NL8600255A

NL8600255A - Installation for floating transport and processing of wafers - provides transfer of successive wafers under floating condition through interfacing tunnel passages

Info

Publication number: NL8600255A
Application number: NL8600255A
Authority: NL
Original assignee: Bok Edward
Priority date: 1986-02-03
Filing date: 1986-02-03
Publication date: 1987-09-01

Abstract

The transport and processing installation comprises a lower block containing at least supply channels for gaseous medium for wafer transfer under floating condition. A lower chamber block is located in the chamber in the lower block. A cap covers the chamber above the lower block. At least one displacer provides for downward displacement of the cap from its wafer transfer position toward at least near the block and in return. A device transfers a wafer toward and from an at least almost centric position in between the cap and the lower chamber block. A recessed upper block lies around the cap. The upper block is connected to the lower block. A tunnel passage in between the blocks provides for wafer transfer toward and from the chamber.

Description

Verbeterde inrichting voor wafer transport an processing.Improved device for wafer transport and processing.

In onder andere de 11,5, Octrooien Ma's 4 455 024, 4 521 258 en 4 550 5S0 van de aanvrager zijn inrichtingen omschraven, waarbij transport en processing van wafers in een tunnel passage onder double floating con-5 ditie plaats vindt.In the applicant's 11.5, Patents Ma's 4 455 024, 4 521 258 and 4 550 5S0, devices are described, in which transport and processing of wafers in a tunnel passage takes place under double floating condition.

Omdat bij een in—line installatie, zoals voor het opbrengen van een coating, processing plaats vindt in meerdere opvolgende secties van zulk een tunnel passage, moet in verband met de beschikbare tijdsduur deze processings gelijktijdig plaats vinden, 10 Daarbij is het niet mogelijk, om tijdens deze serie van processings drukverschillen in de tunnel passage te vermijden.Because in an in-line installation, such as for the application of a coating, processing takes place in several successive sections of such a tunnel passage, these processings must take place simultaneously in connection with the available time duration. avoid differential pressures in the tunnel passage during this series of processings.

Tijdens elke processing vinden een serie opvolgende drukverschillen plaats en de naast zulk een processing sectie liggende andere processing secties kunnen daar niet snel genoeg op reageren, waardoor de daarin aan-15 üiszige wafers onder double floating conditie uit hun respectievelijke processing posities kunnen geraken.A series of successive pressure differences occur during each processing and the other processing sections adjacent to such a processing section cannot respond quickly enough, so that the wafers present therein can get out of their respective processing positions under double floating condition.

Met de inrichting volgens de uitvinding wordt nu beoogd om deze bezwaren op te heffen en is deze in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat alle hoofdprocessing of wafer behandeling plaats vindt in zijn eigen tijdelijk 20 afgesloten processingsectie.The device according to the invention now aims at removing these drawbacks and is mainly characterized in that all main processing or wafer treatment takes place in its own temporarily closed processing section.

Bij veel processings, zoals processing onder vacuum of hoge druk, moet het compartiment zeer goed zijn afgesloten, omdat anders het lekmedium toch de andere processings kan verstoren of omgekeerd.With many processings, such as processing under vacuum or high pressure, the compartment must be closed very well, otherwise the leakage medium can still disturb the other processings or vice versa.

Een volgend gunstig kenmerk is dan ook, dat daarbij een scheidings-25 wand wordt toegepast, welke zich aaneengesloten rondom de processingkamer als deel van deze passage uitstrekt en deze wand aan de bovenzijde ervan verbonden is met een bovenwand, aldus een afsluitkap vormend,A further favorable feature is therefore that a partition wall is used here, which extends contiguously around the processing chamber as part of this passage and this wall is connected at the top thereof to a top wall, thus forming a closing cap,

Verder, dat daarbij gebruik gemaakt wordt van de onderkant van deze kap als afdichtrand met een daarmede corresponderende zitting, welke is op-50 genomen in het onderblok van de tunnel,Furthermore, that the bottom of this cap is used as a sealing edge with a corresponding seat, which is received in the lower block of the tunnel,

Gro daarbij vanaf sen geopende tunnelpassage met behulp van deze afsluitkap sen afdichting te bewerkstelligen, is een verplaatsing van slechts enkele millimeters benodigd,If a tunnel passage is opened from the opening of the tunnel passage using a sealing cap, a displacement of only a few millimeters is required,

Verder is het gewenst, dat bij het komen te rusten van de kap op de 35 zitting de daardoor bewerkstelligde micro—verontreiniging niet in de tun-passage terecht kan komen.Furthermore, it is desirable that when the hood comes to rest on the seat, the micro-contamination caused thereby cannot enter the tun passage.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat daarbij in het onderblok binnen de kap-opstelling opzij van het zittingsvlak een doorlopende afvoer- • ; , ' „ : 3 ί -- ·>* - 2 - spleet is opgenomen, waardoorheen, tijdens het geopend zijn van de kamer af-zuiging van gasvormig medium vanuit de aangrenzende tunnelpassage en zulks tezamen met deze verontreiniging plaats vindt»A further favorable feature is now that in the lower block within the hood arrangement to the side of the seating surface there is a continuous discharge; , ": 3 ί - · * - 2 - gap is received, through which, during opening of the chamber, gaseous medium is extracted from the adjacent tunnel passage and this takes place together with this contamination»

Het is daarbij van groot belang, dat da verplaatsing van deze af-5 sluitkap zo langzaam mogelijk geschiedt»It is of great importance that the displacement of this sealing cap takes place as slowly as possible.

Verder mag de wafer, terechtkomend onder de kap, niet nog voor een gedeelte ervan onder de afdichtrand van deze kap zijn achtergebleven tijdens het sluiten van de kap. Tevens mag de wafer niet te ver zijn verplaatst.Furthermore, the wafer, falling under the hood, may not have been left behind under part of the sealing edge of this hood during the closing of the hood. Also, the wafer should not be moved too far.

Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat de kap-opstelling zo-10 danig is uitgevoerd, dat deze kantelbaar is op zijn eronder gelegen zitting en waarbij tijdens het binnenkomen van de wafer het ingangsgedeelta van deze kap omhoog is bewogen, terwijl het uitgangsgedeelte ervan als kantelpunt op de zitting is achtergebleven.A further very favorable feature is now that the hood arrangement is designed in such a way that it can be tilted on its underlying seat and wherein the entrance part of this hood is moved upwards while the wafer enters, while the exit part thereof if tipping point is left on the seat.

Verder, dat bij het afvoeren van de wafer het uitgangsgedeelte van 15 de kap omhoog is bewogen, terwijl het ingangsgedeelte ervan op de zitting is blijven rusten. .Furthermore, when the wafer is discharged, the exit part of the cap is moved upwards, while the entrance part thereof remains resting on the seat. .

Door nu verder in deze afsluitkap uitmondingen voor toevoer van gasvormig stuwmedium op te nemen, die een stroom medium leiden naar de opstaande zijwand van de wafer, wordt deze wafer effectief afgersmd en ver— 20 volgens naar een middenpositie ervan ten opzichte van de kap-opstelling bewogen.By further incorporating gates for supplying gaseous propellant further into this closure cap, which direct a flow of medium to the upright side wall of the wafer, this wafer is effectively sealed and then to a center position thereof relative to the cap arrangement. moved.

Bij de spin processings, zoals is ontschreven in de Nederlandse Gc-trooi-aanvrage No. 3600059 van de aanvrager, is het mogelijk, dat de combinatie van een aparte bovenblok-sectia en onderblok-sectis als deel van de 25 spinprocessing-module naar beneden wordt verplaatst naar een processing-kamer.In the spin processings, as described in the Dutch Gc-tourage application No. 3600059, it is possible that the combination of a separate top block sections and bottom block sections as part of the spin processing module is moved down to a processing chamber.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat zoals in zulk een opstelling de afsluitkap afdichtbaar is op de zitting van het onderblok, deze kap zich over enige afstand in benedenwaartse richting uitstrekt voorbij deze zitting 30 met een scheidingsspleet tussen dit verlengde en de zitting.A further favorable feature is now that, as in such an arrangement, the closure cap is sealable on the seat of the bottom block, this cap extends some distance downwardly beyond this seat 30 with a separation gap between this extension and the seat.

Hierdoor is het niet mogelijk, dat bijvoorbeeld vloeibaar reinigingsmiddel, welke afgespind wordt, terecht komt op deze zitting.As a result, it is not possible for liquid cleaning agent, which is spun off, to end up on this seat.

Door deze zitting tevens nog een lagere positie te doen hebben dan de onderwand van de tunnelpassage, kan zulk een vloeistof niet de floating 35 conditie van de wafer tijdens zijn lineair transport ongunstig beinvloeden.By also having this seat have a lower position than the bottom wall of the tunnel passage, such a liquid cannot adversely affect the floating condition of the wafer during its linear transport.

Vooral bij vacuum-processing onder tenminste single floating conditie is het van belang, dat de toevoer van het gasvormige medium in zulk een afgesloten sectie van de tunnelpassage zo beperkt mogelijk is.Particularly in vacuum processing under at least a single floating condition, it is important that the supply of the gaseous medium in such a closed section of the tunnel passage is as limited as possible.

- »v —a \ Λ r" ®- »before"

Een volgend gunstig kenmerk is dan ook, dat deze verticals afdich-tingsiiiand van de kap-opstelling aan cirkelvormig profiel heeft en waarbij tijdens de floating processing tenminste de uitmondingen voor toevoer van gasvornig draagmedeium in de ondertunnalwandsectie bedekt zijn door de wa-5 fer. Hierdoor is weglekkend medium zonder een bijdrage ervan aan de floating conditie voor da wafer ónmogelijk en is aldus een maximale benutting van het draagmedium verkregen.A further favorable feature is therefore that these verticals of the hood arrangement have a circular profile and wherein during the floating processing at least the outlets for the supply of gaseous carrier medium in the sub-tunnel wall section are covered by the wafer. As a result, leaking medium without its contribution to the floating condition for the wafer is impossible and thus maximum utilization of the carrier medium is obtained.

Verder is het gewenst, om daarbij voor dit medium een maximaal draagvermogen te hebben.It is further desirable to have a maximum load capacity for this medium.

1G Een volgend gunstig kenmerk is nu verder, dat de afvoerspleet opzij van de afdichtingszitting cilindsrvormig is en eveneens gedurende de wafer-processing dient voor het afzuigen van het medium naar een vacuumpomp.1G A further favorable feature is now that the discharge slit on the side of the sealing seat is cylindrical and also serves for suction of the medium to a vacuum pump during wafer processing.

Aldus kan het bovenvlak van de wafer niet getroffen worden door verontreinigingen, welke afkomstig zijn van een eventueel tijdelijk op de onder-15 wand van de tunnelsectie kleven van de wafer. .Thus, the top surface of the wafer cannot be affected by contaminants from any temporary adherence of the wafer to the bottom wall of the tunnel section. .

Een volgend gunstig ksnmerk is, dat na zulk een hoofdprocessing wederom de combinatie van gass.tuwing naar de onderzijde en ds opstaande zijkant van de wafer plaats vindt.A further favorable feature is that after such a main processing, the combination of gas pushing to the bottom and the upright side of the wafer again takes place.

Hierhij wordt door deze gasstuwing elke verontreiniging, welke op de 20 onderzijde van de wafer terecht is gekomen, verwijderd en meegezogen naar de afvoerspleet.Here, this impulse build-up removes any contamination that has ended up on the underside of the wafer and is sucked into the discharge gap.

Verder is hst gewenst, dat tijdens het in de processingsectie brengen van de wafer deze zo snel mogelijk een centrische positie ten opzichte van deze sectie verkrijgt, 25 Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat in de opstaande zijwanden van da bovenbloksectis opzij van de tunnelpassage-sectie een toevoer van stuw— medium is opgsnomen voor het eveneens stuwen van medium naar de in deze processingsectis aanwezige wafer. Verder, dat daarbij gebruik gemaakt wordt van het systeem tot verkrijging en onderhouden van de centrische positie van 3G de wafer ten opzichte van de toegepaste draaitafel, zoals is omschreven in deze boven vermelde Nederlandse Octrooi-aanvrage van de aanvrager.Furthermore, it is highly desirable that during the introduction of the wafer into the processing section it acquires a centric position with respect to this section as quickly as possible. A further favorable feature is now that in the upright side walls of the upper block section to the side of the tunnel passage. section, a supply of propellant is included for also propelling media to the wafer present in this processing section. Furthermore, that use is made of the system for obtaining and maintaining the centric position of the 3G wafer relative to the turntable used, as described in this above-mentioned Dutch patent application of the applicant.

Door de afzonderlijke boven- en onderblok-secties van zulk een proces-sing-sectie is deze eveneens uitermate geschikt om in aangepaste vorm te fungeren als dehydration-bake oven en proximity-bake oven.Due to the separate top and bottom block sections of such a process-sing section, it is also extremely suitable to function in adapted form as dehydration-bake oven and proximity-bake oven.

35 Daarbij kan in deza secties de toegevoerde warmte niet de hoofdtunnel- blokksn in ontoelaatbare mats verwarmen.In addition, the heat supplied in these sections cannot heat the main tunnel blocks in impermissible mats.

De inrichting volgens de uitvinding leent zich tevens uitermate voor het in een processingsactia ervan bewerkstelligen van een hoog vacuum en - 4 - _ >«.The device according to the invention is also extremely suitable for effecting a high vacuum in a processing activity thereof and.

# * f het vervolgens neerslaan van de warme coating in damp - of gastoestand op de opgewarmde wafer. Daarbij is een rotatie van de wafer mogalïjk door het in deze sectie eveneens gebruikmaken van een draaitafel als onderbloksectie.# * f then depositing the warm coating in vapor or gas state on the heated wafer. In addition, rotation of the wafer is possible by also using a turntable as a sub-block section in this section.

Vermeden moet worden, dat verontreinigingen via de in- of uitgang van 5 de tunnel terecht kan komen in het tunnelgedeelte, waarin hoofdprocessing plaats vindt.It must be avoided that contamination via the entrance or exit of the tunnel can end up in the tunnel section, in which main processing takes place.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat daarin de groep van opvolgende afsluitbars processingseoties samenwerkt met afsluitsystemen, welke zijn opgenomen in de in- en uitgang-van de tunnel.A further favorable feature is now that the group of subsequent closing bar processing seals interacts with closing systems included in the entrance and exit of the tunnel.

10 Daarbij fungeert bij de ingang de reinigingssctie als buffer voor het opvangen van alle verontreinigde medium, welke nagenoeg uitsluitend tezamen met de nieuwe wafer in de tunnel wordt gebracht gedurende de relatief zeer korte tijd van wafer-inbreng. Gedurende de rest van de tijd wordt in deze tunnel een overdruk ten opzichte van de wafer-toevoer onderhouden.At the entrance, the cleaning section functions as a buffer for collecting all contaminated medium, which is introduced almost exclusively together with the new wafer into the tunnel during the relatively very short time of wafer insertion. During the rest of the time, an overpressure with respect to the wafer supply is maintained in this tunnel.

15 Is de uitgang van de tunnel aangesloten op een hoogvacuum-module, dan fungeert de afsluitkap van de overdraag-sectie tevens als tijdelijke afsluiter naar deze module, waarbij via de tunnelpassage toegevoerde wafers opvolgend naar deze sectie worden gevoerd en vervolgens via een opening in het onderblok van de tunnel worden geleid naar deze module, 20 Daarbij al dan niet de gebruikmaking van een robot voor het transpor teren van opvolgende wafers naar elk type van processing-module.15 If the exit of the tunnel is connected to a high vacuum module, the cap of the transfer section also functions as a temporary valve to this module, whereby wafers supplied via the tunnel passage are subsequently fed to this section and then via an opening in the the tunnel's bottom block are guided to this module, with or without the use of a robot to transport subsequent wafers to any type of processing module.

