JPS6349209B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、高解像度を有する積層構造フイルム
ホトレジストに関する。 フイルムホトレジストは、プリント基板製造時
の導体パターン形成用のエツチングレジストおよ
びメツキレジストとして主として用いられてい
る。このようなフイルムホトレジストとしては、
たとえばDu Pont Co.の“Riston”,Dynachem
Corp.の“Laminar”、日立化成工業(株)の“日立感
光性レジストフイルム”があるが、これらはいず
れもアクリレート系重合体とアクリレート系単量
体および保存安定剤、染料、光重合開始剤からな
るものである。これらの組成物はアクリレート系
単量体が多量に入つているため軟かく粘着性をも
つためポリエステルフイルムなどの支持体フイル
ムとポリオレフインフイルムなどの保護フイルム
の間に挾まれて取扱われている。しかし、これら
の組成物はこのような形にして取扱つても、長期
高温で保管すると組成物が支持フイルムの両側か
らはみ出してきてフイルムの口開き性を悪くする
こと、アクリレート系単量体特有の不快な臭気が
あること、感光層に粘着性があるため画像焼付時
にフオトマスクを密着させることができず支持体
フイルムを介して焼付けねばならず鮮明な画像が
得にくいこと、また光硬化後のフイルムが脆く光
硬化により作つた画像が欠けやすいことなどの欠
点を有している。 またエツチングおよびメツキレジスト以外に、
レジストがフイルムの形態で使用される分野とし
てはプリント基板用のソルダーレジストがある
が、耐熱性が要求されるため、市販品のエツチン
グおよびメツキレジストをそのままソルダーレジ
ストとして用いることはできない。ソルダーレジ
スト用のフイルムホトレジストとして市販されて
いるものは、やはりアクリレート系の感光性樹脂
組成物であるが、前記エツチングおよびメツキレ
ジスト用フイルムホトレジストの場合と同様な欠
点を有するとともに、耐熱性も十分でない。 本発明者らは、これら市販品のフイルムホトレ
ジストの欠点を克服すべく鋭意検討した結果、(a)
ポリブタジエン環化物、(b)光架橋剤、光増感剤お
よび光重合開始剤よりなる群から選ばれた少なく
とも1種ならびに(c)保存安定剤からなる組成物、
またはそれに(d)染料および/または顔料を加えて
なる組成物をフイルム状に成形したことを特徴と
するフイルムホトレジストを使用すれば上記の欠
点がすべて解消され、しかもエツチング,メツキ
およびソルダーレジスト用のいずれとしても使用
可能であり、工業的にも寄与するところが大きい
ことを見出した。(特開昭55―98742号公報)しか
しこのフイルムホトレジストは現在市販の前記ア
クリレート系のフイルムホトレジストの現像液と
して使用されている引火性のない1,1,1―ト
リクロルエタンを現像液として使用すると、解像
度に限界があるという欠点がみられる。 そこで、さらに鋭意研究を重ねた結果、a)モ
ノオレフイン系不飽和化合物の重合体もしくは共
重合体100重量部、b)分子内に光重合性二重結
合を少なくとも2個以上有する多官能光重合性不
飽和化合物5〜100重量部、c)光架橋剤、光増
感剤および光重合開始剤の群から選ばれた少くと
も一種を必須成分とする組成物(以下上層レジス
トと記す)を、ブタジエン重合体の環化物もしく
はブタジエン共重合体の環化物(以下ブタジエン
系重合体環化物と記す)を主成分とするフイルム
ホトレジスト(以下下層レジストと記す)上に積
層した積層構造フイルムホトレジストを使用すれ
ば、前記すべての欠点が解消されることを見出
し、本発明に到達した。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、作
業性が極めて良く、特殊な真空ラミネータあるい
は加熱プレス等を用いることなく、通常のラミネ
ータ(例えばデユポン製A―24ラミネータ)を用
いても空気を巻き込まず基板表面にラミネートで
き、さらにレジストを基板表面に良く密着させる
ことができ、そのうえ半田浴の熱に十分に耐え、
解像度に優れ、電気的特性も非常に優れたフイル
ムホトレジストを提供することができる。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、そ
れ自身で十分な強度をもつフイルムであるため、
単独で用いることができ、従来のフイルム状レジ
ストのように支持体フイルム層、レジスト層、保
護フイルム層からなる3層構造をとる必要はな
い。本発明のフイルムホトレジストは、凹凸を有
する基板表面、例えばレリーフが形成された基板
表面、レリーフが形成されていない粗化銅、凹凸
面を有する金属板などヘラミネートするにも好適
である。とくに上記凹凸差が30μm以上の場合に
おいて、本発明のフイルムホトレジストと3層構
造のそれとをラミネートしてその状態を観察する
と、本発明のフイルムホトレジストを用いる方が
空気の巻き込みが顕著に少なく優れている。また
本発明の積層構造フイルムホトレジストを用いる
と、画像焼付時にホトマスクをレジスト層に密着
させることができるために、鮮明かつ高解像度を
有する画像が得られる。さらにまた、メツキ用レ
ジスト、エツチング用レジストに使用した場合、
鮮明かつ高解像度を有する画像が得られるため
に、エツチング精度を向上させることができる。 本発明に用いる下層レジストは、好ましくは、
1)ブタジエン系重合体環化物および2)光架橋
剤、光増感剤および光重合開始剤よりなる群から
選ばれた少なくとも一種、またはこれらに3)染
料および/または顔料を加えてなる組成物をフイ
ルム状に形成したフイルム状ホトレジストであ
る。これは、ブタジエン系重合体環化物を主成分
とするならば、とくに上記に限定されるものでは
ない。 上記ブタジエン系重合体環化物は、ブタジエン
重合体もしくはブタジエン共重合体を芳香族炭化
水素などの溶剤に溶解したのち、有機アルミニウ
ム化合物と有機ハロゲン化物などの触媒で環化す
ることにより得られ、具体的には特公昭48―
29879号公報、同53―1318号公報、特開昭48―
66684号公報などに記載されている方法などによ
り得られる。 上記ブタジエン系重合体環化物のブタジエン単
位の結合様式に限定はないが、原料ブタジエン重
合体もしくはブタジエン共重合体の分子量、環化
物の環化率、および極限粘度〔η〕が特定の範囲
内にあることが望ましい。 すなわち、原料ブタジエン重合体もしくはブタ
