JPS635012Y2 - - Google Patents
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- JPS635012Y2 JPS635012Y2 JP4324383U JP4324383U JPS635012Y2 JP S635012 Y2 JPS635012 Y2 JP S635012Y2 JP 4324383 U JP4324383 U JP 4324383U JP 4324383 U JP4324383 U JP 4324383U JP S635012 Y2 JPS635012 Y2 JP S635012Y2
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- crt
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Landscapes
- Television Receiver Circuits (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の利用分野
本考案は陰極線管(CRT)制御回路、特にオ
シロスコープ等のCRTの制御グリツド電圧を制
御する回路に関する。
シロスコープ等のCRTの制御グリツド電圧を制
御する回路に関する。
従来技術の説明
CRTの電子銃はカソード、制御グリツド及び
第1アノードの三極真空管部を含む電子銃を有す
る。一般には、カソードに負の高電圧(−HV)
を印加し、制御グリツドには−HVにフローテイ
ングしたZ軸増幅器出力を印加して、三極真空管
のカツトオフ電圧(Vcp)以下及び以上の間で変
化する輝度制御信号により電子ビーム電流を制御
している。その結果、CRT管面の表示の輝度は
斯る輝度制御信号により変化する。
第1アノードの三極真空管部を含む電子銃を有す
る。一般には、カソードに負の高電圧(−HV)
を印加し、制御グリツドには−HVにフローテイ
ングしたZ軸増幅器出力を印加して、三極真空管
のカツトオフ電圧(Vcp)以下及び以上の間で変
化する輝度制御信号により電子ビーム電流を制御
している。その結果、CRT管面の表示の輝度は
斯る輝度制御信号により変化する。
しかし、CRTのVcpは温度による変化、特にカ
ソードの加熱に伴うカソード及び制御グリツドの
熱膨張による物理的寸法変化に起因して一定期間
徐々に変動する。このVcpの変動量は使用する
CRTにより異なるが、典型的には約10ボルトで
あり、動作開始直後の低温状態から例えば10分後
の高温安定状態に到達する迄にVcpは10ボルト程
度バイアス電圧が浅くなる。例えば必要とする最
大輝度を得る為の輝度制御信号振幅が65ボルトで
あるとすると、固定バイアスの場合には低温状態
でも電子ビームを十分に遮断する為に最低75ボル
トの振幅の輝度制御信号を必要とする。
ソードの加熱に伴うカソード及び制御グリツドの
熱膨張による物理的寸法変化に起因して一定期間
徐々に変動する。このVcpの変動量は使用する
CRTにより異なるが、典型的には約10ボルトで
あり、動作開始直後の低温状態から例えば10分後
の高温安定状態に到達する迄にVcpは10ボルト程
度バイアス電圧が浅くなる。例えば必要とする最
大輝度を得る為の輝度制御信号振幅が65ボルトで
あるとすると、固定バイアスの場合には低温状態
でも電子ビームを十分に遮断する為に最低75ボル
トの振幅の輝度制御信号を必要とする。
第1図に従来のCRT制御回路の回路例を示す。
CRT10はカソード12、制御グリツド14及
び図示せずもその他多くの電極を有する。カソー
ド12には高圧電源16より負の一定高圧−HV
が印加され、制御グリツド14にはZ軸増幅器2
2からの輝度制御出力信号を−HVにフローテイ
ングして印加する。低電圧で動作するZ軸増幅器
22の出力を高圧電源16の高圧にフローテイン
グする為には直流再生技法を採用している。この
直流再生回路はピーク・ピーク電圧約300ボルト
で周波数約50KHz以上の発振器18、抵抗R1乃至
R7、コンデンサC1乃至C5、ダイオードD1乃至
D5、及びグリツド・バイアス制御用ポテンシヨ
メータ24より成る。
CRT10はカソード12、制御グリツド14及
