JPS6348730A - イオン発生装置 - Google Patents
イオン発生装置Info
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- JPS6348730A JPS6348730A JP61189994A JP18999486A JPS6348730A JP S6348730 A JPS6348730 A JP S6348730A JP 61189994 A JP61189994 A JP 61189994A JP 18999486 A JP18999486 A JP 18999486A JP S6348730 A JPS6348730 A JP S6348730A
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- gas
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- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 63
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 31
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N phosphorus trifluoride Chemical compound FP(F)F WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- -1 boron ion Chemical class 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明はイオン発生装置に関し、例えば熱電子の衝突に
よるガスの電離現象を利用するイオン源に関するもので
ある。
よるガスの電離現象を利用するイオン源に関するもので
ある。
口、従来技術
従来、イオン注入装置のイオン源として第７図に示す様
な、一般にフリーマン形と呼１：ｆれる熱陰極形イオン
源が使用されている。以下にフリーマン形イオン源の簡
単な説明をする。
な、一般にフリーマン形と呼１：ｆれる熱陰極形イオン
源が使用されている。以下にフリーマン形イオン源の簡
単な説明をする。
熱陰極１に数十アンペア−数百アンペアの電流を流して
熱陰極を加熱することにより熱電子を放出させ、熱陰極
１とイオン化箱４との間に数十ポルトル数百ボルトの電
圧Ｅ１をかけた状態でガス導入管３より、三フフ化ホウ
素（ＢＦ３）、三フフ化リン（ＰＦ３）、素剪気（Ａ、
）等の被イオン化ガスを導入する。この結果、被イオン
化ガスは熱電子との衝突により型剤し、イオン化箱内部
にプラズマが発生する。通常は、熱陰極１と平行方向に
ｃｄ界をかけることにより熱電子の運動工程を長くし、
供給ガスとの衝突回数を増やすことによりイオン密度を
増し、安定した高密度プラズマを得ている。プラズマ中
のイオンは、イオン化箱４とイオン引出し電１】５の間
にかけられｆこ電位Ｅ２により、イオン化箱側面に設け
られたスリットＳを通して他の処理系、例えばイオンビ
ーム分離部、更にはイオン打込み室へと引き出さＡ’Ｌ
’ｌ。なお、図中の２は絶縁物、６は熱陰極（フィラメ
ント）電源、７はアーク電源、８はイオン引出し電源で
ある。
熱陰極を加熱することにより熱電子を放出させ、熱陰極
１とイオン化箱４との間に数十ポルトル数百ボルトの電
圧Ｅ１をかけた状態でガス導入管３より、三フフ化ホウ
素（ＢＦ３）、三フフ化リン（ＰＦ３）、素剪気（Ａ、
）等の被イオン化ガスを導入する。この結果、被イオン
化ガスは熱電子との衝突により型剤し、イオン化箱内部
にプラズマが発生する。通常は、熱陰極１と平行方向に
ｃｄ界をかけることにより熱電子の運動工程を長くし、
供給ガスとの衝突回数を増やすことによりイオン密度を
増し、安定した高密度プラズマを得ている。プラズマ中
のイオンは、イオン化箱４とイオン引出し電１】５の間
にかけられｆこ電位Ｅ２により、イオン化箱側面に設け
られたスリットＳを通して他の処理系、例えばイオンビ
ーム分離部、更にはイオン打込み室へと引き出さＡ’Ｌ
’ｌ。なお、図中の２は絶縁物、６は熱陰極（フィラメ
ント）電源、７はアーク電源、８はイオン引出し電源で
ある。
しかしながら、上記のような購造のイオン源においては
、イオン化箱４のプラズマ中の陽イオンが陰極１に衝突
するため、熱陰極１はスパッタリング効果によって時間
の経過と共に細くなっていき、ついには断線し、イオン
源は寿命を終える。
、イオン化箱４のプラズマ中の陽イオンが陰極１に衝突
するため、熱陰極１はスパッタリング効果によって時間