Verdere kenmerken van de inrichting volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.Further features of the device follow from the description of the Figures indicated below.

Figuur 1 toont een langsdoorsnede van een installatie, waarin de 25 inrichting volgens de uitvinding is opgenomen.Figure 1 shows a longitudinal section of an installation, in which the device according to the invention is included.

Figuur 2 is een doorsnede over de lijn 2-2 van de inrichting volgens de Figuur 1.Figure 2 is a section on line 2-2 of the device of Figure 1.

Figuur 3 is een vergroot gedeelte van de installatie volgens de Figuur 1, waarbij een tweetal aan elkaar grenzende processingseoties afge-30 sloten zijn.Figure 3 is an enlarged portion of the installation of Figure 1, with two contiguous processing emotions closed.

Figuur 4 is de installatie volgens de Figuur 3, waarbij wafer transport plaats vindt vanuit de ene, geopende sectie naar de andere, geopende sectie.Figure 4 is the installation according to Figure 3, where wafer transport takes place from one open section to another open section.

Figuur 5 is een dwarsdoorsnede over de lijn 5-5 van de installatie 35 volgens de Figuur 1.Figure 5 is a cross-sectional view along line 5-5 of the installation 35 of Figure 1.

Figuur 6 is een doorsnede over de lijn 6-6 van de processingsectie 4*.Figure 6 is a section on line 6-6 of the processing section 4 *.

volgens de Figuur 5,according to Figure 5,

Figuur 7 is een vergroot detail van een processingsectie, waarin de ► \.v % - 5 - afsluitkap de tunnelpassage afsluit.Figure 7 is an enlarged detail of a processing section, in which the ► \ .v% - 5 sealing cap seals the tunnel passage.

Figuur 3 is een doorsnede over de lijn 3-8 van de processingsectie volgens de Figuur 7.Figure 3 is a section on line 3-8 of the processing section of Figure 7.

Figuur S toont de sectie volgens de Figuur 7, u/aarbij de afsluitkap 5 over een micro afstand gebracht is van de zitting van het onderblok.Figure S shows the section according to Figure 7, where the closing cap 5 is placed a micro distance from the seat of the bottom block.

Figuur 10 toont de sectie volgens de Figuur 7, waarbij het afsluit-kapgedeelte aan de uitgangszijde van de sectie over een geringe afstand omhoog is verplaatst.Figure 10 shows the section of Figure 7, with the closure cap portion on the exit side of the section being moved up a short distance.

Figuur 11 is een vergroot detail van de onderrand van de afsluitkap, 10 rustend op de zitting.Figure 11 is an enlarged detail of the bottom edge of the closure cap 10 resting on the seat.

Figuur 12 toont de sectie volgens Figuur 8, waarbij dit kapgedeelte opwaarts naar zijn maximaal geopende positie is verplaatst.Figure 12 shows the section of Figure 8 with this cap portion moved upward to its maximum open position.

Figuur 13 toont de sectie volgens de Figuur 7, waarbij het afsluit-kapgedeelte aan de ingangszïjde van de sectie over een geringe afstand om-15 hoog is verplaatst.Fig. 13 shows the section according to Fig. 7, wherein the closing cap portion on the entrance side of the section is displaced upwards a short distance.

Figuur 14 toont de sectie volgens de Figuur 13, waarbij dit kapgedeelte verder omhoog is verplaatst naar zijn bovenste positie en waarbij toevoer van een wafer naar deze sectie geschiedt.Figure 14 shows the section of Figure 13, this cap portion being moved further up to its top position and wafer feeding to this section.

Figuur 15 toont de sectie volgens de Figuur 14, waarbij dit kapgedeel-2Q te naar beneden is verplaatst tot vlak boven de zitting.Figure 15 shows the section of Figure 14, with this cap portion-2Q being moved down to just above the seat.

Figuur 15 toont één van de beide meeneeminrichtingen voor de afsluitkap.Figure 15 shows one of the two carrying devices for the closing cap.

Figuur 17 toont een vergroot detail van de installatie volgens de Figuur 2 over de doorsnede 17-17 ervan tijdens de wafer processing met behulp 25 van vloeibaar medium.Figure 17 shows an enlarged detail of the installation according to Figure 2 about its section 17-17 during wafer processing using liquid medium.

Figuur 13 toont de sectie volgens de Figuur 17, waarbij aan de bovenzijde van de wafer de processing is overgegaan in processing met behulp van gasvormig medium.Figure 13 shows the section according to Figure 17, in which at the top of the wafer the processing has been converted into processing using gaseous medium.

Figuur 19 toont de sectie volgens de Figuur 18, waarbij aan de onder-30 zijde van de wafer eveneens gasvormig medium wordt toegevoerd.Figure 19 shows the section according to Figure 18, in which gaseous medium is also supplied to the bottom of the wafer.

Figuur 20 toont een vergroot detail van de langsdoorsnede over de lijn 20-20 van de installatie volgens de Figuur 2.Figure 20 shows an enlarged detail of the longitudinal section along line 20-20 of the installation according to Figure 2.

Figuur 21 toont een detail van de doorsnede over de lijn 21-21 van de installatie volgens de Figuur 2 waarin de wafer zich in zijn onderste trans-35 port positie bevindt.Figure 21 shows a detail of the section along line 21-21 of the installation of Figure 2 in which the wafer is in its lower transport position.

Figuur 22 toont het detail volgens de Figuur 21 , waarbij versterkte warmte-overdracht naar deze wafer in zijn bovenste positie plaats vindt.Figure 22 shows the detail of Figure 21, with enhanced heat transfer to this wafer taking place in its top position.

Figuur 23 toont een gewijzigde uitvoering van een proximity oven.Figure 23 shows a modified version of a proximity oven.

F aftJT· > - 6 -F aftJT> - 6 -

Figuur 24 toont schematisch het ingangsgedeelte van de tunnel, waarbij een wafer uit de reinigingssectie wordt gestuwd naar een oven sectie.Figure 24 schematically shows the entrance portion of the tunnel, with a wafer being pushed from the cleaning section to an oven section.

Figuur 25 toont het ingangsgedeelte van de tunnel volgens de Figuur 5 24, waarbij een wafer vanuit een toevoer ervan wordt verplaatst naar de reinigingssectie.Figure 25 shows the entrance portion of the tunnel of Figure 5 24, where a wafer is moved from its supply to the cleaning section.

Figuur 26 toont een installatie voor het etsen van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van de afsluitsystemen volgens de uitvinding ten behoeve van opvolgende processingsecties.Figure 26 shows an installation for etching wafers using the sealing systems of the invention for subsequent processing sections.

10 Figuur 27 toont daarbij de wafer processing in een lager gelegen processing kamer.Figure 27 shows the wafer processing in a lower processing chamber.

Figuur 28 toont een wafer onder double-floating conditie tijdens de processing.Figure 28 shows a wafer under double-floating condition during processing.

Figuur 29 toont deze wafer, waarbij deze bij een minimum toevoer aan 15 medium naar de ondergelegen onderbloksectie kleeft op de combinatie van de micro laag medium en dit blok.Figure 29 shows this wafer adhering to the combination of the micro-layer medium and this block at a minimum supply of medium to the lower subblock section.

Figuur 30 toont voor een hoofdprocessing module een toe- en afvoersysteem, waarin afsluitkappen rondom een aantal processingsecties zijn opge-namen.Figure 30 shows for a main processing module a supply and discharge system, in which closing caps are included around a number of processing sections.

20 Figuur 31 is een langsdoorsnede over de lijn 31-31 van de installatie volgens de Figuur 30.Figure 31 is a longitudinal section taken along line 31-31 of the installation of Figure 30.

Figuur 32 toont de overneemsectie, welke is opgenomen in de installatie volgens Figuur 30 en waarbij een aanzuigblok van een robot-arm naar deze sectie is bewogen voor overname van de wafer.Figure 32 shows the transfer section, which is included in the installation of Figure 30 and where a robot arm suction block has been moved to this section for wafer transfer.

25 Figuur 33 toont de sectie volgens de Figuur 32, waarbij de robot-arm zich inclusief de wafer naar de aangrenzende processing module verplaatst.Figure 33 shows the section according to Figure 32, where the robot arm including the wafer moves to the adjacent processing module.

In de Figuur 1 is de installatie 10 aangegeven. Deze bestaat daarbij uit de navolgende processingsecties: toevoersectie 12, reinigingssectie 14, vacuum-dehydration bake ovensectie 30 16, de sectie 18, waarin coating in dampvormige toestand op de wafer 20 wordt neergeslagen, coatingsectie 22, proximity-bake ovensectie 24 en afvoer-sectie 26, zie tevens de Figuur 2.Installation 10 is shown in Figure 1. This consists of the following processing sections: supply section 12, cleaning section 14, vacuum-dehydration bake oven section 30 16, section 18, in which coating in vapor form is deposited on the wafer 20, coating section 22, proximity-bake oven section 24 and discharge section 26, see also Figure 2.

Daarbij zijn deze secties onderling verbonden door middel van de tun-nelpassage 28, welke zich bevindt tussen het onderblok 30 en het bovenblok 35 32.In addition, these sections are mutually connected by means of the tunel passage 28, which is located between the bottom block 30 and the top block 32.

Het bovenblok 32 is ter plaatse van de processingsecties verdiept onder de vorming van de kamers 34.The top block 32 is recessed at the processing sections to form the chambers 34.

De reinigingssectie 14 bestaat daarbij in hoofdzaak uit de bovenblok- * * - 7 - sectis 35, welke is vastgezet Dp het bovenblok 32, de draaitafel 38 met da aandrijf inrichting 40, de onderkap 42 en de afsluitkap 44, welke in de kamer 34 is cpgenaman. Tussen de draaitafel 32 en de bovenbloksectie 36 bevindt zich de tunnelpassage-sectie 46.The cleaning section 14 consists essentially of the top block section 7, which is secured in the top block 32, the turntable 38 with the drive device 40, the bottom cap 42 and the closing cap 44, which is in the chamber 34 cpgenaman. The tunnel passage section 46 is located between the turntable 32 and the top block section 36.

5 De ovensectie 16 bestaat in hoofdzaak uit de bovenbloksectie 48, welke eveneens is vastgezet op het bovenblok 32, de onderbloksectie 50, welke is vastgezet op het onderblok 30, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 52 en de afsluitkap 54.The oven section 16 mainly consists of the top block section 48, which is also secured to the top block 32, the bottom block section 50, which is secured to the bottom block 30, the intermediate tunnel passage section 52 and the closure cap 54.

Oe coatingssctie 20 bestaat in hoofdzaak uit de bovenbloksectie 56, 10 de draaitafel 58 als onderbloksectie, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 50, de afsluitkap 54, de aandrijfinrichting 62 en de ondsrkap 64.The coating section 20 mainly consists of the top block section 56, the turntable 58 as the bottom block section, the intermediate tunnel passage section 50, the closure cap 54, the drive device 62 and the bottom cap 64.

De tweede coatingsectie 22 bestaat uit de bovenbloksectie 66, de draaitafel 68, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 70, de aandrijfinrichting 62, de onderkap 64 en de afsluitkap 54.The second coating section 22 consists of the top block section 66, the turntable 68, the intermediate tunnel passage section 70, the driving device 62, the bottom cap 64 and the closure cap 54.

15 De proximity ovensectie bestaat uit de bovenbloksectie 72, de onder bloksectie 74, de tussengelegen tunnelpassage-sectie 76 en wederom de afsluitkap 54,The proximity oven section consists of the top block section 72, the bottom block section 74, the intermediate tunnel passage section 76 and again the closure cap 54,

In de tunnelingang 78 is vsrder de afsluitschuif 80 opgenomen en in de tunneluitgang 32 de schuif 84.The closing gate 80 is accommodated in the tunnel entrance 78 and the gate 84 in the tunnel exit 32.

20 Elk van de afsluitkappen 44 en 54 zijn met hun ingangszijde 85 vastge- zat op de meeneeminrichting 88 en met hun uitgangszijde 90 op de meeneem-inrichting 92. i/erder zijn deze kappen met behulp van de membraamwand 94 vastgezet op het montageblok 96, welke zich bevindt tussen de respectievelijke bovenbloksscties en het bovenblok 32 zelf, zie tevens de Figuur 3.Each of the closure caps 44 and 54 are secured with their input side 85 on the carrier device 88 and with their output side 90 on the carrier device 92. In addition, these caps are fixed to the mounting block 96 by means of the membrane wall 94, which is located between the respective top block sections and the top block 32 itself, see also Figure 3.

25 In deze Figuur zijn de coatingsectie 22 en de ovensectie 24 vergroot aangegeven. Daarbij rusten de kappen 44 van deze secties met hun afdichtrahd 100 op de zitting 102 van het onderblok 30, waardoor de respectievelijke tunnelpassage-sectiss 70 sn 76 als processingkamers 104 en 106 geheel zijn afgesloten van ds tunnelpassage 26.In this Figure, the coating section 22 and the oven section 24 are shown enlarged. In addition, the caps 44 of these sections rest with their sealing thread 100 on the seat 102 of the bottom block 30, whereby the respective tunnel passage sections 70 sn 76 as processing chambers 104 and 106 are completely closed off from tunnel passage 26.

30 In de Figuur 4 is verder het uitgangsgedeelte 90 van de kap 54 van de coatingssctie 22 omhoog bewogen, waarbij de wafer 20 via de verkregen opening 103 wordt afgevoerd naar de ovensectie 24, zie tevens de Figuur 12.Furthermore, in Figure 4, the exit portion 90 of the cap 54 of the coating section 22 has been moved upward, the wafer 20 being discharged through the obtained opening 103 to the oven section 24, see also Figure 12.

3ïj deze sectis 24 is het ingangsgedeelte 86 omhoog bewogen onder de verkrijging van de doorlaat-opening 110, zie tevens de Figuur 14.In this section 24, the entrance portion 86 has been moved upwards to obtain the passage 110, see also Figure 14.

35 Door een tijdelijks drukverhoging in da eerste sectie 22 in samenwer king met aanvullende stuwstromen in de tunnelpassage 28 vindt daarbij zulk een wafarverplaatsing plaats.Due to a temporary pressure increase in the first section 22 in conjunction with additional thrust flows in the tunnel passage 28, such a wafar displacement takes place.

3ij de opwaartse verplaatsing van het uitgangsgedeelte 90 van de kap f » - 8 - 54 kantelt deze kap met het gedeelte 112 ervan over het daarmede corresponderende gedeelte 114 van de zitting 102, zie tevens de Figuur 11.In the upward displacement of the exit portion 90 of the hood, this hood tilts with its portion 112 over the corresponding portion 114 of the seat 102, see also Figure 11.

De zijkanten 115 en 118 van respectievelijk de afdichtrand 100 en de zitting 102, zie tevens de Figuren 5 en 3, zijn gevlakt onder de vorming 5 van de kantellijnen 120, welke haaks staan op de lengteas van de tunnel-passage 28.The sides 115 and 118 of the sealing edge 100 and the seat 102, see also Figures 5 and 3, respectively, are flattened to form the tilting lines 120, which are perpendicular to the longitudinal axis of the tunnel passage 28.

Ook kan het dicbtingsvlak van de rand 100 daarbij afgerond zijn met een radius ter grootte van ongeveer de diameter van de afsluitkap 54, waardoor de kantellijn pas aan het einde van de kap-verplaatsing wordt bereikt.Also, the dicing surface of the rim 100 may be rounded with a radius about the diameter of the closure cap 54, whereby the tilting line is only reached at the end of the cap displacement.