ジエン共重合体の分子量は30000〜300000のもの
がよく、分子量が30000未満ではフイルムとして
使用したとき、光硬化により得られる画像が脆く
なる欠点があり、また分子量が300000を超えると
フイルムを基板上へラミネートするとき高温を必
要とし、そのため、フイルムの熱かぶりを完全に
防止することができない欠点がある。 またブタジエン系重合体環化物の環化率は40〜
70%の範囲が良く、環化率が40%未満ではブタジ
エン系重合体環化物がゴム的性質を示し、保管中
に支持フイルムの両側からはみ出す欠点があり、
環化率が70%を超えるとフイルムの可撓性が小さ
くなり、とくに銅貼積層板へのラミネートがうま
くいかない。 さらにブタジエン系重合体環化物の極限粘度
〔η〕30゜トルエンは0.3〜0.7(dl/g)の範囲にある
こ
とが好ましく、〔η〕30゜トルエンが0.3未満ではフイ
ルムおよびその光硬化部が脆く使用に耐えず、
〔η〕30゜トルエンが0.7を超えるとフイルムの厚みの
ムラが大きくなる欠点がある。 上記範囲のブタジエン系重合体環化物の中で
も、環化物の環化率(DC)と原料ブタジエン重
合体もしくはブタジエン共重合体の分子量
(MW)が、下記の()〜()式を満足する
ものを用いた場合には、下層レジストの耐熱性、
保存安定性がさらに良好になる。 () 30000≦MW≦300000 () DC/10≧9.5−log MW () DC/5≦8.5+log MW 上記のブタジエン系重合体環化物に対して好適
に添加される光架橋剤、光増感剤、光重合開始剤
としてはたとえば次のようなものが挙げられる。
光架橋剤としては2,6―ビス(4′―アジドベン
ザル)シクロヘキサノン、ビス(4―アジドベン
ザル)アセトン、4,4′―ジアジドスチルベン、
p―アジドベンザルアセトフエノンのようなアジ
ド化合物;光増感剤としてはp,p′―テトラメチ
ルジアミノベンゾフエノン、ベンゾフエノン、ア
ントラキノン、1,2―ベンズアントラキノン、
ビオアントロンのようなカルボニル化合物、5―
ニトロアセナフテン、α―ニトロナフタレン、2
―ニトロフルオレンのようなニトロ化合物;光重
合開始剤としてはベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベ
ンゾインジメチルケタールなどのベンゾイン系化
合物、ジフエニルジスルフイドなどのイオウ化合
物を挙げることができる。これらの化合物は、ブ
タジエン系重合体環化物100重量部に対し、好ま
しくは0.1〜10重量部使用するが、0.5〜5重量部
使用するときに最大の効果を示す。 さらに下層レジストには保存安定剤を添加する
のが好ましい。保存安定剤としては、たとえば
2,2′―メチレンビス(4―メチル―6―t―ブ
チルフエノール)、2,2′―メチレンビス(4―
エチル―6―t―ブチルフエノール)、2,6―
ジ―t―ブチル―p―クレゾールのようなアルキ
ルフエノール系化合物;フエニル―β―ナフチル
アミン、ジフエニル―p―フエニレンジアミン、
フエニルイソプロピルフエニレンジアミンなどの
ような芳香族アミン系化合物;ジラウリルチオジ
プロピオネート、4,4′―チオビス(6―t―ブ
チル―m―クレゾール)、2(3,5―ジ―t―ブ
チル―4―ヒドロキシアニリノ)―4,6―ビス
(N―オクチルチオ)―1,3,5―トリアジン
などのような硫黄系化合物などがあり、これら
は、ブタジエン系重合体環化物に対して0.1〜5
重量%添加するのが好ましい。 上層レジストに使用するモノオレフイン系不飽
和化合物の重合体もしくは共重合体(以下オレフ
イン系重合体と記す)は、通常の重合反応などで
容易に製造することができる。これらのものの分
子量は特に制限はないが、常温で液状を有するも
のは、フイルムレジストになりにくい欠点がある
こと、極端に分子量の高いものは、溶解が困難と
なるため、レジストとした場合に高解像度が得に
くいことなどの理由から好ましくない。好ましい
分子量は3万〜100万、特に5万〜80万である。 本発明に用いられるオレフイン系重合体として
は、たとえば、ポリスチレン、ポリα―メチルス
チレン、ポリ(スチレン―α―メチルスチレン)
などのような芳香族炭化水素系重合体、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ(塩化ビニル
―塩化ビニリデン)などのハロゲン化炭化水素系
重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリプロピオン酸ビニ
ル、ポリビニルメチルエーテルなどのオキシエス
テル系重合体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル
酸、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリ(メタクリル酸メチル―スチレン)な
どのアクリル酸またはメタクリル酸のエステル類
からなるアクリル系重合体、ポリアクリロニトリ
ル、ポリアクリルアミド、ポリN―ビニルカルバ
ゾール、ポリN―ビニルピロリドンなどの含窒素
系重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
(エチレン―プロピレン)などを挙げることがで
きる。これらのうち好ましいものはアクリル系重
合体であり、とくに好ましくはポリメタクリル酸
メチルまたはメタクリル酸メチルを50重量%以上
共重合した重合体である。 オレフイン系重合体と組合せる光重合性不飽和
化合物としては、分子内に光重合性二重結合を少
なくとも2個以上有するものであり、たとえばエ
チレングリコールジアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレートなどのアクリル酸やメタ
クリル酸のジエステル、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、トリメチロールエタントリメ
タクリレートなどのアクリル酸やメタクリル酸の
トリエステル、ペンタエリストールテトラアクリ
レートなどのアクリル酸やメタクリル酸のテトラ
エステルを挙ることができる。また、ビスフエノ
ールAのアルキレンオキシド付加体のアクリル酸
やメタクリル酸のエステル、たとえば2,2―ビ
ス(4―アクリロキシエトキシフエニル)プロパ
ン、2,2―ビス(4―メタクリロキシエトキシ
