DE2610165C2 - Duoplasmatron-Ionenquelle zur Erzeugung mehrfach geladener Ionen - Google Patents
Duoplasmatron-Ionenquelle zur Erzeugung mehrfach geladener IonenInfo
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000003337 fertilizer Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
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Abstract
Ionenstrahlen mit Energien oberhalb von etwa 30 keV finden vielfaeltige Verwendung in physikalischer Forschung und Technik wie z.B. fuer Teilchenbeschleuniger zur Durchfuehrung atom- und kernphysikalischer Grundlagenforschung, zur Untersuchung von Strahlungsschaeden fuer den Reaktorbau oder zu biomedizinischen Anwendungen sowie in der Implantationstechnik zur Produktion von Halbleiterbauelementen. Die Erfindung betrifft eine Quelle zur Erzeugung einfach und/oder mehrfach geladener Ionen mit einer Gluehkathode sowie einer Zwischenelektrode und einer Anode, die Durchtrittsoeffnungen aufweisen und einen Gasentladungsraum begrenzen, in dem Elektronen und/oder Hilfsgasionen die Ionen bilden, und mit einer ein Magnetfeld entlang einer gemeinsamen Symmetrieachse der Zwischenelektrode und Anode erzeugenden Spule mit Magnetjoch. Die Durchtrittsoeffnung der Anode ist im Bereich der maximalen Axialkomponente des Magnetfeldes angeordnet. In vorteilhafter Weise kann dazu der Bereich der Anode um die Durchtrittsoeffnung als Anodenschild aus nichtmagnetischem Material ausgebildet und ausserdem kuehlbar sein. Eine Ausfuehrungsform der Erfindung sieht vor, dass der Anodenschild aus mindestens zwei Teilen besteht, die zudem austauschbar sind. Ausserdem ist es moeglich, bei einer Weiterbildung der erfindungsgemaessen Quelle um die Durchtrittsoeffnung der Zwischenelektrode einen Zylinder aus hochschmelzendem, nichtmagnetischem Material anzuordnen. Damit koennen durch Gestaltung der El...U.S.W
Description
Die Erfindung betrifft eine Duoplasmatron-Ionenquelle
der im Oberbegriff des Anspruches 1 genannten Art.
Eine derartige Quelle ist aus dem GSI-Bericht A 1-74, März 1974, S. 1 -86 bekannt. Bei ihr wird jedoch
die höchste Ausbeute an mehrfach geladenen Ionen für Magnetfeldfigurationen erreicht, bei denen das Maximum
der axialen Magnetflußdichte zwischen der Anode und der Zwischenelektrode liegt.
lonenstrahlen mit Energien oberhalb von etwa keV finden vielfältige Verwendung in physikalischer
Forschung und Technik wie z. B. für Teilchenbeschleuniger zur Durchführung atom- und kernphysikalischer
Grundlagenforschung, zur Untersuchung von Strahlungsschäden für den Reaktorbau oder zu biomedizinischen
Anwendungen sowie in der Implantationstechnik zur Produktion von Halbleiterbauelementen. Zur
Beschleunigung mehrfach geladener Ionen ist der apparative Aufwand wesentlich geringer als für die
einfach geladener; die in der Hochenergiephysik eingesetzten hochfrequenzbeschleuniger benötigen sogar
Ionen einer ganz bestimmten spezifischen Mindestladung, so daß Quellen hochgeladener Ionen eine große
ίο Bedeutung zukommt
Es ist weiterhin eine als Duoplasmatron-Ionenquelle bezeichnete Quelle bekannt (UNILAC-Projektberichte
Nr. 8 und 9, (1973)), bei der die Energie der ionisierenden Primärelektronen aufgrund der Eigenheiten der Entladungsstruktur
begrenzt ist weshalb für jedes Element die erreichbare Ionenladungszahl nach oben hin
beschränkt wird.