10 Doordat de meeneeminrichtingen 83 en 52, gezien in laterale richting van d8 tunnel, boven het midden van deze kantellijnen 120 zijn bevestigd op de kap 54, wordt tijdens deze kantelende kapverplaatsing over een zeer geringe afstand deze kap in zijn juiste laterale positie ten opzichte van de wijdere kamer 34 gehouden, zodat tijdens deze verplaatsing contact daarmede 15 wordt vermeden.Because the transport devices 83 and 52, viewed in the lateral direction of the tunnel, are mounted on the hood 54 above the center of these tilting lines 120, during this tilting hood displacement over a very small distance this hood is in its correct lateral position with respect to the wider chamber 34, so that contact with it 15 is avoided during this displacement.

In de Figuur 10 is aangegeven, dat de afdichtrand 100 ter plaatse van het uitgangsgedeelte eerst gedurende korte tijd over een minimale afstand van de zitting 102. is gelicht om met behulp van stromen gasvormig medium vanuit de kamer 34 en de tunnelpassage 23 ter plaatse van deze opening 20 een verwijdering van verontreinigingen van deze rand 100 en de zitting 102 te bewerkstelligen.In Fig. 10 it is indicated that the sealing edge 100 at the location of the exit section is first lifted over a minimum distance from the seat 102 for a short time in order to use streams of gaseous medium from the chamber 34 and the tunnel passage 23 at this location. opening 20 to effect removal of contaminants from this rim 100 and seat 102.

Om zulk een twee-staps opwaartse verplaatsing te kunnen verkrijgen, wordt bij voorkeur gebruik gemaakt van de stap-motoren 122, zie tevens Figuur 15, De mseneemas 124 van zulk een motor 122 is vastgezet op het midden 25 128 van de membraam 126, terwijl aan de binnenzijde van deze membraam de kap 54 met behulp van een flexibele meeneemplaat 130 eveneens verbonden is met het centrum 128 van dit membraam.In order to obtain such a two-step upward displacement, use is preferably made of the stepper motors 122, see also Figure 15, The blade shaft 124 of such a motor 122 is secured to the center 128 of the membrane 126, while on the inside of this membrane, the cap 54 is also connected to the center 128 of this membrane by means of a flexible carrier plate 130.

Deze plaat 130 strekt zich daarbij in laterale richting ten opzichte van de lengteas van de tunnel uit.This plate 130 then extends laterally with respect to the longitudinal axis of the tunnel.

30 De membraam is verder met haar buitenzijde 132 vastgezet op het boven blok 32. Aldus kan de meeneeminrichting 92 de geringe kantelbeweging van de kap volgen.The membrane is further secured with its outer side 132 on the top block 32. Thus, the carrier device 92 can follow the slight tilting movement of the hood.

De constructieve opbouw van de meeneeminrichting 88 is daarbij dezel- de.The constructional structure of the carrier device 88 is the same.

35 Bij het openen van de doorlaat voor de wafer kan met behulp van de bei de stapmotoren deze kap eerst in zijn geheel over een geringe afstand omhoog zijn verplaatst, waardoor de gehele afdichtrand 1G0 van de zitting 102 is verwijderd onder de vorming van de micro-splset 98. Zulks is aangegeven in 1 vj» 3 ·« Ξ η '-t da Figuur 9«When opening the passage for the wafer, with the aid of the stepper motors, this cap can first be moved in its entirety a small distance upwards, so that the entire sealing edge 1G0 of the seat 102 is removed to form the micro- splset 98. This is indicated in 1 vj »3 ·« Ξ η '-t da Figure 9 «

Daarbij is enerzijds aen goede reiniging van deze rand en zitting mogelijk pet behulp van uit de tunnelpassage 2S via deze spleet S8 in de pro— csssingssctie 22 stropende gssvormigs medium.On the one hand, a good cleaning of this edge and seat is possible with the aid of gaseous medium from the tunnel passage 2S via this slit S8 in the processing section.

5 Vanuit deze positie kan vervolgens bijvoorbeeld de uitlaatzijde van de afsluitkap 54 verder omhoog worden bewegen, totdat de afvoerdoorlaat voor de wafer is vrijgekomen.From this position, for example, the outlet side of the closure cap 54 can then be moved further upwards, until the discharge passage for the wafer is released.

Vervolgens kan dan deze uitlaatzijde wederom naar beneden worden bewogen, waardoor eerst het met deze meeneeminrichting 92 corresponderende 10 gedeelte van da afdichtrand op de zitting 1G2 komt ts rusten sn vervolgens de rest van deze afdichtrand.This outlet side can then be moved downwards again, so that first the part of the sealing edge corresponding with this carrier device 92 rests on the seat 1G2 and then the rest of this sealing edge.

Aldus is een nagenoeg contactloos kantelen van de afsluitkap moge- iyk.Thus, a virtually non-contact tilting of the closing cap is possible.

In da tunnelpassage 25 wordt nagenoeg altijd een overdruk onderhouden 15 ten opzichte van de druk in da proces singsecties. Alleen tijdens de af voer van de wafer uit zulk een secties wordt daarin tijdelijk een drukverhoging opgebouwd.In the tunnel passage 25, an overpressure is almost always maintained with respect to the pressure in the processing sections. Only during the removal of the wafer from such a sections a pressure increase is temporarily built up therein.

De secties zijn daartoe elk met hun ondereinde aangesloten op een afvoer 134, welke een lagedruk vacuumpomp kan zijn.For this purpose the sections are each connected with their lower end to a discharge 134, which can be a low-pressure vacuum pump.

20 Doordat de kamers 34, zie onder andere de Figuur 3, aangesloten zijn op aan toevoer 135 voor gasvormig medium, kan mede met behulp van sensoran op commando stroman gasvormig medium vanuit zulk een kamer naar de corresponderende procassingsactis worden gestuwd.Because the chambers 34, see, inter alia, Figure 3, are connected to the supply 135 for gaseous medium, gaseous medium can be propelled from such a chamber to the corresponding procassing actis with the aid of sensoran on the front.

Tevens kunnen via toevosrkanalen 133, welke in het ondsrblok 30 zijn 25 opgenomsn en die uitmonden in da tunnelpassage 28, tfjdelijk stromen gasvormig medium geleid worden naar zulk een sectie, zie onder andere de Figuur 10.In addition, through flows of channels 133, which are incorporated in the sub-block 30 and which open into the tunnel passage 28, flows of gaseous medium can be led to such a section, see, inter alia, Figure 10.

Een gunstige uitvoering van de afsluitkap 54 is daarbij, dat de bodem 14G opz’j van de zittingsrand iets verhoogt ligt en zich over enige afstand in zijwaartse richting uitstrekt tot voorbij zulk een serie van uitmondingen 30 van de kanalen 133, zie Figuren 7,10 en 13.A favorable embodiment of the closing cap 54 is that the bottom 14G is slightly raised on the side of the seat edge and extends some distance in the lateral direction beyond such a series of outlets 30 of the channels 133, see Figures 7,10 and 13.

Aldus wordt het medium, stromend vanuit deze kanalen, naar de opening tussen de afdichtrand 100 en de zitting 102 gestuwd.Thus, the fluid flowing from these channels is pushed to the opening between the sealing edge 100 and the seat 102.

De afsluitkappsn 44 en 54 zijn bij voorkeur cirkelvormig en daarbij eveneens hun afdichtrand 100 en de daarmede corresponderende zittingen 102 35 van het ondarblok 3D.The closing caps 44 and 54 are preferably circular and also have their sealing edge 100 and the corresponding seats 102 of the ondar block 3D.

Deze combinatie van rand en zitting kan daarbij een gepolijst oppervlak hebben, terwijl de kap en bodem veelal van zeer hocgwaardig roestvrij staal of kunststof zijn vervaardigd.This combination of edge and seat can have a polished surface, while the hood and bottom are often made of very high-quality stainless steel or plastic.

j T Hf - ία -j T Hf - ία -

Aldus is Bsn gosde afdichting van de secties door de afsluitkappen gewaarborgd, terwijl tevens een veroorzaakte verontreiniging van de rand en zitting ten gevolge van het openen en sluiten van de afsluitkap volledig onder controle is door het systeem van periodieke reiniging ervan.Thus, Bsn gosse sealing of the sections by the closure caps is ensured, while also a contamination caused to the rim and seat due to the opening and closing of the closure cap is fully controlled by the system of periodic cleaning thereof.

5 Het bij een toevoer van een wafer naar een processingsectie achter blijven van het uitgangsgedeelte 90 van de kap in zijn laagste of nabij laagste positie, zoals is aangegeven in de Figuren 14 en 15, maakt het nu mogelijk, dat dit kapgedeelte kan dienen voor het opvangen van de binnenkomende wafer. Daartoe is in dit gedeelte een toevosrkanaal 142 op de bij voorkeur 10 smalle horizontale uitmonding 144 in de binnenzijwand 145 van deze kap aangesloten en welke uitmonding ligt op de hoogte van het centrum van de tun-nelpassage.When a wafer is fed to a processing section, the cap output portion 90 remains in its lowest or near-lowest position, as indicated in Figures 14 and 15, now permitting this cap portion to serve for collecting the incoming wafer. To this end, a supply channel 142 is connected in this section to the preferably narrow horizontal outlet 144 in the inner side wall 145 of this hood and which outlet is at the height of the center of the tunel passage.

Indien nu een sensor 148, zie de Figuren 2 en 5, door een naderende wafer wordt geactiveerd, wordt via een commando naar een regelsysteem de 15 toevoer van medium voor dit kanaal 142 vrijgegeven en stroomt dit medium in de tunnelsectie tot tegen de zijkant van de wafer 20.If a sensor 148, see Figures 2 and 5, is now activated by an approaching wafer, the supply of medium for this channel 142 is released via a command to a control system and this medium flows into the tunnel section against the side of the wafer 20.

Deze wafer wordt daardoor af geremd en komt uiteindelijk tegen de gasbuffer 150, zie de Figuur 15, tot stistand.This wafer is thereby slowed down and eventually comes to a stop position against the gas buffer 150, see Figure 15.

Een eventuele signalering van deze positie door een tweede sensor 20 kan dan resulteren in een geleidelijke vermindering van deze toevoer*Any signaling of this position by a second sensor 20 can then result in a gradual reduction of this supply *

Gelijktijdig kan door deze sensor 148, commanderend een regelsysteem in de toevoer van medium naar kanaal 152, een stroom medium vanuit de uitmonding 154 ervan in de zijwand 156 van het ingangsgedeelte 86 van de kap worden bewerkstelligd, zoals is aangegeven.in de Figuur 14, 25 Indien nu de afsluitkap gesloten wordt, dienen deze stromen medium dan voor het onder controle houden van de wafer in zijn middenpositie van de processingsectie, zie Figuur 15,Simultaneously, through this sensor 148, commanding a control system in the supply from medium to channel 152, a flow of medium from its outlet 154 into the side wall 156 of the input portion 86 of the hood can be effected, as shown in Figure 14, If the closure cap is now closed, these medium flows serve to control the wafer in its middle position of the processing section, see Figure 15,

Bij het afvoeren van een wafer uit de processingsectie, zie de Figuren 10 en 11, helpt de mediumstroom vanuit de uitmonding 154 in het afvoeren van 30 de wafer door het stuwen ervan tegen de achterzijde 190 ervan.In discharging a wafer from the processing section, see Figures 10 and 11, the medium flow from the mouth 154 aids in discharging the wafer by pushing it against the back 190 thereof.

Tijdens de processing in zulk een sectie is het gewenst, dat een stroom gasvormig medium in benedenwaartse richting door deze sectie wordt onderhouden.During processing in such a section, it is desirable that a flow of gaseous medium be maintained downward through this section.

Tevens mag bijvoorbeeld bij vloeistof spinprocessing, zoals in sectie 35 14, geen vloeistof in deze uitmondingen terechtkomen.Also, for example, in liquid spinning processing, such as in section 35 14, no liquid may enter these outlets.

Deze gasstroom wordt dan ook in veel gevallen onderhouden.This gas flow is therefore in many cases maintained.

Indien echter in een sectie vacuum processing van de wafer plaats vindt, dan wordt deze toevoer tenminste sterk gereduceerd.However, if vacuum processing of the wafer takes place in a section, then this feed is at least greatly reduced.

£ -5- -lisinnen het kader van de uitvinding is elke variatie in deze stromen van stuwmedium magelijk.Within the scope of the invention, any variation in these propellant flows is possible.

In de tunnelpassage 23, zie de Figuur 5, wordt da wafer 20 tijdens zijn transport mede contactloos geleid door stromen medium vanuit uitmondin-5 gen 160 en 162, welke zich bevinden in de opstaande zijwanden 164 en 165 van het bovenblok 32.In the tunnel passage 23, see Figure 5, the wafer 20 during its transport is partly contactlessly guided by flows of medium from outlets 160 and 162, which are located in the upright side walls 164 and 165 of the top block 32.

Hierdoor is een nauwe spleet tussen zulk een wafer en deze zijkanten mogelijk te onderhouden* Zulk een geleidesysteem is omschreven in de Weder-landse Gctrooi-aanvrage "'o. 35 02 924 van de aanvrager.This makes it possible to maintain a narrow gap between such a wafer and these sides. Such a guiding system is described in the Applicant's Dutch Patent Application No. 35 02 924.

10 In de Figuren 5 en 6 is nog wederom de coatingsectie 22 aangegeven.In the Figures 5 and 6 the coating section 22 is again indicated.

In de opstaande zijwanden 16S en 170 van de bovenbloksectie 66 bevinden zich eveneens uitmondingen van de toevoerkanalen 172 en 174 voor gasvormig stuw-medium. Hierbij dienen deze stromen medium voor het in deze sectie bewerkstelligen van de centrische opstelling van de wafer op de draaitafel 68, 15 zoals is omschreven in de Nederlandse Gctrooi-aanvrage Mo, 86 00 059 van da aanvrager,In the upright sidewalls 16S and 170 of the top block section 66 there are also outlets of the feed channels 172 and 174 for gaseous propellant. Hereby these flows of medium serve to effect the centric arrangement of the wafer on the turntable 68, 15 as described in the Dutch patent application Mo, 86 00 059 of the applicant, in this section.

De werking van zulk een coatingsectie is als volgt:The operation of such a coating section is as follows:

Na het verkrijgen van de centrische opstelling van de wafer wordt door tenminste het reduceren van de toevoer van medium via de kanalen 176, welke 20 zijn opgenomen in de draaitafsi, tenminste een kleving van de wafer op de combinatie van een minimale gaskussen en draaitafel-oppervlak bewerkstelligd. Verder wordt de toevoer van medium via de kanalen 173, welke zijn op— genomen in de bovenbloksectie 66, stopgezet.After obtaining the centric arrangement of the wafer, by at least reducing the supply of medium through the channels 176, which are incorporated in the rotary tapes, at least a tack of the wafer on the combination of a minimum gas pad and turntable surface is achieved accomplished. Furthermore, the supply of medium through the channels 173 included in the top block section 66 is stopped.

Zulk een overgaan van floating conditie, waarbij de wafer 20 gemakke-25 lijk verplaatsbaar is, naar een kleef-floating conditie, waarbij de wafer 20 tenminste moailïjk verplaatsbaar is, is in de Figuren 28 en 29 aangegeven.Such transition from floating condition, in which the wafer 20 is easily movable, to an adhesive floating condition, in which the wafer 20 is at least easily movable, is shown in Figures 28 and 29.

