NL8600255A - Verbeterde inrichting voor wafer transport en processing. - Google Patents

Description

Verbeterde inrichting voor wafer transport an processing.

In onder andere de 11,5, Octrooien Ma's 4 455 024, 4 521 258 en 4 550 5S0 van de aanvrager zijn inrichtingen omschraven, waarbij transport en processing van wafers in een tunnel passage onder double floating con-5 ditie plaats vindt.

Omdat bij een in—line installatie, zoals voor het opbrengen van een coating, processing plaats vindt in meerdere opvolgende secties van zulk een tunnel passage, moet in verband met de beschikbare tijdsduur deze processings gelijktijdig plaats vinden, 10 Daarbij is het niet mogelijk, om tijdens deze serie van processings drukverschillen in de tunnel passage te vermijden.

Tijdens elke processing vinden een serie opvolgende drukverschillen plaats en de naast zulk een processing sectie liggende andere processing secties kunnen daar niet snel genoeg op reageren, waardoor de daarin aan-15 üiszige wafers onder double floating conditie uit hun respectievelijke processing posities kunnen geraken.

Met de inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om deze bezwaren op te heffen en is deze in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat alle hoofdprocessing of wafer behandeling plaats vindt in zijn eigen tijdelijk 20 afgesloten processingsectie.

Bij veel processings, zoals processing onder vacuum of hoge druk, moet het compartiment zeer goed zijn afgesloten, omdat anders het lekmedium toch de andere processings kan verstoren of omgekeerd.

Een volgend gunstig kenmerk is dan ook, dat daarbij een scheidings-25 wand wordt toegepast, welke zich aaneengesloten rondom de processingkamer als deel van deze passage uitstrekt en deze wand aan de bovenzijde ervan verbonden is met een bovenwand, aldus een afsluitkap vormend,

Verder, dat daarbij gebruik gemaakt wordt van de onderkant van deze kap als afdichtrand met een daarmede corresponderende zitting, welke is op-50 genomen in het onderblok van de tunnel,

Gro daarbij vanaf sen geopende tunnelpassage met behulp van deze afsluitkap sen afdichting te bewerkstelligen, is een verplaatsing van slechts enkele millimeters benodigd,

Verder is het gewenst, dat bij het komen te rusten van de kap op de 35 zitting de daardoor bewerkstelligde micro—verontreiniging niet in de tun-passage terecht kan komen.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat daarbij in het onderblok binnen de kap-opstelling opzij van het zittingsvlak een doorlopende afvoer- • ; , ' „ : 3 ί -- ·>* - 2 - spleet is opgenomen, waardoorheen, tijdens het geopend zijn van de kamer af-zuiging van gasvormig medium vanuit de aangrenzende tunnelpassage en zulks tezamen met deze verontreiniging plaats vindt»

Het is daarbij van groot belang, dat da verplaatsing van deze af-5 sluitkap zo langzaam mogelijk geschiedt»

Verder mag de wafer, terechtkomend onder de kap, niet nog voor een gedeelte ervan onder de afdichtrand van deze kap zijn achtergebleven tijdens het sluiten van de kap. Tevens mag de wafer niet te ver zijn verplaatst.

Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat de kap-opstelling zo-10 danig is uitgevoerd, dat deze kantelbaar is op zijn eronder gelegen zitting en waarbij tijdens het binnenkomen van de wafer het ingangsgedeelta van deze kap omhoog is bewogen, terwijl het uitgangsgedeelte ervan als kantelpunt op de zitting is achtergebleven.

Verder, dat bij het afvoeren van de wafer het uitgangsgedeelte van 15 de kap omhoog is bewogen, terwijl het ingangsgedeelte ervan op de zitting is blijven rusten. .

Door nu verder in deze afsluitkap uitmondingen voor toevoer van gasvormig stuwmedium op te nemen, die een stroom medium leiden naar de opstaande zijwand van de wafer, wordt deze wafer effectief afgersmd en ver— 20 volgens naar een middenpositie ervan ten opzichte van de kap-opstelling bewogen.

Bij de spin processings, zoals is ontschreven in de Nederlandse Gc-trooi-aanvrage No. 3600059 van de aanvrager, is het mogelijk, dat de combinatie van een aparte bovenblok-sectia en onderblok-sectis als deel van de 25 spinprocessing-module naar beneden wordt verplaatst naar een processing-kamer.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat zoals in zulk een opstelling de afsluitkap afdichtbaar is op de zitting van het onderblok, deze kap zich over enige afstand in benedenwaartse richting uitstrekt voorbij deze zitting 30 met een scheidingsspleet tussen dit verlengde en de zitting.

Hierdoor is het niet mogelijk, dat bijvoorbeeld vloeibaar reinigingsmiddel, welke afgespind wordt, terecht komt op deze zitting.

Door deze zitting tevens nog een lagere positie te doen hebben dan de onderwand van de tunnelpassage, kan zulk een vloeistof niet de floating 35 conditie van de wafer tijdens zijn lineair transport ongunstig beinvloeden.

Vooral bij vacuum-processing onder tenminste single floating conditie is het van belang, dat de toevoer van het gasvormige medium in zulk een afgesloten sectie van de tunnelpassage zo beperkt mogelijk is.

- »v —a \ Λ r" ®

Een volgend gunstig kenmerk is dan ook, dat deze verticals afdich-tingsiiiand van de kap-opstelling aan cirkelvormig profiel heeft en waarbij tijdens de floating processing tenminste de uitmondingen voor toevoer van gasvornig draagmedeium in de ondertunnalwandsectie bedekt zijn door de wa-5 fer. Hierdoor is weglekkend medium zonder een bijdrage ervan aan de floating conditie voor da wafer ónmogelijk en is aldus een maximale benutting van het draagmedium verkregen.

Verder is het gewenst, om daarbij voor dit medium een maximaal draagvermogen te hebben.

1G Een volgend gunstig kenmerk is nu verder, dat de afvoerspleet opzij van de afdichtingszitting cilindsrvormig is en eveneens gedurende de wafer-processing dient voor het afzuigen van het medium naar een vacuumpomp.

Aldus kan het bovenvlak van de wafer niet getroffen worden door verontreinigingen, welke afkomstig zijn van een eventueel tijdelijk op de onder-15 wand van de tunnelsectie kleven van de wafer. .

Een volgend gunstig ksnmerk is, dat na zulk een hoofdprocessing wederom de combinatie van gass.tuwing naar de onderzijde en ds opstaande zijkant van de wafer plaats vindt.

Hierhij wordt door deze gasstuwing elke verontreiniging, welke op de 20 onderzijde van de wafer terecht is gekomen, verwijderd en meegezogen naar de afvoerspleet.

Verder is hst gewenst, dat tijdens het in de processingsectie brengen van de wafer deze zo snel mogelijk een centrische positie ten opzichte van deze sectie verkrijgt, 25 Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat in de opstaande zijwanden van da bovenbloksectis opzij van de tunnelpassage-sectie een toevoer van stuw— medium is opgsnomen voor het eveneens stuwen van medium naar de in deze processingsectis aanwezige wafer. Verder, dat daarbij gebruik gemaakt wordt van het systeem tot verkrijging en onderhouden van de centrische positie van 3G de wafer ten opzichte van de toegepaste draaitafel, zoals is omschreven in deze boven vermelde Nederlandse Octrooi-aanvrage van de aanvrager.

Door de afzonderlijke boven- en onderblok-secties van zulk een proces-sing-sectie is deze eveneens uitermate geschikt om in aangepaste vorm te fungeren als dehydration-bake oven en proximity-bake oven.

35 Daarbij kan in deza secties de toegevoerde warmte niet de hoofdtunnel- blokksn in ontoelaatbare mats verwarmen.

De inrichting volgens de uitvinding leent zich tevens uitermate voor het in een processingsactia ervan bewerkstelligen van een hoog vacuum en - 4 - _ >«.

# * f het vervolgens neerslaan van de warme coating in damp - of gastoestand op de opgewarmde wafer. Daarbij is een rotatie van de wafer mogalïjk door het in deze sectie eveneens gebruikmaken van een draaitafel als onderbloksectie.

Vermeden moet worden, dat verontreinigingen via de in- of uitgang van 5 de tunnel terecht kan komen in het tunnelgedeelte, waarin hoofdprocessing plaats vindt.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat daarin de groep van opvolgende afsluitbars processingseoties samenwerkt met afsluitsystemen, welke zijn opgenomen in de in- en uitgang-van de tunnel.

10 Daarbij fungeert bij de ingang de reinigingssctie als buffer voor het opvangen van alle verontreinigde medium, welke nagenoeg uitsluitend tezamen met de nieuwe wafer in de tunnel wordt gebracht gedurende de relatief zeer korte tijd van wafer-inbreng. Gedurende de rest van de tijd wordt in deze tunnel een overdruk ten opzichte van de wafer-toevoer onderhouden.

15 Is de uitgang van de tunnel aangesloten op een hoogvacuum-module, dan fungeert de afsluitkap van de overdraag-sectie tevens als tijdelijke afsluiter naar deze module, waarbij via de tunnelpassage toegevoerde wafers opvolgend naar deze sectie worden gevoerd en vervolgens via een opening in het onderblok van de tunnel worden geleid naar deze module, 20 Daarbij al dan niet de gebruikmaking van een robot voor het transpor teren van opvolgende wafers naar elk type van processing-module.

Verdere kenmerken van de inrichting volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.

Figuur 1 toont een langsdoorsnede van een installatie, waarin de 25 inrichting volgens de uitvinding is opgenomen.

Figuur 2 is een doorsnede over de lijn 2-2 van de inrichting volgens de Figuur 1.

Figuur 3 is een vergroot gedeelte van de installatie volgens de Figuur 1, waarbij een tweetal aan elkaar grenzende processingseoties afge-30 sloten zijn.

Figuur 4 is de installatie volgens de Figuur 3, waarbij wafer transport plaats vindt vanuit de ene, geopende sectie naar de andere, geopende sectie.

Figuur 5 is een dwarsdoorsnede over de lijn 5-5 van de installatie 35 volgens de Figuur 1.

Figuur 6 is een doorsnede over de lijn 6-6 van de processingsectie 4*.

volgens de Figuur 5,

Figuur 7 is een vergroot detail van een processingsectie, waarin de ► \.v % - 5 - afsluitkap de tunnelpassage afsluit.

Figuur 3 is een doorsnede over de lijn 3-8 van de processingsectie volgens de Figuur 7.

Figuur S toont de sectie volgens de Figuur 7, u/aarbij de afsluitkap 5 over een micro afstand gebracht is van de zitting van het onderblok.

Figuur 10 toont de sectie volgens de Figuur 7, waarbij het afsluit-kapgedeelte aan de uitgangszijde van de sectie over een geringe afstand omhoog is verplaatst.

Figuur 11 is een vergroot detail van de onderrand van de afsluitkap, 10 rustend op de zitting.

Figuur 12 toont de sectie volgens Figuur 8, waarbij dit kapgedeelte opwaarts naar zijn maximaal geopende positie is verplaatst.

Figuur 13 toont de sectie volgens de Figuur 7, waarbij het afsluit-kapgedeelte aan de ingangszïjde van de sectie over een geringe afstand om-15 hoog is verplaatst.

Figuur 14 toont de sectie volgens de Figuur 13, waarbij dit kapgedeelte verder omhoog is verplaatst naar zijn bovenste positie en waarbij toevoer van een wafer naar deze sectie geschiedt.

Figuur 15 toont de sectie volgens de Figuur 14, waarbij dit kapgedeel-2Q te naar beneden is verplaatst tot vlak boven de zitting.

Figuur 15 toont één van de beide meeneeminrichtingen voor de afsluitkap.

Figuur 17 toont een vergroot detail van de installatie volgens de Figuur 2 over de doorsnede 17-17 ervan tijdens de wafer processing met behulp 25 van vloeibaar medium.

Figuur 13 toont de sectie volgens de Figuur 17, waarbij aan de bovenzijde van de wafer de processing is overgegaan in processing met behulp van gasvormig medium.

Figuur 19 toont de sectie volgens de Figuur 18, waarbij aan de onder-30 zijde van de wafer eveneens gasvormig medium wordt toegevoerd.

Figuur 20 toont een vergroot detail van de langsdoorsnede over de lijn 20-20 van de installatie volgens de Figuur 2.

Figuur 21 toont een detail van de doorsnede over de lijn 21-21 van de installatie volgens de Figuur 2 waarin de wafer zich in zijn onderste trans-35 port positie bevindt.

Figuur 22 toont het detail volgens de Figuur 21 , waarbij versterkte warmte-overdracht naar deze wafer in zijn bovenste positie plaats vindt.

Figuur 23 toont een gewijzigde uitvoering van een proximity oven.

F aftJT· > - 6 -

Figuur 24 toont schematisch het ingangsgedeelte van de tunnel, waarbij een wafer uit de reinigingssectie wordt gestuwd naar een oven sectie.

Figuur 25 toont het ingangsgedeelte van de tunnel volgens de Figuur 5 24, waarbij een wafer vanuit een toevoer ervan wordt verplaatst naar de reinigingssectie.

Figuur 26 toont een installatie voor het etsen van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afsluitsystemen volgens de uitvinding ten behoeve van opvolgende processingsecties.

