱水ベーク のように、除去する。

この発明によれば、処理の間、はとんどシールオフの処理チャンバを他の処理に 使用することができ、例えば、ウェファのクリーニングの後に、それのリンスを 行なう。

ウェファ１２は、モジュール２０から移送モジュール４０４へ移送され、ここで ウェファは、メイン処理モジュール４００の一部をなすティクオーバーモジュー ル４０６ヘキヤリイオーバーされる。

移送モジュール４０４とティクオーバーモジュール４０５の作用は、つぎのとお りである。

ティクオーバーモジュール４０６の図示の位置において、ウェファは、モジュー ル４０４に到着している。

下位チャンバブロック４０には、凹部４０８が設けられており、ここには、バキ ュームチャック４１２を備えたモジュール４０６のアーム４１０が到着している 。第４１図参照。

リム９６側に接近して下降されたキャップ５２の手段により、トンネル通路３６ は、下位トンネルブロック３２に位置するチャンバ４１４から充分に遮断される 。

移動機構４１６によりチャンバブロック４０は、下方へ移動され、ウェス？１２ は、最終的にチャック４１２に当接し、これに吸引される。

その後、リム４１０は、チャック４１２とウェファ１２と共に下位トンネルブロ ック３２の側壁４２０に位置する凹部４１８を介して側方方向へ移動される。第 ４２図参照。

そして、このコンビネーションは、ロボット４２２の一部として、ターテーブル ４２４方向へスイベルし、これによりウェファ１２がフリーな座４２６の上に来 る。

チャック４１２を含むアーム４１０を下降した後、ウェファ１２は、前記座に当 接し、一時的に固定される。

そしてチャックつきのモジュールは、モジュール４０４へ戻され、後続のウェフ ァを取り上げる。

通路３６のモジュール４０４ヘウエフアを移送する間、モジュール４００の圧力 は、加圧状態に保たれる。

該モジュールにおいて、座４２６へウェファを完全に充填した後、高いバキュー ムが引かれ、その後、メインの処理が行なわれる。

ウェファ処理の間、キャップ５２によりトンネル通路３６がハーメチックシール されて、ウェファの移送は、−明けなわれない。

このモジュールにおいては、前記のような、どのような処理も可能である。

モジュール４００におけるメインな処理が終了後、該モジュールは加圧され、テ ィクオーバーモジュール４３０により定期的に回転するターンテーブル４２４か らウェファをつぎつぎと取出し、該ウェファを装置１０”へ移送する。

この装置は、つぎのようなモジュールからなる：移送モジュール４３２、ウェフ ァの全面クリーニングが行なわれるモジュール１８、ウェファのオーブン乾燥を 行なうモジュール２０ならびにゲートモジュール１６である。

この発明の範囲においては、処理の組合わせ、または単独の処理、または、この 発明による、これらモジュー・　ルのシーリングオフ・システムの実施のもとに 行なわれるウェファの移送のみが可能である。

モジュール４３２の構造ならびに作用は、モジュール４０４のそれらと同様であ るが、ロボット４３４の移動パターンは、ロボット４２２のそれの反対である。

４３６の内部の移送位置へ送られた後、下位チャンバブロック４０が上昇し、ウ ェファは、該チャンバブロック４０の上を浮遊する状態へされる。

ついでキャップ５２が上昇し、ウェファは、浮遊状態でモジュール１８へ移送さ れる。

モジュール１８においては、メインの処理モジュール４００における処理の間に ウェス１に付着した汚染物が主として除去され、その後、ウェファは、洗浄され 、乾燥される。