の経過と共に細くなっていき、ついには断線し、イオン
源は寿命を終える。
一般に、中電流イオン注入装置と呼ばれる装置のイオン
源を例にする（以下、特に断らない限り同イオン源を例
とする。）と、第２図の様なタングステン（Ｗ）熱陰極
１が数時間後には第３図のごとくスパッタされて細くな
り、その寿命が通常百時間以内と短く、熱陰極の交換に
要する時間の為、イオン注入装置の稼動率を低下させて
いた。
源を例にする（以下、特に断らない限り同イオン源を例
とする。）と、第２図の様なタングステン（Ｗ）熱陰極
１が数時間後には第３図のごとくスパッタされて細くな
り、その寿命が通常百時間以内と短く、熱陰極の交換に
要する時間の為、イオン注入装置の稼動率を低下させて
いた。
ハ０発明の目的
本発明の目的は、陰極の断線等を防止し、高寿命化を実
現したイオン発生装置を提供するものである。
現したイオン発生装置を提供するものである。
二８発明の構成
即ち、本発明は、イオン化を行なうためのチャンバーと
、このチャンバー内にｒ己された陰極と、前記チャンバ
ー内に被イオン化ガスを導入するためのガス導入管とを
有し、かつ前記被イオン化ガスと同時に他の活性ガスを
前記チャンバーに導入するように構成したイオン発生装
置に係るものである。
、このチャンバー内にｒ己された陰極と、前記チャンバ
ー内に被イオン化ガスを導入するためのガス導入管とを
有し、かつ前記被イオン化ガスと同時に他の活性ガスを
前記チャンバーに導入するように構成したイオン発生装
置に係るものである。
ホ、実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は、中電流イオン注入装置において、ホウ素（Ｂ
）又はリン（Ｐ）イオン等を取り出すためのイオン源に
本発明を実施した例である。第７図と重複する部分は、
第７図と同じ番号を付けである。
）又はリン（Ｐ）イオン等を取り出すためのイオン源に
本発明を実施した例である。第７図と重複する部分は、
第７図と同じ番号を付けである。
電源６より熱陰極１ （以下、フィラメントと呼ぶ）に
電力が供給されて発生した熱電子が、フィラメント１と
イオン化箱４との間の電圧７ （以下、アーク電圧と呼
ぶ）と、熱陰極１と平行方向の磁界の作用を受けてガス
導入管３から導入された三フフ化ホウ素（ＢＦ３）又は
三フッ化リン（ＰＦ３）等を電離させ、イオン化箱４の
内部にプラズマが発生する。フィラメント１とイオン化
箱４との間に流れる電流（以下、アーク電流と呼ぶ）を
測定するアーク電流測定器１０の信号を受けて、アーク
制御器１１がアーク電流を一定にするように電源６．７
を調整することにより目的のプラズマが得られる。
電力が供給されて発生した熱電子が、フィラメント１と
イオン化箱４との間の電圧７ （以下、アーク電圧と呼
ぶ）と、熱陰極１と平行方向の磁界の作用を受けてガス
導入管３から導入された三フフ化ホウ素（ＢＦ３）又は
三フッ化リン（ＰＦ３）等を電離させ、イオン化箱４の
内部にプラズマが発生する。フィラメント１とイオン化
箱４との間に流れる電流（以下、アーク電流と呼ぶ）を
測定するアーク電流測定器１０の信号を受けて、アーク
制御器１１がアーク電流を一定にするように電源６．７
を調整することにより目的のプラズマが得られる。
バルブ１９が閉じている状態では、フィラメント１はス
パッタリング効果などにより時間の経過と共に減少する
が、その割合はアーク電圧とアーク電流に比例し、その
゛減少の程度はフィラメントに流れる電流（以下、フィ
ラメント電流と呼ぶ）によって知ることができる。フィ
ラメント電流は電流測定器２０によって測定し、この信
号及び上記のアーク電流値を受けて、ガス自動詞？Ｉｌ
ｌ器１２がバルブＩＳの開閉を制御する。なお、図中の
１３．１４はガスレギヱレータ、１５．１６はガス流量
可変バルブ、１７うよ被イオン化ガスボンベ、１８は活
性ガスボンベ、ＩＳはリモートバルブである。
パッタリング効果などにより時間の経過と共に減少する
が、その割合はアーク電圧とアーク電流に比例し、その
゛減少の程度はフィラメントに流れる電流（以下、フィ
ラメント電流と呼ぶ）によって知ることができる。フィ
ラメント電流は電流測定器２０によって測定し、この信
号及び上記のアーク電流値を受けて、ガス自動詞？Ｉｌ
ｌ器１２がバルブＩＳの開閉を制御する。なお、図中の
１３．１４はガスレギヱレータ、１５．１６はガス流量
可変バルブ、１７うよ被イオン化ガスボンベ、１８は活
性ガスボンベ、ＩＳはリモートバルブである。
まｆこ、上記において「活性ガス」とは、不活性ガスで
はないという意味であり、それには０□等を使用する。
はないという意味であり、それには０□等を使用する。