10 Figuur 27 toont daarbij de wafer processing in een lager gelegen processing kamer.

Figuur 28 toont een wafer onder double-floating conditie tijdens de processing.

Figuur 29 toont deze wafer, waarbij deze bij een minimum toevoer aan 15 medium naar de ondergelegen onderbloksectie kleeft op de combinatie van de micro laag medium en dit blok.

Figuur 30 toont voor een hoofdprocessing module een toe- en afvoersysteem, waarin afsluitkappen rondom een aantal processingsecties zijn opge-namen.

20 Figuur 31 is een langsdoorsnede over de lijn 31-31 van de installatie volgens de Figuur 30.

Figuur 32 toont de overneemsectie, welke is opgenomen in de installatie volgens Figuur 30 en waarbij een aanzuigblok van een robot-arm naar deze sectie is bewogen voor overname van de wafer.

25 Figuur 33 toont de sectie volgens de Figuur 32, waarbij de robot-arm zich inclusief de wafer naar de aangrenzende processing module verplaatst.

In de Figuur 1 is de installatie 10 aangegeven. Deze bestaat daarbij uit de navolgende processingsecties: toevoersectie 12, reinigingssectie 14, vacuum-dehydration bake ovensectie 30 16, de sectie 18, waarin coating in dampvormige toestand op de wafer 20 wordt neergeslagen, coatingsectie 22, proximity-bake ovensectie 24 en afvoer-sectie 26, zie tevens de Figuur 2.

Daarbij zijn deze secties onderling verbonden door middel van de tun-nelpassage 28, welke zich bevindt tussen het onderblok 30 en het bovenblok 35 32.

Het bovenblok 32 is ter plaatse van de processingsecties verdiept onder de vorming van de kamers 34.

De reinigingssectie 14 bestaat daarbij in hoofdzaak uit de bovenblok- * * - 7 - sectis 35, welke is vastgezet Dp het bovenblok 32, de draaitafel 38 met da aandrijf inrichting 40, de onderkap 42 en de afsluitkap 44, welke in de kamer 34 is cpgenaman. Tussen de draaitafel 32 en de bovenbloksectie 36 bevindt zich de tunnelpassage-sectie 46.

5 De ovensectie 16 bestaat in hoofdzaak uit de bovenbloksectie 48, welke eveneens is vastgezet op het bovenblok 32, de onderbloksectie 50, welke is vastgezet op het onderblok 30, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 52 en de afsluitkap 54.

Oe coatingssctie 20 bestaat in hoofdzaak uit de bovenbloksectie 56, 10 de draaitafel 58 als onderbloksectie, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 50, de afsluitkap 54, de aandrijfinrichting 62 en de ondsrkap 64.

De tweede coatingsectie 22 bestaat uit de bovenbloksectie 66, de draaitafel 68, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 70, de aandrijfinrichting 62, de onderkap 64 en de afsluitkap 54.

15 De proximity ovensectie bestaat uit de bovenbloksectie 72, de onder bloksectie 74, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 76 en wederom de afsluitkap 54,

In de tunnelingang 78 is vsrder de afsluitschuif 80 opgenomen en in de tunneluitgang 32 de schuif 84.

20 Elk van de afsluitkappen 44 en 54 zijn met hun ingangszijde 85 vastge- zat op de meeneeminrichting 88 en met hun uitgangszijde 90 op de meeneem-inrichting 92. i/erder zijn deze kappen met behulp van de membraamwand 94 vastgezet op het montageblok 96, welke zich bevindt tussen de respectievelijke bovenbloksscties en het bovenblok 32 zelf, zie tevens de Figuur 3.

25 In deze Figuur zijn de coatingsectie 22 en de ovensectie 24 vergroot aangegeven. Daarbij rusten de kappen 44 van deze secties met hun afdichtrahd 100 op de zitting 102 van het onderblok 30, waardoor de respectievelijke tunnelpassage-sectiss 70 sn 76 als processingkamers 104 en 106 geheel zijn afgesloten van ds tunnelpassage 26.

30 In de Figuur 4 is verder het uitgangsgedeelte 90 van de kap 54 van de coatingssctie 22 omhoog bewogen, waarbij de wafer 20 via de verkregen opening 103 wordt afgevoerd naar de ovensectie 24, zie tevens de Figuur 12.

3ïj deze sectis 24 is het ingangsgedeelte 86 omhoog bewogen onder de verkrijging van de doorlaat-opening 110, zie tevens de Figuur 14.

35 Door een tijdelijks drukverhoging in da eerste sectie 22 in samenwer king met aanvullende stuwstromen in de tunnelpassage 28 vindt daarbij zulk een wafarverplaatsing plaats.

3ij de opwaartse verplaatsing van het uitgangsgedeelte 90 van de kap f » - 8 - 54 kantelt deze kap met het gedeelte 112 ervan over het daarmede corresponderende gedeelte 114 van de zitting 102, zie tevens de Figuur 11.

De zijkanten 115 en 118 van respectievelijk de afdichtrand 100 en de zitting 102, zie tevens de Figuren 5 en 3, zijn gevlakt onder de vorming 5 van de kantellijnen 120, welke haaks staan op de lengteas van de tunnel-passage 28.

Ook kan het dicbtingsvlak van de rand 100 daarbij afgerond zijn met een radius ter grootte van ongeveer de diameter van de afsluitkap 54, waardoor de kantellijn pas aan het einde van de kap-verplaatsing wordt bereikt.

10 Doordat de meeneeminrichtingen 83 en 52, gezien in laterale richting van d8 tunnel, boven het midden van deze kantellijnen 120 zijn bevestigd op de kap 54, wordt tijdens deze kantelende kapverplaatsing over een zeer geringe afstand deze kap in zijn juiste laterale positie ten opzichte van de wijdere kamer 34 gehouden, zodat tijdens deze verplaatsing contact daarmede 15 wordt vermeden.

In de Figuur 10 is aangegeven, dat de afdichtrand 100 ter plaatse van het uitgangsgedeelte eerst gedurende korte tijd over een minimale afstand van de zitting 102. is gelicht om met behulp van stromen gasvormig medium vanuit de kamer 34 en de tunnelpassage 23 ter plaatse van deze opening 20 een verwijdering van verontreinigingen van deze rand 100 en de zitting 102 te bewerkstelligen.

Om zulk een twee-staps opwaartse verplaatsing te kunnen verkrijgen, wordt bij voorkeur gebruik gemaakt van de stap-motoren 122, zie tevens Figuur 15, De mseneemas 124 van zulk een motor 122 is vastgezet op het midden 25 128 van de membraam 126, terwijl aan de binnenzijde van deze membraam de kap 54 met behulp van een flexibele meeneemplaat 130 eveneens verbonden is met het centrum 128 van dit membraam.

Deze plaat 130 strekt zich daarbij in laterale richting ten opzichte van de lengteas van de tunnel uit.

30 De membraam is verder met haar buitenzijde 132 vastgezet op het boven blok 32. Aldus kan de meeneeminrichting 92 de geringe kantelbeweging van de kap volgen.

De constructieve opbouw van de meeneeminrichting 88 is daarbij dezel- de.

35 Bij het openen van de doorlaat voor de wafer kan met behulp van de bei de stapmotoren deze kap eerst in zijn geheel over een geringe afstand omhoog zijn verplaatst, waardoor de gehele afdichtrand 1G0 van de zitting 102 is verwijderd onder de vorming van de micro-splset 98. Zulks is aangegeven in 1 vj» 3 ·« Ξ η '-t da Figuur 9«

Daarbij is enerzijds aen goede reiniging van deze rand en zitting mogelijk pet behulp van uit de tunnelpassage 2S via deze spleet S8 in de pro— csssingssctie 22 stropende gssvormigs medium.

5 Vanuit deze positie kan vervolgens bijvoorbeeld de uitlaatzijde van de afsluitkap 54 verder omhoog worden bewegen, totdat de afvoerdoorlaat voor de wafer is vrijgekomen.

Vervolgens kan dan deze uitlaatzijde wederom naar beneden worden bewogen, waardoor eerst het met deze meeneeminrichting 92 corresponderende 10 gedeelte van da afdichtrand op de zitting 1G2 komt ts rusten sn vervolgens de rest van deze afdichtrand.

Aldus is een nagenoeg contactloos kantelen van de afsluitkap moge- iyk.

In da tunnelpassage 25 wordt nagenoeg altijd een overdruk onderhouden 15 ten opzichte van de druk in da proces singsecties. Alleen tijdens de af voer van de wafer uit zulk een secties wordt daarin tijdelijk een drukverhoging opgebouwd.

De secties zijn daartoe elk met hun ondereinde aangesloten op een afvoer 134, welke een lagedruk vacuumpomp kan zijn.

20 Doordat de kamers 34, zie onder andere de Figuur 3, aangesloten zijn op aan toevoer 135 voor gasvormig medium, kan mede met behulp van sensoran op commando stroman gasvormig medium vanuit zulk een kamer naar de corresponderende procassingsactis worden gestuwd.

Tevens kunnen via toevosrkanalen 133, welke in het ondsrblok 30 zijn 25 opgenomsn en die uitmonden in da tunnelpassage 28, tfjdelijk stromen gasvormig medium geleid worden naar zulk een sectie, zie onder andere de Figuur 10.

Een gunstige uitvoering van de afsluitkap 54 is daarbij, dat de bodem 14G opz’j van de zittingsrand iets verhoogt ligt en zich over enige afstand in zijwaartse richting uitstrekt tot voorbij zulk een serie van uitmondingen 30 van de kanalen 133, zie Figuren 7,10 en 13.

Aldus wordt het medium, stromend vanuit deze kanalen, naar de opening tussen de afdichtrand 100 en de zitting 102 gestuwd.

De afsluitkappsn 44 en 54 zijn bij voorkeur cirkelvormig en daarbij eveneens hun afdichtrand 100 en de daarmede corresponderende zittingen 102 35 van het ondarblok 3D.

Deze combinatie van rand en zitting kan daarbij een gepolijst oppervlak hebben, terwijl de kap en bodem veelal van zeer hocgwaardig roestvrij staal of kunststof zijn vervaardigd.

j T Hf - ία -

Aldus is Bsn gosde afdichting van de secties door de afsluitkappen gewaarborgd, terwijl tevens een veroorzaakte verontreiniging van de rand en zitting ten gevolge van het openen en sluiten van de afsluitkap volledig onder controle is door het systeem van periodieke reiniging ervan.

5 Het bij een toevoer van een wafer naar een processingsectie achter blijven van het uitgangsgedeelte 90 van de kap in zijn laagste of nabij laagste positie, zoals is aangegeven in de Figuren 14 en 15, maakt het nu mogelijk, dat dit kapgedeelte kan dienen voor het opvangen van de binnenkomende wafer. Daartoe is in dit gedeelte een toevosrkanaal 142 op de bij voorkeur 10 smalle horizontale uitmonding 144 in de binnenzijwand 145 van deze kap aangesloten en welke uitmonding ligt op de hoogte van het centrum van de tun-nelpassage.

Indien nu een sensor 148, zie de Figuren 2 en 5, door een naderende wafer wordt geactiveerd, wordt via een commando naar een regelsysteem de 15 toevoer van medium voor dit kanaal 142 vrijgegeven en stroomt dit medium in de tunnelsectie tot tegen de zijkant van de wafer 20.

Deze wafer wordt daardoor af geremd en komt uiteindelijk tegen de gasbuffer 150, zie de Figuur 15, tot stistand.

Een eventuele signalering van deze positie door een tweede sensor 20 kan dan resulteren in een geleidelijke vermindering van deze toevoer*

Gelijktijdig kan door deze sensor 148, commanderend een regelsysteem in de toevoer van medium naar kanaal 152, een stroom medium vanuit de uitmonding 154 ervan in de zijwand 156 van het ingangsgedeelte 86 van de kap worden bewerkstelligd, zoals is aangegeven.in de Figuur 14, 25 Indien nu de afsluitkap gesloten wordt, dienen deze stromen medium dan voor het onder controle houden van de wafer in zijn middenpositie van de processingsectie, zie Figuur 15,

Bij het afvoeren van een wafer uit de processingsectie, zie de Figuren 10 en 11, helpt de mediumstroom vanuit de uitmonding 154 in het afvoeren van 30 de wafer door het stuwen ervan tegen de achterzijde 190 ervan.

Tijdens de processing in zulk een sectie is het gewenst, dat een stroom gasvormig medium in benedenwaartse richting door deze sectie wordt onderhouden.

Tevens mag bijvoorbeeld bij vloeistof spinprocessing, zoals in sectie 35 14, geen vloeistof in deze uitmondingen terechtkomen.

Deze gasstroom wordt dan ook in veel gevallen onderhouden.

Indien echter in een sectie vacuum processing van de wafer plaats vindt, dan wordt deze toevoer tenminste sterk gereduceerd.

£ -5- -lisinnen het kader van de uitvinding is elke variatie in deze stromen van stuwmedium magelijk.

In de tunnelpassage 23, zie de Figuur 5, wordt da wafer 20 tijdens zijn transport mede contactloos geleid door stromen medium vanuit uitmondin-5 gen 160 en 162, welke zich bevinden in de opstaande zijwanden 164 en 165 van het bovenblok 32.