Vervolgens beweegt door middel van de meeneeminrichting 1S0 de combinatie van draaitafel 62 sn wafer 20 naar beneden tot in de processingkamsr 182, alwaar met behulp van tenminste één daartoe verdraaide toevoer 184 coa-30 ting materiaal 185 op de wafer wordt gebracht, zie tevens de Figuur 3.Subsequently, by means of the carrier device 1S0, the combination of turntable 62 and wafer 20 moves down into the processing comb 182, where, with the aid of at least one twisted feed 184, coating material 185 is applied to the wafer, see also the figure. 3.

Door de in de ondsrkap 64 opgenomen uitmondingen voor toevoer van stuumedium naar da ópstaande zijkanten 190 van de wafer ter onderhouding van de centrische positie Van deze wafer tan opzichte van de draaitafel, zeals in da Nederlandse Gctrooi-aanvrage Mo. 85 00 059 is omschreven, is het aan-35 zuigen van ds wafer 20 op de draaitafel niet vereist.Through the mouths included in the cover 64 for supplying the fluid medium to the upright sides 190 of the wafer to maintain the centric position of this wafer tan relative to the turntable, as in the Netherlands Patent Application Mo. 85 00 059, suction of the wafer 20 onto the turntable is not required.

'ia het met behulp van spinning van de wafer verwijderen van het teveel aan op daze wafer gebrachte coating vindt gedurende enige tijd droging van de Gpgebrachte laag plaats en zulks mede met behulp van al dan niet verwarmdBy removing the excess coating applied to this wafer by means of spinning of the wafer, the layer applied is dried for some time and this also with the aid of heated or not

Γ VΓ Q

- 12 - gasvormig medium, hetwelk dan bij voorkeur vanuit de kanalen 178 afkomstig is. Daarbij dan een afgesloten zijn van de afvoerkanalen 132, welke eveneens in deze bovenbloksectie 66 zijn opgenomen.Gaseous medium, which then preferably comes from channels 178. Thereby being closed off from the discharge channels 132, which are also included in this top block section 66.

In een andere gunstige serie van processings wordt tijdens de spin 5 processing verdunning voor de coating als vloeibaar medium door de draaita-fel-kanalen 176 gestuwd naar de micro-spleet onder de wafer, waarbij naast de kleefwerking dit medium tevens van de onderzijde en de opstaande zijkant van de wafer wordt gespind. Hierdoor wordt een vergaring van coating op de wafer onderzijde en zijkant vermeden en vindt eveneens doeltreffend verwijde-10 ring van verontreinigingen van deze wafer oppervlaktes plaats. Deze verdunning, eventueel tezamen met anders stromen verdunning, leidend in benedenwaartse richting langs de binnenzijde 194 van de kap, draagt daarbij tevens zorg voor een in voldoende mate afvoeren van coating, welke op deze wand is neergeslagen.In another favorable series of processings, during the spin 5 processing dilution for the coating as a liquid medium is pushed through the rotary-channel channels 176 to the micro-slit under the wafer, in addition to the adhesion effect this medium also from the bottom and the upright side of the wafer is spun. This avoids accumulation of coating on the wafer bottom and side and also effectively removes contaminants from these wafer surfaces. This dilution, optionally together with different flow dilution, leading downwards along the inside 194 of the hood, also ensures sufficient removal of coating which has deposited on this wall.

15 Vervolgens wordt dit vloeibare medium dan wederom vervangen door gasvormig medium.This liquid medium is then again replaced by gaseous medium.

3innen het kader van de uitvinding zijn variaties in de opstelling van deze coatingsectie, besturing van de processings, het spin toerental en de gebruikmaking van elk type van coating mogelijk.Within the scope of the invention, variations in the arrangement of this coating section, control of the processings, spin speed, and use of any type of coating are possible.

20 Zo is het ook mogelijk, dat de wafer 20 tijdens de spin processing op de draaitafel is gezogen en zulk een opbrenging van coating in een onderste coating-opbrengsectie geschiedt.It is thus also possible that the wafer 20 has been sucked onto the turntable during spin processing and such coating is applied in a lower coating application section.

Vervolgens wordt deze draaitafel omhoog bewogsn naar een verdunning spin processingsectie, waarbij de aanzuiging van de wafer wordt opgeheven en 25 deze wafer door de via de draaitafalkanalen 176 toegevoerde vloeibare medium van deze tafel over een micro-afstand wordt gelicht. Zulks ten behoeve van spin reinigen van het wafer-ondervlak en de draaitafel en het verwijderen van coating deeltjes van de onderzijde en opstaande zijkant van de wafer.Subsequently, this turntable is moved up to a dilution spin processing section, whereby the suction of the wafer is canceled and this wafer is micro-spaced by the liquid medium supplied via the turntable channels 176. This is for spin cleaning of the wafer bottom surface and the turntable and removing coating particles from the bottom and upright side of the wafer.

De verdunning, hetwelk als vloeibaar medium is afgespind, komt daarbij te-30 recht op de binnenzijde 194 van de kap, wordt daarna in benedenwaartse richting af gevoerd en verwijdert daarbij de coating, welke in de onderste processing op deze wand is neergeslagen.The dilution, which has been spun off as a liquid medium, thereby comes into contact with the interior 194 of the hood, is then discharged downwards and thereby removes the coating which has deposited on this wall in the lower processing.

Vervolgens wordt dan dit vloeibare medium vervangen door gasvormig medium en vindt droging van de coating plaats.This liquid medium is then replaced by gaseous medium and the coating is dried.

35 Deze droging kan daarbij worden voortgezet in tenminste nabij de boven ste transport-positie van de wafer met behulp van het gasvormige medium, welke afkomstig is uit de kanalen 178.This drying can then be continued in at least near the top transport position of the wafer with the aid of the gaseous medium, which comes from the channels 178.

In een soortgelijke opstelling geschiedt het neerslaan op de wafer •Sr £ - 13 - van coating in dampvormige toestand sn al dan nist onder hoog vacuum. Zulks vindt plaats in de coatingsectie 18, waarbij verdampte RHDS naar ds bovenzijde van da wafer wordt -geleid en het neerslaan ervanop deze wafer onder hoog vacuum geschiedt. Gok hier vindt zulk een processing plaats in ds kamer 132.In a similar arrangement, the deposition on the wafer of the vapor-coated coating is effected, albeit nistically, under high vacuum. This takes place in the coating section 18, where evaporated RHDS is conducted to the top of the wafer and the deposition thereof on this wafer is carried out under high vacuum. Here too, such processing takes place in room 132.

5 De wafer wordt tijdens da vacuum processing bij voorkeur uitsluitend door zijn eigen gewicht op de draaitafel gehouden.Preferably, the wafer is held on the turntable only by its own weight during vacuum processing.

Ook hier wordt het medium bij voorkeur door de verdraaibare toevoer 184- aangevoerd.Here, too, the medium is preferably supplied by the rotatable feed 184-.

Zowel de draaitafel als de bovenbloksectie kan daarbij voorzien zijn 10 van een veruarmings-element voor het op de gewenste temperatuur houden van de wafer tijdens de processing en om condensatie van het dampvormige medium tegen te gaan.Both the turntable and the top block section can herein be provided with an heating element for keeping the wafer at the desired temperature during processing and to prevent condensation of the vaporous medium.

Het teveel aan dampvorrnig medium wordt cnmiddellïjk via ds ruime cilindrische afvoerspieet naar beneden afgevoerd en kan aldus geen nesrslag 15 van betekenis geven.The excess vaporous medium is discharged downward through the large cylindrical discharge spit and thus cannot make significant precipitation.

Verdraaiing van de draaitafel en daarbij van de wafer is slechts onder een zeer laag toerental benodigd en dient uitsluitend om een gelijkmatig neerslaan van het medium op de wafer te verkrijgen.Rotation of the turntable and thereby of the wafer is required only at a very low speed and serves only to obtain an even deposition of the medium on the wafer.

Binnen het kader van de uivinding kan daarbij ook de wafer niet rote- 20 ren.The wafer cannot rotate within the scope of the invention.

iia beëindiging van het neerslaan van deze coating wordt via de toe-voarkanalsn nog wederom verdunning in al dan niet vloeibare vorm naar de spleet tussen de wafer en de draaitafel gevoerd, vervolgens vindt spin processing plaats met het neerslaan van deze verdunning op de binnenwand 194 25 van de processingkamer 132. Deze verdunning wordt daarbij onmiddellijk af gezogen via de afvoerkanalen 134.When the deposition of this coating has ended, the dilution in liquid or non-liquid form is again fed via the feed channels to the gap between the wafer and the turntable, then spin processing takes place with the deposition of this dilution on the inner wall. of the processing chamber 132. This dilution is thereby immediately drawn off via the discharge channels 134.

Daarna wordt deze toevoer van vloeibaar medium vervangen door een toevoer van gasvormig medium ter verwijdering van achtergebleven vloeistof-deeltjes van de tcp van de draaitafel en het wafer-ondsrvlak.Thereafter, this liquid medium supply is replaced by a gaseous medium supply to remove residual liquid particles from the tcp of the turntable and wafer surface.

30 Vervolgens vindt dan voordrocing van de opgebrachte coating plaats en wordt teruggegaan naar de kleef-' floating conditie voor de wafer en kan de combinatie in opwaartse richting naar zijn positie voor lineair transport van ds wafer worden gebracht.Subsequently, pre-drying of the applied coating takes place and the adhesive floating condition for the wafer is returned and the combination can be brought upwards to its position for linear transport of the wafer.

In deze positie kan dan verdere droging van de coatingfilm plaats 35 vinden onder toevoer van gasvormig medium via de kanalen 173.In this position, further drying of the coating film can then take place with the supply of gaseous medium through the channels 173.

In een andere gunstige uitvoering vindt ook hier in een onderste processing neerslag van coating op de wafer plaats. Vervolgens wordt de wafer omhoog gebracht naar een spin processing positie en waarbij verdunning i - 14 - als vloeibaar medium via de draaitafel naar de wafer wordt gestuwd en onder spin conditie wordt afgeslingerd.In another favorable embodiment, coating of the wafer also takes place in a lower processing here. The wafer is then raised to a spin processing position and dilution i-14 - as liquid medium is pushed through the turntable to the wafer and thrown off under spin condition.

Ook kan in zulk een bovenste processing-gedeelte reiniging van de wafer plaats vinden 5' Daarbij een nagenoeg dezelfde constructieve opbouw als die, welke is omschreven voor de coating opbrenging met gebruikmaking van vloeibare coating.Also, in such an upper processing portion, cleaning of the wafer can take place. 5 'Thereby a substantially the same constructional structure as that described for the coating application using liquid coating.

Tevens is het bij deze processingsecties inclusief de reinigings-en coating-opbrengsecties mogelijk, dat geen bovenbloksectie wordt toege-10 past en waarbij in zulk een sectie lineair wafer transport uitsluitend onder single-floating conditie geschiedt.It is also possible with these processing sections, including the cleaning and coating application sections, that no top block section is used, and in such a section linear wafer transport only takes place under single-floating condition.

Binnen het kader van de uitvinding is elke soort van neerslaan van coating op de wafer in dampvorm of gastoestand mogelijk.Within the scope of the invention, any kind of deposition of coating on the wafer in vapor or gas condition is possible.

In de processingsectie 14 vindt reiniging van de uit de tunnel-ingang 15 78 aangevoerde wafers plaats.In the processing section 14 cleaning of the wafers supplied from the tunnel entrance 15 78 takes place.

In deze sectie is de kap 44 met een cilindrische gedeelte 200 naar onderen verlengd tot voorbij de zitting 102, zie de Figuren 1 en 17 tot en met 20.In this section, the cap 44 with a cylindrical portion 200 is extended downward beyond the seat 102, see Figures 1 and 17 through 20.

In de Figuur 17 vindt tijdens de spin-processing toevoer van vloei-20 baar medium 202 plaats naar zowel de onderspleet 204 tussen de wafer 20 en de draaitafel 38 als naar de bovenspleet 206 tussen deze wafer en de bovenbloksectie 36.In Figure 17, during the spin processing, supply of liquid medium 202 takes place to both the sub-slit 204 between the wafer 20 and the turntable 38 and to the top slit 206 between this wafer and the top block section 36.

Daarbij is de toevoer van dit medium naar ds onderspleet 204 via da in de draaitafel opgenomen toevoerkanalen gering gehouden, waardoor deze 25 spleet slechts een micro-hoogte heeft onder kleaf-floating conditie van ds wafer op de draaitafel. Hierdoor wordt deze wafer door de tafel medegenomen met een toerental, welke die van de tafel benadert.In addition, the supply of this medium to the sub-slit 204 via the feed channels incorporated in the turntable is kept small, so that this slit has only a micro-height under the stick-floating condition of the wafer on the turntable. As a result, this wafer is carried through the table at a speed approaching that of the table.

Het in de bovenspleet 205 toegevoerde vloeibare medium wordt daarbij gemakkelijk onder centrifugaal-werking in deze relatief ruime spleet naar ds 30 buitenzijde van de wafer bewogen en eraf geslingerd.The liquid medium fed into the top slit 205 is easily moved to the outside of the wafer under centrifugal action in this relatively wide slit and flung off.

Doordat de bovenbloksectie 36 niet roteert, wordt alk deel van het bovenwaferoppervlak talloze malen opnieuw getroffen door het instuwende medium. Daarbij is elke druk van dit medium mogelijk en tevens een combinatie van toevoer van medium.Since the top block section 36 does not rotate, each portion of the top wafer surface is again hit by the driving medium countless times. Any pressure of this medium is possible here, as well as a combination of supply of medium.

35 In een gunstige uitvoering wordt daarbij via een zeer nauwe uitmon- dingsspleet, welks zich vanuit het centrum van de bovenbloksectie 36 uitstrekt tot nabij de buitenzijde van deze sectie, reinigingsmedium onder zeer hoge druk, bijvoorbeeld 100 bar, naar het wafer-oppervlak gestuwd, terwijl via Λ " - „A V ï .J J - . n · J y 9 2 — lade andere taeuoerkanalsn dit medium onder een lage druk wordt tosgevoerd.In a favorable embodiment, cleaning medium is pushed to the wafer surface under very high pressure, for example 100 bar, via a very narrow discharge gap, which extends from the center of the top block section 36 to near the outside of this section, while other medium channels are used to feed this medium under low pressure via Λ "-" AV ï .JJ -. n · Y y 9 2 - drawer.

Ook is hafc mogslfjk, dat via dezs andsre kanalen gasvormig stuumsdiun naar da splsst 205 wordt gevoerd,Also, hafc mogslfjk, which is fed gaseous costume diun to da splsst 205 through these other channels,

Gsdurende deze spin-processing vindt tevens toevoer van bij voorkeur 5 gasvornig stuumedium via de in de opstaande u/and 1-58 opgenomen uitmondingen 172 in de richting van de wafsr-zijkant 190 plaats.During this spin processing, supply of preferably gaseous fluid medium also takes place via the outlets 172 incorporated in the upright 1/58 towards the wafer side 190.

Tevens vindt via de in de afsluitkap 44 opgenomen uitmondingen 144 stuwing van dit gasvormige medium plaats in de richting van deze wafer.Also, through the outlets 144 received in the closure cap 44, this gaseous medium is propelled in the direction of this wafer.

Hierdoor blijft tijdens deze spin-processing de centrische positie van 10 de wafer gehandhaafd.As a result, the centric position of the wafer is maintained during this spin processing.