また、「被イオン化ガス」には気化ガスも含まれる。
第１図の装置において、被イオン化ガスの専入己同時に
、ある種の活性ガス（例えば０．）を真大し、プラズマ
を発生させると、時間の経過と共にイオン化箱内壁のご
部が熱陰極に堆積し、熱陰極の一部となることが本発明
者の実験で確認されている。被イオン化ガスとして三フ
ン化ホウ素（ＢＦ３）を８５％、活性ガスとして酸素（
０２）を１５％、イオン化箱としてモリブデン（ＭＯ）
、熱陰極として直径２１１１長さ８０亀１のタングステ
ン（Ｗ）を使用しグこ例をあげると、第２図に示ず熱陰
極１が、約５時間で第４図に示す様に直径が約１．３倍
に成長する。皿ち、熱陰極１のスパッタリング及び成長
を制御する様に活性ガスを真大することにより、陰（瓜
１の減少（消耗）及び断線を防止でき、その長寿命化を
図ることができるのである。
、ある種の活性ガス（例えば０．）を真大し、プラズマ
を発生させると、時間の経過と共にイオン化箱内壁のご
部が熱陰極に堆積し、熱陰極の一部となることが本発明
者の実験で確認されている。被イオン化ガスとして三フ
ン化ホウ素（ＢＦ３）を８５％、活性ガスとして酸素（
０２）を１５％、イオン化箱としてモリブデン（ＭＯ）
、熱陰極として直径２１１１長さ８０亀１のタングステ
ン（Ｗ）を使用しグこ例をあげると、第２図に示ず熱陰
極１が、約５時間で第４図に示す様に直径が約１．３倍
に成長する。皿ち、熱陰極１のスパッタリング及び成長
を制御する様に活性ガスを真大することにより、陰（瓜
１の減少（消耗）及び断線を防止でき、その長寿命化を
図ることができるのである。
本実施例によれば更に、被イオン化ガスとして三フッ化
リン（ＰＦ３）を使用し、真人ガスの１５％を０□とし
、フィラメントＩとして直径２Ｉ、長さ８０ｍ−のタン
グステン（〜Ｖ）、イオン化箱４ととてモリブデン（Ｍ
ｏ）を使用し、アーク電圧１００■、アーク電流０．５
Ａ：こ固定したｔ、′、のう′−νり第第５図に示すが
、線０−Ｐがバルブ１９を閉している時の時間に対する
フィラメント電流の値である。ところが、バルブＩＳが
開いている状態では、イオン化箱４内壁の一部がフィラ
メントの一部に堆積することにより、時間の経過とけ（
にフィラメント電流が増えるが、第５図の線Ｐ−Ｑがこ
れに対応する。
リン（ＰＦ３）を使用し、真人ガスの１５％を０□とし
、フィラメントＩとして直径２Ｉ、長さ８０ｍ−のタン
グステン（〜Ｖ）、イオン化箱４ととてモリブデン（Ｍ
ｏ）を使用し、アーク電圧１００■、アーク電流０．５
Ａ：こ固定したｔ、′、のう′−νり第第５図に示すが
、線０−Ｐがバルブ１９を閉している時の時間に対する
フィラメント電流の値である。ところが、バルブＩＳが
開いている状態では、イオン化箱４内壁の一部がフィラ
メントの一部に堆積することにより、時間の経過とけ（
にフィラメント電流が増えるが、第５図の線Ｐ−Ｑがこ
れに対応する。
ガス自動制御器１２がフィラメント電流値、フィラメン
ト電圧値、アーク電圧値及びアーク電流値からフィラメ
ント量を算出し、フィラメント量が一定範囲に納まるよ
うにバルブ１９を制御することにより、フィラメント寿
命を半永久的にし、極めて高寿命のイオン源が実現する
。
ト電圧値、アーク電圧値及びアーク電流値からフィラメ
ント量を算出し、フィラメント量が一定範囲に納まるよ
うにバルブ１９を制御することにより、フィラメント寿
命を半永久的にし、極めて高寿命のイオン源が実現する
。
第１図の例の様に、被・イオン化ガスとの相乗効果ある
いはそれら自身の効果によりフィラメント１を成長させ
る作用をする活性ガスを、被イオン化ガスと同時に導入
することにより、フィラメント寿命は半永久的となる。
いはそれら自身の効果によりフィラメント１を成長させ
る作用をする活性ガスを、被イオン化ガスと同時に導入
することにより、フィラメント寿命は半永久的となる。
さらに、フィラメント１の量が一定になる様に制御する
ことにより、フィラメント１がスパッタされることによ
りイオン化箱４の内壁に堆積したフィラメントの一部が
再びフィラメントに戻ってくるサイクルを繰り返すため
、イオン化箱の劣化が少なく、極めて高寿命のイオン源
が実現する。第１図と同様の制御をホウ素イオン源に適
用し、通常のイオン注入装置のイオン源として連続運転
させた時の、時間に対するフィラメント電流のデータ例
を第６図に示しているが、本発明が大きな効果を表わし
ていることがわかる。
ことにより、フィラメント１がスパッタされることによ
りイオン化箱４の内壁に堆積したフィラメントの一部が
再びフィラメントに戻ってくるサイクルを繰り返すため
、イオン化箱の劣化が少なく、極めて高寿命のイオン源
が実現する。第１図と同様の制御をホウ素イオン源に適
