JPS6347960A - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置用リードフレームの製造方法に係
わり、特に半導体装骨の樹脂モールド後の切り離しに必
要な吊シリードのブレーク用ハーフ部の深さを調整し得
るようにした半導体装置用リードフレームの製造方法に
関する。

（従来の技術） 樹脂モールド型半導体装置の製造において、まず、第７
図に示す妬く半導体ベレットを載置するだめのアイラン
ド部１と、この半導体ペレットとワイヤボンデングによ
り接続されるリード等の骨格部分２を備えたリードフレ
ームが用意される。

ついでアイランド部１とインナーリード３の領域４に金
属（金、銀等）による部分メツキを施したのち、第８図
に示す如く半導体ペレット５をアイランド部１上のメツ
キ層６上に接着し、さらにワイヤボンデングにより半導
体ペレット５とインナＩＪ−ド３を電気的に接続する。

最後に第８図知示す如く半導体ｄｖフットとインナーリ
ード３を含む部分を樹脂７により樹脂封止したのち、外
側レフーム部８等の不要フレーム部分を切り離して製品
とする。

このようなリート９フレームを製造する場合、まず、半
導体装置用リードフレーム形成用金属板の両面の外側フ
レーム部８、アイランド部１、このアイランド部１と外
側フレーム部８とに両端が支持されたアイランド部支持
用吊りリード部９、アイランド部１周囲に配置されたイ
ンナーリード部３を含むリードフレーム骨格部分等残留
すべき部分全レジスト層でマスキングしたのち、エツチ
ング処理することによりリードフレームが得られる。

この場合、吊シリード部９の外側フレーム部８との接続
部分は、樹脂モールド後に外側フレーム部８からの樹脂
封止半導体装置の切ジ離しｔ８易にするため、肉薄部と
する必要があり、この部分は通常、ブレーク用ハーフ部
（図中１０で示す）と呼ばれ、このブレーク用ハーフ部
１０はリードフレームのエツチング加工時に同時に形成
されている。

すなわち、ブレーク用ハーフ部ＩＱの形成はレジスト層
を他部の如く両面に塗布するのでなく、一方の面にのみ
塗布し、他方の面を完全に露出させた状態でエツチング
することによりおこなわれ、その結果、ブレーク用ハー
フ部１０は肉薄となる。

（発明が解決しようとする問題点） このように、ブレーク用ハーフ部１０の部分は一方の金
属表面を露出させた状態で他の部分のエツチング加工と
同時におこなわれるため、ブレーク用ハーフ部１０のエ
ツチング深さは第９図にＩｌｄ　′１で示す如く尚初の
金属材料板厚＠Ｄ″の６０〜７０優に達してしまう。な
ぜならば、リードフレームの他の部分においてはエツチ
ングによる金属材料貫通（この時、ブレーク用ハーフ部
１０のエツチング深さは約５０チとなる）の後も、リー
ドフレームのエツチング断面形状および寸法を安定させ
るため、更にエツチングを続行する必要があるためであ
る。

このように、ブレーク用ハーフ部１０のエツチング深さ
が犬きくなシ、この部分の材料強度が小さくなると、後
工程の部分メツキ時にアイランド部１の変形が生ずるな
どの問題が生じる。すなわち、第７図に示す領域４に部
分メツキを施す場合、第１０図に示す如くリードフレー
ム１ノの裏面全面に上部マスクゴム板１２を圧接し、リ
ードフレーム１１の表面に領域４に相当するメツキ用開
口部１．１　ａを設けた下部マスクゴム板１３を押し当
てた状態にして上記開口部１１ｈにメツキ液を矢線の如
く吹き付け、領域４にのみ部分メツキを施す。この場合
、上部マスクゴム板１２に対しては特に押圧力が加わる
ため、ブレーク用ハーフ部１０の強度が小さすぎると、
これがアイランド部１の変形の原因となる。

そのなめ、ブレーク用ハーフ部１０の強度が所定以下と
なら々いように対処する必要があった。

（問題点を解決するだめの手段） この発明は半導体装置用リードフレームのエツチング加
工において、ブレーク用ハーフ部１０のエツチング深さ
を適宜調整することが可能な工。

チング方法を提供することにより上述の如き従来技術の
問題点を解決しようとするものである。

すなわち、この発明によれば半導体装置用リードフレー
ム形成用金属板の両面のアイランド部、リード部、吊り
リード部等の必要個所にレジスト層を選択的に塗布した
のち、エツチング液に＞Ｋ　して半導体装置用リードフ
レームを製造する方法において、吊シリードの上記外側
フレームとの接続部分近傍の一方の面を上記レジスト層
で全面マスキングし、その他面に上記レジスト層を部分
的に形成した状態でエツチングすることにより、その部
分のエツチング速度を他部より遅らせ、これによりブレ
ーク用ハーフ部を比較的浅く形成することによりブレー
ク用ハーフ部の強度が所定以下とならないようにし、上
記問題点の解決を図ったものである。

（発明の詳細な説明） 以下、この説明を図示の具体例を参照して説明する。

第１図は半導体装置用リードフレーム形成用金属板（た
とえば４２合金（４２重量％Ｎｉ　、残部Ｆ＠×シん青
銅等）の吊シリード２１の外側フレーム部２２との接続
部近傍を中心にして示した平面図であって、外側フレー
ム部２２、リード部２３および吊シリード部２１にレノ
スト材料２５（ハツチング部分）が塗布されている。た
だし、吊シリード部２１のブレーク用ハーフ部２１ａ（
破線で挾まれた部分）にはレジスト材料２５が部分的（
格子状）に塗布されていて、上記金属板の一部２０が露
出している。なお、この金属板の反対側の面は第２図か
ら明らかなように上記の如き金属板の一部２０が露出す
ることなく、吊シリード部２１全体にレジスト材料２５
が塗布されている。そのほか、反対側の外側フレーム部
２２およびリード部２３にも当然、レジスト材料が全面
塗布されている。

このような状態で工、チンダ液を用いリードフレーム形
成用金属板を上下両面から工、チング処理すると、レジ
スト材料２５が全く塗布されていない金属露出部分２６
の工、チングは通常通り進行するが、ブレーク用ハーフ
部２１ｍは一方の面にレジスト材料２５が部分的に存在
するため、エツチング速度が遅く々す、第２図に示す如
く、金属露出部分２６では金属板がほぼ貫通状態に至っ
ても、このブレーク用ハーフ部２１ｍは僅かにエツチン
グされるにすぎない。リードフレームの工、チング断面
形状および寸法を整えるため、さらにエツチングを続行
すると、工、チンダ液によるアンダーカット作用により
ブレーク用ハーフ部２１ｍのレジスト材料２５が自動的
に除去され、最終的に第３図に示す如く、ブレーク用ハ
ーフ部゛２１ａのエツチング深さ１ｄ′を当初の金属板
の厚みの５０％以下に抑制することができる。第４図は
このようなエツチング法によって得られる吊りリード２
１を側面から見たときの断面形状を示している。

ブレーク用ハーフ部２１ａのエツチング深さは一般にブ
レーク用ハーフ部２１ａの一方の面に塗布されるレジス
ト材料のノ’？ターンの粗さ、形状等により任意に調整
することができる。しかし、一般には金属板の板厚に対
し、１／３〜１／１０の線巾および間隙（レジストを施
さない部分）を設けたレジストパターンを形成すること
により、ブレーク用ハーフ部２１ｍのエツチング深さを
当初の板厚の３０〜５０％程度とすることが好ましい。

第５図および第６図はブレーク用ハーフ部２１ｍに形成
されるし・シストパターンの変形例をＭ１図に対応させ
て示すもので第５図のものはたとえば厚さ１３０〜３０
０μｍの金属板に対し５０μｍ角の四角形状のレジスト
２５ｈを５０μｍの間隙を以ってドツト方式に形成した
場合、第６図のものは同じく厚さ１３０〜３００μｍの
金属板に対し線巾３０μｍ。

間隙３０μｍで環状ツクターンのレジスト２５ｂを施し
た場合をそれぞれ示している。なお、レジストパターン
の形状については当然、上記例に限定されるものでなく
任意の形状を選択し得る。

（実施例） 半導体装置用リードフレーム形成用金属板として４２合
金からなる厚さ２５０μｍの金属板を用意し、この金属
板の両面にテリビニルアルコール系感光性樹脂（ポリビ
ニルアルコール１０重量％、Ｋ２ＣＴ２０ｙ　１重量％
、水８９重１ｑ６）をレジスト材料として塗布し、つい
で紫外線照射等を介して第１図および第２図に示す如き
格子状レジストパターンを形成した。すなわち、ブレー
ク用ノ・−フ部は開口部の寸法（−ｘｂ）を８０μｍ×
６０μｍとし、開口部間の間隔Ｃを４０μｍとした格子
状・母ターンとした。

