JPS634634B2 - - Google Patents

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JPS634634B2
JPS634634B2 JP6736482A JP6736482A JPS634634B2 JP S634634 B2 JPS634634 B2 JP S634634B2 JP 6736482 A JP6736482 A JP 6736482A JP 6736482 A JP6736482 A JP 6736482A JP S634634 B2 JPS634634 B2 JP S634634B2
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JP
Japan
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copper
complexing agent
plating
exchange membrane
anode
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Expired
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JP6736482A
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English (en)
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JPS58185757A (ja
Inventor
Hideo Honma
Yoshiaki Suzuki
Yasuhiro Matsumoto
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KANTO KASEI KOGYO KK
Original Assignee
KANTO KASEI KOGYO KK
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Publication date
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Priority to DE8282400798T priority patent/DE3272286D1/de
Priority to GB08212818A priority patent/GB2117003B/en
Priority to CA000418017A priority patent/CA1220759A/en
Publication of JPS58185757A publication Critical patent/JPS58185757A/ja
Publication of JPS634634B2 publication Critical patent/JPS634634B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1617Purification and regeneration of coating baths

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明はエチレンジアミン四酢酸(EDTA)
などの錯化剤を含む無電解銅めつき浴の再生方法
に関し、特には、めつき浴中から回収した錯化剤
を用い、アノード溶解により形成した銅イオンを
EDTA―銅錯化物として供給する無電解めつき
浴の再生方法に関する。 無電解めつきは、それが電気めつきの下地めつ
きとして用いられるものであろうとも、また、そ
れ自体で用いられるものであろうとも、その反応
に伴なつて、めつき浴中の銅イオン、PHすなわち
水酸化イオンおよび還元剤が減少し、その減少に
応じた反応副生物が生じる。これは、無電解めつ
き反応が不可逆反応であるため不可避の現象であ
る。 一方、無電解銅めつき皮膜の品質は、めつき浴
組成およびめつき条件によつて大きく左右され
る。つまり、めつき浴中の反応副生成物による塩
濃度の増大につれて無電解銅めつき皮膜の特性や
品質が悪化するし、めつき反応速度が変化してく
る。 ところで、プリント配線板のための無電解銅め
つき、中でもセミアデイテイブまたはフルアデイ
テイブ法により作製されるプリント配線板におい
ては、その無電解めつきの皮膜物性は、電解銅め
つきでその殆んどの回路を形成する従来のサブト
ラクテイブ法における単なるスルホールつまり導
体化のみを目的とする無電解めつきの皮膜物性に
比べると、はるかに良質な皮膜の形成が要求され
る。つまり、無電解銅めつき皮膜の物性がピロリ
ン酸銅めつきや硫酸銅めつきに代表される電気銅
めつきのそれと同じようなものでなければ、同等
のプリント配線板は得られないし、また、めつき
皮膜のコントロールの点においても、無電解銅め
つきの反応速度のコントロールが非常に重要にな
つてくる。そのため、無電解銅めつき浴組成は極