び図示せずもその他多くの電極を有する。カソー
ド12には高圧電源16より負の一定高圧−HV
が印加され、制御グリツド14にはZ軸増幅器2
2からの輝度制御出力信号を−HVにフローテイ
ングして印加する。低電圧で動作するZ軸増幅器
22の出力を高圧電源16の高圧にフローテイン
グする為には直流再生技法を採用している。この
直流再生回路はピーク・ピーク電圧約300ボルト
で周波数約50KHz以上の発振器18、抵抗R1乃至
R7、コンデンサC1乃至C5、ダイオードD1乃至
D5、及びグリツド・バイアス制御用ポテンシヨ
メータ24より成る。
動作説明すると、ポテンシヨメータ24の設定
値及びツエナ・ダイオードD1により定まる接続
点Aの電圧を超す発振器18の正電圧はクランプ
され、A点に負電圧を発生する。この電圧を入力
端子20に印加したZ軸入力信号、即ち輝度制御
信号を増幅するZ軸増幅器22の出力で変調す
る。この被変調信号の直流及び低周波成分はダイ
オードD5を介して制御グリツド14に結合され、
高周波成分はコンデンサC4を介して直接制御グ
リツド14に結合される。放電管B1及びB2をカ
ソード12と制御グリツド14間に接続して、両
電極間電圧差が所定値を超すのを防止する。制御
グリツド・バイアス調整用ポテンシヨメータ24
は、使用するCRT10のVcpにより、Z軸入力信
号の最小値で制御グリツド・バイアスがVcp以下
となり電子ビームを完全に遮断するよう設定す
る。
値及びツエナ・ダイオードD1により定まる接続
点Aの電圧を超す発振器18の正電圧はクランプ
され、A点に負電圧を発生する。この電圧を入力
端子20に印加したZ軸入力信号、即ち輝度制御
信号を増幅するZ軸増幅器22の出力で変調す
る。この被変調信号の直流及び低周波成分はダイ
オードD5を介して制御グリツド14に結合され、
高周波成分はコンデンサC4を介して直接制御グ
リツド14に結合される。放電管B1及びB2をカ
ソード12と制御グリツド14間に接続して、両
電極間電圧差が所定値を超すのを防止する。制御
グリツド・バイアス調整用ポテンシヨメータ24
は、使用するCRT10のVcpにより、Z軸入力信
号の最小値で制御グリツド・バイアスがVcp以下
となり電子ビームを完全に遮断するよう設定す
る。
しかし、前述のとおり、CRT10のVcpは温度
により変動するため、低及び高温状態においても
必ず電子ビームが遮断できるようにする必要があ
る。そこで、従来回路にあつては第2図Aに示す
如く、制御グリツド・バイアス電圧の最小値を高
温状態でのカツトオフ電圧Vcpw以下であるのみな
らず低温時のカツトオフ電圧Vcpc以下に設定し、
最大値をVcpwより例えば65ボルト高い電圧とす
る。その結果、VcpwとVcpcの差VDに対応する約10
ボルトの余分なZ軸信号を必要とし、Z軸信号振
幅は例えば約75ボルトとなる。
により変動するため、低及び高温状態においても
必ず電子ビームが遮断できるようにする必要があ
る。そこで、従来回路にあつては第2図Aに示す
如く、制御グリツド・バイアス電圧の最小値を高
温状態でのカツトオフ電圧Vcpw以下であるのみな
らず低温時のカツトオフ電圧Vcpc以下に設定し、
最大値をVcpwより例えば65ボルト高い電圧とす
る。その結果、VcpwとVcpcの差VDに対応する約10
ボルトの余分なZ軸信号を必要とし、Z軸信号振
幅は例えば約75ボルトとなる。
最近のIC技術の進歩により、大部分の電子回
路はICを使用し、小型、軽量、低電力、高速、
高信頼性化等を図つている。反面、ICを使用す
ると耐圧が制限され、例えば75ボルトの大振幅の
高速パルス増幅用ICの実現は実用化されていな
い。更に、マイクロプロセツサ(μP)の普及に
伴い、オシロスコープの制御、特に水平掃引速度
の拡大(H MAG)時、通常掃引(A sweep)
と遅延掃引(B sweep)の掃引速度比B/A、
または表示するチヤンネル数等に応じてZ軸信号
振幅を制御する自動輝度制御が考えられる。この
場合には、μPを用い現実のZ軸信号設定値を検
出すると共にH MAGの有無及びB/A比等に
応じて最終的な輝度制御信号を求めることとな
る。しかし、この値がCRTの温度により変化す
るため輝度信号を実際のカツトオフ以下にする場
合には正しい自動輝度制御が不可能である等の問