フエニル)プロパンなど、および環状脂肪族エポ
キシ樹脂やビスフエノールA―エピクロルヒドリ
ン系のエポキシ樹脂などのエポキシ基を少なくと
も2個含有する化合物とアクリル酸またはメタク
リル酸を反応させた化合物などを挙ることができ
るが、フイルムホトレジストの粘着性をより低減
させるために光重合性不飽和化合物は分子内に光
重合性二重結合を少なくとも3個以上有するもの
が好ましく、とくにトリメチロールプロパントリ
アクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレートなどのアクリル酸もしくはメタクリル
酸のトリエステル、テトラメチロールメタンテト
ラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラ
メタクリレートなどのアクリル酸もしくはメタク
リル酸のテトラエステルが好ましい。 これらの光重合性不飽和化合物は、オレフイン
系重合体100重量部に対して、5〜100重量部、と
くに20〜80重量部用いるのが好ましい。 上層レジストに使用する光架橋剤、光増感剤、
光重合開始剤は、前記下層レジストに使用するも
のと同じものを使用できる。すなわち、前記アジ
ド化合物、カルボニル化合物、ニトロ化合物、ベ
ンゾイル系化合物、イオウ化合物などを挙げるこ
とができ、これらをオレフイン系重合体100重量
部に対して、0.1〜10重量部使用することが好ま
しい。 上層レジストにも保存安定剤を添加するのが好
ましく、下層レジストに添加する保存安定剤と同
様のものを使用することができる。その添加量
は、オレフイン系重合体100重量部に対し、0.1〜
5重量部が好ましい。 本発明のフイルムレジストは、用途によつては
形成された画像を目視検査することがあるので、
見やすくするためレジストフイルム自体が着色さ
れていることが望ましい。このため、下層レジス
トおよび/または上層レジスト組成物を着色して
おくとよい。 着色は染料または顔料を用いて行うことができ
る。染料、顔料は本質的にはどのようなものでも
良いが、現像後に残る光硬化部の画像は着色して
いることが必要である。そのため、一般に使用さ
れている現像液である1,1,1―トリクロルエ
タンのようなハロゲン化炭化水素で抽出されにく
いものであることが好ましく、不溶性のものが好
適に使用される。このようなものとして、C.I.
Pigment Orange14(C.I.21165),C.I.Pigment
Red 13(C.I.12395)のようなアゾ系化合物、C.I.
Pigment Blue15(C.I74160)C.I.Pigment
Green7(C.I.74260)のようなフタロシアニン系化
合物、C.I.Pigment Blue22(C.I.69810)、C.I.Vat
Orange3(C.I.59300)のようなアントラキノン系
化合物、C.I.Vat Orange7(C.I.71105)、C.I.Vat
Red15(C.I.71100)のようなペリノン系化合物、
C.I.Vat Violet3(C.I.73395)のようなインジゴイ
ド系化合物、C.I.Pigment Red81(C.I.45160)の
ようなカルボニウム系化合物、C.I.Violet19(C.
I.46500)のようなキナクリドン系化合物などを
挙げることができる。これらの染料、顔料は好ま
しくはブタジエン系重合体環化物またはオレフイ
ン系重合体100重量部に対して0.01〜3.0重量部添
加して使用される。染料および/または顔料の添
加料が3.0重量部より多くなると染料または顔料
による光の吸収が大きく、十分な光硬化が起こり
にくい。また0.01重量部未満では、着色の効果が
十分でない。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、次
のようにして製造される。たとえば、(1)ブタジエ
ン系重合体環化物、および(2)光架橋剤、光増感剤
および光重合開始剤の少なくとも1種、必要なら
ば(3)染料または顔料を、トルエン、キシレン、テ
トラクロルエチレンなどの溶剤を用いて均一な組
成物としたものを、ポリテトラフルオロエチレン
などのフイルム支持体、あるいはポリエチレンフ
イルム、ポリエチレンテレフタレートフイルムそ
の他のプラスチツクフイルムまたは紙などに離型
処理を施した支持体の上に塗布、乾燥し膜厚5〜
200μmのフイルムとする。次いで、上記下層レ
ジスト上に、a)オレフイン系重合体、b)光重
合性不飽和化合物、c)光架橋剤、光増感剤およ
び光重合開始剤の少なくとも1種を、トルエン、
メチルエチルケトン、酢酸エチル、トリクロルエ
チレンなどの溶媒に溶解して均一な組成物とした
ものを塗布、乾燥し、膜厚が5〜200μmの上層
レジストを形成する。 上記方法と同様の手段によつてまず上層レジス
トのフイルムを形成し、その上に下層レジストを
形成する方法によつても製造することができる。 この積層構造フイルムホトレジストの残存溶剤
量は、1重量%以下におさえることが望ましく、
また積層構造フイルムレジストとしての膜厚は、
15〜300μmが好ましい。 積層構造フイルムホトレジストは、そのまま
で、あるいは支持体を剥したのち、下層レジスト
が被ラミネート物に接するように重ね、積層構造
フイルムホトレジストが変質せずしかも軟化する
温度、すなわち50〜180℃、好ましくは80〜160℃
に加熱することにより、容易にラミネートするこ
とができる。また被ラミネート物を50〜180℃、
好ましくは80〜160℃に加熱しておき、次に積層
構造フイルムホトレジストの下層レジストが被ラ
ミネート物に接するように重ね合わせゴムローラ
ーで加圧することによつてもラミネートすること
ができる。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、室
温で粘着性がなく、支持体を剥した状態で扱うこ
とができ、ネガフイルムと密着して露光でき、さ
らに現像液の種類による解像度の変化が解消され
るため、従来のフイルムレジストの解像度の低さ
も解消でき、ネガフイルムに忠実なパターンを焼
付けることができるという特長がある。 また本発明の積層構造フイルムホトレジスト
は、十分な耐熱性があり、アクリル酸エステル系
ソルダーレジストのように260℃のソルダーがけ
では一回が限度(約10秒)という制限がなく、
260℃、10分間でも耐えられるという特長がある。 さらに印刷配線板などの凹凸の厚みが150μm