Het weggeslingerde medium komt hoofdzakslijk terecht op de binnenzijde 2G8 van de kap 44 en de ópstaande wanden 153 van de bovenbloksectie 36 en wordt daarvan onmiddellijk in benedenwaartse richting via de ruims cilindrische passage 210 af gezogen naar het in de bodem van de onderkap 42 opgenomsr.The thrown-off medium mainly enters the inner side 2G8 of the cap 44 and the upright walls 153 of the top block section 36 and is immediately sucked from it downwardly via the broadly cylindrical passage 210 to the bottom of the bottom cap 42.

13 afvoerkanaal 134,13 drain 134,

Eventueel kan ook nog ter ondersteuning van deze afvoer via de binnenkamer 213 gasvormig medium naar beneden langs de binnenwand 200 wordsn gestuwd.Optionally, gaseous medium can also be pushed down the inner wall 200 to support this discharge via the inner chamber 213.

Aldus wordt een zeer efficients reiniging van zowel de boven- als on-20 dsrzijde van da wafer 20 verkregen, zonder dat de combinatie van draaitafel 33 en bovenbloksectie 35 met de tussengelegan wafer naar beneden moet worden bewogen.Thus, a very efficient cleaning of both the top and bottom of da wafer 20 is obtained, without the combination of turntable 33 and top block section 35 having to be moved down with the intermediate wafer.

Daarbij kan door de sponning 212 hst vloeibaar medium niet terecht kernen op de combinatie van afdichtrand 100 en de zitting 102, Zulks mede, 25 doordat in de aangrenzends tunnelpassage 28 ten opzichte van de processing-sectis 14 een overdruk wordt onderhouden, zodat geen medium vanuit deze sectie kan weglekken naar deze passage,Thereby, the rebate 212 hst liquid medium can not rightly cores on the combination of sealing edge 100 and the seat 102, This also, because an overpressure is maintained in the adjacent tunnel passage 28 relative to the processing section 14, so that no medium from this section may leak to this passage,

In de Figuur 18 is de toevoer van vloeibaar medium naar de boven-spleet 205 beëindigd en vervangen door de toevoer van gasvormig medium 214, 30 Alle resterende vloeibare medium is nu uit deze spleet gestuwd en vindt reeds nadroging van de bovenzijde 215 van de wafer en de onderzijde 218 van de bovenbloksectie 36 plaats.In Figure 18, the supply of liquid medium to the top slit 205 has been terminated and replaced by the supply of gaseous medium 214, 30. All remaining liquid medium has now been expelled from this slit and is already drying of the top side 215 of the wafer and the bottom 218 of the top block section 36.

Gok nu wordt nog het hoge toerental van de draaitafel en wafer onderhouden, 35 Het nog via de draaitafel 33 in de onderspleet 204 tosgevoerde vloei bare medium 202 wordt van de wafer gespind en mede met behulp van de stromen gasvormig medium 214 onmiddellijk af gezogen via de passage 210.Now also the high speed of the turntable and wafer is maintained, the liquid medium 202 which is still fed through the turntable 33 into the underslit 204, is spun from the wafer and is immediately sucked off via the gaseous medium flows 214 via the passage 210.

In da Figuur 10 is ook da toevoer van dit vloeibars medium beëindigd j 'i - 16 - en vindt vervolgens een toevoer van gasvormig medium naar da onderspleet 204 plaats. Zulk een toevoer wordt daarbij zolang voortgezet, totdat alle vloeibars medium uit de verdiepte gedeeltes 216 van de draaitafel is verwijderd,In Figure 10, the supply of this liquid-medium is also terminated and then a supply of gaseous medium to the sub-gap 204 takes place. Such a feed is continued until all fluid medium has been removed from the recesses 216 of the turntable,

Vervolgens wordt deze draaitafel tot stilstand gebracht en kan de 5 wafer onder double-floating conditie worden afgevoerd, zoals is aangegeven in de Figuur 20,This turntable is then brought to a standstill and the 5 wafer can be discharged under double-floating condition, as shown in Figure 20,

In de ovensectie 24 vindt proximity bake van de wafer 20 met de erop gebrachte coating plaats,Proximity bake of the wafer 20 with the applied coating takes place in the oven section 24,

In de Figuur 1 is de wafer 20 in deze sectie gearriveerd en wordt 10 daarbij een minimale spleet 222 onderhouden tussen de onderbloksectie 74 en deze wafer. Zulks door een minimale toevoer van medium via de in dit blok opgsnomen toevaerkanalen 224,In Figure 1, the wafer 20 has arrived in this section, maintaining a minimum gap 222 between the bottom block section 74 and this wafer. This is by a minimal supply of medium via the supply channels 224 included in this block,

Verder is daarbij dan de bovsnspleet 225 tussen bovenbloksectie 72 en dezB wafer maximaal, mede door een maximale gebruikmaking van de in deze 15 sectie via de kanalen 228 toagevosrde medium, met eventueel zelfs geen toevoer,Furthermore, the top gap 225 between top block section 72 and this wafer is then maximum, partly due to a maximum use of the medium in this section via channels 228, with possibly even no supply,

In de aangegeven constructie zijn beide bloksecties 72 en 74 verwarmd. Daarbij is de temperatuur van de onderste sectie 74 slechts in geringe mate hoger dan die in de rest van de tunnel, terwijl in de sectie 72 een tsmpera-20 tuur van bijvoorbeeld 200°C, wordt onderhouden.In the construction shown, both block sections 72 and 74 are heated. In addition, the temperature of the lower section 74 is only slightly higher than that in the rest of the tunnel, while section 72 maintains a temperature of, for example, 200 ° C.

In deze wafer-positie vindt slechts zeer geleidelijk opwarming van de wafer plaats. Wordt nu geleidelijk de toevoer van medium naar de onderspleet 222 verhoogt, dan verplaatst de wafer zich vanaf de sectie 74 in de richting van de bovenbloksectie 72 en neemt de temperatuur eveneens geleidelijk 25 toe, 3ij het bereiken van de bovenste wafer-positie, zoals is aancegeven in de Figuur 22, vindt een maximale overdracht van. warmte van de bovenbloksectie 72 via de dan nauwe spleet 226’ naar de wafer plaats . Daarbij in deze splBet de toevoer van warme medium, welke in de sectie 72 is verwarmd, 30 Deze stromen medium wervelen door de nauwe passage en dragen aanzienlijk bij in de warmte-overdraoht.In this wafer position, heating of the wafer takes place only very gradually. Now, when the supply of medium to the sub-slit 222 is gradually increased, the wafer moves from section 74 toward the top block section 72 and the temperature also gradually increases, reaching the upper wafer position, as is indicated in Figure 22, finds a maximum transfer of. heat from the top block section 72 through the then narrow slit 226 to the wafer site. In addition, in this splice the supply of warm medium heated in section 72. These flows of medium swirl through the narrow passage and contribute significantly to the heat transfer.

Na het bereiken van voldoende droging van de op de wafer aangebrachta coating, bijvoorbeeld na 1 tot 2 minu .ten, wordt da wafer geleidelijk naar de. onderbloksectie 74 terug bewogen en daalt daarbij de temperatuur van de wafer 35 met coating geleidelijk naar iets hoger dan die van deze sectie 74 en kan de wafer vervolgens worden afgevoerd.After sufficient drying of the coating applied to the wafer has been achieved, for example after 1 to 2 minutes, the wafer is gradually transferred to the. lower block section 74 is moved back thereby gradually decreasing the temperature of the coated wafer 35 to slightly higher than that of this section 74 and the wafer can then be discharged.

Binnen het kader van de uitvinding is elke andere opstelling van da blokken mogelijk met bijvoorbeeld geen verwarming van de onderbloksectie 72, -n. * i; -· ' ; j b* V ---- -*·' ·- Λτ > - 17 - j’erder kunnen In dszs sectie naast de toevoerkanalen tevens afvoer— kanalen, zoals bijvoorbeeld wordt toegepast in de. tunnel-constructie, worden toegepast.Within the scope of the invention, any other arrangement of da blocks is possible with, for example, no heating of the lower block section 72, -n. * i; - · '; j b * V ---- - * · '· - Λτ> - 17 - In addition, in the DSZs section, in addition to the supply ducts, discharge ducts can also be used, as is the case in the. tunnel construction are used.

In een andere gunstigs uitvoering is de bovenbloksactie 72' in op-5 waartse richting op snige afstand van ds tunnelpassage 23 gelegen.In another favorable embodiment, the upper block action 72 'is located at an upward distance from the tunnel passage 23 in an upward direction.

Daarbij is de onderhloksectie 74’ gekoppeld met de meeneeminrichting 230.Thereby, the lower clock section 74 is coupled to the drag device 230.

Ds op deze sectie onder single-floating conditie terecht gekomen wafer 20 wordt dan tezamen met deze sectie opwaarts naar deze bovensectia 72' gebracht, waarbij de temperatuur van deze wafer geleidelijk toeneemt.The wafer 20 which has entered this section under a single-floating condition is then brought up together with this section upwards to these upper sections 72 ', the temperature of this wafer gradually increasing.

10 De combinatie kan vervolgens op een door een sensor vastgestelde af stand van de bovensectia 72 ’ verwijderd blijven voor verdere warmte-overdracht gedurende langere tijd, waarna de combinatie dan weer geleidelijk naar beneden wordt verplaatst, 3ij dit wafer transportsysteem wordt bij voorkeur voor de onderblok-15 sectie gebruik gemaakt van series toe- en afvoerkanalen.The combination can then remain at a distance determined by the sensor from the upper sections 72 'for further heat transfer for a longer period of time, after which the combination is then gradually moved down again. This wafer transport system is preferably used for the lower block -15 section used series of supply and exhaust channels.

In de Figuren 24 en 25 is nog het toevoersysteem van ds wafer 20 vanuit een tosvoersectis 12, zoals bijvoorbeeld een cassette unloader, aangegeven.In Figures 24 and 25, the feed system of ds wafer 20 from a feed section 12, such as for instance a cassette unloader, is indicated.

In de Figuur 24 wordt de wafer 20 vanuit de processingsectie 14 naar 20 de vacuum ovensectie 15 bewogen, waarbij in ds tunnelpassage-sectie 232 en In deze sectie 14 tijdelijk een overdruk tot stand is gebracht ten opzichte van die in de sectie 15. Zulks door bij voorkeur een versterkte af voer van medium uit deze laatste sectie.In Figure 24, the wafer 20 is moved from the processing section 14 to the vacuum furnace section 15, in which tunnel passage section 232 and In this section 14 are temporarily overpressured from those in section 15. Such by preferably an enhanced drain of medium from this last section.

Da schuif 30 in afgesloten positie ervan maakt, dat daarbij nagenoeg 25 geen medium kan ontsnappen naar de tosvoerssctie 12.The slide 30 in its closed position ensures that virtually no medium can escape to the feed section 12.

Uordt na deze afvoer van ds wafer de afsluitkap 44 van de sectie 14 gebracht naar een open ingang positie, dan is al dan niet gelijktijdig de druk in deze sectie 14 verminderd, wordt de schuif 30 geopend en wordt de wafer, welke bij voorkeur reeds met een gedeelte ervan in de tunnel-ingang Is ge-3Q bracht, onder double-floating conditie verder in de tunnslssctie 234 gezogen.After the discharge of the wafer, if the closing cap 44 of the section 14 is brought to an open entrance position, the pressure in this section 14 is reduced or not simultaneously, the slide 30 is opened and the wafer, which preferably already has part of it was placed in the tunnel entrance 3Q, further sucked into the tunnel section 234 under double-floating condition.

Deze wafer fungeert daarbij als afsluit-orgaan, waarbij vanuit de toe-voersectie 12 nagenoeg geen medium in de tunnelpassage ORZij van de wafer naar de rsinigingssectie 14 kan stromen.This wafer functions as a closing member, whereby virtually no medium can flow from the supply section 12 into the tunnel passage OR side from the wafer to the cleaning section 14.

35 Zodra daarbij de wafer da schuif 30 is gepasseerd, dan wordt door ds sensor 235 de schuif naar de gesloten positie ervan gecommandeerd. De aldus zeer beperkte hoeveelheid medium, welks afkomstig is uit de tosvoerssctie 12, kan daarbij niet terecht komen in ds tunnelpassage-sactie 232. Zulks mede door - 18 - ï ï de daarin aanwezige overdruk.As soon as the wafer da slide 30 has been passed, the sensor 235 commands the slide to its closed position. The thus very limited amount of medium, which comes from the supply section 12, cannot thereby end up in tunnel passage operation 232. This is partly due to the overpressure present therein.

De reinigingsmodule 14 dient dus tevens als buffer voor het opvolgend opvangen en afvoeren van het via de tunnelingang 78 toegevosrds medium, welke mogelijk verontreinigd is.The cleaning module 14 thus also serves as a buffer for the subsequent collection and discharge of the medium supplied via the tunnel entrance 78, which may be contaminated.

5 In plaats van de enkele schuif 80 kan ook da in de Figuur 26 aangege ven sluis-opstelling 240 worden toegepast.Instead of the single slide 80, the lock arrangement 240 indicated in Figure 26 can also be used.

Deze bestaat uit de passagesectie 242, waarin een toegevoerde wafer tijdelijk kan zijn opgeslagen, met aan de ingangszijde de schuif 244 en aan de andere zijde de schuif 245, 10 Wordt nu een wafer via da geopende schuif 246 afgevoerd naar de proces sing installatie 10’, dan is slechts een zeer beperkts toevoer van gereinigd stuwmedium naar deze sectiB 242 benodigd om tezamen met een tijdelijk bewerkstelligde onderdruk in de eerste processingsectie deze afvoer te bewerkstelligen.This consists of the passage section 242, in which a supplied wafer can be temporarily stored, with on the input side the slide 244 and on the other side the slide 245, 10. Now a wafer is discharged via the opened slide 246 to the processing installation 10 '. then only a very limited supply of cleaned propellant to this section 242 is required to effect this discharge together with a temporarily effected underpressure in the first processing section.

15 Na het afvoeren van de wafer uit deze sectie 242 en sluiten van de schuif 246 kan onmiddellïjk een volgende wafer vanuit de toevoersectie 12’ via de dan geopende schuif 244 naar deze sectie 242 worden gebracht voor tijdelijke opslag ervan onder bij voorkeur double-floating conditie.After discharging the wafer from this section 242 and closing the slider 246, a subsequent wafer can immediately be brought from the supply section 12 'via the then opened slider 244 to this section 242 for temporary storage thereof under preferably double-floating condition .

De installatie 10' dient voor het etsen van wafers. Daarbij vindt de 20 navolgende serie van processings plaats: in sectie 248 de processing met H2S04 onder hoge temperatuur, bijvoorbeeld 100°C. en het vervolgens spindrogen; in sectie 250 het schoonspoelsn met de-ionized water en vervolgens spindrogen; 25 in sectie 252 het etsen met behulp van H F, gevolgd door spin droging; in sectie 254 het schoonspoelen met de-ionized water en vervolgens het spin drogen; en in ovenseetie 256 de vocht-onttrekking aan de wafer met behulp van dehydration bake.The installation 10 'serves for etching wafers. In addition, the following series of processings takes place: in section 248 the processing with H 2 SO 4 under high temperature, for example 100 ° C. and then spin drying; in section 250 rinse with deionized water and then spin dry; In section 252, etching using H F followed by spin drying; in section 254 rinse with deionized water and then spin dry; and in oven set 256 the moisture withdrawal from the wafer using dehydration bake.

30 De spin processing geschiedt daarbij in de passagesectie 258, welke ligt tussen de bovenbloksectie 260 en de draaitafel 262 als onderbloksectie en kan soortgelijk zijn aan de voor de processingsctie 14 omschreven werkwijze.The spin processing takes place in the passage section 258, which lies between the upper block section 260 and the turntable 262 as the lower block section and can be similar to the method described for the processing section 14.