題点があつた。
路はICを使用し、小型、軽量、低電力、高速、
高信頼性化等を図つている。反面、ICを使用す
ると耐圧が制限され、例えば75ボルトの大振幅の
高速パルス増幅用ICの実現は実用化されていな
い。更に、マイクロプロセツサ(μP)の普及に
伴い、オシロスコープの制御、特に水平掃引速度
の拡大(H MAG)時、通常掃引(A sweep)
と遅延掃引(B sweep)の掃引速度比B/A、
または表示するチヤンネル数等に応じてZ軸信号
振幅を制御する自動輝度制御が考えられる。この
場合には、μPを用い現実のZ軸信号設定値を検
出すると共にH MAGの有無及びB/A比等に
応じて最終的な輝度制御信号を求めることとな
る。しかし、この値がCRTの温度により変化す
るため輝度信号を実際のカツトオフ以下にする場
合には正しい自動輝度制御が不可能である等の問
題点があつた。
本考案の構成
本考案にあつては、CRTのVcpが動作開始から
安定化する迄に所定の指数関数的に変化し、また
短期間動作を中断してもCRTの余熱により動作
再開後には最初の動作の場合より早く安定化する
ので、CRTのグリツド・バイアス電圧を手動制
御と共にCR時定数回路でシユミレートしている。
このCRTのVcpに追従するバイアス電圧にZ軸信
号を重畳してCRTの制御グリツド電圧を得る。
その結果、温度に関係なくZ軸信号の全振幅を輝
度制御に利用できるので、Z軸増幅器が低電圧、
低消費電力となりIC化が可能となるのみならず、
自動輝度制御に好適である。
安定化する迄に所定の指数関数的に変化し、また
短期間動作を中断してもCRTの余熱により動作
再開後には最初の動作の場合より早く安定化する
ので、CRTのグリツド・バイアス電圧を手動制
御と共にCR時定数回路でシユミレートしている。
このCRTのVcpに追従するバイアス電圧にZ軸信
号を重畳してCRTの制御グリツド電圧を得る。
その結果、温度に関係なくZ軸信号の全振幅を輝
度制御に利用できるので、Z軸増幅器が低電圧、
低消費電力となりIC化が可能となるのみならず、
自動輝度制御に好適である。
本考案の目的
本考案の目的の1つは、Z軸増幅器の出力を
CRTのVcpに追従するバイアス電圧に加算するこ
とにより、Z軸増幅器の実質的に全出力をCRT
の輝度制御に利用できるCRT制御回路を提供す
ることである。
CRTのVcpに追従するバイアス電圧に加算するこ
とにより、Z軸増幅器の実質的に全出力をCRT
の輝度制御に利用できるCRT制御回路を提供す
ることである。
本考案の他の目的は、Z軸増幅器が完全にIC
化可能なCRT制御回路を提供することである。
化可能なCRT制御回路を提供することである。
本考案の他の目的は、電源スイツチをオンとす
ると殆んど直ちに正常動作できる即動型のCRT
制御回路を提供することである。
ると殆んど直ちに正常動作できる即動型のCRT
制御回路を提供することである。
本考案の更に他の目的は、H MAG、遅延掃
引等に応じて自動的に最適輝度レベルを設定する
自動輝度制御が可能なオシロスコープ等のCRT
制御回路を提供することである。
引等に応じて自動的に最適輝度レベルを設定する
自動輝度制御が可能なオシロスコープ等のCRT
制御回路を提供することである。
実施例の説明
第3図は、本考案の一実施例のブロツク図を示
す。バイアス調整回路23は、時間に無関係に一
定の手動バイアス制御24及び電源スイツチ25
のオンオフに応答する時間依存制御26を含む。
両制御24,26の出力は直流再生回路28に供
給して、輝度制御信号と加算すると共に発振器1
8のポンプ出力により高圧電源16からの負の高
電圧−HVにフローテイングしたCRTの制御グリ
ツド電圧を出力端子30から得る。輝度制御信号
は、手動調整可能な輝度制御ポテンシヨメータ2
9の出力(又はμPからの輝度制御信号)をH
MAG,B/A掃引速度比等の値により演算した
制御信号と合成(例えば乗算)する。端子20へ
印加したアンブランキング/ブランキング入力に
応じて、アンブランキング期間中は上述の可変輝
度制御信号を、ブランキング期間中は無信号を発
生して、Z軸増幅器22で所定振幅に増幅した後
に直流再生回路28へ供給する。
す。バイアス調整回路23は、時間に無関係に一
定の手動バイアス制御24及び電源スイツチ25