クリーニング剤としては、液相、気相、ペーパー相のどのような媒体でも使用で きる。

モジュール２０におけるウェファのオーブンベークの後、該ウェファは、ゲート モジュール１６へ送られ、そこからトンネル通路４３８へ運び去られる。

この発明の範囲においては、ロボット手段によりウェファは、ウェファの試験、 検査ならびにマーキングのいためのモジュールへ送られ、そこから受けられる。

さらに、そのようなモジュールにおけるウェファの位置が下向きであってもウェ ファの底面が主な処理側となる。

さらに、ウェファ移送モジュール４０４には、どのような他の構造ならびに作用 も可能である。

さらに、処理モジュールにおいて、処理の間、例えば、ハイバキュームからオー バープレッシャーまで、または、その逆の圧力の相違も行なわれる。

ＦＩＧ、３ ＦＩｏ、４ １００２３８　Ｆ、、７Ｃ 国際調査報告 ＡＮＮＥＸＴｏＡ＃ミＥＩＮＴＥＲＮＡτ：ｏト詰ＬＳＥＡＲＣＦミＲＥ？ＯＦ ＩＴＯＮ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．下記構成からなるウエファの搬送ならびに処理装置：ａ）少なくともウエフ ァを浮遊状態で搬送するガス状媒体を供給する供給チャンネルを含む下位ブロッ ク；ｂ）下位チャンバ７ロツクが位置する前記下位ブロックにおけるチャンバ； ｃ）前記下位ブロツクの上にあって、前記チャンバをカバーするキャップ； ｄ）前記キャップをウエファ搬送位置から前記ブロックの近くまで、ならびに、 その逆に、下降移動させる少なくとも一つの移動機構； ｅ）前記キャップと前記下位チャンバブロックとの間の少なくともほぼ中央位置 へ、ならびに中央位置からウエファを搬送する手段。 ２．前記チャンバの一部として処理チャンバの下位に位置する共通の放出部に接 続する、前記下位チャンバブロックを囲む前記チャンバにおけるシリンドリカル な放出通路からなる請求の範囲１における装置。 ３．下記からなる請求の範囲２における装置；ａ）前記キャツブを囲むへこんだ 上位ブロック；ｂ）前記上位フロックを前記下位ブロックに接続する手段。 ４．前記チャンバヘ、ならびに、からのウエファの搬送のため、前記処理チャン バのトッブに近接の前記ブ口ツクの間のトンネル通路。 ５．前記処理チャンバ内の処理位置へ、ならびに、処理位置から前記ウエファを 搬送する手段を備える請求の範囲４における装置。 ６．下記からなる、処理装置におけるウエファの搬送ならびに処理方法； ａ）凹んだ下位ブロックに位置する下位チャンバブロックと凹んだ上位ブロック に位置するキャップとの間の処理チャンバ内の非接触処理位置へのウエファの搬 送；ｂ）少なくともほとんど前記処理チャンバを密閉すること；ｃ）前記ウエフ ァの処理；ならびに ｄ）前記処理位置から前記ウエファを移送すること。 ７．長い通路内で、ウエファを浮遊状態で前記処理チャンバへ送り、処理後、前 記ウエファを浮遊状態で前記処理チャンバから長い通路へ送る請求の範囲６にお ける方法。 ８．前記下位チャンバブロックをウエファ搬送位置からウエファ処理位置へ、な らびに、逆に、下降移動させる少なくとも一つの移動機構を備える請求の範囲５ における装置。 ９．前記下位チャンバブロックを下方処理位置へ移動する手段を備え、これによ り前記浮遊ウエファのトッブが前記下位トンネル壁の上にあり、前記ウエファの 底が前記下位トンネル壁の下にある、請求の範囲８における装置。 １０．前記浮遊ウエファを直線的に移動し、前記下位チャンバブロツクの上方の ほぼ中央位置で停止させる手段を備える請求の範囲５における装置。 １１．ウエファのエッジへ流れるガス状媒体により前記浮遊ウエファを緩衝停止 させることを含む前記手段を備えた請求の範囲１０における装置。 １２．前記処理チャンバヘの前記ウエファの最終移動において、ガス状媒体が前 記ウエファのエッジへ流され、これが前記下位チヤンバブロックのほかの前記シ リンドリカルな放出通路を流れて、前記ウエファを緩衝停止させ、前記下位チャ シバブロックの上の位置へ該ウエファを案内する誠意７における方法。 １３．前記凹んだキャップの内側壁がガス状媒体の前記流れに協力し、前記ウエ ファの緩衝停止を行なうようにした請求の範囲１２における方法。 １４．ガス状媒体の供給チャンネルが前記シリンドリカルな放出通路の横に放射 状に一連に配置され、前記トンネル通路を伸び、少なくとも一時的なガス状緩衝 媒体を前記ウエファのエッジへ送る手段を含む請求の範囲１１における装置。 １５．前記供給チャンネルは、前記処理チャンバ方向へ傾斜している請求の範囲 １４における装置。 １６前記シリンドリカルな放出通路のすぐ横の前記トンネル通路に向け伸びてい る一連の傾斜した供給チャンネルからのガス状媒体の流れが到着するウエファの エッジへ向けて流される請求の範囲１２における方法。 １７．