Hierdoor is een nauwe spleet tussen zulk een wafer en deze zijkanten mogelijk te onderhouden* Zulk een geleidesysteem is omschreven in de Weder-landse Gctrooi-aanvrage "'o. 35 02 924 van de aanvrager.

10 In de Figuren 5 en 6 is nog wederom de coatingsectie 22 aangegeven.

In de opstaande zijwanden 16S en 170 van de bovenbloksectie 66 bevinden zich eveneens uitmondingen van de toevoerkanalen 172 en 174 voor gasvormig stuw-medium. Hierbij dienen deze stromen medium voor het in deze sectie bewerkstelligen van de centrische opstelling van de wafer op de draaitafel 68, 15 zoals is omschreven in de Nederlandse Gctrooi-aanvrage Mo, 86 00 059 van da aanvrager,

De werking van zulk een coatingsectie is als volgt:

Na het verkrijgen van de centrische opstelling van de wafer wordt door tenminste het reduceren van de toevoer van medium via de kanalen 176, welke 20 zijn opgenomen in de draaitafsi, tenminste een kleving van de wafer op de combinatie van een minimale gaskussen en draaitafel-oppervlak bewerkstelligd. Verder wordt de toevoer van medium via de kanalen 173, welke zijn op— genomen in de bovenbloksectie 66, stopgezet.

Zulk een overgaan van floating conditie, waarbij de wafer 20 gemakke-25 lijk verplaatsbaar is, naar een kleef-floating conditie, waarbij de wafer 20 tenminste moailïjk verplaatsbaar is, is in de Figuren 28 en 29 aangegeven.

Vervolgens beweegt door middel van de meeneeminrichting 1S0 de combinatie van draaitafel 62 sn wafer 20 naar beneden tot in de processingkamsr 182, alwaar met behulp van tenminste één daartoe verdraaide toevoer 184 coa-30 ting materiaal 185 op de wafer wordt gebracht, zie tevens de Figuur 3.

Door de in de ondsrkap 64 opgenomen uitmondingen voor toevoer van stuumedium naar da ópstaande zijkanten 190 van de wafer ter onderhouding van de centrische positie Van deze wafer tan opzichte van de draaitafel, zeals in da Nederlandse Gctrooi-aanvrage Mo. 85 00 059 is omschreven, is het aan-35 zuigen van ds wafer 20 op de draaitafel niet vereist.

'ia het met behulp van spinning van de wafer verwijderen van het teveel aan op daze wafer gebrachte coating vindt gedurende enige tijd droging van de Gpgebrachte laag plaats en zulks mede met behulp van al dan niet verwarmd

Γ V

- 12 - gasvormig medium, hetwelk dan bij voorkeur vanuit de kanalen 178 afkomstig is. Daarbij dan een afgesloten zijn van de afvoerkanalen 132, welke eveneens in deze bovenbloksectie 66 zijn opgenomen.

In een andere gunstige serie van processings wordt tijdens de spin 5 processing verdunning voor de coating als vloeibaar medium door de draaita-fel-kanalen 176 gestuwd naar de micro-spleet onder de wafer, waarbij naast de kleefwerking dit medium tevens van de onderzijde en de opstaande zijkant van de wafer wordt gespind. Hierdoor wordt een vergaring van coating op de wafer onderzijde en zijkant vermeden en vindt eveneens doeltreffend verwijde-10 ring van verontreinigingen van deze wafer oppervlaktes plaats. Deze verdunning, eventueel tezamen met anders stromen verdunning, leidend in benedenwaartse richting langs de binnenzijde 194 van de kap, draagt daarbij tevens zorg voor een in voldoende mate afvoeren van coating, welke op deze wand is neergeslagen.

15 Vervolgens wordt dit vloeibare medium dan wederom vervangen door gasvormig medium.

3innen het kader van de uitvinding zijn variaties in de opstelling van deze coatingsectie, besturing van de processings, het spin toerental en de gebruikmaking van elk type van coating mogelijk.

20 Zo is het ook mogelijk, dat de wafer 20 tijdens de spin processing op de draaitafel is gezogen en zulk een opbrenging van coating in een onderste coating-opbrengsectie geschiedt.

Vervolgens wordt deze draaitafel omhoog bewogsn naar een verdunning spin processingsectie, waarbij de aanzuiging van de wafer wordt opgeheven en 25 deze wafer door de via de draaitafalkanalen 176 toegevoerde vloeibare medium van deze tafel over een micro-afstand wordt gelicht. Zulks ten behoeve van spin reinigen van het wafer-ondervlak en de draaitafel en het verwijderen van coating deeltjes van de onderzijde en opstaande zijkant van de wafer.

De verdunning, hetwelk als vloeibaar medium is afgespind, komt daarbij te-30 recht op de binnenzijde 194 van de kap, wordt daarna in benedenwaartse richting af gevoerd en verwijdert daarbij de coating, welke in de onderste processing op deze wand is neergeslagen.

Vervolgens wordt dan dit vloeibare medium vervangen door gasvormig medium en vindt droging van de coating plaats.

35 Deze droging kan daarbij worden voortgezet in tenminste nabij de boven ste transport-positie van de wafer met behulp van het gasvormige medium, welke afkomstig is uit de kanalen 178.

In een soortgelijke opstelling geschiedt het neerslaan op de wafer •Sr £ - 13 - van coating in dampvormige toestand sn al dan nist onder hoog vacuum. Zulks vindt plaats in de coatingsectie 18, waarbij verdampte RHDS naar ds bovenzijde van da wafer wordt -geleid en het neerslaan ervanop deze wafer onder hoog vacuum geschiedt. Gok hier vindt zulk een processing plaats in ds kamer 132.

5 De wafer wordt tijdens da vacuum processing bij voorkeur uitsluitend door zijn eigen gewicht op de draaitafel gehouden.

Ook hier wordt het medium bij voorkeur door de verdraaibare toevoer 184- aangevoerd.

Zowel de draaitafel als de bovenbloksectie kan daarbij voorzien zijn 10 van een veruarmings-element voor het op de gewenste temperatuur houden van de wafer tijdens de processing en om condensatie van het dampvormige medium tegen te gaan.

Het teveel aan dampvorrnig medium wordt cnmiddellïjk via ds ruime cilindrische afvoerspieet naar beneden afgevoerd en kan aldus geen nesrslag 15 van betekenis geven.

Verdraaiing van de draaitafel en daarbij van de wafer is slechts onder een zeer laag toerental benodigd en dient uitsluitend om een gelijkmatig neerslaan van het medium op de wafer te verkrijgen.

Binnen het kader van de uivinding kan daarbij ook de wafer niet rote- 20 ren.

iia beëindiging van het neerslaan van deze coating wordt via de toe-voarkanalsn nog wederom verdunning in al dan niet vloeibare vorm naar de spleet tussen de wafer en de draaitafel gevoerd, vervolgens vindt spin processing plaats met het neerslaan van deze verdunning op de binnenwand 194 25 van de processingkamer 132. Deze verdunning wordt daarbij onmiddellijk af gezogen via de afvoerkanalen 134.

Daarna wordt deze toevoer van vloeibaar medium vervangen door een toevoer van gasvormig medium ter verwijdering van achtergebleven vloeistof-deeltjes van de tcp van de draaitafel en het wafer-ondsrvlak.

30 Vervolgens vindt dan voordrocing van de opgebrachte coating plaats en wordt teruggegaan naar de kleef-' floating conditie voor de wafer en kan de combinatie in opwaartse richting naar zijn positie voor lineair transport van ds wafer worden gebracht.

In deze positie kan dan verdere droging van de coatingfilm plaats 35 vinden onder toevoer van gasvormig medium via de kanalen 173.

In een andere gunstige uitvoering vindt ook hier in een onderste processing neerslag van coating op de wafer plaats. Vervolgens wordt de wafer omhoog gebracht naar een spin processing positie en waarbij verdunning i - 14 - als vloeibaar medium via de draaitafel naar de wafer wordt gestuwd en onder spin conditie wordt afgeslingerd.

Ook kan in zulk een bovenste processing-gedeelte reiniging van de wafer plaats vinden 5' Daarbij een nagenoeg dezelfde constructieve opbouw als die, welke is omschreven voor de coating opbrenging met gebruikmaking van vloeibare coating.

Tevens is het bij deze processingsecties inclusief de reinigings-en coating-opbrengsecties mogelijk, dat geen bovenbloksectie wordt toege-10 past en waarbij in zulk een sectie lineair wafer transport uitsluitend onder single-floating conditie geschiedt.

Binnen het kader van de uitvinding is elke soort van neerslaan van coating op de wafer in dampvorm of gastoestand mogelijk.

In de processingsectie 14 vindt reiniging van de uit de tunnel-ingang 15 78 aangevoerde wafers plaats.

In deze sectie is de kap 44 met een cilindrische gedeelte 200 naar onderen verlengd tot voorbij de zitting 102, zie de Figuren 1 en 17 tot en met 20.

In de Figuur 17 vindt tijdens de spin-processing toevoer van vloei-20 baar medium 202 plaats naar zowel de onderspleet 204 tussen de wafer 20 en de draaitafel 38 als naar de bovenspleet 206 tussen deze wafer en de bovenbloksectie 36.

Daarbij is de toevoer van dit medium naar ds onderspleet 204 via da in de draaitafel opgenomen toevoerkanalen gering gehouden, waardoor deze 25 spleet slechts een micro-hoogte heeft onder kleaf-floating conditie van ds wafer op de draaitafel. Hierdoor wordt deze wafer door de tafel medegenomen met een toerental, welke die van de tafel benadert.

Het in de bovenspleet 205 toegevoerde vloeibare medium wordt daarbij gemakkelijk onder centrifugaal-werking in deze relatief ruime spleet naar ds 30 buitenzijde van de wafer bewogen en eraf geslingerd.

Doordat de bovenbloksectie 36 niet roteert, wordt alk deel van het bovenwaferoppervlak talloze malen opnieuw getroffen door het instuwende medium. Daarbij is elke druk van dit medium mogelijk en tevens een combinatie van toevoer van medium.

35 In een gunstige uitvoering wordt daarbij via een zeer nauwe uitmon- dingsspleet, welks zich vanuit het centrum van de bovenbloksectie 36 uitstrekt tot nabij de buitenzijde van deze sectie, reinigingsmedium onder zeer hoge druk, bijvoorbeeld 100 bar, naar het wafer-oppervlak gestuwd, terwijl via Λ " - „A V ï .J J - . n · J y 9 2 — lade andere taeuoerkanalsn dit medium onder een lage druk wordt tosgevoerd.

Ook is hafc mogslfjk, dat via dezs andsre kanalen gasvormig stuumsdiun naar da splsst 205 wordt gevoerd,

Gsdurende deze spin-processing vindt tevens toevoer van bij voorkeur 5 gasvornig stuumedium via de in de opstaande u/and 1-58 opgenomen uitmondingen 172 in de richting van de wafsr-zijkant 190 plaats.

Tevens vindt via de in de afsluitkap 44 opgenomen uitmondingen 144 stuwing van dit gasvormige medium plaats in de richting van deze wafer.

Hierdoor blijft tijdens deze spin-processing de centrische positie van 10 de wafer gehandhaafd.

Het weggeslingerde medium komt hoofdzakslijk terecht op de binnenzijde 2G8 van de kap 44 en de ópstaande wanden 153 van de bovenbloksectie 36 en wordt daarvan onmiddellijk in benedenwaartse richting via de ruims cilindrische passage 210 af gezogen naar het in de bodem van de onderkap 42 opgenomsr.

13 afvoerkanaal 134,

Eventueel kan ook nog ter ondersteuning van deze afvoer via de binnenkamer 213 gasvormig medium naar beneden langs de binnenwand 200 wordsn gestuwd.

Aldus wordt een zeer efficients reiniging van zowel de boven- als on-20 dsrzijde van da wafer 20 verkregen, zonder dat de combinatie van draaitafel 33 en bovenbloksectie 35 met de tussengelegan wafer naar beneden moet worden bewogen.

Daarbij kan door de sponning 212 hst vloeibaar medium niet terecht kernen op de combinatie van afdichtrand 100 en de zitting 102, Zulks mede, 25 doordat in de aangrenzends tunnelpassage 28 ten opzichte van de processing-sectis 14 een overdruk wordt onderhouden, zodat geen medium vanuit deze sectie kan weglekken naar deze passage,

In de Figuur 18 is de toevoer van vloeibaar medium naar de boven-spleet 205 beëindigd en vervangen door de toevoer van gasvormig medium 214, 30 Alle resterende vloeibare medium is nu uit deze spleet gestuwd en vindt reeds nadroging van de bovenzijde 215 van de wafer en de onderzijde 218 van de bovenbloksectie 36 plaats.

Gok nu wordt nog het hoge toerental van de draaitafel en wafer onderhouden, 35 Het nog via de draaitafel 33 in de onderspleet 204 tosgevoerde vloei bare medium 202 wordt van de wafer gespind en mede met behulp van de stromen gasvormig medium 214 onmiddellijk af gezogen via de passage 210.