のオンオフに応答する時間依存制御26を含む。
両制御24,26の出力は直流再生回路28に供
給して、輝度制御信号と加算すると共に発振器1
8のポンプ出力により高圧電源16からの負の高
電圧−HVにフローテイングしたCRTの制御グリ
ツド電圧を出力端子30から得る。輝度制御信号
は、手動調整可能な輝度制御ポテンシヨメータ2
9の出力(又はμPからの輝度制御信号)をH
MAG,B/A掃引速度比等の値により演算した
制御信号と合成(例えば乗算)する。端子20へ
印加したアンブランキング/ブランキング入力に
応じて、アンブランキング期間中は上述の可変輝
度制御信号を、ブランキング期間中は無信号を発
生して、Z軸増幅器22で所定振幅に増幅した後
に直流再生回路28へ供給する。
第3図の回路動作の詳細は後述する第4図の具
体的回路図に基づく説明から理解できよう。簡単
に説明すると、バイアス調整回路23は、電源ス
イツチをオンとして動作開始後時間と共に変化す
るCRTのVcpに追従する電圧を発生する。即ち、
手動調整回路24は使用するCRTの低温状態に
おけるVcpに応じた時間的に不変の制御電圧を発
生し、時間依存制御26はCRTの動作開始から
高温安定点に達するVcpの変化分に対応するバイ
アス電圧を発生する。輝度制御回路は、必ずしも
自動輝度制御機能を具える必要はないが、バイア
ス調整回路23の出力に重畳される輝度制御信号
を発生する。直流再生回路28は、バイアス調整
回路と輝度制御回路の両出力を合成すると共に、
発振器18の出力パルスのポンプ作用により高圧
電源16の−HVにフローテイングさせる。その
結果、第2図Bに示すとおり、CRTの制御グリ
ツド・バイアス電圧は、電源スイツチ25のオン
オフにより(点線と実線間で)変動するVcpに輝
度制御信号が重畳されたものとなるので、Z軸信
号増幅器22の出力は全振幅(例えば65ボルト)
が輝度制御に利用できる。
体的回路図に基づく説明から理解できよう。簡単
に説明すると、バイアス調整回路23は、電源ス
イツチをオンとして動作開始後時間と共に変化す
るCRTのVcpに追従する電圧を発生する。即ち、
手動調整回路24は使用するCRTの低温状態に
おけるVcpに応じた時間的に不変の制御電圧を発
生し、時間依存制御26はCRTの動作開始から
高温安定点に達するVcpの変化分に対応するバイ
アス電圧を発生する。輝度制御回路は、必ずしも
自動輝度制御機能を具える必要はないが、バイア
ス調整回路23の出力に重畳される輝度制御信号
を発生する。直流再生回路28は、バイアス調整
回路と輝度制御回路の両出力を合成すると共に、
発振器18の出力パルスのポンプ作用により高圧
電源16の−HVにフローテイングさせる。その
結果、第2図Bに示すとおり、CRTの制御グリ
ツド・バイアス電圧は、電源スイツチ25のオン
オフにより(点線と実線間で)変動するVcpに輝
度制御信号が重畳されたものとなるので、Z軸信
号増幅器22の出力は全振幅(例えば65ボルト)
が輝度制御に利用できる。
第4図は、本考案によるCRT制御回路の実用
回路図を示す。電圧クランプ回路38は、エミツ
タを直接電圧源+V(この特定実施例では42ボル
ト)に接続し、ペース・コレクタ間に帰還抵抗
R50及びコンデンサC43を有する演算増幅トランジ
スタQ1を含む。Q1のベースはクランプ・ダイオ
ードD43を介して+Vに接続され、コレクタはコ
ンデンサC44を介して接地すると共に2個の直列
ダイオードD36a−D36bを介して接続点Jへ接続し
ている。手動バイアス制御24は、ポテンシヨメ
ータP1とそのワイパ電圧をQ1のベースへ結合す
る抵抗R49より成る。時間依存バイアス制御26
は、+15ボルト電源と接地間に直列接続した抵
抗・コンデンサ時定数回路R47,C42、コンデンサ
C42の両端電圧を増幅する商入力抵抗のボルテー
ジフオロワA1、及びA1の出力電圧をQ1のベース
へ結合する抵抗R48より成る。R47・C42の時定数
は、例えば100MΩ×1μFであつて、使用する
CRTの熱安定時間に合わせて選択する。
回路図を示す。電圧クランプ回路38は、エミツ
タを直接電圧源+V(この特定実施例では42ボル
ト)に接続し、ペース・コレクタ間に帰還抵抗
R50及びコンデンサC43を有する演算増幅トランジ