Die der Erfindung gestellte Aufgabe besteht nunmehr darin, die eingangs genannte Duoplasmatron-Ionenquelle
derart zu verbessern, daß die Ausbeute an Ionen großer spezifischer Ladung, insbesondere für Elemente
mit hoher Atommasse erhöht wird.
Die Lösung dieser Aufgabe ist in den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1 beschrieben.
Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind in den übrigen Ansprüchen wiedergegeben.
Die Ausbildung einer Sputterelektrode ist zwar aus der DE-OS 15 14-972 bekannt, die bei der Erfindung
verwendete ist jedoch derart ausgebildet, daß sie den größten Teil des Gasentladungsraumes ausfüllt, mit
einem äußeren Ring aus magnetischem Material einen Teil des Magnetjoches selbst bildet und gegenüber der
Zwischenelektrode und Anode mittels Isolationsscheiben elektrisch getrennt ist.
Um die Schwellen-Anregungsenergien der zu erzeugenden
hochgeladenen Ionen zu übertreffen, wird die Quelle mit größeren Entladungsspannungen (^200V)
betrieben, wobei sich normalerweise die Entladungsleistung über die Zerstörungsgrenze des Anodenschildes
erhöhen würde. Bei der ,Erfindung wird durch den Einsatz des Zylinders aus hochschmelzendem, nichtmagnetischem
Metall mit enger, je nach Betriebsgas zu wählender Bohrung in die Zwischenelektrode jedoch
der Plasmawiderstand so heraufgesetzt, daß Entladungsstrom und somit Entladungsleistung in erträglichen
Grenzen bleiben; der Verlauf des Magnetfeldes bleibt davon unbeeinträchtigt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand zweier Ausführungsbeispiele mittels der Fig. 1 bis 4 näher
erläutert. Hierbei stellen die
Fi g. 1 schematisch den Verlauf der Magnetflußdichte
durch den Gasentladungsraum dar,
die F i g. 2 das Ausführungsbeispie! ohne Sputterelektrode,
die F i g. 3 das Ausführungsbeispiel mit Sputterelektrode und
die Fig.4 den elektrischen Schaltplan für das Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 3.
In der Fig. 1 ist um die Symmetrieachse 1 der Quellenanordnung eine Hälfte der Zwischenelektrode 2 mit Durchtrittsöffnung 3 und eine Hälfte der Anode 4 mit Durchtrittsöffnung 5 dargestellt. Über der Symmetrieachse 1 ist die Axialkomponente der Magnetflußdichte B„-„i in relativen Einheiten mittels der Kurve 6 aufgetragen. Die Kurve 6 weist ein ausgeprägte Maximum 7 auf, in welchem die Durchtrittsöffnung 5 der Anode 4 direkt angeordnet ist.
Der hier beschriebene Verlauf der Magnetflußdichte
In der Fig. 1 ist um die Symmetrieachse 1 der Quellenanordnung eine Hälfte der Zwischenelektrode 2 mit Durchtrittsöffnung 3 und eine Hälfte der Anode 4 mit Durchtrittsöffnung 5 dargestellt. Über der Symmetrieachse 1 ist die Axialkomponente der Magnetflußdichte B„-„i in relativen Einheiten mittels der Kurve 6 aufgetragen. Die Kurve 6 weist ein ausgeprägte Maximum 7 auf, in welchem die Durchtrittsöffnung 5 der Anode 4 direkt angeordnet ist.
Der hier beschriebene Verlauf der Magnetflußdichte
(F i g. 1) verhindert das Auftreten von Plasmainstabilitäten und erlaubt damit den Betrieb der Quelle bei
Entladungsbedingungen, die für die Erzeugung hochgeladener Ionen erforderlich sind.