のものでも真空ラミネータを使用せず、通常のラ
ミネータで十分ラミネートでき、なおかつ空気の
巻き込みなどの原因による基板との密着性不良が
ない。 なお、本発明の積層構造フイルムホトレジスト
の現像液は特に限定されるものではなく、たとえ
ば1,1,1―トリクロルエタン、1,1,1―
トリクロルエチレンなどのハロゲン化炭化水素、
トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などを
現像液として使用することができる。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、メ
ツキ用レジスト、エツチング用レジスト、ソルダ
ーレジストのいずれにも使用可能であり、電子産
業分野を始め、微細加工を必要とする工業分野に
貢献する所大である。 次に実施例によつて本発明をさらに具体的に説
明する。 実施例 1 分子量52000のシス―1,4―ポリブタジエン
をトルエン溶媒中で、トリクロロ酢酸とジエチル
アルミニウムセスキクロリドからなる触媒を用い
て環化し、環化率53%、〔η〕30゜トルエン=0.47の環
化物を得た。なお、上記の環化率は次式により求
めた値である。 環化率=(1−重合体の環化後の不飽和水素の全水
素に対する割合*/重合体の環化前の不飽和水素の全水
素に対する割合*)×100 注*:NMRにより測定 次に環化物濃度30.0重量%のトルエン溶液100
gに対し、シアニングリーン(C.I.74160)0.3g,
2―メチルアントラキノン0.6g、4,4′―チオ
ビス(6―t―ブチル―m―クレゾール)0.3g
を加え、ボールミルで均一な組成物とした。この
組成物をポリエステルフイルム〔藤森工業(株)製
BYNASHEET―38E―001C〕上に塗布し、80℃
で30分乾燥させ、厚み19μmの下層レジストを得
た。 次に、分子量110000のポリメタクリル酸メチル
をトルエンに溶解し、30.0重量%の濃度とした溶
液100gに対して、トリメチロールエタントリア
クリレート9g、2―メチルアントラキノン0.78
g、2,2メチレンビス(4―メチル―6―t―
ブチルフエノール)0.39gを加えて均一な組成物
としたものを上記下層レジスト上に塗布し、80℃
で30分乾燥させ、厚み計31μmの積層構造フイル
ムホトレジストを得た。 この積層構造フイルムホトレジストを支持体フ
イルムから剥した後、下層レジストが被ラミネー
ト物に接するようにして、110℃に予熱しておい
た銅貼積層板上へ1.2m/分の送り速度でゴムロ
ーラで圧着することによりラミネートした。ラミ
ネートされたフイルム上に最小線幅50μmのテス
トパターンフオトマスクを密着し、光強度
270W/m2の超高圧水銀灯光で30秒間露光した後、
1,1,1―トリクロルエタンで現像したとこ
ろ、パターンににじみのない鮮明な線幅50μmの
着色画像が得られた。 次いで25重量%の塩化第二鉄水溶液を用いて浸
漬法により50℃、10分間エツチングを行なつた。
そののち塩化メチレンを浸みこませた布切れでこ
すり、レジストを除去したところ、マスクに忠実
な銅箔パターンが得られた。 比較例 1 上層レジストを、積層しない実施例1と全く同
じ、下層レジストのみからなるフイルムホトレジ
ストについて実施例1と同じ方法でパターンを作
製したところ、鮮明な着色画像は得られたが、線
巾50μmが解像できなかつた。 実施例 2〜3 実施例1のポリメタクリル酸メチルの代わりに
下記の化合物及び溶剤を用いた以外は、全く同様
にパターンを作成したところ、結果は実施例1と
同じであつた。
ホトレジストに関する。 フイルムホトレジストは、プリント基板製造時
の導体パターン形成用のエツチングレジストおよ
びメツキレジストとして主として用いられてい
る。このようなフイルムホトレジストとしては、
たとえばDu Pont Co.の“Riston”,Dynachem
Corp.の“Laminar”、日立化成工業(株)の“日立感
光性レジストフイルム”があるが、これらはいず
れもアクリレート系重合体とアクリレート系単量
体および保存安定剤、染料、光重合開始剤からな
るものである。これらの組成物はアクリレート系
単量体が多量に入つているため軟かく粘着性をも
つためポリエステルフイルムなどの支持体フイル
ムとポリオレフインフイルムなどの保護フイルム
の間に挾まれて取扱われている。しかし、これら
の組成物はこのような形にして取扱つても、長期
高温で保管すると組成物が支持フイルムの両側か
らはみ出してきてフイルムの口開き性を悪くする
こと、アクリレート系単量体特有の不快な臭気が
あること、感光層に粘着性があるため画像焼付時
にフオトマスクを密着させることができず支持体
フイルムを介して焼付けねばならず鮮明な画像が
得にくいこと、また光硬化後のフイルムが脆く光
硬化により作つた画像が欠けやすいことなどの欠
点を有している。 またエツチングおよびメツキレジスト以外に、
レジストがフイルムの形態で使用される分野とし
てはプリント基板用のソルダーレジストがある
が、耐熱性が要求されるため、市販品のエツチン
グおよびメツキレジストをそのままソルダーレジ
ストとして用いることはできない。ソルダーレジ
スト用のフイルムホトレジストとして市販されて
いるものは、やはりアクリレート系の感光性樹脂
組成物であるが、前記エツチングおよびメツキレ
ジスト用フイルムホトレジストの場合と同様な欠
点を有するとともに、耐熱性も十分でない。 本発明者らは、これら市販品のフイルムホトレ
ジストの欠点を克服すべく鋭意検討した結果、(a)
ポリブタジエン環化物、(b)光架橋剤、光増感剤お
よび光重合開始剤よりなる群から選ばれた少なく
とも1種ならびに(c)保存安定剤からなる組成物、
またはそれに(d)染料および/または顔料を加えて
なる組成物をフイルム状に成形したことを特徴と
するフイルムホトレジストを使用すれば上記の欠
点がすべて解消され、しかもエツチング,メツキ
およびソルダーレジスト用のいずれとしても使用
可能であり、工業的にも寄与するところが大きい
ことを見出した。(特開昭55―98742号公報)しか
しこのフイルムホトレジストは現在市販の前記ア
クリレート系のフイルムホトレジストの現像液と
して使用されている引火性のない1,1,1―ト
リクロルエタンを現像液として使用すると、解像
度に限界があるという欠点がみられる。 そこで、さらに鋭意研究を重ねた結果、a)モ
ノオレフイン系不飽和化合物の重合体もしくは共