前記キャップの下部が凹み、該凹みの直径が前記ウエファの直径よりも僅 かに大きく、これにより前記凹んだキャツブの内側壁が前記ガス状媒体の流れと 協力し、前記の緩衝停止作用をなす請求の範囲１４における装置。 １８．前記キャップの下位リング状壁において、複数の凹部が位置し、これらが 前記キヤッブの前記内側壁にのみ向いて伸びる請求の範囲１７における装置。 １９．前記キャップにおいて、少なくとも一つの、ガス状媒体の供給チャンネル が前記凹んだ部分のそれぞれに向いて伸ひている請求の範囲Ｉ８における装置。 ２０．ウエファ処理の間、最下位置における前記キャツブは、前記下位トンネル ブロックの対応するリムから微小な距離で離れ、それによって、ガス状媒体が前 記トンネル通路から、前記キャップとブロックとの間の微小なギャッブを介し、 処理チャンバへ流れ、該媒体の流れが前記キャップの前記凹部ｂ部分からの媒体 の流れと協力する請求の範囲１５における方法。 ２１．少なくとも一つの移動機構が前記キャップの入口側に接続し、少なくとも 一つの移動機構が前記キャップの出口側に接続し、前記キャップの入口側を傾斜 させて開放のウエファ移送位置へとする手段を有し、これにより前記出口側を前 記下位トンネルブロックの対応するリムに近接させたままとする構成の請求の範 囲１７における装置。 ２２．前記処理チャンバヘの前記ウエファの移送の間、前記キャップの入口側が 上方へ傾斜して開放されたウエフア移送位置となり、ガス状緩衝媒体が前記トン ネル通路の前記供給チャンネルから前記キャップの出口側と前記対応する下位ト ンネルブロックのリムとの間の微小なギャッブを通り、到着するウエファのエッ ジへ送られ、すくんかうとも前記のウエファの緩衝停止を助ける請求の範囲１６ における方法。 ２３．前記トンネル通路から前記キャップの出口側と前記下位トンネルブロック の間の微小なギャップを通り、前記処理チャンバに位置するウエファのエッジへ 送られ、前記処理の間、前記ウエファを非接触浮遊状態に維持し、前記処理チャ ンバから処理媒体が前記トンネル通路へ入るのを阻止する手段を備えた請求の範 囲１４における装置。 ２４．上位チャンバブロックブロックと前記下位チャンバブロックに少なくとも 一つの媒体の中央供給チャンネルと、前記供給チャンネルに接続し、前記キャッ プの内側壁近くと前記チャンバブロックの横外部の少なくとも近辺に伸びる一連 の分岐したチャンネルを備えた請求の範囲５における装置。 ２５．前記ウエファの搬送の間、前記下位チャンバブロツクの少なくとも前記中 央供給チャンネルからガス状媒体の流れが前記ウエファへ流れ、ウエファの直線 的移動の終局において、前記ウエファの浮遊状態を助ける請求の範囲６における 方法。 ２６．前記処理チャンバにおける前記ウエファの処理の間、キヤッブと下位チャ ンバブロックにおける中央供給チャンネルからの処理媒体の流れが前記下位チャ ンバブロックとウエファとの間ならびにキャップとウエファとの間の微小な処理 ギャップを通り横方向へ移動し、前記シリンドリカルな放出通路へ向かう請求の 範囲２５における方法。 ２７．前記下位チャンバブロックがそれと前記浮遊ウエフアとを回転する駆動部 に接続している請求の範囲２４における装置。 ２８．処理の間、下位チャンバブロックが回転し、前記浮遊ウエファを回転させ る請求の範囲２５における方法。 ２９．少なくとも前記下位チャンバブロックには、供給チャンネルが設けられ、 このチャンネルは、ウエファの回転方向に傾倒し、処理の間、前記ウエファを回 転する請求の範囲２４における装置。 ３０．処理の間、少なくとも前記チャンバブロック内の傾斜した供給チャンネル から前記ウエファの下部へ送られる媒体の流れにより前記ウエファが低ｒｐｍで 回転される請求の範囲２６における方法。 ３１．装置部品のマシンニング、正合、ステップモータを使用する前記移動機構 による前記下位チャンバブロックとキャップの移動の正確さが前記ウエファの横 の前記微小なギャップの制限された高さを与え、ウエファの低速回転と下位チャ ンバブロックとキャップの両中央供給チャンネルを介しての処理媒体の後続する 供給が先行する処理媒体を前記微小なギャップから横方向へ、前記シリンドリカ ルな放出チャンネルに向け除去する請求の範囲２４における装置。 ３２．ウエファの低速回転と、少なくとも前記下位チャンバブロックと前記キャ ップの両中央供給チャンネルを介しての後続する処理媒体の供給とを組合わせて 前記ウエファを前記微小な処理ギャツブを介して横方向へ前記シリンドリカルな 放出通路へ流し、これによって、前記微小な処理ギャップから先行の処理媒体を 除去し、これを前記シリンドリカルな放出通路へ排出する請求の範囲２６におけ る方法。 ３３．必要に応じ、第１の液体処理媒体がアグレッシブであり、前記微小処理ギ ャップにおいて前記第１の媒体と置換された後続の液体処理媒体がアグレッシブ でないなどの請求の範囲３３における方法。 ３４．最終液体処理媒体が蒸発しやすいものである請求の範囲３３における方法 。 ３５．少なくとも前記キャップの前記中央供給チャンネルが高度にフィルターさ れた液体ならびに気相の処理媒体の供給部と接続している請求の範囲３１におけ る装置。 ３６．前記微小処理ギャップにおける前記最終液体処理媒体が後流の気相処理媒 体に置換される請求の範囲３３における方法。 ３ブ．前記処理チャンバが、前記ウエファのクリーニング処理の間、クリーニン グ剤が前記上位処理ギャップから追い出され、前記ウエファのエッジにそい、前 記シリンドリカルな放出通路に向け流され、キャップと下位トンネルブロックと の間の前記微小シーリングオフのギャッブからの気相処理媒体の前記ウエファへ 向かう流れと組合わされ、前記ウエファのエッジをクリーニングするように構成 されている構造である請求の範囲３５における装置。 ３８．前記ウエファのクリーニングの間、タリーエング剤が前記前記ウエファの 上方の上位処理ギャップから追い出され、前記ウエファのエッジにそい、前記シ リンドリカルな放出通路に向け流され、キャップと下位トンネルブロックとの間 の前記微小シーリングオフのギャップからの気相処理媒体の前記ウエファへ向か う流れと組合わされ、前記ウエファのエッジをクリーニングするように構成され ている構造である請求の範囲３６における装置。 ３９．処理の種類、供給された処理媒体の圧力ならびに前記媒体により前記ウエ ファの横の両処理ギャップの高さを変える手段を備えている請求の範囲３５にお ける装置。 ４０．処理の種類、供給された処理媒体の圧力ならびに前記媒体により前記ウエ ファの横の両処理ギャップの高さを変える手段を備えている請求の範囲３６にお ける方法。 ４１．前記キャップ内に位置され、前記上位トンネルブロックに固定されている 上位チャンバブロックを備える請求の範囲８における装置。 ４２．上位チャンバブロックが前記キャップの一部である請求の範囲８における 装置。 ４３．上位チャンバブロックとキャップの組合わせたものを前記キャップと前記 下位トンネルブロックの間におけるマイクロギャップと共に最下処理位置から前 記ウエファの到着と放出の間、開放のウエファ移送位置へと上昇させる手段を備 える請求の範囲４２における装置。 ４４．前記キャップが上位チャンバブロックとしても機能し、これが前記キャッ プと前記下位トンネルブロックの間におけるマイクロギャップと共に最下処理位 置から前記ウエファの到着と放出の間、開放のウエファ移送位置へと上昇させら れる請求の範囲７における方法。 ４５．前記下位トンネルブロックの前記凹部の垂直側壁のトッブ部において、少 なくとも一つのシリンドリカルな媒体供給リングが配置され、これの内径が前記 ウエファの直径よりもわずかに大きく、その内壁に複数の媒体供給オリフィスを 有し、前記ウエファの前記処理チャンバヘの最終流れにおいて前記ウエファを緩 衝停止させる手段を含み、前記処理チャンバにおいて前記ウエファの非接触処理 のラテラルバッファとなる手段を含む請求の範囲１１における装置。 ４６．少なくとも一連の微小な媒体供給チャンネルからの無数の微小な流れが放 射状に媒体供給リングを介し流れ、該リングは、前記下位トンネルブロックの前 記処理チャンバの側壁の上部にあり、これによって、緩衝媒体を与え、到着する ウエファを緩衝停止し、前記処理チャンバにおける前記ウエファの非接触処理を 行なう横方向の緩衝媒体を与える請求の範囲１２における方法。 ４７．前記緩衝媒体がガス状媒体である請求の範囲４６における方法。 ４８．前記緩衝媒体が少なくとも一時的に処理液体である請求の範囲４６におけ る方法。 ４９．前記下位チャンバブロックのウエファ入口側が移動機構に接続し、前記下 位チャンバブロックのウエファ出口側が他の移動機構に接続している請求の範囲 ４５における装置。 ５０．前記緩衝停止位置へのウエファの直線移動の終端において、前記下位チャ ンバブロックの出口側を下方へ傾け、前記バッファからの媒体の流れを浮遊状態 で到着するウエファのエッジへ送り、前記ウエファの緩衝停止を行なう請求の範 囲４９における装置。 ５１．浮遊状態で到着するウエファと共に移動機構により前記下位チャンバアロ ックの出口側をウエファ緩衝停止位置となるように下向きに傾斜させ、前記媒体 供給リングのオリフィスからの媒体の流れを前記ウエファへ向け前記ウエファの 緩衝停止を行なう請求の範囲４６における方法。 ５２．前記緩衝停止後、前記下位チャンバブロックの前記入口側がウエファ処理 位置としての前記ブロックの水平位置へ向け下向き傾斜される請求の範囲５１に おける方法。 ５３．