Die F i g. 2 zeigt einen Schnitt durch eine Quelle, bei der eine Sputterelektrode nicht vorhanden ist. Ein Teil
der Quelle wird von einem Kathodenraum 12 gebildet, der ebenfalls zur Symmetrieachse 1 rotationssymmetrisch
ist. Er wird im wesentlichen von der Zwischenelektrode 2 und der Abdeckplatte 13 eingeschlossen, wobei
durch die Abdeckplatte 13 die Zu- und Abführung zur eigentlichen Kathode 14 isoliert hindurchgeführt sind. In
den Kathodenraum 12 führt die Gaszuleitung 15. Der Kathodenraum 12 wird voii inneren Teil des Magnetjoches
16 umschlosen. Das gesamte Magnetjoch, bestehend
aus den beiden Teilen 16 und 17, umschließt den
Entladungsraum 11. Innerhalb des Teiles 16 liegt die das Magnetfeld entlang der Symmetrieachse 1 erzeugende
Magnetspule 18. Die Stirnseite 19 des Magnetjoches 17 ist der anodenseitige Polschuh, während der Zwischenelektrodeneinsatz
2 den Zwischenelektrodenpolschuh bildet Der Zwischenelektrodeneinsatz 2 sowie der
zylindrische Einsatz 20 um die Druchtrittsöffnung 3 herum ragen in den Gasentladungsraum 11 hinein. Das
Magnetjochteil 17 ist von dem Magnetjochteil 16 über die Isolationsscheibe 21 elektrisch getrennt Außerdem
wird die Magnetspule 18 mittels der Scheibe 22 aus nichtmagnetischem Material gegenüber dem Gasentladungsraum
11 abgetrennt Der innere Teil 23 des Magnetjoches 16 wird über die Zuführungsleitung 24
und den Ring 25 wassergekühlt.
Der einen Stirnseite 26 des Magnetjochteiles 17 mit der konischen Ausnehmung 27 steht die Extraktionselektrode
28 gegenüber. Insbesondere steht die Spitze 29 mit ihrer Öffnung 30, welche ebenfalls rotationssymmetrisch
zur Symmetrieachse 1 liegt, der Durchtrittsöffnung 5 des Anodenschildes 4 gegenüber. Dieser
Anodenschild besteht aus zwei Teilen 31 und 32 und aus nichtmagnetischem Material, z. B. einer Cu-W-Legierung.
Damit der Anodenschild 4 die hohe thermische Belastung in der Nähe der Entladungsachse aushält,
muß das nichtmagnetische Material gut wärmeleitend und zugleich hochschmelzend sein. Aus wirtschaftlichen
und praktischen Gründen ist der Anodenschild 4 in die beiden Teile 3132 aufgeteilt, wobei der Teil 31 den
Haltering und der Teil 32 den auswechselbaren Einsatz als Verschleißteil bildet.
Die in den Gasentladungsraum 11 hineinragende Oberfläche des Anodenschildes 4, insbeondere die
Oberfläche 33 des auswechselbaren Einsatzes 32 ist plan und steht senkrecht zur Symmetrieachse 1, während der
der Extraktonselektrode 28 und deren Durchtrittsöffnung 30 gegenüberliegende Teil 34 um die Durchtrittsöffnung
5 becherförmig ausgebildet ist. Die Durchtrittsöffnung 5 ist auf ihrer zum Entladungsraum 11
weisenden Seite konisch ausgenommen, wodurch die Kanallänge verkleinert und die wirksame Kühlfläche
vergrößert werden. Der Anodenschild 4 und hierbei insbesondere der Teil 32 ist wassergekühlt. Die
Wasserkühlung erfolgt über den Einlaß 35 im Magnetjöch 17, wobei eine radiale Bohrung 36 zu einer
ringförmigen Ausnehmung 37 führt, welche z. T. in der bodenseitiger Stirnfläche 38 des Magnetjochteiles 17
wie auch in dem Anodenteil 32 eingefügt ist. Der Anodenschild 4 bzw. seine beiden Teile 31 und 32 sind
gegenüber der Bodenfläche 38 und gegeneinander mittels der O-Ringe 39 bis 41 abgedichtet. Weiterhin
führt durch den Magnetjochteil 17 die Zuführung 42 für Gas zum Entladungsraum 11. Die Magnetjochteiie 16
und 17 sind gegenüber der Isolationsscheibe 21 mittels der Dichtungen 43 und 44 abgedichtet
Der sogenannte balancierte Betrieb, bei dem die Kathodenemission so eingestellt wird, daß die Potentialdifferenz zwischen Kathode 14 und Zwischenelektrode 2,20 verschwindet, erweist sich für die Lebensdauer der Kathode 14 als günstig. Wird für die Zwischenelektrodenbuchse 20 ein Material gewählt, das gut Sekundärelektronen emittiert, so kann die eigentliche Kathode 14 noch mehr geschont werden, ohne daß die Entladung im Gesamtladungsraum 11 beeinträchtigt wird.