重合体100重量部、b)分子内に光重合性二重結
合を少なくとも2個以上有する多官能光重合性不
飽和化合物5〜100重量部、c)光架橋剤、光増
感剤および光重合開始剤の群から選ばれた少くと
も一種を必須成分とする組成物(以下上層レジス
トと記す)を、ブタジエン重合体の環化物もしく
はブタジエン共重合体の環化物(以下ブタジエン
系重合体環化物と記す)を主成分とするフイルム
ホトレジスト(以下下層レジストと記す)上に積
層した積層構造フイルムホトレジストを使用すれ
ば、前記すべての欠点が解消されることを見出
し、本発明に到達した。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、作
業性が極めて良く、特殊な真空ラミネータあるい
は加熱プレス等を用いることなく、通常のラミネ
ータ(例えばデユポン製A―24ラミネータ)を用
いても空気を巻き込まず基板表面にラミネートで
き、さらにレジストを基板表面に良く密着させる
ことができ、そのうえ半田浴の熱に十分に耐え、
解像度に優れ、電気的特性も非常に優れたフイル
ムホトレジストを提供することができる。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、そ
れ自身で十分な強度をもつフイルムであるため、
単独で用いることができ、従来のフイルム状レジ
ストのように支持体フイルム層、レジスト層、保
護フイルム層からなる3層構造をとる必要はな
い。本発明のフイルムホトレジストは、凹凸を有
する基板表面、例えばレリーフが形成された基板
表面、レリーフが形成されていない粗化銅、凹凸
面を有する金属板などヘラミネートするにも好適
である。とくに上記凹凸差が30μm以上の場合に
おいて、本発明のフイルムホトレジストと3層構
造のそれとをラミネートしてその状態を観察する
と、本発明のフイルムホトレジストを用いる方が
空気の巻き込みが顕著に少なく優れている。また
本発明の積層構造フイルムホトレジストを用いる
と、画像焼付時にホトマスクをレジスト層に密着
させることができるために、鮮明かつ高解像度を
有する画像が得られる。さらにまた、メツキ用レ
ジスト、エツチング用レジストに使用した場合、
鮮明かつ高解像度を有する画像が得られるため
に、エツチング精度を向上させることができる。 本発明に用いる下層レジストは、好ましくは、
1)ブタジエン系重合体環化物および2)光架橋
剤、光増感剤および光重合開始剤よりなる群から
選ばれた少なくとも一種、またはこれらに3)染
料および/または顔料を加えてなる組成物をフイ
ルム状に形成したフイルム状ホトレジストであ
る。これは、ブタジエン系重合体環化物を主成分
とするならば、とくに上記に限定されるものでは
ない。 上記ブタジエン系重合体環化物は、ブタジエン
重合体もしくはブタジエン共重合体を芳香族炭化
水素などの溶剤に溶解したのち、有機アルミニウ
ム化合物と有機ハロゲン化物などの触媒で環化す
ることにより得られ、具体的には特公昭48―
29879号公報、同53―1318号公報、特開昭48―
66684号公報などに記載されている方法などによ
り得られる。 上記ブタジエン系重合体環化物のブタジエン単
位の結合様式に限定はないが、原料ブタジエン重
合体もしくはブタジエン共重合体の分子量、環化
物の環化率、および極限粘度〔η〕が特定の範囲
内にあることが望ましい。 すなわち、原料ブタジエン重合体もしくはブタ
ジエン共重合体の分子量は30000〜300000のもの
がよく、分子量が30000未満ではフイルムとして
使用したとき、光硬化により得られる画像が脆く
なる欠点があり、また分子量が300000を超えると
フイルムを基板上へラミネートするとき高温を必
要とし、そのため、フイルムの熱かぶりを完全に
防止することができない欠点がある。 またブタジエン系重合体環化物の環化率は40〜
70%の範囲が良く、環化率が40%未満ではブタジ
エン系重合体環化物がゴム的性質を示し、保管中
に支持フイルムの両側からはみ出す欠点があり、
環化率が70%を超えるとフイルムの可撓性が小さ
くなり、とくに銅貼積層板へのラミネートがうま
くいかない。 さらにブタジエン系重合体環化物の極限粘度
〔η〕30゜トルエンは0.3〜0.7(dl/g)の範囲にある
こ
とが好ましく、〔η〕30゜トルエンが0.3未満ではフイ
ルムおよびその光硬化部が脆く使用に耐えず、
〔η〕30゜トルエンが0.7を超えるとフイルムの厚みの
ムラが大きくなる欠点がある。 上記範囲のブタジエン系重合体環化物の中で
も、環化物の環化率(DC)と原料ブタジエン重
合体もしくはブタジエン共重合体の分子量
(MW)が、下記の()〜()式を満足する
ものを用いた場合には、下層レジストの耐熱性、
保存安定性がさらに良好になる。 () 30000≦MW≦300000 () DC/10≧9.5−log MW () DC/5≦8.5+log MW 上記のブタジエン系重合体環化物に対して好適
に添加される光架橋剤、光増感剤、光重合開始剤
としてはたとえば次のようなものが挙げられる。
光架橋剤としては2,6―ビス(4′―アジドベン
ザル)シクロヘキサノン、ビス(4―アジドベン
ザル)アセトン、4,4′―ジアジドスチルベン、
p―アジドベンザルアセトフエノンのようなアジ
ド化合物;光増感剤としてはp,p′―テトラメチ
ルジアミノベンゾフエノン、ベンゾフエノン、ア
ントラキノン、1,2―ベンズアントラキノン、
ビオアントロンのようなカルボニル化合物、5―
ニトロアセナフテン、α―ニトロナフタレン、2
―ニトロフルオレンのようなニトロ化合物;光重
合開始剤としてはベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベ
ンゾインジメチルケタールなどのベンゾイン系化
合物、ジフエニルジスルフイドなどのイオウ化合
物を挙げることができる。これらの化合物は、ブ
タジエン系重合体環化物100重量部に対し、好ま
しくは0.1〜10重量部使用するが、0.5〜5重量部
使用するときに最大の効果を示す。 さらに下層レジストには保存安定剤を添加する
のが好ましい。保存安定剤としては、たとえば
2,2′―メチレンビス(4―メチル―6―t―ブ
チルフエノール)、2,2′―メチレンビス(4―
エチル―6―t―ブチルフエノール)、2,6―
ジ―t―ブチル―p―クレゾールのようなアルキ
ルフエノール系化合物;フエニル―β―ナフチル
アミン、ジフエニル―p―フエニレンジアミン、