Binnen het kader van de uitvinding kan bij tenminste één van deze secties eveneens de spin processing plaats vinden in een lager gelegen proces- 35 singkamer. 264, zoals in de Figuur 27 is aangegeven en waarbij via een verdraaibare toevoer 266 als deel van de spin processing medium naar de bovenzijde van de dan al dan niet op de draaitafel aangezogen wafer wordt gebracht en vervolgens wordt afgespind.Within the scope of the invention, spin processing can also take place in at least one of these sections in a lower processing chamber. 264, as shown in Figure 27, and wherein a rotatable feed 266 is introduced as part of the spin processing medium to the top of the wafer, which may or may not be sucked onto the turntable, and is then spun off.

} - 15 -} - 15 -

Gok is in deze kamer 255 een etsen van de wafer aan beide zijden ervan mogelijk door tevens de aanvaer van processing medium via de draaitafel 252.Also, in this chamber 255, etching of the wafer on both sides thereof is possible by also supplying processing medium via the turntable 252.

'Ja zulk een hoofdprocessing kan eventueel zelfs in dezelfde sectie 5 reeds schoonspoalen van de wafer plaats vinden.Yes, such a main processing can possibly even take place in the same section 5 already with rinsing of the wafer.

3innen het kader van de uitvinding is verder elk ander type in-line wafer processing mogelijk, zoals de navolgende; stripping, spin-on dopantj plasma etsen, reactive ion plasma etsen, magnetron ion etsenj 10 metallization, planarization, sputtering; ion implantation, ion milling; laser annealing; chemical vapor depositie, inclusief processing onder lage druk en onder lage tsmperatuur, plasma enhanced; 15 physical vapor depositie; en oxidatie.Furthermore, any other type of in-line wafer processing is possible within the scope of the invention, such as the following; stripping, spin-on dopant plasma etching, reactive ion plasma etching, microwave ion etching 10 metallization, planarization, sputtering; ion implantation, ion milling; laser annealing; chemical vapor deposition, including low-pressure and low-temperature processing, plasma enhanced; 15 physical vapor deposition; and oxidation.

Verder kunnen deze processings al dan niet gecombineerd zijn met litography modules, inclusief in-line e-beam direct writing modules en x ray micro litography modules, 20 Verder op de navolgende systemen; testing, measurement,inspectie en hst merken van wafers.Furthermore, these processings may or may not be combined with litography modules, including in-line e-beam direct writing modules and x ray micro litography modules. 20 Further on the following systems; testing, measurement, inspection and hst brands of wafers.

Verder op wafer fabricage systemen.Also on wafer fabrication systems.

Verder zijn op deze processing installaties volgens de uitvinding modules aansluitbaar, waarin de bovenvermelde procsssingsystemsn mat neer dan 25 êên wafer tegelijk plaats vinden.Furthermore, modules can be connected to these processing installations according to the invention, in which the above-mentioned processing systems take place less than one wafer at a time.

In de Figuur 30 is op de hoofdprocessing module 270, waarin processing ander hoog vacuum plaats vindt, een toevoer processing installatie 1D?f en een afvoer processing installatie 10’’' aangesloten.In Figure 30, a main processing module 270, in which other high vacuum processing takes place, has a feed processing installation 1D? F and a discharge processing installation 10 '' connected.

Daarbij vindt in de installatie 10”, zie tevens de Figuur 31, de 30 navolgends processings plaats; in sectie 14·*' de reiniging van de vanuit de tunnslpassage 272 via de sluis-opstalling 240!r tcegevoerda wafer 20; en in ovensectis 15" het verwijderen van de vochtrestanten van de wafer onder vacuum, zeals dehydration bake.In the installation 10 ”, see also Figure 31, the following 30 processings take place; in section 14 * * the cleaning of the wafer 20 from the tunnel passage 272 via the lock building 240! and in oven section 15 "removing the moisture residues from the wafer under vacuum, such as dehydration bake.

35 Daarbij is elke andere serie van processing met toepassing van de ge durende de processing.afgesloten processingruimte volgens de uitvinding no-gslijk, zoals bijvoorbeeld na het reinigen var. de wafer een schoonsposlen ervan.Thereby, any other series of processing using the processing space according to the invention closed during the processing space is necessary, such as, for example, after cleaning var. wafer clean the wafer.

O.*', . _ ί ? - 20 -O. * ',. _ ί? - 20 -

Vanuit de sectie .16" komt de wafer terecht in de overdraagsectie 274, waarin de wafer overgedragen wordt aan een overneem-inrichting 275, welke in deze module 270 is opgenomen.From section .16 ", the wafer enters transfer section 274, in which the wafer is transferred to a transfer device 275 included in this module 270.

Da werking van de overdraagsectie 274 en de overneem-inrichting 275 5 is daarbij als volgt:The operation of the transfer section 274 and the transfer device 275 is as follows:

In de aangegeven positie van de overneem-inrichting 275 bevindt zich een wafer 20 in de sectie 274.In the indicated position of the transfer device 275, a wafer 20 is located in section 274.

In de onderbloksectie 278 is een uitsparing 280 opgenomen, waarin de arm 282 van de inrichting 276 met daarop gemonteerd een vacuum aanzuigblok 10 284 is gearriveerd, zie tevens de Figuur 32.A recess 280 is received in the bottom block section 278, in which the arm 282 of the device 276 with a vacuum suction block 10 284 mounted thereon has arrived, see also Figure 32.

De tunnelpassage 28" is daarbij door de kap 54", welke afdichtend rust op de zitting 102 van het onderblok 32", afgesloten van de in dit onderblok opgenomen kamer 286,The tunnel passage 28 "is thereby closed by the cap 54", which rests on the seat 102 of the bottom block 32 ", from the chamber 286 accommodated in this bottom block,

Hordt nu met behulp van de meeneem-inrichting 288 deze sectie 278 naar 15 beneden bewogen, dan komt de wafer 20 op het aanzuigblok 234 ts rusten en wordt daarop aangezogen.When this section 278 is moved downwards with the aid of the carrying device 288, the wafer 20 rests on the suction block 234 ts and is sucked on it.

Vervolgens beweegt deze arm 232 met blok 204 en wafer over enige afstand naar beneden en daarna opzij door de uitsparing 290, welke in de zijwand 292 van het onderblok 32" is opgenomen, zie Figuur 33.Then, this arm 232 with block 204 and wafer moves down some distance and then sideways through the recess 290, which is received in the side wall 292 of the bottom block 32 ", see Figure 33.

20 Vervolgens zwenkt deze combinatie ais deel van de robot 254 naar de draaitafel 296 en wordt tot boven de daarmede corresponderende wafsrlig-plaats 293 gebracht.Subsequently, this combination pivots as part of the robot 254 to the turntable 296 and is brought above the corresponding wafer lie 293.

Na het vervolgens naar beneden verplaatsen van de arm 282 met blok 284 komt de wafer op deze ligplaats te rusten en is daarop eventueel vastzet-25 baar.After the arm 282 with block 284 has subsequently been moved downwards, the wafer comes to rest on this berth and can possibly be secured thereon.

Vervolgens zwenkt deze combinatie wederom terug naar de sectie 274 voor het overnemen van de volgende wafer.Then, this combination swings back to section 274 to take over the next wafer.

In de passage 28" wordt daarbij gedurende deze wafer transport naar da sectie 274 een overdruk onderhouden tan opzichte van de druk in de vacuum 30 module.In passage 28 ", during this wafer transport to section 274, an overpressure is maintained relative to the pressure in the vacuum module.

Na het geheel vullen met wafers van de ligplaatsen 298 van de draaitafel 296 wordt in deze module hoogvacuum getrokken, waarna de hoofdproces-sing plaats vindt.After the filling of the berths 298 of the turntable 296 completely with wafers, a high vacuum is drawn into this module, after which the main processing takes place.

Gedurende die tijd vindt geen verdere aanvoer van wafers via de dan 35 met behulp van de kap 54" afgesloten tunnelpassage 23" plaats.During that time, no further supply of wafers takes place via the tunnel passage 23 "closed by means of the cap 54" then closed by means of the cap 54.

In deze module is elk type van processing, zoals boven is omschrevan, mogelijk.In this module, any type of processing, as described above, is possible.

Na het beëindigen van deze hoofdprocessing wordt in deze module het ü j *. * - 21 - vacuum opgeheven»After this main processing has ended, the module becomes ü j *. * - 21 - vacuum canceled »

De overnsem-inrichting 300 neemt dan opvolgend een wafer af van de daartoe periodiek verdraaiende draaitafel 295. en brengt zulk een wafer naar da installatie 10M'.The transfer device 300 then takes off a wafer from the periodically rotating turntable 295 and transfers such a wafer to the installation 10M '.

5 Deze installatie bestaat daarbij uit de navolgende secties: overneensectie 302, sectie 14’'’, waarin spin reinigen en -drogen van de wafer plaats vindt en sectie 304, waarin spin schocnspoelen en -drogen van deze wafer geschiedt.5 This installation consists of the following sections: over-section 302, section 14 ",", in which spin cleaning and drying of the wafer takes place and section 304, in which spin cleaning and drying of this wafer takes place.

3innen het kader van ds uitvinding is elke andere combinatie van 10 processings of een enkele processing cf uitsluitend wafar-overdracht onder toepassing van de afsluiting van deze secties volgens de uitvinding mogelijk.Within the scope of the invention, any other combination of processings or a single processing or exclusively wafar transfer is possible using the closure of these sections according to the invention.

De constructieve opbouw van de sectie 302 is daarbij soortgelijk aan die van de sectie 274 met een omgekeerde bewegingspatroon voor de robot 305,The constructional structure of section 302 is similar to that of section 274 with an inverse motion pattern for robot 305,

Jordt de combinatie van robotarm en wafer naar zijn overnesmpositie 15 in de kamer 303 gebracht, dan beweegt vervolgens de onderbloksectis omhoog en wordt de wafer in een floating conditie op dit blok gebracht. Hierna wordt ds afsluitkap 54 ’ *1 geopend en wordt de wafer onder double-floating conditie aangezogen door de sectie 14*Tt.When the combination of robot arm and wafer is brought to its over-position 15 in chamber 303, then the sub-block section moves upwards and the wafer is brought onto this block in a floating condition. Thereafter, the closure cap 54 * * 1 is opened and the wafer is drawn in section 14 * Tt under double-floating condition.

Ha het afvoeren van de wafer uit deze sectie 302 wordt ds afsluitkap 20 54 ™ wederom in zijn afsluitpositis gebracht en kan de volgende wafer in deze sectie 302 terecht komen, waarna de overdraag-cyclus zich herhaalt.After draining the wafer from this section 302, the closure cap 20 54 ™ is again brought into its closure position and the next wafer may enter this section 302, after which the transfer cycle is repeated.

Zoals in de reinigingssctie 14,,r verontreinigingen, welke tijdens de vacuum-processing op de wafer zijn neergeslagen, worden verwijderd, is het daarna veelal gewenst, dat schoonspaslen van de wafer mat behulp van de-25 ionized water en vervolgens spin droging plaats vindt.As in the cleaning section 14, r impurities which are deposited on the wafer during vacuum processing are removed, it is then often desirable that the wafer mat is cleaned cleanly using de-ionized water and subsequently spin drying. .

Als rainigingsmedium is elk type vloeibaar medium, dampvormig medium of gas toepasbaar, \/oor de schoonspoelsectia is dan weer een soortgelijke constructieve opbouw, als is aangegevsn in de sectie 14 van de installatie 10, mogelijk.As the regeneration medium, any type of liquid medium, vaporous medium or gas can be used, for the rinsing sections a similar constructional structure as indicated in section 14 of installation 10 is possible.

30 ?Ja het in deze sectie 304 plaats gehad hebbende processing wordt de wafer afgevoerd naar de sluis 2401,1 om vervolgens daaruit naar de tunnel-passage 31D te worden afgevoerd.Yes, the processing that has taken place in this section 304, the wafer is discharged to lock 2401.1 and then discharged therefrom to tunnel passage 31D.

Binnen het kader van de uitvinding kunnen de opvolgende wafers ook met behulp van zulk een robot-opstslling naar modules voor testen, inspectie , 35 het uitvoeren van metingen en merken van de wafers worden overgedragen en vanuit zulk een module warden ontvangen.Within the scope of the invention, the subsequent wafers can also be transferred to modules for testing, inspection, measurement and marking of the wafers using such a robotic setup and received from such a module.

Cok is elke positie van ds wafer in zulk een module, inclusief zelfs 3sn fsce-down positie van ds wafer met processing aan de onderzijde ervan mogeiyk.Cok is any position of ds wafer in such a module, including even 3sn fsce-down position of ds wafer with processing at the bottom of it possible.

% - Ί - 22 -% - Ί - 22 -

Ret da Inrichting 14'' is verder verkregen, dat da hoofdprocessing-module tijdens de wafer toe-en afvqer geen verontreinigingen,via het gas-vormige medium _ aangeveerd vanuit de tunnelpassaga, krijgt te verwerken.It has furthermore been obtained that the main processing module does not have to process any impurities during the wafer supply and discharge, via the gaseous medium supplied from the tunnel passage.

Zulks is van groot belang bij de VLSI en UL3I micro-processing.This is of great importance in VLSI and UL3I micro-processing.

5 Sinnen het kader van de uitvinding is verder elke constructie van de wafer-overdraaginrichting 274 mogelijk.Within the scope of the invention, any construction of the wafer transfer device 274 is furthermore possible.

Zo kan daarbij het bovenvlak van deze onderbloksectie 27c een kleinere diameter hebben dan de wafer 20 en de meeneeminrichting 275 voorzien zijn van een vorkachtig gedeelte ten behoeve van het verplaatsen ervan cpzij 10 van deze onderbloksectie tot onder da wafer.Thus, the top surface of this bottom block section 27c may have a smaller diameter than the wafer 20 and the carrier device 275 may be provided with a fork-like portion for moving it along the bottom of this bottom block section to below the wafer.

Verder is het mogelijk, dat daarbij deze onderbloksectie een draaitafel is met een aandrijf-inrichting ten behoeve van een verdraaiing ervan. Verder, dat daarbij de centrering van de wafer geschiedt met behulp van de gasbuffers, welke opzij van de wafers 'tenminste tijdelijk worden onderhouden.Furthermore, it is possible that this lower block section is a turntable with a driving device for rotating it. Furthermore, that the wafer is centered with the aid of the gas buffers, which are maintained at least temporarily on the side of the wafers.

15 Hierdoor is het mogelijk, dat de wafer een juiste centrischs positie verkrijgt ten opzichte van ds ligplaats 298 van de hoofdprocessing-module, waarheen deze wafer door de robot wordt gebracht.As a result, it is possible for the wafer to obtain a correct centric position with respect to the berth 298 of the main processing module, where this wafer is brought by the robot.

l/erder kan binnen het kader van de uitvinding in een processingsec-tie tenminste een tweetal processings plaats vinden» waarbij druk-veranderin— 20 gen van bijvoorbeeld hoogvacuum naar een overdruk of omgekeerd kunnen voor-komen.Within the scope of the invention, at least two processings can take place within the scope of the invention, whereby pressure changes from, for example, high vacuum to an overpressure or vice versa can occur.

Claims

3 - 23 - 1 «Device for wafer transport and processing, at least consisting of: a combination of a top block and bottom block, at least this bottom 5 contains successive series of supply and discharge channels for at least wafer transport under floating condition a tunnel passage within these two blocks, these toss and discharge channels opening into at least one tunnel wall; an at least deepened part in the top block; 1G a movable sealing cap included in this section; a seat spring this closing cap, which is included in the bottom block; and means for moving said closure cap of this seat at least in an upward direction.