スタQ1を含む。Q1のベースはクランプ・ダイオ
ードD43を介して+Vに接続され、コレクタはコ
ンデンサC44を介して接地すると共に2個の直列
ダイオードD36a−D36bを介して接続点Jへ接続し
ている。手動バイアス制御24は、ポテンシヨメ
ータP1とそのワイパ電圧をQ1のベースへ結合す
る抵抗R49より成る。時間依存バイアス制御26
は、+15ボルト電源と接地間に直列接続した抵
抗・コンデンサ時定数回路R47,C42、コンデンサ
C42の両端電圧を増幅する商入力抵抗のボルテー
ジフオロワA1、及びA1の出力電圧をQ1のベース
へ結合する抵抗R48より成る。R47・C42の時定数
は、例えば100MΩ×1μFであつて、使用する
CRTの熱安定時間に合わせて選択する。
上述した回路の動作は次のとおりである。手動
バイアス調整ポテンシヨメータP1の設定に応じ
てR49を流れる固定バイアス電流は帰還抵抗R50
を流れて、Q1のコレクタに対応する正電圧を生
じる。この出力電圧はVp1・R50/R49である。こ
こに、Vp1はP1のワイパ電圧、R49,R50は対応す
る抵抗の抵抗値である。P1の電圧調整範囲は、
例えば+70〜+130ボルトである。一方、ボルテ
ージフオロワA1の出力電圧は、電源スイツチオ
ンにより+15ボルトの電圧発生後に例えば100秒
の時定数で指数関数的に上昇して、R48の電流に
よりQ1のコレクタに対応する正電圧を生ずる。
R47,R48を流れるバイアス制御電流はQ1により
加算されて対応するクランプ電圧をQ1のコレク
タに発生する。このクランプ電圧は、前述の説明
から明らかな如くCRTのVcpの変化に追従する。
尚、一度オンとした電源スイツチを短時間オフし
てもCRTの電子銃は直ちに低温に復帰せず、再
びオンとすると最初の場合より早く安定状態とな
る。CR時定数を有する時間依存バイアス制御2
6にあつては、C42は完全には放電せず、一時オ
フ期間に応じて電荷が残る為に、電源スイツチを
再びオンとすると、そのレベルから充電すること
となるので、依然としてCRTのVcp変化に正しく
追従したクランプ電圧を得ることが可能であるこ
とに注目されたい。このQ1のコレクタ電圧は、
J点のクランプ電圧を決定する。C44は、ダイオ
ードD36a−D36bがオフの期間中Q1への動作電流を
供給する電源として作用する。
バイアス調整ポテンシヨメータP1の設定に応じ
てR49を流れる固定バイアス電流は帰還抵抗R50
を流れて、Q1のコレクタに対応する正電圧を生
じる。この出力電圧はVp1・R50/R49である。こ
こに、Vp1はP1のワイパ電圧、R49,R50は対応す
る抵抗の抵抗値である。P1の電圧調整範囲は、
例えば+70〜+130ボルトである。一方、ボルテ
ージフオロワA1の出力電圧は、電源スイツチオ
ンにより+15ボルトの電圧発生後に例えば100秒
の時定数で指数関数的に上昇して、R48の電流に
よりQ1のコレクタに対応する正電圧を生ずる。
R47,R48を流れるバイアス制御電流はQ1により
加算されて対応するクランプ電圧をQ1のコレク
タに発生する。このクランプ電圧は、前述の説明
から明らかな如くCRTのVcpの変化に追従する。
尚、一度オンとした電源スイツチを短時間オフし
てもCRTの電子銃は直ちに低温に復帰せず、再
びオンとすると最初の場合より早く安定状態とな
る。CR時定数を有する時間依存バイアス制御2
6にあつては、C42は完全には放電せず、一時オ
フ期間に応じて電荷が残る為に、電源スイツチを
再びオンとすると、そのレベルから充電すること
となるので、依然としてCRTのVcp変化に正しく
追従したクランプ電圧を得ることが可能であるこ
とに注目されたい。このQ1のコレクタ電圧は、
J点のクランプ電圧を決定する。C44は、ダイオ
ードD36a−D36bがオフの期間中Q1への動作電流を
供給する電源として作用する。
次に、J点にはR40−R41,C34を介して発振器
18が接続され、R42,D40を介してZ軸増幅器
22の出力が接続されている。R40−R41の接続
点はD35を介して接地する。その他の回路は第1
図の従来回路と実質的に同じである。
18が接続され、R42,D40を介してZ軸増幅器
22の出力が接続されている。R40−R41の接続
点はD35を介して接地する。その他の回路は第1