フエニルイソプロピルフエニレンジアミンなどの
ような芳香族アミン系化合物;ジラウリルチオジ
プロピオネート、4,4′―チオビス(6―t―ブ
チル―m―クレゾール)、2(3,5―ジ―t―ブ
チル―4―ヒドロキシアニリノ)―4,6―ビス
(N―オクチルチオ)―1,3,5―トリアジン
などのような硫黄系化合物などがあり、これら
は、ブタジエン系重合体環化物に対して0.1〜5
重量%添加するのが好ましい。 上層レジストに使用するモノオレフイン系不飽
和化合物の重合体もしくは共重合体(以下オレフ
イン系重合体と記す)は、通常の重合反応などで
容易に製造することができる。これらのものの分
子量は特に制限はないが、常温で液状を有するも
のは、フイルムレジストになりにくい欠点がある
こと、極端に分子量の高いものは、溶解が困難と
なるため、レジストとした場合に高解像度が得に
くいことなどの理由から好ましくない。好ましい
分子量は3万〜100万、特に5万〜80万である。 本発明に用いられるオレフイン系重合体として
は、たとえば、ポリスチレン、ポリα―メチルス
チレン、ポリ(スチレン―α―メチルスチレン)
などのような芳香族炭化水素系重合体、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ(塩化ビニル
―塩化ビニリデン)などのハロゲン化炭化水素系
重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリプロピオン酸ビニ
ル、ポリビニルメチルエーテルなどのオキシエス
テル系重合体、ポリアクリル酸、ポリメタクリル
酸、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メ
チル、ポリ(メタクリル酸メチル―スチレン)な
どのアクリル酸またはメタクリル酸のエステル類
からなるアクリル系重合体、ポリアクリロニトリ
ル、ポリアクリルアミド、ポリN―ビニルカルバ
ゾール、ポリN―ビニルピロリドンなどの含窒素
系重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
(エチレン―プロピレン)などを挙げることがで
きる。これらのうち好ましいものはアクリル系重
合体であり、とくに好ましくはポリメタクリル酸
メチルまたはメタクリル酸メチルを50重量%以上
共重合した重合体である。 オレフイン系重合体と組合せる光重合性不飽和
化合物としては、分子内に光重合性二重結合を少
なくとも2個以上有するものであり、たとえばエ
チレングリコールジアクリレート、エチレングリ
コールジメタクリレートなどのアクリル酸やメタ
クリル酸のジエステル、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、トリメチロールエタントリメ
タクリレートなどのアクリル酸やメタクリル酸の
トリエステル、ペンタエリストールテトラアクリ
レートなどのアクリル酸やメタクリル酸のテトラ
エステルを挙ることができる。また、ビスフエノ
ールAのアルキレンオキシド付加体のアクリル酸
やメタクリル酸のエステル、たとえば2,2―ビ
ス(4―アクリロキシエトキシフエニル)プロパ
ン、2,2―ビス(4―メタクリロキシエトキシ
フエニル)プロパンなど、および環状脂肪族エポ
キシ樹脂やビスフエノールA―エピクロルヒドリ
ン系のエポキシ樹脂などのエポキシ基を少なくと
も2個含有する化合物とアクリル酸またはメタク
リル酸を反応させた化合物などを挙ることができ
るが、フイルムホトレジストの粘着性をより低減
させるために光重合性不飽和化合物は分子内に光
重合性二重結合を少なくとも3個以上有するもの
が好ましく、とくにトリメチロールプロパントリ
アクリレート、トリメチロールプロパントリメタ
クリレートなどのアクリル酸もしくはメタクリル
酸のトリエステル、テトラメチロールメタンテト
ラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラ
メタクリレートなどのアクリル酸もしくはメタク
リル酸のテトラエステルが好ましい。 これらの光重合性不飽和化合物は、オレフイン
系重合体100重量部に対して、5〜100重量部、と
くに20〜80重量部用いるのが好ましい。 上層レジストに使用する光架橋剤、光増感剤、
光重合開始剤は、前記下層レジストに使用するも
のと同じものを使用できる。すなわち、前記アジ
ド化合物、カルボニル化合物、ニトロ化合物、ベ
ンゾイル系化合物、イオウ化合物などを挙げるこ
とができ、これらをオレフイン系重合体100重量
部に対して、0.1〜10重量部使用することが好ま
しい。 上層レジストにも保存安定剤を添加するのが好
ましく、下層レジストに添加する保存安定剤と同
様のものを使用することができる。その添加量
は、オレフイン系重合体100重量部に対し、0.1〜
5重量部が好ましい。 本発明のフイルムレジストは、用途によつては
形成された画像を目視検査することがあるので、
見やすくするためレジストフイルム自体が着色さ
れていることが望ましい。このため、下層レジス
トおよび/または上層レジスト組成物を着色して
おくとよい。 着色は染料または顔料を用いて行うことができ
る。染料、顔料は本質的にはどのようなものでも
良いが、現像後に残る光硬化部の画像は着色して
いることが必要である。そのため、一般に使用さ
れている現像液である1,1,1―トリクロルエ
タンのようなハロゲン化炭化水素で抽出されにく
いものであることが好ましく、不溶性のものが好
適に使用される。このようなものとして、C.I.
Pigment Orange14(C.I.21165),C.I.Pigment
Red 13(C.I.12395)のようなアゾ系化合物、C.I.
Pigment Blue15(C.I74160)C.I.Pigment
Green7(C.I.74260)のようなフタロシアニン系化
合物、C.I.Pigment Blue22(C.I.69810)、C.I.Vat
Orange3(C.I.59300)のようなアントラキノン系
化合物、C.I.Vat Orange7(C.I.71105)、C.I.Vat
Red15(C.I.71100)のようなペリノン系化合物、
C.I.Vat Violet3(C.I.73395)のようなインジゴイ
ド系化合物、C.I.Pigment Red81(C.I.45160)の
ようなカルボニウム系化合物、C.I.Violet19(C.