Der sogenannte balancierte Betrieb, bei dem die Kathodenemission so eingestellt wird, daß die Potentialdifferenz zwischen Kathode 14 und Zwischenelektrode 2,20 verschwindet, erweist sich für die Lebensdauer der Kathode 14 als günstig. Wird für die Zwischenelektrodenbuchse 20 ein Material gewählt, das gut Sekundärelektronen emittiert, so kann die eigentliche Kathode 14 noch mehr geschont werden, ohne daß die Entladung im Gesamtladungsraum 11 beeinträchtigt wird.
Das Anlegen der genannten höheren Spannung führt, im Gegensatz zu bekannten Anordnungen, numehr
nicht mehr zum Auftreten von Instabilitäten, weil durch beträchtliche Erhöhung der Magnetflußdichte B die
Entladung stabilisiert wird; die damit wiederum erhöhte Leistungsdichte wird aber von der erfindungsgemäßen
Anodenschildkonstruktion 4, 31, 32 ausgehalten. Bei gepulster Entladung darf die Pulsleistung den Grenzwert
für Dauerstrichbetrieb weser.iich übersteigen, wodurch der Anteil hochgeiadener Ion.;n im Piasma
weiter vergrößert werden kann.
Mittels dieser Quelle (gilt auch für das nächste Ausführungsbeispiel) sind Ionenstrahlen mit hoher
spezifischer Ladung um 0,05 eo/Λ/ο gleichmäßig für etwa
20 Stunden Betriebsdauer erzeugbar. Die Lebensdauer der Quelle ist dadurch begrenzt, daß sich bei größerer
' Entladungsleistung nach einer bestimmten Brenndauer die Extraktionsöffnung im Anodenschiid 4 so vergrößert,
daß der extrahierte Strahl ionenoptisch nicht mehr beherrscht werden kann.
Beispiele gemessener lonenströme sind in der
folgenden Tabelle aufgestellt:
I Tl | Ar | Xe |
/ | ta | h |
1 8,2 | 500 | 100 |
2 33 | 1200 | 200 |
3 13 | 300 | 180 |
4 | 30 | 160 |
5 | 1 | 125 |
6 | 129 | |
7 | 95 | |
8 | 87 | |
9 | 25 | |
10 | 2,6 | |
11 | -0,3 | |
δ 100% | 10% | 25% |
Hierbei bedeutet: | ||
ζ: Ladungszustand | ||
ö: Tastverhältnis, | ||
/: Ionenstrom in μΑ, | ||
In: lonenstrom während des Pulses in uA. |
Der Ionenstrom / wurde für Titan und der gepulste lonenstrom /n für Xenon und Argon aufgenommen. Die
maximale Magnetflußdichte liegt bei ca. 0,2 T.
Als Betriebsstoffe für die Quelle finden Edelgase und Stickstoff problemlos Verwendung. Gasförmige Verbin-
düngen und Dämpfe bzw. eine ihrer Komponenten sind
oft besondsrs für die heiße Kathode 14 aggressiv. Durch Einlaß eines Schutzgases durch die Zuführung 15 in den
Kathodenraum 12 und Einlaß des aggressiven Betriebsgases durch den Zulauf 42 in den Eniladungsraum 11
wird die Kathode 14 zuverlässig vor Korrosion bewahrt.