In da Figuur 10 is ook da toevoer van dit vloeibars medium beëindigd j 'i - 16 - en vindt vervolgens een toevoer van gasvormig medium naar da onderspleet 204 plaats. Zulk een toevoer wordt daarbij zolang voortgezet, totdat alle vloeibars medium uit de verdiepte gedeeltes 216 van de draaitafel is verwijderd,

Vervolgens wordt deze draaitafel tot stilstand gebracht en kan de 5 wafer onder double-floating conditie worden afgevoerd, zoals is aangegeven in de Figuur 20,

In de ovensectie 24 vindt proximity bake van de wafer 20 met de erop gebrachte coating plaats,

In de Figuur 1 is de wafer 20 in deze sectie gearriveerd en wordt 10 daarbij een minimale spleet 222 onderhouden tussen de onderbloksectie 74 en deze wafer. Zulks door een minimale toevoer van medium via de in dit blok opgsnomen toevaerkanalen 224,

Verder is daarbij dan de bovsnspleet 225 tussen bovenbloksectie 72 en dezB wafer maximaal, mede door een maximale gebruikmaking van de in deze 15 sectie via de kanalen 228 toagevosrde medium, met eventueel zelfs geen toevoer,

In de aangegeven constructie zijn beide bloksecties 72 en 74 verwarmd. Daarbij is de temperatuur van de onderste sectie 74 slechts in geringe mate hoger dan die in de rest van de tunnel, terwijl in de sectie 72 een tsmpera-20 tuur van bijvoorbeeld 200°C, wordt onderhouden.

In deze wafer-positie vindt slechts zeer geleidelijk opwarming van de wafer plaats. Wordt nu geleidelijk de toevoer van medium naar de onderspleet 222 verhoogt, dan verplaatst de wafer zich vanaf de sectie 74 in de richting van de bovenbloksectie 72 en neemt de temperatuur eveneens geleidelijk 25 toe, 3ij het bereiken van de bovenste wafer-positie, zoals is aancegeven in de Figuur 22, vindt een maximale overdracht van. warmte van de bovenbloksectie 72 via de dan nauwe spleet 226’ naar de wafer plaats . Daarbij in deze splBet de toevoer van warme medium, welke in de sectie 72 is verwarmd, 30 Deze stromen medium wervelen door de nauwe passage en dragen aanzienlijk bij in de warmte-overdraoht.

Na het bereiken van voldoende droging van de op de wafer aangebrachta coating, bijvoorbeeld na 1 tot 2 minu .ten, wordt da wafer geleidelijk naar de. onderbloksectie 74 terug bewogen en daalt daarbij de temperatuur van de wafer 35 met coating geleidelijk naar iets hoger dan die van deze sectie 74 en kan de wafer vervolgens worden afgevoerd.

Binnen het kader van de uitvinding is elke andere opstelling van da blokken mogelijk met bijvoorbeeld geen verwarming van de onderbloksectie 72, -n. * i; -· ' ; j b* V ---- -*·' ·- Λτ > - 17 - j’erder kunnen In dszs sectie naast de toevoerkanalen tevens afvoer— kanalen, zoals bijvoorbeeld wordt toegepast in de. tunnel-constructie, worden toegepast.

In een andere gunstigs uitvoering is de bovenbloksactie 72' in op-5 waartse richting op snige afstand van ds tunnelpassage 23 gelegen.

Daarbij is de onderhloksectie 74’ gekoppeld met de meeneeminrichting 230.

Ds op deze sectie onder single-floating conditie terecht gekomen wafer 20 wordt dan tezamen met deze sectie opwaarts naar deze bovensectia 72' gebracht, waarbij de temperatuur van deze wafer geleidelijk toeneemt.

10 De combinatie kan vervolgens op een door een sensor vastgestelde af stand van de bovensectia 72 ’ verwijderd blijven voor verdere warmte-overdracht gedurende langere tijd, waarna de combinatie dan weer geleidelijk naar beneden wordt verplaatst, 3ij dit wafer transportsysteem wordt bij voorkeur voor de onderblok-15 sectie gebruik gemaakt van series toe- en afvoerkanalen.

In de Figuren 24 en 25 is nog het toevoersysteem van ds wafer 20 vanuit een tosvoersectis 12, zoals bijvoorbeeld een cassette unloader, aangegeven.

In de Figuur 24 wordt de wafer 20 vanuit de processingsectie 14 naar 20 de vacuum ovensectie 15 bewogen, waarbij in ds tunnelpassage-sectie 232 en In deze sectie 14 tijdelijk een overdruk tot stand is gebracht ten opzichte van die in de sectie 15. Zulks door bij voorkeur een versterkte af voer van medium uit deze laatste sectie.

Da schuif 30 in afgesloten positie ervan maakt, dat daarbij nagenoeg 25 geen medium kan ontsnappen naar de tosvoerssctie 12.

Uordt na deze afvoer van ds wafer de afsluitkap 44 van de sectie 14 gebracht naar een open ingang positie, dan is al dan niet gelijktijdig de druk in deze sectie 14 verminderd, wordt de schuif 30 geopend en wordt de wafer, welke bij voorkeur reeds met een gedeelte ervan in de tunnel-ingang Is ge-3Q bracht, onder double-floating conditie verder in de tunnslssctie 234 gezogen.

Deze wafer fungeert daarbij als afsluit-orgaan, waarbij vanuit de toe-voersectie 12 nagenoeg geen medium in de tunnelpassage ORZij van de wafer naar de rsinigingssectie 14 kan stromen.

35 Zodra daarbij de wafer da schuif 30 is gepasseerd, dan wordt door ds sensor 235 de schuif naar de gesloten positie ervan gecommandeerd. De aldus zeer beperkte hoeveelheid medium, welks afkomstig is uit de tosvoerssctie 12, kan daarbij niet terecht komen in ds tunnelpassage-sactie 232. Zulks mede door - 18 - ï ï de daarin aanwezige overdruk.

De reinigingsmodule 14 dient dus tevens als buffer voor het opvolgend opvangen en afvoeren van het via de tunnelingang 78 toegevosrds medium, welke mogelijk verontreinigd is.

5 In plaats van de enkele schuif 80 kan ook da in de Figuur 26 aangege ven sluis-opstelling 240 worden toegepast.

Deze bestaat uit de passagesectie 242, waarin een toegevoerde wafer tijdelijk kan zijn opgeslagen, met aan de ingangszijde de schuif 244 en aan de andere zijde de schuif 245, 10 Wordt nu een wafer via da geopende schuif 246 afgevoerd naar de proces sing installatie 10’, dan is slechts een zeer beperkts toevoer van gereinigd stuwmedium naar deze sectiB 242 benodigd om tezamen met een tijdelijk bewerkstelligde onderdruk in de eerste processingsectie deze afvoer te bewerkstelligen.

15 Na het afvoeren van de wafer uit deze sectie 242 en sluiten van de schuif 246 kan onmiddellïjk een volgende wafer vanuit de toevoersectie 12’ via de dan geopende schuif 244 naar deze sectie 242 worden gebracht voor tijdelijke opslag ervan onder bij voorkeur double-floating conditie.

De installatie 10' dient voor het etsen van wafers. Daarbij vindt de 20 navolgende serie van processings plaats: in sectie 248 de processing met H2S04 onder hoge temperatuur, bijvoorbeeld 100°C. en het vervolgens spindrogen; in sectie 250 het schoonspoelsn met de-ionized water en vervolgens spindrogen; 25 in sectie 252 het etsen met behulp van H F, gevolgd door spin droging; in sectie 254 het schoonspoelen met de-ionized water en vervolgens het spin drogen; en in ovenseetie 256 de vocht-onttrekking aan de wafer met behulp van dehydration bake.

30 De spin processing geschiedt daarbij in de passagesectie 258, welke ligt tussen de bovenbloksectie 260 en de draaitafel 262 als onderbloksectie en kan soortgelijk zijn aan de voor de processingsctie 14 omschreven werkwijze.

Binnen het kader van de uitvinding kan bij tenminste één van deze secties eveneens de spin processing plaats vinden in een lager gelegen proces- 35 singkamer. 264, zoals in de Figuur 27 is aangegeven en waarbij via een verdraaibare toevoer 266 als deel van de spin processing medium naar de bovenzijde van de dan al dan niet op de draaitafel aangezogen wafer wordt gebracht en vervolgens wordt afgespind.

} - 15 -

Gok is in deze kamer 255 een etsen van de wafer aan beide zijden ervan mogelijk door tevens de aanvaer van processing medium via de draaitafel 252.

'Ja zulk een hoofdprocessing kan eventueel zelfs in dezelfde sectie 5 reeds schoonspoalen van de wafer plaats vinden.

3innen het kader van de uitvinding is verder elk ander type in-line wafer processing mogelijk, zoals de navolgende; stripping, spin-on dopantj plasma etsen, reactive ion plasma etsen, magnetron ion etsenj 10 metallization, planarization, sputtering; ion implantation, ion milling; laser annealing; chemical vapor depositie, inclusief processing onder lage druk en onder lage tsmperatuur, plasma enhanced; 15 physical vapor depositie; en oxidatie.

Verder kunnen deze processings al dan niet gecombineerd zijn met litography modules, inclusief in-line e-beam direct writing modules en x ray micro litography modules, 20 Verder op de navolgende systemen; testing, measurement,inspectie en hst merken van wafers.

Verder op wafer fabricage systemen.

Verder zijn op deze processing installaties volgens de uitvinding modules aansluitbaar, waarin de bovenvermelde procsssingsystemsn mat neer dan 25 êên wafer tegelijk plaats vinden.

In de Figuur 30 is op de hoofdprocessing module 270, waarin processing ander hoog vacuum plaats vindt, een toevoer processing installatie 1D?f en een afvoer processing installatie 10’’' aangesloten.

Daarbij vindt in de installatie 10”, zie tevens de Figuur 31, de 30 navolgends processings plaats; in sectie 14·*' de reiniging van de vanuit de tunnslpassage 272 via de sluis-opstalling 240!r tcegevoerda wafer 20; en in ovensectis 15" het verwijderen van de vochtrestanten van de wafer onder vacuum, zeals dehydration bake.

35 Daarbij is elke andere serie van processing met toepassing van de ge durende de processing.afgesloten processingruimte volgens de uitvinding no-gslijk, zoals bijvoorbeeld na het reinigen var. de wafer een schoonsposlen ervan.

O.*', . _ ί ? - 20 -

Vanuit de sectie .16" komt de wafer terecht in de overdraagsectie 274, waarin de wafer overgedragen wordt aan een overneem-inrichting 275, welke in deze module 270 is opgenomen.

Da werking van de overdraagsectie 274 en de overneem-inrichting 275 5 is daarbij als volgt:

In de aangegeven positie van de overneem-inrichting 275 bevindt zich een wafer 20 in de sectie 274.

In de onderbloksectie 278 is een uitsparing 280 opgenomen, waarin de arm 282 van de inrichting 276 met daarop gemonteerd een vacuum aanzuigblok 10 284 is gearriveerd, zie tevens de Figuur 32.

De tunnelpassage 28" is daarbij door de kap 54", welke afdichtend rust op de zitting 102 van het onderblok 32", afgesloten van de in dit onderblok opgenomen kamer 286,

Hordt nu met behulp van de meeneem-inrichting 288 deze sectie 278 naar 15 beneden bewogen, dan komt de wafer 20 op het aanzuigblok 234 ts rusten en wordt daarop aangezogen.

Vervolgens beweegt deze arm 232 met blok 204 en wafer over enige afstand naar beneden en daarna opzij door de uitsparing 290, welke in de zijwand 292 van het onderblok 32" is opgenomen, zie Figuur 33.

20 Vervolgens zwenkt deze combinatie ais deel van de robot 254 naar de draaitafel 296 en wordt tot boven de daarmede corresponderende wafsrlig-plaats 293 gebracht.

Na het vervolgens naar beneden verplaatsen van de arm 282 met blok 284 komt de wafer op deze ligplaats te rusten en is daarop eventueel vastzet-25 baar.

Vervolgens zwenkt deze combinatie wederom terug naar de sectie 274 voor het overnemen van de volgende wafer.

In de passage 28" wordt daarbij gedurende deze wafer transport naar da sectie 274 een overdruk onderhouden tan opzichte van de druk in de vacuum 30 module.

Na het geheel vullen met wafers van de ligplaatsen 298 van de draaitafel 296 wordt in deze module hoogvacuum getrokken, waarna de hoofdproces-sing plaats vindt.

Gedurende die tijd vindt geen verdere aanvoer van wafers via de dan 35 met behulp van de kap 54" afgesloten tunnelpassage 23" plaats.

In deze module is elk type van processing, zoals boven is omschrevan, mogelijk.

Na het beëindigen van deze hoofdprocessing wordt in deze module het ü j *. * - 21 - vacuum opgeheven»

De overnsem-inrichting 300 neemt dan opvolgend een wafer af van de daartoe periodiek verdraaiende draaitafel 295. en brengt zulk een wafer naar da installatie 10M'.

5 Deze installatie bestaat daarbij uit de navolgende secties: overneensectie 302, sectie 14’'’, waarin spin reinigen en -drogen van de wafer plaats vindt en sectie 304, waarin spin schocnspoelen en -drogen van deze wafer geschiedt.

3innen het kader van ds uitvinding is elke andere combinatie van 10 processings of een enkele processing cf uitsluitend wafar-overdracht onder toepassing van de afsluiting van deze secties volgens de uitvinding mogelijk.

De constructieve opbouw van de sectie 302 is daarbij soortgelijk aan die van de sectie 274 met een omgekeerde bewegingspatroon voor de robot 305,

Jordt de combinatie van robotarm en wafer naar zijn overnesmpositie 15 in de kamer 303 gebracht, dan beweegt vervolgens de onderbloksectis omhoog en wordt de wafer in een floating conditie op dit blok gebracht. Hierna wordt ds afsluitkap 54 ’ *1 geopend en wordt de wafer onder double-floating conditie aangezogen door de sectie 14*Tt.

Ha het afvoeren van de wafer uit deze sectie 302 wordt ds afsluitkap 20 54 ™ wederom in zijn afsluitpositis gebracht en kan de volgende wafer in deze sectie 302 terecht komen, waarna de overdraag-cyclus zich herhaalt.

Zoals in de reinigingssctie 14,,r verontreinigingen, welke tijdens de vacuum-processing op de wafer zijn neergeslagen, worden verwijderd, is het daarna veelal gewenst, dat schoonspaslen van de wafer mat behulp van de-25 ionized water en vervolgens spin droging plaats vindt.

Als rainigingsmedium is elk type vloeibaar medium, dampvormig medium of gas toepasbaar, \/oor de schoonspoelsectia is dan weer een soortgelijke constructieve opbouw, als is aangegevsn in de sectie 14 van de installatie 10, mogelijk.

30 ?Ja het in deze sectie 304 plaats gehad hebbende processing wordt de wafer afgevoerd naar de sluis 2401,1 om vervolgens daaruit naar de tunnel-passage 31D te worden afgevoerd.

Binnen het kader van de uitvinding kunnen de opvolgende wafers ook met behulp van zulk een robot-opstslling naar modules voor testen, inspectie , 35 het uitvoeren van metingen en merken van de wafers worden overgedragen en vanuit zulk een module warden ontvangen.

Cok is elke positie van ds wafer in zulk een module, inclusief zelfs 3sn fsce-down positie van ds wafer met processing aan de onderzijde ervan mogeiyk.

% - Ί - 22 -

Ret da Inrichting 14'' is verder verkregen, dat da hoofdprocessing-module tijdens de wafer toe-en afvqer geen verontreinigingen,via het gas-vormige medium _ aangeveerd vanuit de tunnelpassaga, krijgt te verwerken.

Zulks is van groot belang bij de VLSI en UL3I micro-processing.

5 Sinnen het kader van de uitvinding is verder elke constructie van de wafer-overdraaginrichting 274 mogelijk.

Zo kan daarbij het bovenvlak van deze onderbloksectie 27c een kleinere diameter hebben dan de wafer 20 en de meeneeminrichting 275 voorzien zijn van een vorkachtig gedeelte ten behoeve van het verplaatsen ervan cpzij 10 van deze onderbloksectie tot onder da wafer.

Verder is het mogelijk, dat daarbij deze onderbloksectie een draaitafel is met een aandrijf-inrichting ten behoeve van een verdraaiing ervan. Verder, dat daarbij de centrering van de wafer geschiedt met behulp van de gasbuffers, welke opzij van de wafers 'tenminste tijdelijk worden onderhouden.

15 Hierdoor is het mogelijk, dat de wafer een juiste centrischs positie verkrijgt ten opzichte van ds ligplaats 298 van de hoofdprocessing-module, waarheen deze wafer door de robot wordt gebracht.

l/erder kan binnen het kader van de uitvinding in een processingsec-tie tenminste een tweetal processings plaats vinden» waarbij druk-veranderin— 20 gen van bijvoorbeeld hoogvacuum naar een overdruk of omgekeerd kunnen voor-komen.

Claims (138)