I.46500)のようなキナクリドン系化合物などを
挙げることができる。これらの染料、顔料は好ま
しくはブタジエン系重合体環化物またはオレフイ
ン系重合体100重量部に対して0.01〜3.0重量部添
加して使用される。染料および/または顔料の添
加料が3.0重量部より多くなると染料または顔料
による光の吸収が大きく、十分な光硬化が起こり
にくい。また0.01重量部未満では、着色の効果が
十分でない。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、次
のようにして製造される。たとえば、(1)ブタジエ
ン系重合体環化物、および(2)光架橋剤、光増感剤
および光重合開始剤の少なくとも1種、必要なら
ば(3)染料または顔料を、トルエン、キシレン、テ
トラクロルエチレンなどの溶剤を用いて均一な組
成物としたものを、ポリテトラフルオロエチレン
などのフイルム支持体、あるいはポリエチレンフ
イルム、ポリエチレンテレフタレートフイルムそ
の他のプラスチツクフイルムまたは紙などに離型
処理を施した支持体の上に塗布、乾燥し膜厚5〜
200μmのフイルムとする。次いで、上記下層レ
ジスト上に、a)オレフイン系重合体、b)光重
合性不飽和化合物、c)光架橋剤、光増感剤およ
び光重合開始剤の少なくとも1種を、トルエン、
メチルエチルケトン、酢酸エチル、トリクロルエ
チレンなどの溶媒に溶解して均一な組成物とした
ものを塗布、乾燥し、膜厚が5〜200μmの上層
レジストを形成する。 上記方法と同様の手段によつてまず上層レジス
トのフイルムを形成し、その上に下層レジストを
形成する方法によつても製造することができる。 この積層構造フイルムホトレジストの残存溶剤
量は、1重量%以下におさえることが望ましく、
また積層構造フイルムレジストとしての膜厚は、
15〜300μmが好ましい。 積層構造フイルムホトレジストは、そのまま
で、あるいは支持体を剥したのち、下層レジスト
が被ラミネート物に接するように重ね、積層構造
フイルムホトレジストが変質せずしかも軟化する
温度、すなわち50〜180℃、好ましくは80〜160℃
に加熱することにより、容易にラミネートするこ
とができる。また被ラミネート物を50〜180℃、
好ましくは80〜160℃に加熱しておき、次に積層
構造フイルムホトレジストの下層レジストが被ラ
ミネート物に接するように重ね合わせゴムローラ
ーで加圧することによつてもラミネートすること
ができる。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、室
温で粘着性がなく、支持体を剥した状態で扱うこ
とができ、ネガフイルムと密着して露光でき、さ
らに現像液の種類による解像度の変化が解消され
るため、従来のフイルムレジストの解像度の低さ
も解消でき、ネガフイルムに忠実なパターンを焼
付けることができるという特長がある。 また本発明の積層構造フイルムホトレジスト
は、十分な耐熱性があり、アクリル酸エステル系
ソルダーレジストのように260℃のソルダーがけ
では一回が限度(約10秒)という制限がなく、
260℃、10分間でも耐えられるという特長がある。 さらに印刷配線板などの凹凸の厚みが150μm
のものでも真空ラミネータを使用せず、通常のラ
ミネータで十分ラミネートでき、なおかつ空気の
巻き込みなどの原因による基板との密着性不良が
ない。 なお、本発明の積層構造フイルムホトレジスト
の現像液は特に限定されるものではなく、たとえ
ば1,1,1―トリクロルエタン、1,1,1―
トリクロルエチレンなどのハロゲン化炭化水素、
トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素などを
現像液として使用することができる。 本発明の積層構造フイルムホトレジストは、メ
ツキ用レジスト、エツチング用レジスト、ソルダ
ーレジストのいずれにも使用可能であり、電子産
業分野を始め、微細加工を必要とする工業分野に
貢献する所大である。 次に実施例によつて本発明をさらに具体的に説
明する。 実施例 1 分子量52000のシス―1,4―ポリブタジエン
をトルエン溶媒中で、トリクロロ酢酸とジエチル
アルミニウムセスキクロリドからなる触媒を用い
て環化し、環化率53%、〔η〕30゜トルエン=0.47の環
化物を得た。なお、上記の環化率は次式により求
めた値である。 環化率=(1−重合体の環化後の不飽和水素の全水
素に対する割合*/重合体の環化前の不飽和水素の全水
素に対する割合*)×100 注*:NMRにより測定 次に環化物濃度30.0重量%のトルエン溶液100
gに対し、シアニングリーン(C.I.74160)0.3g,
2―メチルアントラキノン0.6g、4,4′―チオ
ビス(6―t―ブチル―m―クレゾール)0.3g
を加え、ボールミルで均一な組成物とした。この
組成物をポリエステルフイルム〔藤森工業(株)製
BYNASHEET―38E―001C〕上に塗布し、80℃
で30分乾燥させ、厚み19μmの下層レジストを得
た。 次に、分子量110000のポリメタクリル酸メチル
をトルエンに溶解し、30.0重量%の濃度とした溶
液100gに対して、トリメチロールエタントリア
クリレート9g、2―メチルアントラキノン0.78
g、2,2メチレンビス(4―メチル―6―t―
ブチルフエノール)0.39gを加えて均一な組成物
としたものを上記下層レジスト上に塗布し、80℃
で30分乾燥させ、厚み計31μmの積層構造フイル
ムホトレジストを得た。 この積層構造フイルムホトレジストを支持体フ
イルムから剥した後、下層レジストが被ラミネー
ト物に接するようにして、110℃に予熱しておい
た銅貼積層板上へ1.2m/分の送り速度でゴムロ
ーラで圧着することによりラミネートした。ラミ
ネートされたフイルム上に最小線幅50μmのテス
トパターンフオトマスクを密着し、光強度
270W/m2の超高圧水銀灯光で30秒間露光した後、
1,1,1―トリクロルエタンで現像したとこ
ろ、パターンににじみのない鮮明な線幅50μmの
着色画像が得られた。 次いで25重量%の塩化第二鉄水溶液を用いて浸
漬法により50℃、10分間エツチングを行なつた。
そののち塩化メチレンを浸みこませた布切れでこ
すり、レジストを除去したところ、マスクに忠実
な銅箔パターンが得られた。 比較例 1 上層レジストを、積層しない実施例1と全く同
じ、下層レジストのみからなるフイルムホトレジ
ストについて実施例1と同じ方法でパターンを作
製したところ、鮮明な着色画像は得られたが、線
巾50μmが解像できなかつた。 実施例 2〜3 実施例1のポリメタクリル酸メチルの代わりに
下記の化合物及び溶剤を用いた以外は、全く同様
にパターンを作成したところ、結果は実施例1と
同じであつた。
【表】
実施例 4〜6
実施例1のトリメチロールエタントリアクリレ
ートの代わりに下記の化合物を用いた以外は、全
く同様にしてパターンを作成したところ、結果
は、実施例1と同じであつた。
ートの代わりに下記の化合物を用いた以外は、全
く同様にしてパターンを作成したところ、結果