力一定した濃度に管理され、かつ、反応副生物も
極力少なくしなければならない。 従来は、無電解めつき反応に伴なつて減少する
Cu2+、OH-、還元剤を手動もしくは自動分析、
または被めつき体の処理量とめつき時間から推測
して、めつき浴中のこれら成分濃度が所定濃度に
達した時、別途用意した硫酸銅溶液、水酸化ナト
リウム溶液および還元剤たとえばホルムアルデヒ
ドを固体もしくは水溶液状態で、それぞれ一定量
を加えて、浴濃度を調節していた。一方、これに
伴ない硫酸ナトリウム、ギ酸ソーダさらにはメタ
ノール、エタノールなどのアルコール類が蓄積さ
れてくる。そこで、これら反応副生物が増大する
と、めつき不良が増加するため、経験的にある浴
寿命まで使用すると浴の一部または全部を廃棄
し、新しいめつき浴と更新していた。 しかしながら、この方法ではコストが高くなる
ばかりでなく、品質のバラツキ、作業性の悪化な
どの弊害を招き、特に上述の如く高品質の無電解
めつき皮膜が要求される場合においては問題であ
つた。また、めつき液を更新した場合の廃液の処
理も問題であつた。すなわち、老廃液中の錯化剤
に対するCOD対策、BOD対策等の無害化処理が
必要となり、したがつて、公害規制の点からいつ
て無害化処理費用の増大を招くばかりでなく、廃
棄すること自体が難しくなつてきている社会情勢
に対応できない。 本発明は、上記の如き従来技術の欠点を解決す
ることを目的とするものであり、反応副生物の蓄
積が少なく安定した無電解めつきが行なえ、しか
も、廃液処理の問題も大巾に低減しうる無電解め
つき浴の再生方法を提供することを目的とする。 すなわち、本発明の無電解めつき浴の再生方法
は、以下の(イ)〜(ニ)の工程を含むことを特徴とす
る。 (イ) 錯化剤を含む無電解銅めつき浴から無電解め
つき液の一部もしくは全部を連続的または間欠
的に取り出して、該液中の銅イオンを該液中か
ら分離除去する工程。 (ロ) この液を酸性にして錯化剤を析出せしめて回
収する工程。 (ハ) イオン交換膜により仕切つて、銅を陽極とす
る陽極室および陰極を配設した陰極室を設け、
該陰極室には中性電解質溶液(前記イオン交換
膜がアニオン交換膜の場合)または中性もしく
はアルカリ性電解質溶液(前記イオン交換膜が
カチオン交換膜の場合)を入れ、一方、陽極室
には前記回収錯化剤を導入し、前記両極間に直
流電流を通電する工程。 (ニ) この陽極室内の溶液を無電解めつき浴にリサ
イクルする工程。 以下、添付図面に沿つて本発明をさらに詳細に
説明する。 第1図は本発明のフロー図である。無電解めつ
き浴12には銅イオン、水酸化イオン(PH調整
剤)、還元剤、錯化剤を含み、さらに種々の助剤
を含むことができる。無電解銅めつきが進行する
につれて、銅イオン、水酸化イオンおよび還元剤
が消費され、一方、ギ酸ナトリウム、メチルアル
コールなど(還元剤としてホルムアルデヒドを使
用した場合)が副生する。また、銅イオンが硫酸
銅として、また、水酸化イオンが水酸化ナトリウ
ムとして加えられた場合は、硫酸ナトリウムが蓄
積されてくる。そこで、消費分がサイクル系およ
び非サイクル系からそれぞれライン13および1
5により供給されると共に、めつき液(副生物を
含む)の一部もしくは全部が連続的または間欠的
にめつき浴12から取り出される。なお、ここで
間欠的とは一定周期をもたず単に非連続的に取り
出される場合も含む。 第1図は供給量に応じて一部をオーバーフロー
して連続的に取り出す場合について示しており、
オーバーフローしためつき液12はライン17を
経て濾過器19(省略することもできる。)を介
して供給口より銅沈殿装置21に導かれる。銅沈
殿装置21では銅イオンの沈殿、除去が行なわれ
る。銅イオンの分離は、たとえば、以下のような
方法の1つまたは2つ以上の組合せ等により銅キ
レートを分解して銅を金属銅もしくは銅酸化物と
して沈殿することにより行なわれる。 (1) 銅板、銅箔、銅粉などの金属銅を液中に添加
する。 (2) Pd2+などの触媒を液中に添加する。 (3) 液を高温かつ高PHに維持する。 また、銅の除去はこれら沈殿除去とは別に電解
除去によつても行なわれる。たとえば、無電解銅
めつき液中に不溶性陽極および陰極を配して直流
電流を通電して陰極上に銅を析出せしめて、該浴
中の銅イオンを除去する。 したがつて、銅沈殿装置21は、所望により銅
粉、Pd2+、アルカリ剤などの投入部材であるい
は加熱部材を含むことができ、さらに上記反応を
速やかに行なうために撹拌部材を含むことができ
る。また、陽極および陰極を配設することもでき
る。沈殿した銅成分は、適宜、バルブ24から排
出される。 銅イオンの沈殿除去された溶液は、排出口から
ライン23を経て濾過器25(省略することもで
きる。)を介して錯化剤回収装置27に導かれる。
錯化剤回収装置にはライン28を経て酸を導くこ
とができ、この装置内の液性を錯化剤が析出する
に十分に酸性とすることにより、錯化剤が析出す
る。好適なPH範囲は錯化剤によつて異なるが、た
とえばEDTAの場合はPH4.0以下が一般的であり、
好ましくはPH2.0以下、さらに好ましくはPH1.0以
下である。液性の調整には一般の酸が適当であ
る。たとえば、硫酸、塩酸などが例示できる。 第2図は錯化剤としてEDTAを用いた場合の
回収率とPHとの関係を示すグラフである。液性を
PH2.0以下とすることにより十分にEDTAを回収
することができ、PH1.0以下とすることがさらに
好ましいことが判る。なお、本例においては硫酸
でPHを調整した。 このように、無電解銅めつき浴からの錯化剤の
分離は、銅キレート剤の分離、錯化剤の析出分離
により達成されるが、このプロセスの適用できる
錯化剤としては、EDTAの他に、ロツシエル
(酒石酸ナトリウムカリウム)、エチレンジアミン
テトラミン、トリエタノールアミン、ジエタノー
ルアミンなど多くの公知の無電解銅めつき用錯化
剤がある。 析出した錯化剤はライン29を経て電解装置3
1の陽極室33に導かれる。なお、この際、錯化
剤は必要により洗浄さらには乾燥してもよく、さ
らに回収錯化剤は固形状態で供給してもよく、ま
た、予めアルカリ溶液に溶解して溶液状態で電解
装置31の陽極室33に導いてもよい。 電解装置31はイオン交換膜37に仕切られて
陽極室33および陰極室35が形成されている。
そして、陽極室33には銅からなる陽極39が配
設され、一方、陰極室35には陰極41が配設さ
れている。陰極41としては、ステンレス、カー
ボンなどの陰極水溶液に不溶性のものが好まし
い。 陽極室33には回収錯化剤が固体状態、液体状
態などで供給されると共に、その液性は錯化剤が
溶解可能な液性に保たれる。たとえばEDTAの
場合はPH4.0以上が一般的であり、好ましくはPH
7.0以上である。 ()陰極室35にアルカリ性溶液が入れられ
る場合は、イオン交換膜としてカチオン交換膜が
用いられ、また、()陰極室35に中性電解質
溶液が入れられる場合は、イオン交換膜としてカ
チオンまたはアニオン交換膜のいずれもが用いら
れる。カチオン交換膜はすぐれた特性のものが容
易に入手でき、この点ではアニオン交換膜より好
ましい。 両極間、すなわち陽極39および陰極41間に
直流電流を通電して電解すると、銅が溶解して陽
極室33中に銅イオンが生成すると共に、このイ
オンはライン29を経て供給される錯化剤と銅錯
化物を形成し、ついで、この銅錯化物はライン1
3から無電解めつき浴11にリサイクルされる。 このように銅イオン(錯化合物として)はライ
ン13より供給され、また、OH―イオン還元剤
等はライン15からもしくは15′および13を
経て供給される。以上、銅イオンの分離、錯化剤
の回収、電解による銅イオンの溶出を別々の槽で
行なう場合について説明したが、上記各操作を1
つの槽内によつて行なうことも可能である。 第3図は電流密度とアノード溶解効率との関係
を示すグラフである。これは第1図に示した電解
装置を用い、陽極室中にEDTA・4Na0.08mol/
を、陰極室中にNaOH0.1mol/を入れ、カ
チオン交換膜を用い、陽極として0.5dm2の銅板を
陰極として0.5dm2の18―8ステンレスを用い、液
温50℃で行なつた。 第4図は同様に銅イオンとEDTAとの濃度比
R(R=〔EDTA〕/〔Cu2+〕)と、アノード溶解
効率との関係を示すグラフである。EDTA濃度
を変化させた以外は第4図と同様にして行なつ
た。銅の錯化剤であるEDTA濃度が高い方が、
電流効率よく溶解し、したがつて、錯化剤を所定
濃度以上に保つことにより効率よく溶解補給する
ことができる。 第5図は陽極室の液温とアノード溶解効率の関
係を示すグラフである。これは、第2図と同一の
両極室組成、電流値2A、通電量3600クローン、
陽極電流密度3A/dm2、陰極電流密度4A/dm2
で行なつた。陽極室の液温が高い方が電流効率よ
く銅が溶解することが判る。たとえばプリント配
線板のように、めつきの高速化とめつき被膜の物
性を厳しく要求される無電解めつきでは、めつき
浴温が極力高い状態で使用するのが理想的である
ので、一層効果的である。 以上説明したように、本発明によれば、無電解
めつき液の少なくとも一部を取り出し、これから
錯化剤を回収し、この錯化剤を用いて銅錯化合物
として消費された銅分を供給することにより、硫
酸ナトリウムやギ酸ナトリウムあるいはアルコー
ルといつた副生物の無電解銅めつき浴中への蓄積
が非常に少なくなり、極端には硫酸ナトリウムの
蓄積はゼロになり、電解浴の大巾な長寿命化が可
能となり、高品質の無電解めつきを安定に行なう
ことができる。また、従来はめつき廃液のCOD、
BOD対策が公害上大きな問題となつていたが、
めつき浴の長寿命化により浴を廃棄せずにすみ、
しかもEDTAなどの高価な錯化剤を回収して有
効に利用することができる。 実験例 EDTA・4Na 30g/ CuSO4・5H2O 6g/ パラホルムアルデヒド 7g/ PH(NaOHで調整) 11.8 の浴組成(浴量5)を用い、温度50℃で、ガラ
スエポキシ銅張積層板に無電解めつきを施した。
このとき、第1表に示すように浴中に硫酸ナトリ
ウムを添加し、その影響を調べた。
【表】 実施例 1 ガラスエポキシ銅張積層板をリン酸三ソーダ40
g/で脱脂し、過硫酸アンモニウム100g/
でエツチングし、パラジウム、スズのコロイド溶
液ついで硫酸50g/で活性化した後、本法およ
び従来法で無電解銅めつきを行なつた。 浴組成 硫酸銅 10g/ EDTA 50g/ ホルムアルデヒド 10g/ 水酸化ナトリウム PH12に調整 浴 温 50℃ 1dm2/の負荷で12日間めつきを行なつた。
従来法では銅イオンおよび水酸化イオンの補給を
硫酸銅および水酸化ナトリウムを追加することに
より行なつたので、硫酸ナトリウムの濃度が上昇
した。本法では第1図に示した装置めつき浴を前
記浴組成とし、カチオン交換膜を用い、電解装置
の陰極室にNaOH0.1g/を入れ、陽極として
銅板を陰極としてステンレス板を用い、陽極電流
密度2.5A/dm2、陰極電流密度4A/dm2で通電
し、また、陽極室に回収EDTAを補給して行な
つたが硫酸ナトリウムの濃度の増加はみられなか
つた。 EDTAの回収は、めつき浴の一部を取り出し、
PHを14として銅箔を加えて銅イオンを沈殿除去
し、ついで液にH2SO4を加えてPH2.0として定
量的にEDTAを析出せしめ、過することによ
り行なつた。 この結果を以下に示す。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は本発明について示すフロー図である。
第2図はEDTAの回収率を示すグラフである。
第3図は電流密度とアノード溶解効率との関係を
示すグラフである。第4図は銅イオンとEDTA
との濃度比Rと、アノード溶解効率との関係を示
すグラフである。第5図は液温とアノード効率と
の関係を示すグラフである。 11…無電解めつき浴、21…銅沈殿装置、2
7…錯化剤回収装置、31…電解装置、37…イ
オン交換膜、39…陽極、41…陰極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 (イ) 錯化剤を含む無電解銅めつき浴から無電
    解めつき液の一部もしくは全部を連続的または
    間欠的に取り出して、該液中の銅イオンを該液
    から分離除去し、 (ロ) この液を酸性にして錯化剤を析出せしめて回
    収し、 (ハ) イオン交換膜により仕切つて、銅を陽極とす
    る陽極室および陰極を配設した陰極室を設け、
    該陰極室には中性電解質溶液(前記イオン交換
    膜がアニオン交換膜の場合)または中性もしく
    はアルカリ性電解質溶液(前記イオン交換膜が
    カチオン交換膜の場合)を入れ、一方、陽極室
    には前記回収錯化剤を導入し、前記両極間に直
    流電流を通電し、 (ニ) ついで、前記陽極室内の溶液を前記無電解め
    つき浴にリサイクルする ことを特徴とする無電解めつき浴の再生方法。
JP6736482A 1982-03-13 1982-04-23 無電解めつき浴の再生方法 Granted JPS58185757A (ja)

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JP6736482A JPS58185757A (ja) 1982-04-23 1982-04-23 無電解めつき浴の再生方法
US06/372,133 US4425205A (en) 1982-03-13 1982-04-27 Process for regenerating electroless plating bath and a regenerating apparatus of electroless plating bath
EP82400798A EP0088852B1 (en) 1982-03-13 1982-04-30 A process for regenerating electroless plating bath and a regenerating apparatus of electroless plating bath
DE8282400798T DE3272286D1 (en) 1982-03-13 1982-04-30 A process for regenerating electroless plating bath and a regenerating apparatus of electroless plating bath
GB08212818A GB2117003B (en) 1982-03-13 1982-05-04 Apparatus and process for electroless plating bath regeneration
CA000418017A CA1220759A (en) 1982-03-13 1982-12-17 Regeneration of plating bath by acidification and treatment of recovered chelating agent in membrane cell

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