1. 3 - 23 - 1« Inrichting voor wafer transport en processing, tenminste bestaands uit: een combinatie van aen bovenblok en onderblok, u/aarbij tenminste dit onder-5 blak opvolgende series van toe- en afvoerkanalen bevat ten behoeve van tenminste wafer transport onder floating conditiej een tunnelpassage binnen deze beide blokken, waarbij deze tos-en afvoerkanalen uitmonden in tenminste één tunnslwand; een tenminste verdiept gedeelte in het bovenblok; 1G een verplaatsbare afsluitkap, welke is opgenomen in dit gedeelte; een zitting veer deze afsluitkap, welke is opgenomen in het onderblok; en middelen voor het tenminste in opwaartse richting verplaatsen van deze afsluitkap van deze zitting.
2. 2. Inrichting volgens de Conclusie 1, mat het kenmerk, dat daarbij tevens
3. 15 In hst bovenblok opvolgende sarles van ioe-en afvoerkanalen zijn opgenomen voor tenminste transport van de wafers in de tunnelpassage ander double-floating conditie sn welke kanalen uitmonden in het ondervlak van dit blok als boventunnelwand»
4. 3. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, aet het kenmerk, 23 dat in het onderblok zich een tenminste verdiept gedeelte bevindt binnen deze zitting.
5. 4. Inrichting volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat dit tenminste verdiepte gedeelte tezamen met het inwendige van de afsluitkap een procss-singsectie vormt met daarin opgenomen middelen ten behoeve van processing 25 van een wafer·
6. 5. Uerkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat daarbij tenminste tijdens deze processing met behulp van deze afsluitkap, dan rustend op de zitting, deze sectie is afgesloten van de aangrenzende tunnelpassage·
7. 6. Inrichting volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat in het ten minste verdiepte gedeelta van het onderblok een element is opgenomen, waarvan het bovenvlak als ondertunnelwand-sectie tenminste tijdens lineair wafer transport op tenminsts nagenoeg één hoogte ligt met het bovenvlak van het onderblok als ondertunnelwand·
8. 7. Inrichting volgens de Conclusie S, met het kenmerk, dat zich daarbij rondom dit element een ruim spieetvormig afvoerkanaal bevindt, welke zien vanaf de bovenzijde van dit element in benedenwaartse richting uitstrekt·
9. 8· Inrichting volgens da Conclusie 7, met het kenmerk, dat daarbij het i * - 24 - afvoerkanaal doorloopt tot ds bodem wan het verdiepte gedeelte en aangesloten is op tenminste één afvoer, welke is opgenomen in het onderblok-gedeslte onder deze bodem.
10. 3. Inrichting volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat dit ten-5 minste verdiepte gedeelte een uitsparing in hst onderblok is en tegen de onderzijde van dit onderblok een onderkap is gemonteerd, welke zich over enige afstand in benedenwaartse richting uitstrekt, het afvoerkanaal zich uitstrekt tot op de bodem van deze kap en in het ondereinde ervan tenminste één afvoer is opgenomen.
11. 10. Inrichting volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat in dit element kanalen voor tenminste toevoer van gasvormig draagmediun zijn opgenomen, welke uitmonden in het bovenvlak van dit element.
12. 11. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat daarbij bij tenminste gedeeltelijk geopende afsluitkap lineair wa- 15 fer transport over dit bovenvlak geschiedt onder floating conditie.
13. 12. Inrichting volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat dit element een draaitafel is.
14. 13. Inrichting volgens ds Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat tenminste tijdelijk via deze kanalen af voer 20 van medium plaats vindt· ten behoeve van het tijdelijk vastzuigen van de wafer op de draaitafel.
15. 14. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, mat hst kenmerk, dat daarbij binnen de afsluitkap een bovenbloksectie is opgenomen.
16. 15. Inrichting volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat daarbij 25 het ondervlak van deze bovenbloksectie tenminste op nagenoeg hetzelfde niveau ligt als de boventunnelwand van het bovenblok en daarin tenminste kanalen voor tenminste toevoer van gasvormig medium zijn opganomen ten behoeve van tenminste wafer transport onder double-floating conditie en welke kanalen uitmonden in dit ondervlak.
17. 16. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze bovenbloksectie met een centrumgedeslte ervan is vastgezet op een daarboven doorlopend gedeelte van het bovenblok onder de vorming van een bovenblok-opstelling.
18. 17. Inrichting volgens ds Conclusie 16, met hst kenmerk, dat daarbij 35 de afsluitkap met het centrum-gedeelte van haar bovenwand is bevestigd op deze bovenblok-opstelling.
19. 18, Inrichting volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat deze bevestiging een flexibele wand is. - 25 -
20. 15. Inrichting volgens de Conclusie 13, mat het kenmerk, dat deze verbinding lekdicht is.
21. 23, Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat bij een kapverplaatsing een eerste 5 gedeelte van de kap over enige afstand omhoog wordt bewogen en een tweede gedeelte ervan achterblijft tenminste nabij d's zitting van het onderblok.
22. 21. Inrichting volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat dit tweede kapgedeeite als kantelgedesl— ba. blijft rusten op esze zitting.
23. 22. Inrichting volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat bij ssn anders kapverplaatsing het tweede kapgedeeite onhoog wordt bewogen en het eerste kapgedeeite achterblijft tenminste nabij de zitting van het onderblok.
24. 23. Inrichting volgens de Conclusie 22, mat het kenmerk, dat deze 15 verder zodanig is uitgevoerd, dat dit eerste kapgedeeite als kantslgedeel-ts blijft rustan op deze zitting.
25. 24·. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij hst eerste gedeelte van de afsluitkap correspondeert met ds ingangszijds van ds processingsectie en het tweede gedeelte ervan cor-20 respondeert net de uitgangszijde van deze sectie.
26. 25. Inrichting volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat daartoe in de inrichting een tweetal meeneem-inrichtingen zijn Dpgenomen, welke enerzijds zijn verbonden met het bovenblok en anderzijds met de kap boven de inlastzifde respectievelijk ds uitlaatzijöe.
27. 25. Inrichting volgens de Conclusie 25, met heb kenmerk, dat daartoe in deze naenesm-inrichtingsn stappenmotorsn zijn opgenomen.
28. 27. Inrichting volgens de Conclusie 25, mat het kenmerk, dat daarbij tussen zulk een mesnasm-inrichting en de afsluitkap ter plaatse van da doorvoering een zodanige membraam-afsluiting is opgenomen, dat daarmede hst in-3C wendige van de tunnel is afgesloten van de buitenlucht.
29. 23. Inrichting volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat het csn-trumgadeelte van zulk een membraam enerzijds met een element verbonden is met de afsluitkap, welke in horizontale richting vervormbaar is.
30. 29. Inrichting volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat dit ele-35 ment een dunwandige veerplaat is, waarvan de vlakke zijden dwars zijn opgesteld ten opzichte van de lengteas van de tunnelpassage. 3G. werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat daarbij na een bedienings-impuls tenminste de afvoerzijde van de afsluitkap omhoog wordt bewogen totdat de tunnsl-uitgang vrij is gekoman, door ♦ > - 26 - bewerkstelligde drukverschillen de wafer uit de processingsectie wordt afgevoerd naar de aangrenzende tunnelpassage en vervolgens dit gedeelte we- derorn naar zijn afdichtpositie terug wordt bewogen.
31. 31. Werkwijze volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat daarbij 5 vervolgens door middel van een bedienings-impuls door de corresponderende meeneem-inrichting de toevoerzijde van de afsluitkap omhoog wordt bewogen totdat da tunnel-ingang is vrij gekomen, daarna door bewerkstelligde drukverschillen een volgende wafer vanuit de achtergelegen tunnelpassage in de processingsectie wordt geleid en vervolgens dit gedeelte wederom naar zijn 10 afdichtpositie terug wordt bewogen.
32. 32. Inrichting, waarin de werkwijzs volgens één der voorgaande Conclusies wordt toegepast, met het kenmerk, dat deze zodanige regelsystemen bevat, dat de opwaartse verplaatsingen van de kap elk in tenminste een tweetal stappen geschiedt en waarbij in de eerste stap de ontstane spleet tus- 15 sen het kapgedeelte en de zitting kleiner is dan 0.5 millimeter.
33. 33. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van het verwijderen van micro-verontreinigingeh van da afdichtingsvlakken zulk een afsluitkap-gedeelte over een zeer geringe hoogte wordt verplaatst en gasvormig medium door deze nauwe passage 20 wordt gestuwd vanuit de tunnelpassage naar de processingsectie en vervolgens in deze sectie naar de afvoer ervan.
34. 34. Werkwijze volgens de Conclusie 31, mat het kenmerk, dat daarbij zoals van de eerste processingsectie de kap tenminste ter plaatse van de wa-ferafvoer is geopend, van de volgende processingsectie eveneens de kap ten- 25 minste ter plaatse van de wafer toevoer is geopend en waarbij mede door een bewerkstelligde onderdruk in deze laatste sectie de wafer uit deze eerste sectie wordt aangezogen.
35. 35. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat de kap in zijn geheel door 30 de beide meeneem-inrichtingen over geringe afstand omhoog wordt bewogen en vervolgens een gedeelte van deze kap met behulp van één van deze meeneem-inrichtingen verder omhoog wordt verplaatst.
36. 36. Inrichting volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat dit kapgedeelte vervolgens naar zijn aanlig- 35 positie op het zittingsvlak van het onderblok wordt gebracht en daarna het resterende kapgedeelte eveneens naar deze zitting wordt geleid.
37. 37. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat met behulp van baide stappenmotoren de afsluitkap van een proces-singsectie ever een micro-afstand vanaf zijn zitting naar boven wordt <s * - 27 - bewogen, waarbij gasvotmig medium vanuit tenminste de tunnelpassags door-de antstane spleet naar deze sectie wordt gestuwd tsn behoeve van reiniging van de zittingvlakken en vervolgens één gedeelte van de kap met behulp van één van de siappsnmotoren verder naar zijn bovenste positie wordt gebracht. 5 33. 'Jerkwijze volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat vervol gens dit kapgedeelte door de stappenmotor naar zijn aanligpositie op de zitting van het onderblok wordt gebracht en vervolgens met behulp van de andere stappenmotor het resterende gedeelte van de kap naar deze zitting wordt gebracht.
38. 33. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat daarbij de procassingsectie cirkelvormig is.
39. 40. Inrichting volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat daarbij de afdichtrand van afsluitkap en zitting in onderblok tenminste nagenoeg cirkelvormig zijn. 1Ξ 41. Inrichting volgens de Conclusie 40, mat het kenmerk, dat daarbij tenminste één van deze combinatie van afdichtrand en zitting ter plaatse van de in-en uitgangszijde, alwaar tijdelijk kanteling van deze kap plaats vindt, aan haar buitenzijde is af gevlakt onder de vorming van een kantel-lijn, welke dwars staat op de lengteas van de tunnelpassags. 2C 42. Inrichting volgens de Conclusie 41 f met het kenmerk, dat daarbij de lengte van deze afvlakking zodanig groot is, dat deze kap tijdens zijn kanteiverplaatsing tenminste niet de binnenwand van het aangrenzende bovenblokgedeelte kan raken.
40. 43. Inrichting volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat daarbij 25 één van da beide siuitvlakken ter plaatse van zulk een afvlakking over een microsfstand zodanig verdiept is, dat indien de kap geheel op het ondsr-tlak rust, ter plaatse van de kantallijn esn nauwe lekspleet aanwezig blijft.
41. 44. Jerkwijze van da inrichting volgens de Conclusie 43, met hst kan— netk, dat daarbij in gesloten stand van de kap gasvormig medium vanuit de 33 tunnelpassage door deze spleet naar de procsssingsectie wordt gestuwd.
42. 45. Inrichting volgens de Conclusie 41, net het kenmerk, dat de zitting van het ondsrblok lager ligt dan de tunnelpassagewand van dit blok.
43. 45. Inrichting volgens de Conclusie 45, met hst kenmerk, dat daarbij tussen deze zitting en de tunnelpassagewand een sponning is opgenomen.
44. 47. Inrichting volgens de Conclusie 45, net het kenmerk, dat ds onder rand van da afsluitkap zich opzij van de afdichtrand over enige afstand in Zijwaartse richting uitstrakt an zodanig verhoogt, dat indien deze kap op de zitting rust, tussen deze onderrand en ds tunnelpassagewand van het ondarblok, ook tijdens hst kantelenvan de kap een spleet aanwezig is. ' · - · ' ; ; - 28 -
45. 48. Inrichting volgens ds Conclusie 47, mat het -kenmerk, dat daarbij in het ondsrblok tenminste één uitmonding van een toevoer voor gasvormig medium is opgenomen, welke gelegen is onder dit randgedeelte van de kap en waarbij deze uitmonding schuin gericht is naar de kap-afdichting ter 5 plaatse van de kantellijn.
46. 49. Werkwijze van ds inrichting volgens de Conclusie 48, mat het kenmerk, dat tenminste tijdens ds eerste phase van kap-kanteling gasvormig medium vanuit deze uitmonding door de onstane spleet naar de processingsec-tia wordt gestuwd ten behoeve van verwijdering van verontreinigingen vaaf 10 de afdichtingsvlakken ter plaatse van deze kantellijn. 50·Inrichting volgens de Conclusie 41, met hst kenmerk, dat daarbij één van de beide afdichtingsvlakken opzij van de kantellijn is afgerond onder een radius, welke ongeveer gelijk is aan ds diameter van de kap. 51 .. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken— 15 merk, dat daarin zodanige regelsystemen voor toe- en afvoer van medium zijn opgenomen, dat in deze processingssecties tenminste tijdens het gesloten ervan zijn de druk lager wordt gehouden dan in da tunnelpassage,
47. 52. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 5T, met hst kenmerk, dat daarbij tijdens tenminste de processing in zulk een afgesloten 20 processingsectia de druk zodanig lager is dan die in de tunnelpassage, dat geen medium daaruit kan ontsnappen naar deze tunnelpassage. 53,. Inrichting' volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in de tunnelpassage een serie van afsluitbare procsssing-secties is opgenomen, gezien vanaf de tunnelingang, de eerste processing-25 sectie een reinigingssectie is, waarin hoofdzakelijk de verwijdering van verontreinigingen van de wafer plaats vindt.
48. 54. Inrichting volgens de Conclusie 53, met het kenmerk, dat daarin zodanige afsluit-opstellingen en regelsystemen in de toe- en afvoer van het gasvormige transportmedium zijn opgenomen, dat slechts een beperkte hoe— 30 veelheid, mogelijk verontreinigd medium, aangevoerd door deze tunnelingang, uitsluitend in de reinigingssectie terecht kan komen.
49. 55. Inrichting volgens de Conclusie 54., met het kenmerk, dat daartoe gebruik wordt gemaakt van tenminste één afsluitbare schuif-opstelling in deze tunnelingang. 35 56 · Inrichting volgens de Conclusie 55 , met het kenmerk, dat daarbij een sluis-opstelling met aan weerszijde ervan een afsluitbare schuifopstel-ling wordt toegepast en waarbij de tunnelpassage-lengte van deze sluis zodanig groot is, dat daarin tijdelijk een wafer onder floating conditie kan zijn opgeslagen. i-V. Ή ·> -i OQ S7. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 56, net het kenmerk, dat daarbij vanuit een wafertoevosr een wafer onder floatingconditia via de geopende ingang van de sluis net gesloten uitgang in dsze sluis wordt gestuwd, vervolgens deze ingang ucrdt gesloten en op commando door 5 hst zeer t'jdalijk openen van deze uitgang zulk ssn wafer door een overdruk in deze sluis daaruit onder floating conditie uordt gestuwd naar de dan geopende reinigings3ectie en na het passeren van de wafer deze uitgang van de sluis wederom wordt gesloten. 58 · 'werkwijze volgens de Conclusie 57, met het kenmerk, dat daarbij 1C met behulp van regelsystemen in de tos-en afvoer van medium naar deze sluis na het sluiten van de uitgang de druk in deze sluis lager is dan die in de aangrenzende tunnelpassage, waarin de processingsëcties zijn cpgsnomen. 59 -· Inrichting volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat daarbij 15 in ds uitgang van de tunnelpassage eveneens een afsluitbare poert is opgs- nomen. 5g. Inrichting volgens ssn der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de ruimte tussen de afsluitkap en hst bovenblok is aangesloten op een toevoer van gasvormig medium.