次に、このレジストパターンを施した金属板を液温５０
〜７０℃の工、チンダ液（３８〜４２ゴーメＦｅ　Ｃ１
５液（塩酸０．２％））を用い、１０〜１５分間エツチ
ング処理した。その結果、所定形状のリードフレームが
形成され、ブレーク用ハーフ部の厚みを約１５０μｍ（
エツチング深さ＝当初の金属板の約４０％）に調整する
ことができた。

（発明の効果） 以上詳述した如く、本発明によれば、ブレーク用ハーフ
部のエツチング速度を調整して、エツチング深さを任意
に制御することができるため、ブレーク用ハーフ部の強
度を元号に維持させることができ、したがって、アイラ
ンド部およびインナＩＪ−ド部の部分メツキ処理工程で
のアイランド部の変形による不良品の発生を完全に防止
することができる。また、本発明の方法によればブレー
ク用ハーフ部のエツチング深さの調整を特別の工程を付
加することな〈従来と同じ工程により同時におこなうこ
とができるため、工程の複雑化を招くことも々い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフレームの
製造方法を説明するための平面図であって、特にブレー
ク用ハーフ部を中毛・とじて示す図、第２図および第３
図は第１図のＡ−Ａ綜に沿う断面におけるエツチングの
進行状態を示す断面図、第４図はエツチング処理終了後
の吊りリードの状態を示す断面図、第５図および第６図
はブレーク用ハーフ部におけるレジメ）　／？ターンの
変形例を第１図のものに対応させて示す平面図、第７図
は半導体装置用リードフレームの一部を示す平面図、第
８図は半導体装置をリードフレーム上にて樹脂封止した
状態を示す断面図であって、第７図のＢ−Ｂ線に対応し
て示す図、第９図はブレーク用ハーフ部のエツチング深
さを説明する図、第１０図はリードフレームに部分メツ
キする場合の状態を示す断面図である。 図中、１・・・アイランド部、２・・・骨格部分、３・
・・インナーリード、４・・・領域、５・・・半導体ペ
レット、６・・・メツキ層、７・・・樹脂、８・・・外
側フレーム部、９・・・吊りリード部、１０・・・ブレ
ーク用ハーフ部、１１・・・リードフレーム、１１ａ・
・・開口部、１２・・・上部マスクゴム板、１３・・・
下部マスクゴム板、１３ａ・・・開口部、２ノ・・・吊
シリード、２１ａ・・・ブレーク用ハーフ部、２２・・
・外側フレーム部、２３°°°リ一ド部、２５・・・レ
ソスト材料、２６・・・金属露出部分。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第３図 第４図 ｎ 第６図 第８図 第１０図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体装置用リードフレーム形成用金属板の両面
   の外側フレーム部、半導体素子載置用アイランド部、該
   アイランド部と外側フレーム部とに両端が支持されたア
   イランド部支持用吊りリード部、該アイランド部の周囲
   に配置されたインナーリード部を含むリードフレーム骨
   格部をレジストでマスキングしたのち、エッチング処理
   してなる半導体装置用リードフレームの製造方法におい
   て、上記吊りリードの上記外側フレーム部との接続部分
   近傍のブレーク用ハーフ部形成予定部分の一方の面を上
   記レジストで全面マスキングし、他方の面に上記レジス
   トを部分的にマスキングした状態でエッチングし、この
   部分的マスキング部分のエッチング速度を他部より遅ら
   せることにより、ブレーク用ハーフ部を形成するように
   したことを特徴とする製造方法。
2. （２）上記吊りリードのブレーク用ハーフ形成予定部分
   の上記他方の面に上記金属板の厚みに対し、１／３〜１
   ／１０の線巾、および間隙を有するレジストパターンを
   形成し、ついでエッチングしてブレーク用ハーフ部を形
   成するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の製造方法。
3. （３）ブレーク用ハーフ部のエッチング速度の調整によ
   り該ブレーク用ハーフ部のエッチング深さを上記金属板
   の厚みの３０〜５０％とする特許請求の範囲第１項記載
   の製造方法。