は、実施例1と同じであつた。
【表】
実施例 7
実施例1で得た積層構造フイルムホトレジスト
を、支持体フイルムを剥したのち、通常のゴムロ
ールを用いた被ラミネート物の表面温度120℃ラ
ミネート速度1.5m/分の条件で線幅100μm、線
間が100μm、厚さが70μmの銅部分を有する格子
状回路板にラミネートした。 積層構造フイルムホトレジストは、完全に凹凸
面にラミネートされ、空気の巻き込みは認められ
なかつた。 次に最小線幅50μmのテストパターンフオトマ
スクを密着し、光強度270W/m2の超高圧水銀灯
により40秒間露光したのち、1,1,1―トリク
ロルエタンを用いて現像したところ、鮮明かつ、
にじみのない線幅50μmの着色画像が得られた。 次いで150℃で30分加熱処理を行なつたところ、
ネガマスクに忠実な寸法精度の優れた画像永久保
護膜が得られ、260℃の半田浴へ20秒間づつ30回
浸漬しても何ら変化を受けず、ソルダーレジスト
として十分使用可能であつた。 比較例 2 特殊なラミネータの使用を指定しているDu
Pont社のフイルムレジスト“RISTON 740FR”
(アクリル酸エステル系重合体とアクリル酸エス
テル系単量体を主とするレジスト)を通常のラミ
ネータを用い一実施例7と同条件下で格子状回路
板上にラミネートした。 この“RISTON 740FR”によると空気の巻き
込みが認められ、ドライフイルムレジストと回路
板との密着が不十分であつた。さらに実施例7と
同様の露光、現像、加熱処理を行なつたのち、
260℃の半田浴へ10秒間浸漬したところ、1回の
処理でも樹脂表面に損傷が認められ、耐熱性に乏
しく、ソルダーレジストとして不満足なものであ
ることがわかつた。
を、支持体フイルムを剥したのち、通常のゴムロ
ールを用いた被ラミネート物の表面温度120℃ラ
ミネート速度1.5m/分の条件で線幅100μm、線
間が100μm、厚さが70μmの銅部分を有する格子
状回路板にラミネートした。 積層構造フイルムホトレジストは、完全に凹凸
面にラミネートされ、空気の巻き込みは認められ
なかつた。 次に最小線幅50μmのテストパターンフオトマ
スクを密着し、光強度270W/m2の超高圧水銀灯
により40秒間露光したのち、1,1,1―トリク
ロルエタンを用いて現像したところ、鮮明かつ、
にじみのない線幅50μmの着色画像が得られた。 次いで150℃で30分加熱処理を行なつたところ、
ネガマスクに忠実な寸法精度の優れた画像永久保
護膜が得られ、260℃の半田浴へ20秒間づつ30回
浸漬しても何ら変化を受けず、ソルダーレジスト
として十分使用可能であつた。 比較例 2 特殊なラミネータの使用を指定しているDu
Pont社のフイルムレジスト“RISTON 740FR”
(アクリル酸エステル系重合体とアクリル酸エス
テル系単量体を主とするレジスト)を通常のラミ
ネータを用い一実施例7と同条件下で格子状回路
板上にラミネートした。 この“RISTON 740FR”によると空気の巻き
込みが認められ、ドライフイルムレジストと回路
板との密着が不十分であつた。さらに実施例7と
同様の露光、現像、加熱処理を行なつたのち、
260℃の半田浴へ10秒間浸漬したところ、1回の
処理でも樹脂表面に損傷が認められ、耐熱性に乏
しく、ソルダーレジストとして不満足なものであ
ることがわかつた。
Claims (1)
- 1 a)モノオレフイン系不飽和化合物の重合体
もしくは共重合体100重量部、b)分子内に光重
合性二重結合を少なくとも2個以上有する多官能
光重合性不飽和化合物5〜100重量部、c)光架
橋剤、光増感剤および光重合開始剤の群から選ば
れた少なくとも一種を必須成分とする組成物を、
ブタジエン重合体の環化物もしくはブタジエン共
重合体の環化物を主成分とするフイルムレジスト
上に積層してなる積層構造フイルムホトレジス
ト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8478080A JPS5711338A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Film photoresist having laminate structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8478080A JPS5711338A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Film photoresist having laminate structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5711338A JPS5711338A (en) | 1982-01-21 |
JPS6349209B2 true JPS6349209B2 (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=13840198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8478080A Granted JPS5711338A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Film photoresist having laminate structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5711338A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4752553A (en) * | 1982-04-01 | 1988-06-21 | M&T Chemicals Inc. | High resolution solder mask photopolymers for screen coating over circuit traces |
DE3468542D1 (en) * | 1983-11-03 | 1988-02-11 | Basf Ag | Photopolymerisable registration material for the preparation of printing forms and process for the production of printing forms with this materials |
JP2635353B2 (ja) * | 1988-02-29 | 1997-07-30 | 日本合成化学工業株式会社 | 画像形成方法 |
-
1980
- 1980-06-23 JP JP8478080A patent/JPS5711338A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5711338A (en) | 1982-01-21 |
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