図の従来回路と実質的に同じである。
発振器18の負の半サイクル期間中は、D35が
オンとなりそのカソード電圧を略0ボルトにクラ
ンプしているのでJ点電圧はZ軸増幅器22の出
力に追従する。正の半サイクル期間中は、D35は
オフであるが、前述したクランプ回路38のQ1
コレクタ・クランプ電圧以下の期間中はJ点の電
圧は発振器出力電圧に追従して上昇するが、クラ
ンプ電圧に達するとD36a−D36bがオンとなり、こ
の電圧にクランプする。よつて、J点電圧は図示
の如くZ軸増幅器22の略方形波の輝度制御信号
で変調された発器18の正出力パルスとなる。
オンとなりそのカソード電圧を略0ボルトにクラ
ンプしているのでJ点電圧はZ軸増幅器22の出
力に追従する。正の半サイクル期間中は、D35は
オフであるが、前述したクランプ回路38のQ1
コレクタ・クランプ電圧以下の期間中はJ点の電
圧は発振器出力電圧に追従して上昇するが、クラ
ンプ電圧に達するとD36a−D36bがオンとなり、こ
の電圧にクランプする。よつて、J点電圧は図示
の如くZ軸増幅器22の略方形波の輝度制御信号
で変調された発器18の正出力パルスとなる。
J点電圧の電圧上昇期間中にはD42がオンとな
りC41を約HVまで充電し、減少期間中にはD41が
オンとなる。その結果、D42,D41が発振器18
の発振周期に応じてオンオフしてCRT10の制
御グリツド14の電圧を−HVにフローテイング
させてJ点電圧の包絡線電圧となす。尚、Z軸増
幅器22の高周波信号成分はC40を介して直接制
御グリツド14へ結合して、パルス波形の前縁及
び後縁をシヤープにする。このように、J点電圧
は、発振器18の負の半サイクル期間中はZ軸増
幅器22からの輝度制御信号により決まり、正の
半サイクル期間中はクランプ回路38の出力であ
る電源スイツチのオン時点から、時間的に変化す
るCRTのVcpに追従する電圧にクランプされる。
従つて、Z軸増幅器22からの輝度制御信号が0
の場合には、制御グリツド14の電圧はCRT1
0の電子ビームを温度に無関係にJ度カツトオフ
する電圧となり、輝度制御信号が印加されると、
その振幅に応じた正しいグリツド・バイアス電圧
となる。ここで、発振器18の発振周期は、Z軸
増幅器22の出力パルス幅よりも十分に短かくな
るよう選定する。
りC41を約HVまで充電し、減少期間中にはD41が
オンとなる。その結果、D42,D41が発振器18
の発振周期に応じてオンオフしてCRT10の制
御グリツド14の電圧を−HVにフローテイング
させてJ点電圧の包絡線電圧となす。尚、Z軸増
幅器22の高周波信号成分はC40を介して直接制
御グリツド14へ結合して、パルス波形の前縁及
び後縁をシヤープにする。このように、J点電圧
は、発振器18の負の半サイクル期間中はZ軸増
幅器22からの輝度制御信号により決まり、正の
半サイクル期間中はクランプ回路38の出力であ
る電源スイツチのオン時点から、時間的に変化す
るCRTのVcpに追従する電圧にクランプされる。
従つて、Z軸増幅器22からの輝度制御信号が0
の場合には、制御グリツド14の電圧はCRT1
0の電子ビームを温度に無関係にJ度カツトオフ
する電圧となり、輝度制御信号が印加されると、
その振幅に応じた正しいグリツド・バイアス電圧
となる。ここで、発振器18の発振周期は、Z軸
増幅器22の出力パルス幅よりも十分に短かくな
るよう選定する。
本考案の効果
以上の説明から容易に理解できるとおり、本考
案によるCRT制御回路は次の顕著な作用効果を
有するので、特に研究開発用高級オシロスコープ
のCRT輝度制限回路として極めて好適である。
案によるCRT制御回路は次の顕著な作用効果を
有するので、特に研究開発用高級オシロスコープ
のCRT輝度制限回路として極めて好適である。
(1) クランプ電圧はCRTのVcpの変動に正しく追
従できるので、電源スイツチをオンとした直後
より正しく安定した表示輝度が得られる。
従できるので、電源スイツチをオンとした直後
より正しく安定した表示輝度が得られる。
(2) Z軸増幅器からの輝度制御信号は、その全振
幅を輝度制御に使用できるので、Z軸増幅器が
低電圧、低消費電力となり、集積回路化でき
る。その結果、高速動作、小型軽量化が可能で
ある。
幅を輝度制御に使用できるので、Z軸増幅器が