用し、通常のイオン注入装置のイオン源として連続運転
させた時の、時間に対するフィラメント電流のデータ例
を第６図に示しているが、本発明が大きな効果を表わし
ていることがわかる。
第１図の例は、被イオン化ガスを一定量流しておき、決
められた量の活性ガスを間欠的に流すことにより制御し
ているが、活性ガスの流量を制御し２ても同様の効果が
得られる。さらに、スパッタ率と成長率が同じになる様
な比率で予め混合されたガスを使用しても同様の効果を
得ることができる。
められた量の活性ガスを間欠的に流すことにより制御し
ているが、活性ガスの流量を制御し２ても同様の効果が
得られる。さらに、スパッタ率と成長率が同じになる様
な比率で予め混合されたガスを使用しても同様の効果を
得ることができる。
活性ガスも０□に限らず、他のガス（例えばＣＯ２、Ｈ
２Ｏ２）であってよい。活性ガスの供給方式も変更でき
、被イオン化ガスと別々に導入してもよい。
２Ｏ２）であってよい。活性ガスの供給方式も変更でき
、被イオン化ガスと別々に導入してもよい。
また、上述の例は、イオン化箱の一部をフィラメントに
堆積させることで目的を達成しているが、活性ガスとし
てその内部にフィラメントの一部に成り得る高融点金属
を含むガス、例えばＷＦ、、ＭｏＦ、を使用しても本目
的を達成できる。
堆積させることで目的を達成しているが、活性ガスとし
てその内部にフィラメントの一部に成り得る高融点金属
を含むガス、例えばＷＦ、、ＭｏＦ、を使用しても本目
的を達成できる。
被イオン化ガスの種類によっては一種類の活性ガスでは
本効果を表わさないものがあるが、二種類以上の活性ガ
スを使用することにより本目的を達成することが出来る
。したがって、本発明はフィラメントの寿命を半永久的
にすることを目的と １して被イオン化ガスの導入と同
時に活性ガスを導入するものであり、活性ガスの種類及
びその数には依存しない。使用するフィラメント及びイ
オン化箱はＭｏ 、 ＷやＴａ等の高融点金属からなる
が、他の材質であってもよい。また、例としてイオン注
入装置におけるイオン源を挙げたが、熱陰極を使用する
イオン源ならば本発明は適用出来る。
本効果を表わさないものがあるが、二種類以上の活性ガ
スを使用することにより本目的を達成することが出来る
。したがって、本発明はフィラメントの寿命を半永久的
にすることを目的と １して被イオン化ガスの導入と同
時に活性ガスを導入するものであり、活性ガスの種類及
びその数には依存しない。使用するフィラメント及びイ
オン化箱はＭｏ 、 ＷやＴａ等の高融点金属からなる
が、他の材質であってもよい。また、例としてイオン注
入装置におけるイオン源を挙げたが、熱陰極を使用する
イオン源ならば本発明は適用出来る。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
へ３発明の作用効果
本発明は上述の如く、被イオン化ガスと同時に他の活性
ガスを導入しているので、この活性ガスによるスパッタ
効果及びこの活性ガスと被イオン化ガスとの相乗効果に
よる陰極の成長を生ぜしめ、また陰極がスパッタされる
ことによりイオン化用チャンバーの内壁に堆積した陰極
材料の一部が再び陰極に戻ってくるサイクルを繰り返す
ため、ヂャンバー及び陰極の劣化が少なく、極めて高寿
命のイオン発生装置が実現する。
ガスを導入しているので、この活性ガスによるスパッタ
効果及びこの活性ガスと被イオン化ガスとの相乗効果に
よる陰極の成長を生ぜしめ、また陰極がスパッタされる
ことによりイオン化用チャンバーの内壁に堆積した陰極
材料の一部が再び陰極に戻ってくるサイクルを繰り返す
ため、ヂャンバー及び陰極の劣化が少なく、極めて高寿
命のイオン発生装置が実現する。
図面は本発明を説明するものであって、第１図は本発明
の実施例による熱陰極形イオン源の概略図、 第２図は使用前のフィラメント（陰極）の正面図、 第３図はスパッタされたフィラメントの正面図、第４図
は成長したフィラメントの正面図、第５図は第１図の実
施例（但し、ＰＦ３を使用）における時間に対するフィ
ラメント電流のデーりを示すグラフ、 第６図は第１図と同様の；ｉｉｊ御をホウ素イオン源に
施した時の時間に対するフィラメント電流のデータを示
すグラフ、 第７図は従来の熱陰極形イオン源の概略図である。 なお、図面に示す符号Ｓこおいて、 １−−−−−−−−・・熱陰極（フィラメント）３−−
−−− ガス導入管 ４−−−一一一一−−・ イオン化箱 ５−一一一−−−−−−イオン引出し電極６−・・−一
一−−−−−・−フィラメント電源７−−−アーク電源 ８−・−−−一−−−・ イオン引出し電源９−・−−
一−−−−・−スリット １０− ・−・−アーク電流測定器 ＋１−−−〜−−−−・・−アーク制御器＋ ２−−−