Mit der !onenzerstäubungstechnik (Sputtering) können von allen Festkörpern freie Atome gewonnen
werden. Hierzu ist in der in der Fig.3 dargestellten
Ausführungsform der Erfindung zusätzlich zu der Zwischenelektrode 2, 20 und dem Anodenschild 4
innerhalb des Entladungsraumes 11 eine Sputterelektrode
47 eingebaut. Der Kathodenraum 12 mit der Kathode 14. die Spule 18, die Magnetjochteile 16 und 17 sowie die
Extraktionselektrode 28 bleiben unverändert. Der Übersichtlichkeit halber sind daher die anderen
Bezugszeichen nicht aufgeführt worden.
Mittels der ringförmigen Sputterelektrode 47 können geladene Ionen von festen Substanzen erzeugt werden.
Damit wegen auftretender Nebenentladungen die Isolationsscheibe 21 sowie die zusätzliche Isolationsscheibe 48 nicht bedampft werden und somit die
Betriebszeit drastisch verkürzt wird, ist die Sputterelektrode entsprechend ausgebildet. Sie nimmt nahezu den
gesamten Platz im Entladungsraum Il ein. Allerdings besitzt sie einen flachen Teil 49 zwischen der
Zwischenelektrode 2 und dem Anodenschild 4. Um die Symmetrieachse 1 herum, d. h. um die Durchtrittsöffnung
50 der Sputterelektrode 47, 49 wird ein zylindrisches Rohr 51 aus dem zu sputternden Material
eingesetzt. Die Sputterelektrode 47, 49 selbst besteht aus nichtmagnetischem Material. Sie ist jedoch von
einem Ring 54 umgeben bzw. gehaltert, der zwischen den Isolationsscheiben 21 und 48 liegt. Der Ring 54
besteht aus magnetischem Material und bildet einen Teil des Magnetjoches der Quelle. Die Isolationsscheiben 21
und 48 sowie die dazugehörigen Dichtungen 43, 44 und
52. 53 trennen die einzelnen Teile 15, J7 und 54
elektrisch voneinander.
mit einem möglichst langen Sputter-Zylinder 51 wird das Niederschlagen von Atomen des zu sputternden
Materials auf kalten Teilen des Innenraumes 11 weitgehend verhindert. Eine weitere Ökonomie läßt
sich dadurch erreichen, daß ein Sputter-Material als dünne Schicht im Kanal 50 etwa durch Aufdampfen,
Plattieren oder elektrolytisch angebracht wird. Damit können auch teurste Materialien wie angereicherte
Isotope verwendet werden.
Die Durchtrittsöffnung 3 der Zwischenelektrode 2,20 ist in diesem Ausführungsbeispiel etwas größer als im
Ausführungsbeispiel nach Fi g. 1.
ίο Für den Fall einer gepulsten Entladung wird
zweckmäßigerweise auch die Spannung an der Sputterelektrode 47, 49, 51 gepulst. Es erweist sich dabei als
günstig, den Sputterpuls gegenüber dem Hauptentlu dungspuls verzögert einzuschalten und vorzeitig abzu-
i) brechen.
Die elektrische Schaltung für das Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 ist in F i g. 4 schematisch dargestellt. Der
Einfachheit halber sind wiederum nur die Kathode 14. die Magnetjochteile 16, 17, die E.xtraktionselektrode 28
sowie die isoiationssc'neiben 2i utiu 48 mii der
Sputterelektrode 51 bezeichnet. In der Normalversion nach Fig. 2 würde die Sputterelektrode 51 mit ihrer
Spannungsversorgung iAP(typisch 300 V) entfallen. Die
Extraktionsspannung Uex liegt zwischen der Extraktionselektrode
28 und dem Magnetjochteil 17 bzw. dem Anodenschiid 4. Sie beträgt typisch 35 kV. Die
Entladungsspannung Ue liegt zwischen dem Magnetjochteil 17 sowie der Kathode 14 und beträgt ca. 200 V.