前記移動機構により下位処理位置に向け前記下位チャンバブロックをさら に下降させる手段を含み、該手段により供給リングに横方向に配置された複数の 供給チャンネルで前記ウエファのエッジに向け多数の媒体の微小な流れを流し、 非接触処理を行なう請求の範囲５３における方法。 ５５．上位チャンバブロツクとして機能する前記キャップが前記処理チャンバを その下部でシーリングオフする部分を含み、前記処理チャンバ内のウエファ移送 位置から最下処理位置へ下降する間、前記シーリングオフする部分を非接触とし て案内し、前記シーリングオフ部分と少なくともウエファ処理位置においての前 記チャンバの側壁との間のシリンドリカルな微小なギャップで媒体ロックを維持 する手段を含む請求の範囲４５における装置。 ５６．少なくとも液体処理媒体による処理の後、前記下位チャンバブロツクを浮 遊ウエファとキャップと共に処理部方向へ持ち上げ、該処理部においては、媒体 供給リングの多数のオリフィスからウエファのエッジへ流れ、継続する非接触処 理を行なうガス状媒体の流れを含むガス状媒体のみが前記ウエファへ流れる請求 の範囲５５における装置。 ５７．前記ウエファを少なくとも液体処理媒体で処理した後、前記浮遊ウエファ とキャップと共に前記下位チャンバブロックを処理部へ向け上昇させ、ガス状媒 体のみが前記ウエファの全面に向け流され、前記ウエファから前記液体処理媒体 が最終的に除去される請求の範囲５７における方法。 ５８．前記ウエファの位置と処理のタイプに関連して供給媒体の量を調節する手 段を含む請求の範囲４５における装置。 ５９．前記ウエファの位置と処理のタイプに供給緩衝媒体の量が依存する請求の 範囲４６における方法。 ６０．前記媒体供給ブロツクのオリフィスが前記バッファが少なくともウエット 壁の一部となるように構成されている請求の範囲４５における装置。 ６１．液体媒体が前記媒体供給リングの無数のオリフィスにより供給され、少な くとも一時的に円形のウエット壁を構成、維持する請求の範囲４８における方法 。 ６２．前記媒体供給リングが傾斜部を介して前記下位トンネルブロックの内側壁 部から伸び、前記ウエファの直径よりも僅かに大きな直径のもので、媒体供給オ リフィスは、両傾斜のリング部に配置されている請求の範囲６０における装置。 ６３．前記媒体供給リングの上壁がＺんきい下位トンネルブロツクのんきいチャ ンバ凹部の内縁に当接し、該上壁には、一連の微小溝が放射状に配置され、前記 リングの内壁へ伸びて互いに連結し、他方の側においては、前記媒体供給ブロッ クと前記下位トンネルブロックの間のシリンドリカルな連通チャンネルに向け伸 び、前記一連の溝の下には、少なくとも一連の微小な媒体供給チャンネルが放射 状に配置され、さらに、これが前記連通チャンネルに向け伸びている請求の範囲 ５５における装置。 ６４．液体媒体の供給チャンネルが前記連通チャンネルの下端に向け伸び、ガス 状媒体の供給チャンネルが前記連通チャンネルの上端に向け伸びている請求の範 囲６３における装置。 ６５．処理の問、微小供給チャンネルからの媒体の流れが前記キャップのシーリ ングオフ部まわりの微小ギャップに向け流され、前記処理チャンバへ入り、少な くとも前記微小ギャップにおける媒体ロックとなり、処理媒体が前記トンネル通 路へ入るのを防止する請求の範囲４６における方法。 ６６．処理の間、液体処理媒体により、ガス状媒体が前記媒体供給リングのすべ てのチャンネルを通過する請求の範囲６５における方法。 ６７．処理の間、液体処理媒体により液体媒体ロックが前記シーリングオフ部ま わりの前記微小ギャップに維持され、ガス状媒体を伴なう後続の処理の間、前記 液体がガス状媒体により徐々に置換される請求の範囲６５における方法。 ６８．下記を備える前記請求の範囲の一つにおける装置：ａ）複数のモジュール ； ｂ）前記モジュールの間におけるインターフェイス・トンネル通路； ｃ）前記トンネル通路の持ち上げられた側壁における複数のオリフィスであって 、ガス状媒体をウエファのエッジへ向け流し、非接触のウエファ移送を行なうオ リフィス；ならびに ｄ）ウエファの移送に関連して前記媒体の供給をコントロールする手段。 ６９．前記トンネル通路の持ち上げられた側壁における複数のオリフィスからの ガス状媒体の複数の流れが、一つの装置のモジュールから他のモジュールへウェ ファが直線的に移送される間、ウエファへ流され、前記ウエファ移送の間、前記 ウエファの非接触浮遊状態を支持する前記請求の範囲の一つにおける方法。 ７０．下記からなる請求の範囲６８における装置：ａ）各処理モジュールの前面 における、前記通路の中心に位置する密閉可能な放出チャンネル；ｂ）前記モジ ュールにおける密閉可能な共通放出部；ｃ）前記ウエファの直線的移動の間、前 記ウエファの位置に応じて前記チャンネルを介してのガス状媒体の放出を調節す る手段． ７１．下記からなる請求の範囲７０における装置：ａ）レシーバモジュールの前 の前記トンネル通路の前記放出チャンネルを開放し、センダーモジュールから前 記レシーバモジュールへウェファを直線移送する第１の段階で、他の放出チャン ネルをほぼシールする手段；及びｂ）前記レシーバモジュールの前の前記トンネ ル通路の前記放出チャンネルをシールし、前記レシーバモジュールにおける前記 放出チャンネルを開放する手段。 ７２．以下の請求の範囲６９における方法：ａ）センダーモジュールから前記装 置のレシーバモジュールへウェファを移送する第１段階で、レシーバモジュール の前の前記トンネル通路の前記放出チャンネルが開放し、他のすべての放出チャ ンネルは、少なくともほとんど閉止し；そして ｂ）前記ウエファの直線移送の終局において、レシーバモジュールの前の前記ト ンネル通路の前記放出チャンネルが閉止され、前記共通放出チャンネルが開く。 ７３．前記装置のウエファ入口から見て、第１の処理モジュールは、前記ウエフ ァから微小な粒子をすべての面から除去するクリーニングモジュールである請求 の範囲６８における装置。 ７４．前記トンネル入口から前記クリーニングモジュールへ入る汚染された周囲 空気の量を制限するガス状移送媒体の前記供給と放出におけるシーリングオフ構 造と調節手段を備えた請求の範囲７３における装置。 ７５．前記装置外部から周囲空気が前記クリーニングモジュールの前の前記トン ネル通路へ入るのを防ぐ手段の請求の範囲ブ４における装置。 ７６．以下の請求の範囲６９における方法。 ａ）第１の処理モジュールとしてのクリーニングモジュールにおいて、粒子の全 面における除去が前記装置のトンネル入口を通り前記モジュールに入るウエファ から行なわる； ｂ）前記トンネル入口から前記モジュールへ入る汚染された周囲空気の量が制限 される；ならびにｃ）前記クリーニングモジュールの前の前記トンネル通路へ汚 染された周囲空気が入るのを防止される。 ７７．前記装置の外部の周囲空気の大気圧に関連して、前記装置のサブマイクロ 濾過された不活性ガスをオーバーブレッシャに維持する手段を含む請求の範囲７ ４における装置。 ７８．前記装置において、前記装置の外部の周囲空気の大気圧に関連して、供給 されたサブマイクロ濾過された不活性ガスをオーバーブレッシャに維持する手段 を含む請求の範囲７６における方法。 ７９．前記キヤッブの最下位置において、邪魔されないガス状媒体の流れが前記 トンネル通路から前記キャップと前記下位トンネルブロックお間の微小ギャップ を介して前記処理チャンバへ流れ、液体処理媒体が前記トンネル通路へ入るのを 防ぐ請求の範囲７８における方法。 ８０．一連の微小供給チャンネルからのガス状媒体の流れを前記キャップと前記 下位トンネルブロックとの間の確立された円形微小ギャップへ流し、さらに、そ の一部を前記トンネル通路へ流して前記トンネル通路のオーバーブレッシャを維 持し、残りを前記微小なギャップを介して前記処理チャンバへ流し、放射状の邪 魔されない流れにより、すくなくとも液体処理媒体が前記トンネル通路へ入らな いようにする請求の範囲７８における方法。 ８１．前記装置のウエファ・レシービングセクションと放出セクションにおいて 、ロックモジュールが位置されている請求の範囲７７における装置。 ８２．前記装置に到着のウエファは、まずロックモジュールヘもたらされ、前記 モジュールへ到着後、前記モジュールの入口ゲートが閉止され、さらに出口ゲー トが開放して、前記浮遊ウエファをレシーバモジユールへ移送する請求の範囲ブ ８における方法。 ８３．前記ロックモジュールをバッファチャンバとして機能させ、ウエファを浮 遊状態で一時的に貯蔵するようにした請求の範囲８１における装置。 ８４．ウエファがセンダーモジュールからロックモジュールへ運ぼれ、その到着 後、入口ゲートが閉止し、それに基づき前記ウエファがキヤリーオーバーされる 請求の範囲８２における方法。 ８５．前記キャップと前記上位チヤンバブロックとの間の前記コンパートメント がガス状媒体の供給部と接続している請求の範囲８２における装置。 ８６．ウエファの移送中、前記キャップの上のコンバートメントからのガス状媒 体が前記キャップの横のシリンドリカルな微小ギャップを介して前記トンネル通 路へ送られ、前記ウエファの浮遊状態を支持し、処理の間、ガス状媒体が前記コ ンパートメントから前記ギヤッブを介して前記トンネル通路へ送られ、前記トン ネル通路のオーバープレツシヤの状態を支持する請求の範囲７８における方法。 ８７．前記ウエファに液相、気相またはべーバー相のコーティングを付着させる 処理モジュールを備えた前記請求の範囲の一つにおける装置。 ８８．少なくともほとんど包囲された処理モジュールにおいて、前記ウエファに 液相、気相またはべーバー相のコーティングを付着させる処理が行なわれる前記 請求の範囲の一つにおける方法。 ８９．前記媒体がべーバー相のＨＭＤＳプライマーである請求の範囲８８におけ る方法。 ９０．前記モジュールが処理モジュールからなり、該モジュールは、前記ウエフ ァ移送セクションからコーティング付着セクションへ伸びている請求の範囲８７ における装置。 ９１．前記ウエファ移送セクションの直下に下記を有する請求の範囲９ｏにおけ る装置； ａ）シンナーの付着が少なくとも円形のウエファのエッジに行なわれるセクショ ン； ｂ）余分なコーティングが少なくとも円形のウエファのエッジから除去されるク リーニングセクシヨン；及びｃ）乾燥セクション。 ９２．前記下位チャンバブロックにウエファが到着した後、該ウエファの浮遊状 態が一時的に終了し、前記下位チャンバブロックは、前記ウエファと共にコーテ ィング付着セクションへ下降し、前記コーティングの付着がおこあわれる請求の 範囲８８における方法。 ９３．前記ウエファの到着後、まず、前記下位チャンバブロックは、ウエファと 共に前記ウエファ移送セクションの直下にあるセクションへ下降し、そこでシン ナー層が前記ウエファの円形エッジに付着され、ウエファは、低いｒｐｍで回転 される請求の範囲９２による方法。 ９４．コーティングの供給オリフィスを前記チャンバの外部から前記ウエファの 上の付着位置へ動かし、また、その逆を行なう手段を備えた請求の範囲９１にお ける装置。 ９５．前記処理チャンバは、バキュームポンプに接続している請求の範囲９４に おける装置。 ９６．前記処理チャンバは、前記コーティングの付着と、それに緩く乾燥に必要 な温度に前記チャンバを保つための加熱システムを含む請求の範囲９４における 装置。 ９７．ウエファ処理の間、前記キャップにおける供給チャンネルから温かいガス 状媒体を前記ウエファにそい下位のシリンドリカルな放出チャンネルへ直接流す 手段を含む請求の範囲９６における装置。 ９８．処理の間、前記キャップの供給チャンネルから温かいガス状媒体を前記ウ エファにそい下位のシリンドリカルな放出チャンネルへ直接流す手段を含む請求 の範囲９２における方法。 ９９．前記下位チャンバブロックは。チャックであり、少なくとも低いｒｐｍで 前記ウエファを回転するモータに装着されている請求の範囲９ブにおける装置。 １００．前記処理の一部の間、前記ウエファは、低いｒｐｍで回転する請求の範 囲９８における方法。 １０１．コーティング付着の後、下位チャンバブロツクと前記ウエファの組合わ せたものがクリーニング／乾燥セクションへ上昇移動し、少なくともウエファの エッジから余分なコーティングを除去し、該コーティングを乾燥させる請求の範 囲９８における方法。 １０２．前記クリーニングセクションにおいて、まずシンナーが前記下位チャン バブロックの前記供給チャンネルから前記ウエファの下側へ供給され、媒体供給 リングのオリフィスから、そして、前記シンナーは、不活性ガスにより置換され る請求の範囲１０２における方法。 １０３．前記媒体供給リングから前記共通放出部へ下がるウエット壁を備えた請 求の範囲９６における装置。 １０４．余分なコーティングが前記媒体供給リングから前記共通放出部へ下がる ウエット壁に部分的に付着し、前記余分なコーティングは、ウエット壁液体と共 に共通の放出部から除去される請求の範囲９８における方法。 １０５．よぬんなコーティングを除去し、前記コーティング付着セクションに接 近すうりょう伸びる前記チャックを囲む分離壁としてのウエット壁を備えた請求 の範囲９６における装置。 １０６．下位チャンバブロックとウエファの組合わせたものをクリーニングセク ションへ下降移動し、シンナーを前記ウエット壁のトッブを介して前記ウエファ の外側下部へ送り、前記ウエファから除去される請求の範囲１０５における装置 。 １０７．前記コーティング付着セクションの下側のクリーニングセクションにお いて、前記チャックを囲む前記ウエファの下側のウエット壁からのシンナーを前 記ウエファの下側へ流し、除去する請求の範囲９８における方法。 １０８．前記チャックい吸引した前記ウエファに液相のコーティングを付着する 手段を備えた請求の範囲９９における装置。 １０９．前記円形ウエファのエッジにシンナーを付着した後、前記ウエファを前 記チャックに吸引し、この両者をコーティング付着位置へ下降移動し、コーティ ングの付着を行なった後、よぬんなコーティングを前記ウエファから高いｒｐｍ で回転させて除去する請求の範囲９３における方法。 １１０．前記下位チャンバブロックとキャップの前記チャンネルからと、前記キ ャップと前記下位トンネルブロックの間の円形微小ギャップとからのガス状媒体 の流れにより少なくとも前記ウエファの移送位置の近くで前記ウエファを乾燥す る手段を備えた請求の範囲１０３における装置。 １１１．前記クリーニングの後で前記ウエファの乾燥とコーティングとが前記下 位チャンバブロックとキャップの前記チャンネルからと、前記キャップと前記下 位トンネルブロックの間の円形微小ギャップとからのガス状媒体の流れにより少 なくとも前記ウエファの移送位置の近くで行なわれる請求の範囲１０４における 方法。 １１２．前記ウエファの近ベークが行なわれ、少なくとも、前記キャップのセク シコンとしての前記上位チャンバブロックに加熱要素が位置している処理モジュ ールを備えた前記請求の範囲の一つにおける装置。 １１３．少なくとも前記下位チャンバブロックヘのガス状浮遊媒体の供給を調整 し、前記ウエファの上方移動により前記上位チャンバブロツクから前記ウエファ ヘの熱伝導を徐々に増加し、前記ウエファを下降移動させて前記ウエファの熱を 徐々に低下させる手段を備えた請求の範囲１１２における装置。 １１４．処理モジュールにおいて、近ベークが行なわれ、該熱は、加熱された上 位チャンバブロックによりウエファへ伝達され、前記ウエファを上方移動させて 前記熱伝導を徐々に増加させ、前記ウエファを下降移動させて前記ウエファの温 度を徐々に低下させる前記請求の範囲の一つにおける方法。 １１５．前記上位チャンバブロックが前記ウエファ移送セクションの上に離れて 位置し、前記下位チャンバブロックには、移動機構が接続されて、前記上位チャ ンバブロックに向け上昇移動し、前記下位チャンバブロックに浮遊する前記ウエ ファヘの熱伝導をコントロールする請求の範囲１１２における装置。 １１６．前記オイーブンモジュールの処理チャンバは、バキュームボンブに接続 している請求の範囲１１５における装置。 １１７．前記ウエファへの熱伝導は、脱水べークのため減圧状態で行なわれる請 求の範囲１１４における方法。 １１８．下記の処理または前記処理チャンバにおける組合わせを可能とする手段 を備えた前記請求の範囲の一つにおける装置： Ｈ２ＳＯ４とＨＦ処理並びにプラズマ・エンハンスド・エッチングを含むエッチ ング； ストリッピング、プラズマストリッピング；ドーパント処理； メガソニッククリーニング、ウルトラソニッククリーニング、ブラスマクリーニ ング； 各種タイプのリトグラフィ；ならびに マイクロウエーブオーブンとホットプレートオーブンを含むオーブンベーク。 １１９．前記装置のモジュールにおいて、つきのウニファ取扱いを可能とする手 段を備えた請求の範囲１１９における装置： ウエファテスト、検査、測定ならびにマーキング。 １２０．少なくともほとんどシール可能なウエファ移送モジュールを備えた請求 の範囲１１８における装置。 １２１．前記ウエファを吸引するバキュームチャックを有するアームを含み、下 位トンネルブロックと下位チャンバブロックの両者の側壁が凹み、チャック付き 前記アームが前記下位チャンバブロック内の中央のテイクオーバ一位置へ移動可 能で、チャック付き前記アームとウエファを前記モジュールから引き抜くウエフ ァの取出しモジュールを備えた請求の範囲１２０における装置。 １２２．下記を含む前記装置のウエファ移送モジュールにおけるウエファ移送の 方法： ａ）ウエファをトンネル通路を介して前記下位チャンバブロックのトッブの浮遊 中央位置へ移送する；ｂ）前記ウエファの浮遊状態を終了させる；ｃ）前記ウエ ファと共に前記下位チャンバブロックを下方へ移動する； ｄ）前記ウエファを前記チャックに当接させ、吸引する；ｅ）前記ウエファと共 に前記チャックを前記モジュールから移す；そして ｆ）前記下位チャンバブロックとキャップは上方のウエファ移送位置へ戻る。 １２３．前記ウエファのメインの処理のためのモジュールを備えた請求の範囲１ ２１による装置。 １２４．前記モジュールは、前記トンネル通路の出口側とリークフリーの状態で 接続している請求の範囲１２３における装置。 １２５．前記ウエファの取出しモジュールが前記モジュール内に位置している請 求の範囲１２３における装置。 １２６．つきの処理を行なう手段を備えた請求の範囲１２３における装置： プラズマエッチング、反応イオンプラズマエッチング、マグネトロンイオンエッ チング、スパッタエッチング；プラズマエッチング； 低圧または高圧でのケミカル・ペーパ・デボジション、ＣＶＯエピタキシァル； 物理的ベーパデポジション； 電子ビーム・デボジション； 高圧酸化システム、低圧酸化システム；高温蒸発システム； イオンビーム・デボジション； ブラスマデボジション； 金属化、平滑化、スパッタリング； レーザーアンニーリング； 高温オーブンベータ； ステッバー、インラインｅヒーム・ダイレクトライティング、Ｘ線マイクロリト グラフィを含むリトグラフィ・システム； ウエファ・テスト、測定、検査ならびにマーキング。 １２７．請求の範囲１２７のように、ウエファ移送モジュールと反対のウエファ 移送を含むレシーバ装置を付加して備えた請求の範囲１２３における装置。 １２８．前記装置において、処理の少なくとも一つが請求の範囲１１８と１２６ に記載されているように行なわれる前記請求の範囲の一つにおける方法。