−−−−−ガス自動制御器１３、＋ ４−−−−−−
ガスレギュレーク１５、＋ ６−−−−−−−−−−ガ
ス流量可変バルブ１７・・−・・−・・−被イオン化ガ
スボンベ１８・−・・・−・・・−活性ガスボンへ１９
−・−・−・・−・−リモートパルプ２０−−・・・・
−・−一−−−・フィラメント電流測定器である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 ド＼い＼ハＪ−ｉ戦ミ
の実施例による熱陰極形イオン源の概略図、 第２図は使用前のフィラメント（陰極）の正面図、 第３図はスパッタされたフィラメントの正面図、第４図
は成長したフィラメントの正面図、第５図は第１図の実
施例（但し、ＰＦ３を使用）における時間に対するフィ
ラメント電流のデーりを示すグラフ、 第６図は第１図と同様の；ｉｉｊ御をホウ素イオン源に
施した時の時間に対するフィラメント電流のデータを示
すグラフ、 第７図は従来の熱陰極形イオン源の概略図である。 なお、図面に示す符号Ｓこおいて、 １−−−−−−−−・・熱陰極（フィラメント）３−−
−−− ガス導入管 ４−−−一一一一−−・ イオン化箱 ５−一一一−−−−−−イオン引出し電極６−・・−一
一−−−−−・−フィラメント電源７−−−アーク電源 ８−・−−−一−−−・ イオン引出し電源９−・−−
一−−−−・−スリット １０− ・−・−アーク電流測定器 ＋１−−−〜−−−−・・−アーク制御器＋ ２−−−
−−−−−ガス自動制御器１３、＋ ４−−−−−−
ガスレギュレーク１５、＋ ６−−−−−−−−−−ガ
ス流量可変バルブ１７・・−・・−・・−被イオン化ガ
スボンベ１８・−・・・−・・・−活性ガスボンへ１９
−・−・−・・−・−リモートパルプ２０−−・・・・
−・−一−−−・フィラメント電流測定器である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 ド＼い＼ハＪ−ｉ戦ミ
Claims (1)
- １、イオン化を行なうためのチャンバーと、このチャン
バー内に配された陰極と、前記チャンバー内に被イオン
化ガスを導入するためのガス導入管とを有し、かつ前記
被イオン化ガスと同時に他の活性ガスを前記チャンバー
に導入するように構成したイオン発生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189994A JP2530434B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | イオン発生装置 |
| US07/314,330 US4883969A (en) | 1986-08-13 | 1989-02-21 | Method of ionizing gas within cathode-containing chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61189994A JP2530434B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | イオン発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348730A true JPS6348730A (ja) | 1988-03-01 |
| JP2530434B2 JP2530434B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=16250614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61189994A Expired - Lifetime JP2530434B2 (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | イオン発生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4883969A (ja) |
| JP (1) | JP2530434B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH01246756A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | イオン源装置 |
| JPH025335A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Tokyo Electron Ltd | イオン源テスト装置 |