2. Device according to Claim 1, characterized in that it also includes

15 In the upper block successive sarles of ion and discharge channels are included for at least transport of the wafers in the tunnel passage, other double-floating condition sn which channels open into the bottom surface of this block as an upper tunnel wall »

3. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that in the lower block there is an at least deepened part within this seat.

4. Device according to Claim 3, characterized in that this at least sunken part, together with the interior of the closing cap, forms a process section with means incorporated therein for the processing of a wafer ·

Method of the device according to Claim 4, characterized in that, at least during this processing, this section is closed off from the adjacent tunnel passage during the processing with the aid of this closing cap, then resting on the seat.

Device according to Claim 4, characterized in that an element is incorporated in the at least deepened part of the lower block, the top surface of which, as a tunnel wall section, is at least at one level with the top surface of the lower tunnel wall section during at least linear wafer transport. lower block as a tunnel wall

Device according to Claim S, characterized in that a spacious spit-shaped discharge channel is arranged around this element, which view extends downwards from the top of this element

8. Device as claimed in claim 7, characterized in that the discharge channel extends to the bottom of the recessed part and is connected to at least one drain, which is included in the bottom block section below this bottom.

3. Device as claimed in Claim 7, characterized in that this at least sunken part is a recess in the lower block and a lower cap is mounted against the underside of this lower block, which extends downwards for some distance, the discharge channel extends to the bottom of this hood and at least one drain is included in its bottom end.

Device according to Claim 5, characterized in that channels are provided in this element for at least supply of gaseous carrier medium, which open into the top surface of this element.

11. Method of the device according to Claim 10, characterized in that linear wafer transport takes place over this top surface under floating condition when the closure cap is at least partially opened.

Device according to Claim 10, characterized in that this element is a turntable.

13. Device according to claim 12, characterized in that it is further designed such that at least temporarily discharge of medium takes place via these channels for the purpose of temporarily sucking the wafer onto the turntable.

14. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that an upper block section is included within the closing cap.

15. Device as claimed in claim 14, characterized in that the bottom surface of this top block section is at least at substantially the same level as the top tunnel wall of the top block and at least channels for at least supply of gaseous medium are incorporated therein for at least wafer transport. under double-floating condition and which channels lead to this bottom surface.

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that this top block section is fixed with a center portion thereof on an above-continuing part of the top block to form a top block arrangement.

17. Device according to Rev. Claim 16, characterized in that the closing cap with the center part of its top wall is attached to this top block arrangement.

Device according to Claim 17, characterized in that this attachment is a flexible wall. - 25 -

Device according to Claim 13, characterized in that this connection is leak-proof.

Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is designed in such a way that during a hood displacement a first part of the hood is moved upwards by some distance and a second part of it remains behind at least near the seat of the bottom block.

21. Device according to Claim 20, characterized in that it is further designed in such a way that this second cutting section is used as a tilting panel. rest on this seat.

Device according to Claim 20, characterized in that it is further designed in such a way that, in the event of a different cutting movement, the second cutting section is moved upwards and the first cutting section remains at least near the seat of the lower block.

23. Device as claimed in claim 22, characterized in that it is further designed in such a way that this first cutting section remains as a side section on this seat.

24 ·. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the first part of the closing cap corresponds to the input side of the processing section and the second part thereof corresponds to the output side of this section.

25. Device according to Claim 24, characterized in that two take-away devices are included in the device, which are connected on the one hand to the top block and, on the other hand, to the hood above the insert and / or outlet side.

25. Device according to Claim 25, characterized in that stepper motors are included for this purpose in these naesesm devices.

27. Device according to Claim 25, characterized in that a membrane seal is included between such a knife retaining device and the sealing cap at the location of the penetration, so that the interior of the tunnel is thereby closed off from the tunnel. outside air.

Device according to Claim 27, characterized in that the cross-section of such a membrane is connected on the one hand with an element to the sealing cap, which is deformable in horizontal direction.

Device according to Claim 23, characterized in that this element is a thin-walled spring plate, the flat sides of which are arranged transversely to the longitudinal axis of the tunnel passage. 3G. method of the device according to Claim 24, characterized in that at least the discharge side of the closing cap is moved upwards after an operating pulse until the tunnsl outlet has become free, pressure differences brought about by the wafer from the processing section is drained to the adjacent tunnel passage and then this section is again moved back to its sealing position.

31. Method according to Claim 30, characterized in that the supply side of the closing cap is then moved upwards by means of an actuation impulse by the corresponding take-away device until the tunnel entrance is released, then by effected pressure differences another wafer is passed from the rear tunnel passage into the processing section and then this section is again moved back to its sealing position.

32. Apparatus in which the method according to any one of the preceding Claims is applied, characterized in that it comprises control systems such that the upward displacements of the hood each take place in at least two steps and in the first step the gap created between 15 the hood part and the seat is less than 0.5 millimeter.

33. Method of the device according to Claim 32, characterized in that, in order to remove micro-contamination from the sealing surfaces, such a sealing cap portion is displaced over a very small height and gaseous medium is passed through this narrow passage. propelled from the tunnel passage to the processing section and then in this section to its discharge.

34. Method according to Claim 31, characterized in that the hood of the first processing section is opened at least at the location of the wafer discharge, while the hood of the following processing section is also opened at least at the location of the wafer supply. opened and whereby the wafer from this first section is drawn in, partly due to an effected underpressure in this last section.

35. A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that the hood as a whole is moved upwards a short distance by the two carrying devices and subsequently a part of this hood with the aid of one of these take-away devices is moved further up.

36. Device according to Claim 35, characterized in that it is further designed in such a way that this hood portion is then brought to its abutment position on the seating surface of the bottom block and the remaining hood portion is then also guided to this seat.

A method of the device according to claim 36, characterized in that the closing cap of a process-sing section is moved upwards a micro-distance from its seat by means of baide stepper motors, whereby gaseous medium from at least the tunnel passages through the anterior gap to this section is pushed for cleaning the seating surfaces and then one part of the hood is moved further to its top position by means of one of the siappsn motors. 33. Method according to Claim 37, characterized in that the hood part is then brought by the stepper motor to its abutment position on the seat of the lower block and then with the aid of the other stepper motor the remaining part of the hood to this seat. is being brought.

33. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that the procassing section is circular.

40. Device according to Claim 39, characterized in that the sealing edge of the closure cap and seat in the bottom block are substantially circular. 41. Device according to Claim 40, characterized in that at least one of this combination of sealing edge and seat at the entrance and exit side, where this hood is tilted temporarily, is flattened on its outside under the formation of a tilting line transverse to the longitudinal axis of the tunnel passes. 2C 42. Device according to Claim 41 f, characterized in that the length of this flattening is so great that this cap cannot touch the inner wall of the adjacent upper block section during its tilting displacement.

43. Device according to Claim 41, characterized in that one of the two surface areas is deepened at the location of such a smoothing over a micro-distance such that when the cap rests entirely on the surface, at the location of the cantonal line A tight leak gap remains.

44. The method of the device according to Claim 43, with the possibility that, in the closed position of the hood, gaseous medium is thereby pushed from the tunnel passage through this gap to the process section.

45. An apparatus according to claim 41, characterized in that the seat of the sub-block is lower than the tunnel passage wall of this block.

45. Device according to Claim 45, characterized in that a rebate is included between this seat and the tunnel passage wall.

Device according to Claim 45, characterized in that the edge of the sealing cap extends laterally from the sealing edge in some lateral direction along the sealing edge, such that when this cap rests on the seat, between this lower edge and the tunnel passage wall of the ondar block, there is also a gap during tilting the hood. '· - ·'; ; - 28 -

48. An apparatus according to claim 47, which has the feature that at least one outlet of a supply for gaseous medium, which is located under this edge portion of the hood and wherein this outlet is directed obliquely towards the hood, is included in the base block. sealing at the location of the tilting line.

49. Method of the device according to Claim 48, characterized in that, at least during the first phase of hood-tilting, gaseous medium is pushed from this opening through the resulting gap to the processing sections for the purpose of removing impurities. sealing surfaces at this tilting line. Device according to Claim 41, characterized in that one of the two sealing surfaces is rounded to the side of the tilting line under a radius which is approximately equal to the diameter of the hood. 51. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it contains such control systems for the supply and discharge of medium that in these processing sections the pressure is kept lower than in the tunnel passage at least during its closing ,

52. Method of the device according to Claim 5T, characterized in that, during at least the processing in such a closed processing sections, the pressure is so lower than that in the tunnel passage, that no medium can escape from it to this tunnel passage. 53 ,. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in the tunnel passage, a series of closable process-sealing sections is included, viewed from the tunnel entrance, the first processing section is a cleaning section, in which mainly the removal of contaminants from the wafer takes place.

54. An apparatus according to claim 53, characterized in that such sealing arrangements and control systems are included in the supply and discharge of the gaseous transport medium that only a limited amount of possibly contaminated medium is supplied through this tunnel entrance. can only get into the cleaning section.

55. Device according to Claim 54, characterized in that use is made for this purpose of at least one lockable sliding arrangement in this tunnel entrance. Device according to Claim 55, characterized in that a sluice arrangement with a lockable sliding arrangement on either side is used and the tunnel passage length of this sluice is such that a wafer is temporarily floating therein condition may have been saved. i-V. Ή ·> -i OQ S7. Method of the device according to Claim 56, characterized in that a wafer under floating conditions is pushed out of this lock from this wafer under floating conditions through the opened entrance of the lock into this lock, then this entrance is closed and on command by 5 hst very At the same time, opening of this exit such a wafer is pushed out of it by a positive pressure in this lock under floating condition to the cleaning section then opened, and after passing the wafer this exit of the lock is closed again. A method according to Claim 57, characterized in that, with the aid of control systems in the toss and discharge of medium to this lock, after closing the exit, the pressure in this lock is lower than that in the adjacent tunnel passage , in which the processing actions are cpgsnomen. Device according to Claim 54, characterized in that a lockable foot is also included in the exit of the tunnel passage. 5g. Device according to the preceding Claims, characterized in that the space between the closing cap and the upper block is connected to a supply of gaseous medium.

A method of the device according to Claim 60, characterized in that, after an operating pulse, gaseous medium from this space is also pushed along the sealing surfaces moving from one another to the processing section. □ 2. Device according to Claim 50, characterized in that it contains a command-vential for giving an impulse to the control system, which is included in this supply, such that at least after opening the valve cap, supply of gaseous medium to dszs space takes place.

53. A method of the device according to claim 62, characterized in that the gaseous medium pushing out of this space mainly serves to remove contaminants from the sealing surfaces of the sealing edge and seat moved away from each other.

24. Device as claimed in any of the foregoing Claims, characterized in that in the side wall of this hood at the height of the tunnel passage, as it rests on the seat of the lower block, at least one outlet of the gas channel of gas-dissipating medium is included for hst student from medium to ds procassing room.

55. Device according to Claim 54, characterized in that this outlet is located above the outlet side of the processing chamber - 30 - opposite the inlet sides of this chamber,

00. Method of the device according to Claim 55, characterized in that gaseous medium flowing out of this opening, such as a wafer is pushed into the processing vessel, provides a gas buffer for the purpose of rimming off. the wafer, 67 * Device according to Claim 55, characterized in that a sensor is included in the processing chamber, which is located in the vicinity of this outlet and wherein the device is further designed such that at hst passing this sensor through a wafer, this sensor 10 gives a pulse to the control system, which is included in the supply of the gaseous medium for this outlet, for a maximum supply of this medium.

A method of the device according to Claim 57, characterized in that, as the wafer passes through this sensor, a maximum amount of medium, being pushed out of this opening, ensures an effective buffer stop for this wafer,

69. Device according to Claim 67, characterized in that the inner diameter of the sealing cap is so much larger than the outer diameter of the wafer that when the wafer 20 is brought to a standstill it lies within the sealing cap,

Device according to Claim 57, characterized in that at least one outlet for a supply channel of gaseous medium is included in the side wall of the closure cap, seen with the hood closed, at the height of the tunnel passage above the inlet side of this processing's room. 71. Method of the device according to Claim 70, characterized in that a sensor is incorporated in the processing chamber, which, when passing a wafer, gives such a pulse to a control system which is included in the supply of the medium. for this opening, a maximum amount of medium is pushed out of this opening for buffering the wafer in its displacement in the processing chamber, which is opposite to the original direction of movement of this wafer.

72. Device, in which the method according to Claim 71 is applied, characterized in that this sensor is also the sensor for the thrust medium of the first buffer.

73. A method according to .. Claim 71 ,. characterized in that this combination of counterflows medium, which is propelled against the side of the wafer, is tuned such that the wafer remains within the sealing cap until it is processed, - i? .if - onion -

74. A device according to any one of the preceding claims, just noted that the internal diameter of the closure cap is in this case larger than d = wafer, that the top section, which is located in the hood, is situated on either side of the tumble boy and side walls. contains.

75. An apparatus according to claim 74, characterized in that in this form there are included openings for supplying gaseous propellant to daza tunnel passage.

75. Device according to claim 75, not characterized in that the distance between said uza is such that, to the side of the wafer 15, only a narrow gap is present at a central position of the wafer.

An apparatus according to claim 76, characterized in that these outlets in the upright side walls are connected via feed channels to the common medium supply for this section for the double-floating condition for ds wafer.

75. Device according to Claim 77, characterized in that, as in the bottom chunk the turntable also serves as a subblock section for floating wafer transport, this device comprises a system for commanding the drive of the turntable such that this table at least below low speed. Selection of the device according to Claim 73, characterized in that the centric position of the wafer relative to the turntable is thereby obtained by means of a rotation of this table, the eccentric wafer guided along then effected gas buffers are pushed aside from the upright sidewalls of the top block to a centric position thereof. 3C. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that the closing cap extends over the distance of the bottom part of the recess of the closing cover for some distance in a downward direction. 30 si. Device according to Claim 80, characterized in that a large cylindrical gap is included between this annular part of the closing cap and the bottom block, so that no liquid medium is retained therein under such a capillary action that this medium can rightly expire on the inside of ds sealing surfaces of seat and 35 sealing cap.

32. Method of the device according to Claim 30, characterized in that, as is used during the processing of ds wafer liquid medium, that is thinned away from at least one side of the wafer under spin condition of the turntable. is thrown and - 32 - then ends up on the inner wall of the closing cap.

33. A method according to claim 32, characterized in that said wafer is in a floating condition between the top block section and this turntable.

A method according to Claim 83, characterized in that liquid medium is simultaneously pushed along the water surface on both sides of the wafer and is thrown from this wafer.

85. A method according to claim 84, characterized in that the gap between the wafer and the turntable is smaller than the gap between this wafer and the top block section.

A method according to claim 83, characterized in that at least one temporary gaseous medium is pushed along the surface of the spinning wafer on at least one side thereof.

87. A method according to claim 35, characterized in that, after spin-processing of the top surface of the wafer by means of liquid medium and subsequently removing this medium from this water surface under centrifugal action, for some time along this top surface of the wafer gaseous medium is propelled, then the supply of liquid medium to the bottom of the wafer is replaced by a supply of gaseous medium.

A method according to Claim 87, characterized in that this supply of gaseous medium takes place for so long that both surfaces of the block and turntable on both sides of the wafer are so dry that subsequent linear displacement of the wafer from this arrangement is possible. is.

89. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the discharge of the medium takes place via a passage in the bottom of the processing chamber.