低電圧、低消費電力となり、集積回路化でき
る。その結果、高速動作、小型軽量化が可能で
ある。
(3) 輝度制御信号振幅がそのまま表示輝度レベル
を表わすので、自動輝度制御回路が容易に実現
できる。
を表わすので、自動輝度制御回路が容易に実現
できる。
(4) 時間依存バイアス制御にCR時定数回路を使
用することにより、電源スイツチを比較的短時
間にオンオフしても正しいバイアス電圧が設定
できる。
用することにより、電源スイツチを比較的短時
間にオンオフしても正しいバイアス電圧が設定
できる。
(5) クランプ回路として演算増幅器型の負帰還増
幅回路を使用することにより、クランプ電圧を
CRTのVcp変動に正確に近似させることができ
る。またコンデンサC44の使用により、D36a−
D36bのオフ期間にも付加電源を使用することな
く所定クランプ電圧が維持できる。
幅回路を使用することにより、クランプ電圧を
CRTのVcp変動に正確に近似させることができ
る。またコンデンサC44の使用により、D36a−
D36bのオフ期間にも付加電源を使用することな
く所定クランプ電圧が維持できる。
第1図はCRT制御回路の従来回路例、第2図
は従来及び本考案のCRT制御回路の動作説明図、
第3図は本考案によるCRT制御回路の一実施例
のブロツク図、第4図は本考案によるCRT制御
回路の実用回路例を示す。 23:バイアス調整回路、38:電圧クランプ
回路。
は従来及び本考案のCRT制御回路の動作説明図、
第3図は本考案によるCRT制御回路の一実施例
のブロツク図、第4図は本考案によるCRT制御
回路の実用回路例を示す。 23:バイアス調整回路、38:電圧クランプ
回路。
Claims (1)
- 手動調整及び所定時定数で変化するバイアス回
路と、該バイアス回路の出力に応じて輝度制御信
号をクランプする回路と、上記クランプした輝度
制御信号にカソード電圧を重畳して制御グリツド
電圧を得る回路とを具える陰極線管制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4324383U JPS60170776U (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 陰極線管制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4324383U JPS60170776U (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 陰極線管制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60170776U JPS60170776U (ja) | 1985-11-12 |
JPS635012Y2 true JPS635012Y2 (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=30554735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4324383U Granted JPS60170776U (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | 陰極線管制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60170776U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6153574A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 輝度制御回路 |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP4324383U patent/JPS60170776U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60170776U (ja) | 1985-11-12 |
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