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| US9455147B2 (en) | 2005-08-30 | 2016-09-27 | Entegris, Inc. | Boron ion implantation using alternative fluorinated boron precursors, and formation of large boron hydrides for implantation |
| US9685304B2 (en) | 2009-10-27 | 2017-06-20 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
| JP2019139990A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 株式会社アルバック | イオン源及びイオン注入装置 |
| JP2022514243A (ja) * | 2018-12-15 | 2022-02-10 | インテグリス・インコーポレーテッド | フッ素イオン注入方法およびシステム |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2724503B2 (ja) * | 1989-06-29 | 1998-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン注入装置 |
| GB9210897D0 (en) * | 1992-05-21 | 1992-07-08 | Superion Ltd | Apparatus for and method of producing ions |
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| US5523646A (en) * | 1994-08-17 | 1996-06-04 | Tucciarone; John F. | An arc chamber assembly for use in an ionization source |
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| JP6238689B2 (ja) | 2013-11-13 | 2017-11-29 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン生成装置およびイオン生成方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3916034A (en) * | 1971-05-21 | 1975-10-28 | Hitachi Ltd | Method of transporting substances in a plasma stream to and depositing it on a target |
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1986
- 1986-08-13 JP JP61189994A patent/JP2530434B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| TWI494975B (zh) * | 2008-02-11 | 2015-08-01 | Advanced Tech Materials | 在半導體處理系統中離子源之清洗 |
| JP2012517684A (ja) * | 2008-02-11 | 2012-08-02 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 半導体プロセスシステムにおけるイオンソース（イオン源）のクリーニング |
| US9991095B2 (en) | 2008-02-11 | 2018-06-05 | Entegris, Inc. | Ion source cleaning in semiconductor processing systems |
| US9685304B2 (en) | 2009-10-27 | 2017-06-20 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4883969A (en) | 1989-11-28 |
| JP2530434B2 (ja) | 1996-09-04 |
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