50. 51. Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 60, met het kenmerk, dat daarbij na een bedienlngslnpuls eveneens gasvormig medium, afkomstig uit deze ruimte,langs de van elkaar bewegen afdichtingsvlakken naar os processingsectie wordt gestuwd. □2. Inrichting volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat daarin 25 een comnando-vential is opgsnomen voor het gaven van een impuls naar het regelsysteem, welke in deze toevoer is opgsnomen, zodanig, dat tenminste na het openen van de afsluiterkap toevoer van gasvormig medium naar dszs ruimte plaats vindt.
51. 53. Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 62, met het kenmerk, 30 dat daarbij het uit deze ruimte stuwende gasvormigs medium in hoofdzaak dient voor net verwijderen van verontreinigingen van de van elkaar af bewogen afdichtingsvlakken van sfdichtrand en zitting.
52. 24. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de zijwand van deze kap ter hoogte van de tunnelpassage , 35 zoals deze op de zitting van hst onderblok rust, tenminste san uitmonding van esn toavosrkanaal van gasvernig medium Is opgenomen voor hst stuuan van medium naar ds procassingkamer.
53. 55. Inrichting volgens de Conclusie 54, net het kenmerk, dat dsze uitmonding is gelegen boven de uitlaatzijde van de processingkamer - 30 - tegenover de inlaatzijda ven deze kamer,
54. 00. Uarkwijze ven de inrichting volgens de Conclusie 55, met het kenmerk, dat daarbij, zoals een wafer in de processingkaner wordt gestuwd, gasvormig medium, stromend uit deze uitmonding, zorg draagt voor een gas-5 buffer ten behoeve van het afrsmmen'van de wafer, 67* Inrichting volgens de Conclusie 55, met het kenmerk, dat daarbij in ds processingkamer een sensor is opgenomen, welke zich bevindt in da nabijheid van deze uitmonding en waarbij da inrichting verder zodanig is uit-g.evoerd, dat bij hst passeren van deze sensor door een wafer, deze sensor 10 een impuls geeft naar het regelsysteem, welks is opgenomen in de toevoer van hst gasvormige medium voor deze uitmonding, voor sen maximale toevoer van dit medium.
55. 58, Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 57, met het kenmerk, dat zoals de wafer deze sensor passeert, een maximale hoeveelheid 15 medium, gestuwd wordend uit deze uitmonding, zorg draagt voor een effectieve bufferstop voor deze wafer,
56. 69. Inrichting volgens de Conclusie 67, met het kenmerk, dat daarbij ds binnendiameter van de afsluitkap zodanig veel groter is dan de buitendiameter van de wafer, dat bij een tot stilstand gebracht zijn van de wafer 20 deze binnen de afsluitsrkap ligt,
57. 70, Inrichting volgens de Conclusie 57, met het kenmerk, dat daarbij in de zijwand van de afsluitkap,'gezien bij gesloten kap, op de hoogte van de tunnelpassage tevens tenminste één uitmonding voor een toevoerkanaal van gasvormig medium is opgenpmen boven de inlaatzijde van deze processing's kamer. 71« Werkwijze van de inrichting-volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij in de processingkamer een sensor is opgenomen, welke bij het passeren van een wafer een zodanig impuls geeft naar een regelsysteem, welke is opgenomen in de toevoer van het medium voor deze uitmonding, dat 30 een maximale hoeveelheid medium uit deze uitmonding wordt gestuwd voor het afbufferen van de wafer in zijn verplaatsing in de processingkamer, welks tegengesteld is aan de oorspronkelijke bewegingsrichting van deze wafer.
58. 72. Inrichting, waarin de werkwijze volgens de Conclusie 71 wordt toegepast, met het kenmerk, dat deze sensor tevens de sensor is voor het 35 stuwmedium van de eerste buffer.
59. 73. Werkwijze volgens.. Conclusie 71,. met het kenmerk, deze combinatie van contra stromen medium, stuwend tegen de zijkant van da wafer zodanig is afgestemd, dat de wafer tot en rret da procassing binnan da afsluitkap blijft, - i? .if — ui —
60. 74. Inrichting volgens sen der voorgaande Conclusies, net net ken— 'srk, dat daarbij ds inwendige diameter van ds afsluitkap zadanig groter is dan d= wafer, dat da bovanblokseciie, hetwelk in daza kap is gelegen, aan weerszijde van ds tumelboyenwsnd ópstaands zijwanden bevat.
61. 75. Inrichting volgens da Conclusie 74, met het kenmerk, dat daarbij in daze z’juandsn uitmondingen voor toevoer van gasvormig stuwmedium naar daza tunnalpassage zijn opgsnomsn.
62. 75. Inrichting volgens da Conclusie 75, niet het kenmerk, dat daarbij ce afstand tussen dsza ópstaande uanden zodanig is, dat opzij van de wafer 15 slechts een nauus spiaet aanwezig is bij een middenpositie van de wafer.
63. 77. Inrichting volgens da Conclusie 76, met het ksnmsrk, dat deze uitmondingen in de opstaande zijwanden via toevoerkanalen zijn verbonden met de gemeenschappelijks toevoer voor medium voor deze sectie ten behoeve van de double-floating conditie voor ds wafer.
64. 75. Inrichting volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat zoals in het onderbrok de draaitafel mede dient als onderbloksectis ten behoeve van floating wafer transport, deze inrichting een systeem bevat voor het commanderen van de aandrijving van de draaitafel zodanig, dat daarbij deze tafel zien tenminste onder laag toerental kan verdraaien. 25 7S« derkuijzs van de inrichting volgens de Conclusie 73, met het ken merk, dat daarbij de centrischs positie van de wafer ten opzichte van de draaitafel wordt verkregen met behulp van een verdraaiing van deze tafel, waarbij de excentrische wafer, geleid langs dan bewerkstelligde gasbuffsrs opzij van de ópstaands zijwanden van hst bovenblok naar een centrische posi- 25 tie ervan wordt gedrukt. 3C. Inrichting volgens êên der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat daarbij de afsluitkap zich over enigs afstand in benedenwaartse richting binnen da uitsparing van het ondsrblck uitstrskt tot voorbij ds zitting ervan voor ds afsluitkap. 30 si. Inrichting volgens ds Conclusie 80, net het kenmerk, dat daarbij tussen dit ringvormige gedeelte van de afsluitkap en het onderblok een zodanig ruime cilindrische spleet is opgenomen, dat daarin geen vloeibaar medium onder zodanig oapillaira werking wordt vastgehouden, dat dit medium terecht kan konen op de binnenzijde van ds afsluitvlakken van zitting en 35 afsluitkap.
65. 32. Werkwijze van da inrichting volgsns de Conclusie 30, met het kenmerk, dat zoals tijdens ds processing van ds wafer vloeibaar medium wordt toegepast, dat ósdiun onder spin-conditie van de draaitafel langs tenminste één zijde van de wafer wordt gestuwd, er van af wordt geslingerd en - 32 - vervolgens terecht komt op de binnenwand van de afsluitkap.
66. 33. Werkwijze volgens da Conclusie 32, met het kenmerk, dat daarbij ds wafer zich onder floating conditie bevindt tussen de bovenbloksectie en deze draaitafel.
67. 34. Werkwijze volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat daarbij vloeibaar medium gelijktijdig aan beide zijden van de wafer langs het wateroppervlak wordt gestuwd en van deze wafer wordt geslingerd.
68. 85. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat daarbij de spleet tussen de wafer en de draaitafel kleiner is dan ds spleet tussen 10 deze wafer en de bovenbloksectie.
69. 35, Werkwijze volgens da Conclusie 83, met het kenmerk, dat daarbij tenminste tijdelijk gasvormig medium langs hst oppervlak van de spinnende wafer wordt gestuwd aan tenminste één zijde ervan.
70. 87. Werkwijze volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat daarbij 15 na da spin-processing van het bovenvlak van de wafer met behulp van vloeibaar medium en het vervolgens verwijderen van dit medium van dit wateroppervlak onder centrifugaalwerking, enige tijd langs dit bovenvlak van de wafer gasvormig medium wordt gestuwd, vervolgens de toevoer van vloeibaar medium naar de onderzijde van ds wafer wordt varvangen door een toevoer van 20 gasvormig medium.
71. 88, Werkwijze volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat deze toevoer van gasvormig medium zolang plaats vindt, dat beide oppervlaktes van blok en draaitafel aan weerszijde van de wafer dermate droog zijn, dat daarna een lineair verplaatsen van de wafer vanuit deze opstelling mogalijk is.
72. 89. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met hat kenmerk, dat afvoer van het medium plaats vindt via een doortocht in da onderzijde van da processingkamer.
73. 90. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat daarbij het vloeibars medium een reinigingsmedium is.
74. 91. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat dit vloei bare medium de-ionized water is voor tenminste schoonspoelsn.
75. 92. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat het medium een ets medium is.
76. 93, Werkwijze volgens de Conclusie 39, met hat kenmerk, dat het medium 35 een strip medium is voor hst verwijderen van coating van het wafer-oppervlak.
77. 54. Inrichting, waarin de werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies is toegepast, met het kenmerk, dat daarbij in de bovenbloksectie een serie uiterst nauwe toevoerkanalsn zijn opgenomen voor toevoer van tenminste vloeibaar medium onder zeer hoge druk naar de tunnelpassage-sectia. ) - 95.« Inrichting volgsns ds Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij deze kanalen uitr.0r.d3n in een langwerpige gemeenschappelijke uitmonding,welke zich tenminste vanaf hst centrum uitstrekt tct nabg de ouzzenz'jde van deze boyenbloksectie.
78. 31. Werkwijze volgens aan der voorgaande Conclusies, met hst kenmerk, dat daarbij tijdens de processing de stromen gasvormig medium vanuit ds zijwanden van ds covsnclckesctie en da afsluitkap worden onderhouden.
79. 97. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat in een van ds processingsecties 1C vacuum-processing plaats vindt.
80. 38. Inrichting volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij ds ronde bovenkant van de ondarbloksactie aan diameter heeft, welke zodanig kleinar is dan de wafer, dat deze wafer als afsluitwand alle uitmondingen in deze bovenkant voor toevoer van gasvormig draagmedium ernaar toe bedekt.
81. 95. Inrichting volgens ds Conclusie 97, dat daarbij in het tosvosrka- naal voor elke uitmonding in ds onderblokssctie esn uiterst nauwe doortocht is opgsncmen als docrstroom-begrenzer. 1OG. Inrichting volgens de Conclusie SS, met het kenmerk, dat deze diameter kleiner is dan C,1 millimeter. 2G 1C1. Werkwijze van de inrichting volgens ds Conclusie 99, met het kenmerk, dat daarbij tijdens lineair wafer transport door opvoering van de toe voer ban gasvormig draagmedium de wafer onder floating conditie over een bepaalde afstand van deze bovenkant van de onderbloksectis is verplaatst en tijdens de vacuum processing deze lichting tenminste nagenoeg is opgsheven.
82. 102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat daarbij deze wafer kleeft op deze bovenkant door zijn eigen gewicht met tussenliggend een microlaag gasvormig medium. 1G3. Inrichting volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat in het ondereinde van deze processingsectie naast de afvoar voor het gasvormige 30 stuw en draagmedium tevens een zelfstandige afvoer voor het vacuumtrekken van deze sectie bevat en zulks inclusief regelsystemen voor omschakeling van de ene afvoer naar de andere.
83. 104, Werkwijze van da inrichting volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat na afsluiting van tenminste het hoofdgedeelte van de toevoer van 35 gasvormig stuw- en draagmedium nog gedurende enige tijd de afvosr via een laagvacuumpomp wordt voortgezet en vervolgens omschakeling plaats vindt naar een hoogvacuumpomp.
84. 105. Werkwijze volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij tijdens deze vacuum-processing uitsluitend afvoer van eventueel door deze % y % - 34 - uitmondingen in de onderbloksectie toegsvoerde medium naar de hoogvacuum-pomp plaats vindt, tezamen met eventueel toegevoerde processingmedium.
85. 105. Werkwijze volgens één dar voorgaande Conclusie, met het kenmerk, dat in de afgesloten processingsectie na deze vacuumprocsssing gedurende 5 enige tijd tenminste de toevoer van gasvormig medium naar de onderbloksectie wordt hervat met afvoer ervan in benedenwaartse richting, waardoor eventuele verontreinigingen van het ondervlak van de wafer worden verwijderd.
86. 107. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in de processingsectie een vacuum dehydration bake oven is 10 opgenomen, daarbij in tenminste één van de heide bloksecties een verwarmingselement is opgenomen.
87. 108. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 107, met het kenmerk, dat daarbij maximale warmte-overdracht naar de wafer plaats vindt tijdens het tenminste nagenoeg kleven van de wafer op deze onderbloksectie en 15 geleidelijke afkoeling van de wafer geschiedt door toevoer van gasvorrnig medium ten behoeve, van de floating conditie van de wafer, en daardoor bewerkstelligde lichting van de wafer van de onderbloksectie.
88. 109. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in één van deze secties een proximity bake oven is opgenomen.
89. 110. Inrichting volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, dat daarbij tenminste in de bovenbloksectie een verwarmingselement is opgenomen.
90. 111. Inrichting volgens de Conclusie 110, net het kenmerk, dat daarbij een regelsysteem is opgenomen in tenminste de toevoer van medium naar tenminste de onderbloksectie zodanig, dat door een geleidelijke opwaartse ver- 25 plaatsing van de wafer naar de bovenbloksectie de warmte-overdracht naar de wafer geleidelijk toeneemt en door een neerwaartse verplaatsing van deze wafer de temperatuur daarin geleidelijk afneemt.
91. 112. Inrichting volgens de Conclusie 110, mat het kenmerk, dat daarbij de bovenbloksectie zich opwaarts op enige afstand van de tunnelpassage be- 30 vindt en de onderbloksectie gemonteerd is op een meeneeminrichting voor het in verticale richting ervan verplaatsen naar en van deze bovenbloksectie.
92. 113. Werkwijze van da inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat door het verkleinen van de bovensplast de warmteoverdracht naar de wafer toeneemt en door verkleining_van deze spleet al 35 dan niet in combinatie met een versterkte toevoer van gasvormig medium vanuit d8 onderbloksectie een afkoeling van de wafer plaats vindt.
93. 114. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met hst kenmerk, dat deze proximity bake oven is aangesloten op ean hoogvacuumpcmp.
94. 115. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 114, mat hst — 35 — kenmerk, dat daarbij ds droging van da wafer en ds arop asngebrachte coating geschiedt onder vacuum.
95. 115. Inrichting volgens één dsr voorgaande Conclusies, nat hst kenmerk, dat daarbij ssn procsssingssctie ervan zodanig is uitgsvoerd, dat daar-5 in het opbrsngsn van sen coating onder damp- of gasconditie plaats vindt in een vacuum.
96. 117. Jerkuijze van da inrichting volgens ds Conclusie 116, met het kenmerk, dat daarbij in de dan afgesloten procsssingssctie het opbrengen van coating in danpvormigs- of gastoestand plaats vindt onder hoog vacuum.
97. 113. Jerkuijzs volgens de Conclusie 117, met het kenmerk, dat dit danpvormigs medium het coating materiaal Hf-IDS is.
98. 113. Inrichting volgens de Conclusie 116, met het kenmsrk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat da toevoer van dit medium plaats vindt in een ondergedeelte van deze sactie, welke lager ligt dan ds toe- sn afvGer 15 voor ds wafer* 12G. ‘Jerkuijze van de inrichting volgens de Conclusie 119, met het kanmark, dat na aankomst van ds uafer op de onderbioksectie de toevoer van het gasvormigs stuw- an draagmedium wordt beëindigd, dsza wafer vsrvolgens cc or zijn eigen gewicht op deze onderbioksectie komt te rusten, vervolgens 2C deze combinatie neerwaarts naar zijn processingpositie wordt gebracht en vervolgens neerslag van de coating op da wafer plaats vindt mat toevoer van daze coating via een coating toevoer.
99. 121. Inrichting, waarin ds werkwijze volgans de Conclusie 120 wordt toegspast, met het kenmerk, dat deze toevoer van coating zich daarbij tsn-25 miste tijdalijk boven deze combinatie van bloksectis en wafer bevindt. 122* Inrichting volgens ds Conclusie 115, met het kenmerk, dat daarbij ds processingkaner is aangesloten op een hoogvacuumpomp, met afvoer vanaf het ondergedeelte van deze kamer.
100. 123. Inrichting volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, dat daarbij 30 deze processingkamer een verwarmingssysteem bevat voor hafc gedurende de processing onderhouden van de gewenst wordende temperatuur sn om condensatie van deze coating in danpvormigs toestand tegen te gaan*
101. 124. Lderkuijze van da inrichting volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, dat daarbij de vacuum capaciteit zodanig groot is, dat via af voer van 35 het medium in benedenwaartse richting het gedeelte van de processlngsec.tie, welke zich bevindt boven deze toevoer van coating, vrij blijft van deze coa-
102. 125. Inrichting volgans één dsr voorgaande Conclusies, net het kenmerk, dat deze onderfcleksectis een draaitafel is met een aandrijf inrichting »> *· - ' — — 35 — ten behoeve van rotatie ervan.
103. 126. Werkwijze van da inrichting volgens de Conclusie 125, net het kenmerk, dat daarbij gedurende het neerslaan Uan de coating op de wafer deze draaitafel en daarmede de wafer onder laag toerental roteert ten be- 5 hoeve van een gelijkmatig op de wafer brengen van dit medium.
104. 127. Werkwijze volgens de Conclusie 125, met het kenmerk, dat vervolgens de combinatie van draaitafel en wafer omhoog wordt bewogen naar een spinprocessing positie, waarin vervolgens via de kanalen, opgenomsn in de draaitafel, verdunning in al dan niet vloeibare vorm naar de top van deze 1G draaitafel wordt gestuwd onder de bewerkstelliging van een floating conditie voor deze wafer, dit medium afgespind wordt naar de zijwand van de pro-cessingkamer en in neerwaartse richting wordt afgevoerd onder meevoering van coatingdealtjss en verontreiniging van de onderzijde van de wafer en van coating, welks tegen deze zijwand is neergeslagen.
105. 128. Inrichting, waarin da werkwijze volgens de Conclusie 127 wordt toegepast, met het kenmerk, dat daarbij ter plaatse van deze spin processing in de zijwand van de kamer zodanige uitmondingen van toevoeren van gasvormig medium zijn opgenomen, dat tijdens de spin processing daaruit stromende gassen een voldoends centrische positie van ds wafer ten opzichte van de 20 draaitafel onderhouden.
106. 123. Uerkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat vervolgens het vloeibars medium vervangen wordt door gasvormig medium, na enige tijd de spinning wordt beëindigd, vervolgens de wafer onder ten hoogste kleef floating conditie ten opzichte van de draaitafel wordt gebracht en daarna 25 ds combinatie van wafer en draaitafel naar zijn bovenste positie wordt gebracht voor lineaire afvoer van de wafer onder floating conditis.
107. 130. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat in een procsssingsectie ervan het opbrengen van coating in vloeibare vorm op ds wafer plaats vindt.
108. 131. Inrichting volgens ds Conclusie 130, met het kenmerk, dat daarin tevens tenminste een gedeelte van de constructieve opbouw van de inrichting volgend da Nederlandse Octrooi-aanvraga Mo. 85 00 059 van de aanvrager is opgenomsn.
109. 132, Werkwijze van de inrichting volgens ds Conclusie 131, met het ken-35 merk, dat daarin in een onderste positie van de wafer coating wordt aangebracht op de wafer, welke zich daarbij op de draaitafel bevindt.
110. 133. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met hst kenmerk, dat deze processingssctie daarbij een tweetal boven elkaar gelagen processing kamersecties bevat, welke op enige afstand in benedenwaartse .-¾ -*' - 37 - richting van ds tunnslpassage zijn gelagen.
111. 134. Inrichting volgens c'e Conclusie 133, met hst kenmerk, dat daarbij in de onderste sectie een opzij zwenkbars toevoer—inrichting is opgenomen veer toevoer van vloeibaars coating naar de zich op de draaitafel bevinden— 5 da wafer.
112. 135. Inrichting volgens de Conclusie 134, met het kenmerk, dat in de bovenste kamersectie op de hoogte van de wafer-positie tenminste een twes- tal uitmondingen voor toevoer van gasvormig medium zijn opgenomen ten behoeve van net behouden van de centrische positie van de wafer, ten opzichte van ds 1C roterende draaitafel. 13c. Inrichting volgens de Conclusie 135, met hst kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevaard, dat in de draaitafel via de toevoerkanalen voor gasvormig medium tijdslijk toevoer van vloeibaar medium plaats vindt en daarin daarin een regelsysteem voor deze toevoeren is opgenomen,
113. 137. Inrichting volgens da Conclusie de Conclusie 135, met het ken merk, dat deze verder zodanig is uitgsvoerc', dat zoals deze kanalen tevens tijdsi'jk dienen als vacuum asnzuigkanalan, daarin tevens systemen zijn opge-noman voor omschakeling van aanzuiging van medium naar het stuwsn van medium en omgekeerd. 2G 133. 'werkwijze van ds inrichting volgens de Conclusie 137, met het ken merk, dat daarbij tenminste in de bovenste kamersectie hst aanzuigen van de wafer op de draaitafel wordt veranderd in een toevoer van verdunning via ds uitmondingen in de top van deze tafel onder bewerkstelliging van een floating conditie voor deze wafer, gelijktijdig toevoer van gasvormig medium via 23 de uitmondingen in de zijwand van ds kamersectie plaats vindt voer het centreren van ds wafer onder floating conditie op de roterende draaitafel, deze verdunning mede onder centrifugaal-werking in de spleet tussan wafer en tafel naar ds zijkant van ds wafer wordt gestuwd, vervolgens van daze wafer wordt afgeslingerd naar de binnenwand van de omkapping en daarop als fil 30 naar beneden beweegt naar ds afvGsr. 133. ‘Jerkwfjze volgens ds Conclusie 133, met hst kenmerk, dat vervolgens ds verdunning vervangen wordt door gasvormig medium, de spinning wordt cpgensven, vevolgens de wafer onder ten hoogste klaaf-floating ccnditia ten opzichte, van de draaitafel wordt gebracht en daarna de combinatie van wafer 35 en draaitafel naar zijn bovensts positie wordt gebracht voor lineairs afvoer van de wafer ander floating conditie. 14C. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het.kenmerk, dat dezs verder zodanige regelsystemen bevat, dat periodiek bij geen aanwezigheid van een wafer op da draaitafel via dsze draaitafel in zijn ·% - - 33 - bovenste positie voor processing verdunning naar ds top van de tafel uiordt gevoerd ten behoeve van het reinigen van de combinatie van processing kamer-secties»
114. 141. Merkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 140, met het ksn-5 merk, dat daarbij periodiek de draaitafel zonder wafer naar zijn bovenste pro- cessing-positie. wordt bewogen, vervolgens verdunning naar de uitmondingen in de top van deze tafel wordt gevoerd en deze verdunning onder centrifu-gaalwerking van deze tafel wordt gespind en na het neerslaan ervan op de zijwand van da kamer naar beneden beweegt met een daarbij meenemen van achter-10 gebleven verontreinigingen en coating van draaitafel en deze wand,
115. 142. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgsvoerd, dat daarin ds navolgends afsluitbars processing in een sectie ervan plaats vindt in al dan niet een combinatie ervan; 15 etsen, inclusief 1^304 en HF processing en plasma enhanced etsen; stripping, plasma stripping; dopant procesing; megasonic reinigen, plasma reinigen, verschillende soorten litcgraphy; en 20 oven bake, inclusief microwave oven en hot plate oven.
116. 143. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarin in een afsluitbars sectie tenminste één van de navolgende handelingen plaats vindt; wafer testen, metingen, inspectie en merken.
117. 144. Inrichting volgens één de voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat in een afsluitbare sectie ervan een afsluit-inrichting voor deze tunnel is opgenomen, bestaande uit: een uitsparing in het onderblok; een inverticala richting verplaatsbare afsluitkap^Jaar.uan ds afdichtrand 30 correspondeert met een zitting rondom deze uitsparir.jj en een onderblokssctis, waarvan het bovenvlak tenminste tijdslijk ligt in tenminste nagenoeg het verlengde van de onderwand van de tunnelpassage als deel van sen overdraag-inrichting.
118. 145. Inrichting volgens de Conclusie 144, met het kenmerk, dat deze 35 onderbloksectie tenminste een serie toevosrkanalen bevat voor gasvormig draagmedium, welke uitmonden in het bovenvlak van cfëze bloKsectie.
119. 146. Werkwijze van de inrichting volgens één ds voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de kap vanuit een gesloten positie tenminste kantelt naar een open positie ervan, een wafer zich onder floating conditie V* > 'J 3 - 39 - beweegt vanuit ds tunnelpassage via de doorlaat tot boven de onderblokssctie cndsr al dan niat afremming ervan, waarna de kap zich sluit.
120. 147. Inrichting volgens de Conclusie 144, met het kenmerk,dat deze □verdraag—inrichting tenminste bevats 5 een onderblokssctie, waarvan het uafer-draaoppervlak tenminste kleiner is dan die van de wafer; een meenesminrichting voor verticale verplaatsing van deze bloksectis; een uitsparing· in de zijwand van het ondsrblok; en een uafer-meenesminriehting, welke zodanig is uitgevoard, dat een gedeelte 1C ervan verplaatsbaar is door deze uitsparing tot een overnaempositis ervan ender de wafer.
121. 148. Inrichting volgens de Conclusie 147, met het kenmerk, dat daarbij in de onderbloksactie een uitsparing is opganomen, welke zich uitstrekt tot de zijwand ervan en correspondeert mat de uitsparing in de zijwand van 15 het ondarbiok.
122. 149. Inrichting volgens ds Conclusie 147, met het kenmerk, dat daarbij deze onderbloksactie tenminste nabij het bovenvlak ervan een kleinere diameter heeft dan de wafer en de wafer-msenesminrichting vorkachtig is uit-gevoard*
123. 150. Werkwijze van de inrichting volgens da Conclusie 147, met het ken merk, dat daarin bij een op de onderblokssctie gearriveerde wafer tenminste het navolgende plaats vindt: de floating conditie voor deze wafer wordt opgeheven; ds. onderblokssctie wordt al dan niet. gelijktijdig over enige afstand naar 25 beneden bewogenj de wafer komt daarbij te rusten op de wsfsr-maaneeminrichting; deze inrichting verplaatst zich nasr buiten de onderblok onder het meenamen' van de wafer; -3 onderbloksactie bsuesgtwederom· naar omhoog naar zijn bovensts positie; .en jG na overdracht van de wafer beweegt de wafer—meeneeminrichting wederom naar zijn uafer-ovarname positie. 151.Inrichting volgens de Conclusie 149, met hst kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoard, dat da onderbloksectie een draaitafel is met een aandrijving voor verdraaiing ervan. 152. werkwijze van de inrichting volgens da Conclusie 151, met het ken merk, dat na aankomst van de wafer onder floating conditie boven de draaitafel, deze tafel wordt verdraaid onder de bewerkstelliging van aan centrischs positie van de wafer ten opzichte van ds draaitafel. 1cc. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, ·' _ * * - 40 - dat dezs wafer-meeneeminrichting een transportband is.
124. 154. Inrichting volgens ds Conclusie 153, net het kenmerk, dat deze band een roestvrij stalen folie is.
125. 155. Inrichting volgens de Conclusie 147, met het kenmerk, dat deze 5 wafer-meeneeminrichting een aanzuigblok bevat voor het tijdelijk daarop aan zuigen van een wafer.
126. 155, Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tevens een module omvat voor hoofdprocessing van wafers,
127. 157. Inrichting volgens de Conclusie 156, met het kenmerk, dat daarbij 10 het inwendige van de module lekdicht verbonden is met de tunnelpassags.
128. 158. Inrichting volgens de Conclusie 157, met het kenmerk, dat daarbij het hoofdgedeelte van deze wafer-meeneeminrichting is opgesteld in deze module en waarbij deze module verder het navolgende bevat: een ligplaats voor tenminste één wafer ten behoeve van de processing ervan; 15 en een opstelling ten behoeve van de processing van dezs wafer,
129. 159. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 153, met het kenmerk, dat deze transportband als ligplaats voor opvolgende wafars fungeert tijdens da processing.
130. 160. Inrichting volgens ds Conclusie 156, met het kenmerk, dat deze 20 zodanig is uitgevoerd, dat daarin tenminste êên van.de navolgende hoofdprocessen plaats vindt: plasma etsen, reactive ion plasma etsen, magnetron ion etsen, sputter etsen; plasma stripping; Chemical vapor depositie, CVD epitaxiaal, onder lage druk of hoge druk;
131. 25 Cl/D depositie van nitride, oxide of palysilicone; physical vapor depositie; electron beam depositie; hogedruk oxidatie systemen, lagedruk oxidatiesystemen; hoge temperatuur verdampingssystamen; 30 ion beam depositie; plasma depositie; matalization, planarization, sputtering; laser annealing; hoge temperatuur oven baks; 35 litograpny systemen, inclusief stappers, in-line s-beam direct writing, x-ray micro litography; wafer testing, metingen, inspectie en merken.
132. 151. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevcerd, dat indien deze is aangesloten op ds -ή, % ~i ;a r* - 41 - uitgang van as boofoprccessing modula, dszs een afsluitbars ingangssactia bsvst, oestaands uit: een uitsparing in het onderhlok; ear. in verticals richting verplaatsbars afsluitkap, waarvan da afdichtrand 5 correspondeert net ssr, zitting rondom dszs uitsparing; en sen cndarbloksactie, waarvan hst bovenvlak tenminste t'jdsltjk lint in tannins ts nagenoeg hat verlengde van de onderwand van da aanrsnzsnda tunnel-passage als deal van aan overdraag—inrichting»
133. 152. Inrichting volgens da Conclusie 131, net hst kenmerk, dat dszs TC ovsrdraag-inrichting bsvat een ssris van tsnminsts toevoarkanalsn voor gas- vornig draagnedium, welks uitmonden in hst bovenvlak van deze ssctis.
134. 153. Inrichting volgens de Conclusie 152, nat hst kenmerk, dat dszb vardar hst navolgende bevat: een neanesninrichting voor verticals verplaatsing van deza hlokseciia; 15 een uitsparing in de zijwand van hst ondsrblok| sn een msenseninrichting voor de wafer, voor ssn gadeelta ervan verplaatsbaar in deze uitsparing ten behoeve van hst ovsrdragen van dazs wafer naar de onderblokssctie.
135. 154. Jarkw'jze van ds inrichting -volgens ds Conclusie 153, waarbij in 2C opvolging hat navolgends geschiedt: ds meeneeminrichting nesnt op een wafer-ligplaats in ds hoofdprocessing noduls een wafer over en brngt deze wafer via de uitsparing in het ondsr-blok naar een positie boven ds zich daartoe in zijn onderste positie bevindende cnderbloksectie; 25 deze sectie beweegt vervolgens omhoog onder de ovsrnams van de wsfsr naar zijn bovensta pcsitie; aan floating conditie wordt bewerkstelligd voor de wafer ορ dszs blokssctiej de afsluitkap bsweagt ai dan niat kantelend naar een open uitgangspositie; de wafer u-ordt onder floating conditia via de uitgang van ds sectie afgs-30 voerd; ds afsluitkap wordt gesloten; de ondsrbloksectis beweegt naar zijn ondsrsta positie; sn ds neenesminrichting is of wordt verplaatst naar zijn overname—positie in ds noduls.
136. 155. Inrichting volgens .4én der voorgaande Conclusies, met hst ken merk, dat dszs zodanig is uitgevoerd, dat in tsnminsts één van dezs procas-singaeotiss sen combinatie van tenminsts een tweetal van ds wafer-processings plaats vindt, mat drukverschillen tussen bijvoorbeeld hoogvacuum en esn overdruk - 42 -
137. 166. Inrichting volgens één dsr voorgaande Conclusies, mat hst kenmerk, dat daarbij ds afsluitkap en de bovenbloksectis van da processing-ssctie één geheel vormen.
138. 167. Uerkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 165, met het 5 kenmerk, dat daarbij door de beide meenserninrichtingen tenminste ssn kantelende, opwaartse verplaatsing van deze combinatie plaats vindt met het bewerkstelligen van het openen van da tunnslpassage-ssctie van deze prcces-singsectia tan behoeve van het doorlaten van een wafer.