90. Method according to Claim 89, characterized in that the liquid-medium medium is a cleaning medium.

A method according to claim 89, characterized in that this liquid medium is de-ionized water for at least rinsing.

A method according to claim 89, characterized in that the medium is an etching medium.

A method according to Claim 39, characterized in that the medium 35 is a strip medium for removing coating from the wafer surface.

54. Apparatus in which the method according to any one of the preceding Claims is applied, characterized in that a series of extremely narrow supply channels are incorporated in the upper block section for supplying at least liquid medium under very high pressure to the tunnel passage sections. 95. Device according to Claim 94, characterized in that these channels extend into an elongated common outlet extending at least from the center of the same side of this boyen block section.

31. A method according to any one of the preceding Claims, characterized in that the flows of gaseous medium are maintained during this processing from the side walls of the section and the closing cap.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that vacuum processing takes place in one of the processing sections.

38. Device according to Claim 97, characterized in that the round top of the ondarblocks action has a diameter which is smaller than the wafer, such that this wafer as a sealing wall covers all the openings in this top for supplying gaseous carrier medium thereto. .

95. An apparatus according to claim 97, wherein in the toshv channel for each outlet in the subblock section an extremely narrow passage is incorporated as a flow limiter. 1OG. Device according to Claim SS, characterized in that this diameter is less than C, 1 millimeter. 2G 1C1. Method of the device according to claim 99, characterized in that during linear wafer transport, by increasing the supply of gaseous carrier medium, the wafer is displaced by a floating distance over a certain distance from this top of the subblock section and during vacuum processing. this batch has at least been virtually eliminated.

A method according to Claim 101, characterized in that this wafer adheres to this top by its own weight with an intermediate micro-layer of gaseous medium. 1G3. Device according to Claim 97, characterized in that, in the lower end of this processing section, in addition to the discharge for the gaseous weir and carrier medium, it also contains an independent discharge for the vacuum drawing of this section and this including control systems for switching from one discharge to the Others.

104, Method of the device according to Claim 97, characterized in that after at least the main part of the supply of gaseous propellant and carrier medium has been shut off, the discharge is continued for some time via a low-vacuum pump and then switchover takes place to a high vacuum pump.

105. A method according to claim 104, characterized in that during this vacuum processing only discharge of any medium supplied by these outlets in the lower block section to the high vacuum pump takes place, together with any processing medium supplied. .

105. A method according to any one of the preceding Claim, characterized in that in the closed processing section after this vacuum processing, at least the supply of gaseous medium to the bottom block section is resumed for some time with discharge thereof in the downward direction, whereby possible contamination of the bottom surface of the wafer should be removed.

107. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that, as in the processing section, a vacuum dehydration bake oven is incorporated, wherein a heating element is incorporated in at least one of the heather block sections.

108. Method of the device according to Claim 107, characterized in that maximum heat transfer to the wafer takes place during the substantially adhering of the wafer to this subblock section and gradual cooling of the wafer takes place by supplying gaseous medium for the benefit of the floating condition of the wafer, and thereby effected lifting of the wafer from the bottom block section.

A device according to any one of the preceding Claims, characterized in that a proximity bake oven is included in one of these sections.

An apparatus according to Claim 109, characterized in that a heating element is included at least in the top block section.

111. Device according to Claim 110, characterized in that a control system is included in at least the supply of medium to at least the bottom block section, such that through a gradual upward displacement of the wafer to the top block section, the heat transfer to the wafer gradually increases and a downward displacement of this wafer gradually decreases the temperature therein.

112. Apparatus according to Claim 110, characterized in that the top block section is located upwardly some distance from the tunnel passage and the bottom block section is mounted on a carrier device for moving it vertically to and from said top block section.

113. A method of the device according to any one of the preceding Claims, characterized in that by reducing the top plast, the heat transfer to the wafer increases and by reducing this gap, whether or not in combination with an increased supply of gaseous medium from the d8 subblock section. cooling of the wafer takes place.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that this proximity bake oven is connected to a high vacuum cmp.

115. Method of the device according to Claim 114, characterized in that it is characterized in that the drying of the wafer and the coating applied arop takes place under vacuum.

115. An apparatus according to any one of the preceding Claims, which is characterized in that the process thereof is carried out in such a way that in this process the coating takes place in a vacuum under vapor or gas condition.

117. Jerkuijze of the device according to Claim 116, characterized in that the coating is then applied under high vacuum in the process section which is then closed off.

113. Jerkuijzs according to Claim 117, characterized in that this dan-shaped medium is the coating material Hf-IDS.

An apparatus according to Claim 116, characterized in that it is further arranged such that the supply of this medium takes place in a lower part of this operation, which is lower than the dswafer 15 for ds wafer * 12G. Jerkuijze of the device according to Claim 119, with the possibility that the supply of the gaseous propellant carrier medium is terminated after the arrival of ds uafer on the subbiocon section, dsza wafer will then rest on this subbiocon section, then 2C this combination is brought down to its processing position and then deposition of the coating on da wafer takes place with the feed of daze coating via a coating feed.

121. An apparatus in which the method according to Claim 120 is used, characterized in that this supply of coating is in this case temporarily missing above this combination of block section and wafer. 122 * Device according to claim 115, characterized in that the processing duct is connected to a high vacuum pump, with discharge from the lower part of this chamber.

123. An apparatus according to claim 122, characterized in that this processing chamber comprises a heating system for hafc during processing maintaining the desired temperature sn in order to prevent condensation of this coating in a dished form *.

124. The method of the device according to claim 122, characterized in that the vacuum capacity is so great that through the discharge of the medium in the downward direction the part of the process section which is situated above this supply of coating, remains free from this coating

125. Device according to one of the preceding Claims, characterized in that this sub-section is a turntable with a driving device for rotation thereof.

126. Method of the device according to Claim 125, characterized in that, during the deposition of the coating on the wafer, this turntable and thereby the wafer rotates at a low speed for the purpose of uniformly applying this wafer to the wafer. medium.

A method according to Claim 125, characterized in that the combination of turntable and wafer is then moved upwards into a spinning processing position, in which dilution in liquid or non-liquid form is then made via the channels, incorporated in the turntable. this 1G turntable is propelled under the effect of a floating condition for this wafer, this medium is spun to the side wall of the processing chamber and is discharged downwards entraining coating parts and contamination of the bottom of the wafer and of coating, which is knocked down against this side wall.

128. Apparatus in which the method according to Claim 127 is applied, characterized in that at the location of this spin processing, in the side wall of the chamber, such openings of gaseous medium feeds are incorporated that gases flowing therefrom during spin processing. maintain a sufficiently centric position of the wafer relative to the turntable.

123. Method according to Claim 127, characterized in that the liquid-medium is subsequently replaced by gaseous medium, the spinning is terminated after some time, then the wafer is brought under a maximum tack-floating condition with respect to the turntable and then The combination of the wafer and turntable is brought to its top position for linear discharge of the wafer under floating conditis.

130. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed in such a way that coating in liquid form on the wafer takes place in a process section thereof.

131. Device according to claim 130, characterized in that it also contains at least a part of the constructional structure of the device following the Dutch patent application Mo. 85 00 059 of the applicant is included.

132, A method of the device according to claim 131, characterized in that in a lower position of the wafer coating is applied to the wafer, which is thereby located on the turntable.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that this processing section thereby comprises two superimposed processing chamber sections, which are layered at some distance in the downward direction of the tunnel passage.

134. Apparatus according to claim 133, characterized in that a lower pivot bar feeder is included in the lower section for the supply of liquid coating to the turntable located on the turntable.

Device according to Claim 134, characterized in that at least two openings for the supply of gaseous medium are accommodated in the upper chamber section at the height of the wafer position for the purpose of retaining the centric position of the wafer , relative to DS 1C rotary turntable. 13c. Apparatus according to Claim 135, characterized in that it is furthermore designed in such a way that a temporary supply of liquid medium takes place in the turntable via the gaseous medium supply channels and a control system for these feeds is incorporated therein,

137. Apparatus according to Claim Claim 135, characterized in that it is furthermore designed in such a way that, as these channels also serve as a vacuum suction channel for a time, systems are also incorporated therein for switching from medium to suction. the propulsion of medium and vice versa. 2G 133. The method of the device according to Claim 137, characterized in that at least in the upper chamber section the suction of the wafer on the turntable is changed into a supply of dilution via the outlets in the top of this table under effect of a floating condition for this wafer, simultaneous supply of gaseous medium via 23 the outlets in the side wall of the chamber section takes place, and the centering of the ds wafer under floating condition on the rotating turntable takes place, this dilution partly under centrifugal action in the gap between the wafer and the table is pushed to the side of the wafer, then thrown from this wafer to the inner wall of the casing and then moves downwards as ds 30 to dsvvsr. 133. Jerkwfzeze according to Rev Claim 133, characterized in that the dilution is subsequently replaced by gaseous medium, the spinning is effected, according to the wafer is placed at the most up to 15 ° floating relative to the turntable and then the combination of wafer 35 and turntable is brought to its top position for linear discharge of the wafer in other floating condition. 14C. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it further comprises such control systems that periodically in the absence of a wafer on the turntable via this turntable in its turntable in its top position for processing dilution to the top of the table is lined for cleaning the combination of processing chamber sections »

A method of marking the device according to Claim 140, having the ksn-5 mark, which periodically turns the turntable without wafer to its upper processing position. is moved, then dilution is fed to the outlets in the top of this table and this dilution is spun from this table under centrifugal action and after depositing it moves down on the side wall of the chamber with a rear drag impurities and coating of turntable and this wall,

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is furthermore designed in such a way that the subsequent closing bars processing in a section thereof takes place in a combination thereof or not; 15 etchings, including 1 ^ 304 and HF processing and plasma enhanced etchings; stripping, plasma stripping; dopant litigation; megasonic cleaning, plasma cleaning, various types of litcgraphy; and 20 oven bake, including microwave oven and hot plate oven.

An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is further designed such that at least one of the following operations takes place therein in a closing bar section; wafer testing, measurements, inspection and marking.

144. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is furthermore designed in such a way that a closing device for this tunnel is included in a lockable section thereof, comprising: a recess in the bottom block; an invertical direction movable closing cap. Annual sealing edge 30 corresponds to a seat around this recess and a bottom block section, the top surface of which lies at least temporally in an extension of the bottom wall of the tunnel passage as part of a transfer device.

145. An apparatus according to claim 144, characterized in that said lower block section contains at least a series of feed channels for gaseous carrier medium, which open into the upper surface of the block section.

146. Method of the device according to one of the preceding Claims, characterized in that the hood then tilts from a closed position at least to an open position thereof, a wafer moves under floating condition V *> 'J 3 - 39 - from ds. tunnel passage through the passage to above the lower block section cndsr with or without braking, after which the hood closes.

147. An apparatus according to claim 144, characterized in that said tolerance device comprises at least one subblock section, the uafer turning area of which is at least smaller than that of the wafer; a driving device for vertical displacement of this block section; a recess in the side wall of the base block; and an uafer entrainment die, which is designed such that a portion 1C thereof is movable through this recess to a take-over positis thereof and the wafer.

148. Device according to Claim 147, characterized in that a recess is incorporated in the bottom block action, which extends to the side wall thereof and corresponds to the recess in the side wall of the ondarbiok.

149. A device according to claim 147, characterized in that said lower block action has a smaller diameter than the wafer at least near the top surface thereof and the wafer-msenesmin device is fork-shaped *

150. Method of the device as claimed in claim 147, characterized in that, in the case of a wafer arriving at the subblock section, at least the following takes place: the floating condition for this wafer is canceled; ds. underblock section is or is not. simultaneously moved downwards by some distance the wafer comes to rest on the wsfsr moon collector; this device moves beyond the bottom block, taking the wafer with it; -3 bottom block action bsuesgt again · upwards to its top position; and after transferring the wafer, the wafer carrying device again moves to its uafer-taking position. An apparatus according to Claim 149, characterized in that it is designed such that the bottom block section is a turntable with a drive for rotating it. 152. A method of the device according to claim 151, characterized in that upon arrival of the wafer in a floating condition above the turntable, this table is rotated to effect the centric position of the wafer relative to the turntable. 1cc. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that this wafer transport device is a conveyor belt.

154. Device according to Rev. Claim 153, characterized in that this strip is a stainless steel foil.

155. Device according to Claim 147, characterized in that this wafer carrying device comprises a suction block for temporarily drawing a wafer thereon.

155, Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it also comprises a module for main processing of wafers,

157. Device according to Claim 156, characterized in that the interior of the module is leak-tightly connected to the tunnel passages.

A device according to Claim 157, characterized in that the main part of this wafer transport device is arranged in this module and wherein this module further comprises the following: a berth for at least one wafer for its processing; 15 and an arrangement for the processing of this wafer,

159. Method of the device according to Claim 153, characterized in that this conveyor belt functions as a berth for subsequent wafars during processing.

160. Device according to Claim 156, characterized in that it is designed in such a way that at least one of the following main processes takes place therein: plasma etching, reactive ion plasma etching, microwave ion etching, sputter etching; plasma stripping; Chemical vapor deposition, CVD epitaxial, under low pressure or high pressure;

Cl / D deposition of nitride, oxide or palysilicone; physical vapor deposition; electron beam deposition; high pressure oxidation systems, low pressure oxidation systems; high temperature evaporation systems; 30 ion beam deposition; plasma deposition; matalization, planarization, sputtering; laser annealing; high temperature baking oven; 35 litograpny systems, including stepper, in-line s-beam direct writing, x-ray micro litography; wafer testing, measurements, inspection and marking.

151. Device according to any one of the preceding Claims, characterized in that it is designed in such a way that if it is connected to ds -ή,% ~ i; ar * - 41 - output of shaft boofopressessing modula, dszs a closing bars input sacts bsvst, oostaands out: a recess in the lower clock; ear. vertically displaceable bars closing cap, of which the sealing edge 5 corresponds to ssr, seat around dszs recess; and a cndar block action, the top surface of which at least at the same time ribbon in tannins ts practically extended from the bottom wall of the tunnel tunnel passage as a deal from a transferring device »

152. Device according to Claim 131, characterized in that the TC transfer device comprises a ssris of at least the supply channels for gaseous carrier medium, which culminate in the top surface of this section.

153. Device according to Claim 152, wet hst feature, that dszb vardar hst comprises the following: a nose cutting device for vertically displacing deza hlokseciia; 15 a recess in the side wall of the main block a human wafer device, for ssn game delta thereof movable in this recess for transferring dazs wafer to the subblock section.

154. Method of the device according to Claim 153, in which the following is followed in 2C: the carrier device nesnt on a wafer berth in the main processing noduls a wafer and transfers this wafer via the recess in the parts block to a position above the lower block section for this purpose in its lower position; This section then moves up under the ovsrnams of the wsfsr to its top position; a floating condition is effected for the wafer ορ dszs block section the closing cap bsweagt ai then not tilting to an open starting position; the wafer is conducted under floating conditions through the exit of ds section afs-30; the closing cap is closed; the sub-section section moves to its sub-position; sn ds a nesmin device is or is being moved to its takeover position in ds noduls.

155. An apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that the DSZs is designed in such a way that at least one of these procas-singaeotiss combination of at least two DS wafer processings takes place, measured pressure differences between, for example, high vacuum and esn overpressure - 42 -

166. Apparatus according to any one of the preceding Claims, characterized in that the closing cap and the top block section of the processing section thereby form one whole.

167. The method of the device according to claim 165, characterized in that at least the tilting upward displacement of this combination takes place through the two driving devices, with the effect of opening the tunnel passage section of said processing sector. for the purpose of passing a wafer.