Der Mü^rietjochteil 16 liegt am Spannungsleiter mit den
Widerständen Rk bzw. R^ zur Kathode 14 bzw. Anode
4, 17. Der Wert für den Widerstand R/r. beträgt I kOhm bei Gleichstrombetrieb und 100 Ohm bei Pulsbetrieb,
der Widerstand RK kann bei Gleichstrombetrieb entfallen. Im gepulsten Betrieb weist er einen Wert von
ji 10 Ohm auf. Ü» ist die Versorgungsspannung der
Magnetspule 18. deren maximale Magnetflußdichte bei ca. 0.2 T liegt. Die Versorgungsspannung Usp für die
Spüttcrclcktrode 51 lieg1, zwischen dieser und der
Anode 17. wobei der negative Pol an der Sputterelektrode liegt. Die Spannung Uex ist mit ihrem negativen
Pol an Erde angeschlossen.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Duoplastmatron-Ionenquelle zur Erzeugung
mehrfach geladener Ionen, mit einer Glühkathode, mit einer Zwischenelektrode und einer Anode, die
Durchtrittsöffnungen aufweisen und einen Entladungsraum begrenzen, in dem ein Entladungsplasma
durch Anlegen einer Entladungsspannung zwischen Glühkathode und Anode erzeugt wird, und mit einer
ein Magnetfeld entlang einer gemeinsamen Symmetrieachse der Zwischenelektrode und der Anode
erzeugenden Spule mit Magnetjoch, bestehend aus einem anodenseitigen und einem zwischenelektrodenseitigen
Jochteil, wobei der Bereich der Anode um deren Durchtriffsöffnung als Anodenschild aus
nichtmagnetischem Material ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchtrittsöffnung
(5) des Anodenschildes (4; 31, 32) im Maximum der Axialkomponente der Magnetflußdichte
(B*x\ angeordnet ist und daß die Entladungsspannung (Ue)bei etwa 200 V oder darüber liegt.
2. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß um die Durchtrittsöffnung (3) der Zwischenelektrode (2) ein Zylinder (20) aus hochschmelzendem, nichtmagnetischem Material angeordnet
ist.
3. Ionenquelle nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Anodenschild (4; 31, 32)
flüssigkeitsgekühlt ist.
4. Ionenquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß in den Entladungsraum
(11) zwischen Zwischenelektrode (2, 20) und Anodensdiild (4; 31, 32) eine Sputterelektrode (47,
49, 51) einsetzbar ist, öer^n Durchtrittsöffnung (50)
auf der Symmetrieachse (1) liegi, daß die Sputterelektrode
(47, 49, 51) aus nichtmagnetischem Material besteht und um ihre Durchtrittsöffnung (50) ein Rohr
(51) aus dem zu sputtemden Material aufweist, daß die Sputterelektrode (47,49,51) am Magnetjoch (16,
17) befestigt ist und daß die Sputterelektrode (47,49,
51) derart ausgebildet ist, daß sie den größten Teil des Entladungsraumes (U) ausfüllt.
5. Ionenquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Sputterelektrode (47,49,51) einen
äußeren Ring (54) enthält, der einen Teil des Magnetjochs bildet und gegenüber den anoden-
bzw. zwischenelektrodenseitigen Teilen (16, 17) des Magnetjochs mittels Isolationsscheiben (21, 48)
elektrisch getrennt ist.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2610165A DE2610165C2 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Duoplasmatron-Ionenquelle zur Erzeugung mehrfach geladener Ionen |
GB8943/77A GB1578167A (en) | 1976-03-11 | 1977-03-03 | Ion generating source |
US05/774,655 US4123686A (en) | 1976-03-11 | 1977-03-04 | Ion generating source |
NL7702526A NL7702526A (nl) | 1976-03-11 | 1977-03-09 | Bron voor het leveren van enkelvoudig en/of meervoudig geladen ionen. |
JP2655977A JPS52110399A (en) | 1976-03-11 | 1977-03-10 | Ion generator |
FR7707416A FR2344116A1 (fr) | 1976-03-11 | 1977-03-11 | Source de production d'ions a charge simple ou multiple |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2610165A DE2610165C2 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Duoplasmatron-Ionenquelle zur Erzeugung mehrfach geladener Ionen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2610165A1 DE2610165A1 (de) | 1977-09-15 |
DE2610165C2 true DE2610165C2 (de) | 1983-11-10 |
Family
ID=5972151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2610165A Expired DE2610165C2 (de) | 1976-03-11 | 1976-03-11 | Duoplasmatron-Ionenquelle zur Erzeugung mehrfach geladener Ionen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4123686A (de) |
JP (1) | JPS52110399A (de) |
DE (1) | DE2610165C2 (de) |
FR (1) | FR2344116A1 (de) |
GB (1) | GB1578167A (de) |
NL (1) | NL7702526A (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE34806E (en) * | 1980-11-25 | 1994-12-13 | Celestech, Inc. | Magnetoplasmadynamic processor, applications thereof and methods |
EP0056899A1 (de) * | 1980-12-04 | 1982-08-04 | Dubilier Scientific Limited | Gasionenquelle |
JPS5923432A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-06 | Hitachi Ltd | プラズマイオン源 |
US4714860A (en) * | 1985-01-30 | 1987-12-22 | Brown Ian G | Ion beam generating apparatus |
US4841197A (en) * | 1986-05-28 | 1989-06-20 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Double-chamber ion source |
JP2530434B2 (ja) * | 1986-08-13 | 1996-09-04 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | イオン発生装置 |
TW503432B (en) * | 2000-08-07 | 2002-09-21 | Axcelis Tech Inc | Magnet for generating a magnetic field in an ion source |
US7960709B2 (en) * | 2002-06-26 | 2011-06-14 | Semequip, Inc. | Ion implantation device and a method of semiconductor manufacturing by the implantation of boron hydride cluster ions |
US6686595B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-02-03 | Semequip Inc. | Electron impact ion source |
DE10241252B4 (de) * | 2002-09-06 | 2004-09-02 | Forschungszentrum Rossendorf E.V. | Sputterionenquelle |
US7041984B2 (en) * | 2004-05-20 | 2006-05-09 | Inficon, Inc. | Replaceable anode liner for ion source |
US8470141B1 (en) * | 2005-04-29 | 2013-06-25 | Angstrom Sciences, Inc. | High power cathode |
JP2013239303A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | National Institutes Of Natural Sciences | 電子ビーム多価イオン源における多価イオン生成方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1064101A (en) * | 1964-07-13 | 1967-04-05 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to ion sources |
FR2061809A5 (de) * | 1969-04-04 | 1971-06-25 | Commissariat Energie Atomique | |
DE2362723C3 (de) * | 1973-12-17 | 1982-02-18 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Ionenquelle zur Erzeugung einfach und/oder mehrfach geladener Ionen |
-
1976
- 1976-03-11 DE DE2610165A patent/DE2610165C2/de not_active Expired
-
1977
- 1977-03-03 GB GB8943/77A patent/GB1578167A/en not_active Expired
- 1977-03-04 US US05/774,655 patent/US4123686A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-03-09 NL NL7702526A patent/NL7702526A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-03-10 JP JP2655977A patent/JPS52110399A/ja active Pending
- 1977-03-11 FR FR7707416A patent/FR2344116A1/fr active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2344116B1 (de) | 1983-01-21 |
GB1578167A (en) | 1980-11-05 |
JPS52110399A (en) | 1977-09-16 |
FR2344116A1 (fr) | 1977-10-07 |
DE2610165A1 (de) | 1977-09-15 |
US4123686A (en) | 1978-10-31 |
NL7702526A (nl) | 1977-09-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01J 27/10 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |